JPS634627A - 液相エピタキシヤル結晶成長用治具 - Google Patents
液相エピタキシヤル結晶成長用治具Info
- Publication number
- JPS634627A JPS634627A JP14926886A JP14926886A JPS634627A JP S634627 A JPS634627 A JP S634627A JP 14926886 A JP14926886 A JP 14926886A JP 14926886 A JP14926886 A JP 14926886A JP S634627 A JPS634627 A JP S634627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- crystal growth
- jig
- holding jig
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000289 melt material Substances 0.000 claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はＨｇ１−ｘｃｄｘＴｅ等からなる化合物半導体
結晶層を液相エピタキシャル結晶成長により形成するた
めの基板保持治具を三分割型とし、この三分割構成部材
の組合せで被結晶成長用基板を保持する構成とすること
により、結晶層形成後の基板保持部の間隙に結晶成長用
メルト材料が残留することがあっても、該基板保持治具
の組合せを分解することで、残留メルト材料に起因する
治具からの基板の取り出しの困難性を解消し、容易化し
たものである。
結晶層を液相エピタキシャル結晶成長により形成するた
めの基板保持治具を三分割型とし、この三分割構成部材
の組合せで被結晶成長用基板を保持する構成とすること
により、結晶層形成後の基板保持部の間隙に結晶成長用
メルト材料が残留することがあっても、該基板保持治具
の組合せを分解することで、残留メルト材料に起因する
治具からの基板の取り出しの困難性を解消し、容易化し
たものである。
本発明は液相エピタキシャル結晶成長用治具の改良に係
り、特に易蒸発性の成分元素を含む化合物半導体結晶の
液相エピタキシャル成長に好適な基板保持治具に関する
ものである。
り、特に易蒸発性の成分元素を含む化合物半導体結晶の
液相エピタキシャル成長に好適な基板保持治具に関する
ものである。
液相エピタキシャル結晶成長は一般に複数の組成元素か
らなる半導体結晶、例えば砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、
ガリウム・アルミニウム・砒素（ＧａＡ７Ａｓ）等の化
合物半導体結晶を構成材料として発光素子、レーザ素子
、或いは受光素子等を形成するのに用いられている。ま
た近年においては鉛・錫・テルル（Ｐｂ、、＜５ｎＸＴ
ｅ）や易蒸発性のｎｇからなる成分元素を含むエネルギ
ーギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−
ｘＣｄｘＴｅ）等の化合物半導体結晶を構成材料として
、赤外線検知素子や赤外半導体レーザ素子などの光電変
換素子を形成するのに用いられていることが周知である
。
らなる半導体結晶、例えば砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、
ガリウム・アルミニウム・砒素（ＧａＡ７Ａｓ）等の化
合物半導体結晶を構成材料として発光素子、レーザ素子
、或いは受光素子等を形成するのに用いられている。ま
た近年においては鉛・錫・テルル（Ｐｂ、、＜５ｎＸＴ
ｅ）や易蒸発性のｎｇからなる成分元素を含むエネルギ
ーギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−
ｘＣｄｘＴｅ）等の化合物半導体結晶を構成材料として
、赤外線検知素子や赤外半導体レーザ素子などの光電変
換素子を形成するのに用いられていることが周知である
。
特に易蒸発性のＨｇからなる成分元素を含む水銀・カド
ミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘＣｄｘＴｅ）等の化合物半
導体結晶を液相エピタキシャル成長により形成する方法
としては、本発明者等により既に提案されている密閉回
転式の液相エピタキシャル結晶成長法が用いられている
。
ミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘＣｄｘＴｅ）等の化合物半
導体結晶を液相エピタキシャル成長により形成する方法
としては、本発明者等により既に提案されている密閉回
転式の液相エピタキシャル結晶成長法が用いられている
。
これらの結晶成長法に用いられる基板保持治具としては
、−枚の結晶基板から数多くの素子形成が得られるよう
に大型の被結晶基板を確実に保持することが可能である
ことは勿論のこと、結晶成長後の結晶基板を結晶成長用
のメルト材料等により妨げられずに簡単、かつ容易に取
出し得ることが必要とされる。
、−枚の結晶基板から数多くの素子形成が得られるよう
に大型の被結晶基板を確実に保持することが可能である
ことは勿論のこと、結晶成長後の結晶基板を結晶成長用
のメルト材料等により妨げられずに簡単、かつ容易に取
出し得ることが必要とされる。
従来の密閉回転式の液相エピタキシャル結晶成長法に用
いられている治具、卯ち基板保持治具は第３図に示すよ
うに、石英アンプル５内に内接する外径と所定長さの、
例えば石英ガラス、或いはカーボン材からなる円柱１の
外周部中央の一部を切り欠いた切り欠き凹部２を有し、
該切り欠き凹部２内の対向壁面に被結晶成長用基板３を
横架する形に水平に保持する構成からなっている。
いられている治具、卯ち基板保持治具は第３図に示すよ
うに、石英アンプル５内に内接する外径と所定長さの、
例えば石英ガラス、或いはカーボン材からなる円柱１の
外周部中央の一部を切り欠いた切り欠き凹部２を有し、
該切り欠き凹部２内の対向壁面に被結晶成長用基板３を
横架する形に水平に保持する構成からなっている。
そして液相エピタキシャル結晶成長に際しては、当該治
具の切り欠き凹部２内に、例えばＣｄＴｅからなる被結
晶成長用基板３を水平に架は渡した形に保持し、この基
板保持治具１１と、予め所定組成比 □に秤量さ
れたＨｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶成長用メルト
材料４とを図示のように石英アンプル５内に配設し、内
部を排気した後、該基板保持治具１１が内部で動かない
ように気密に封止する。
具の切り欠き凹部２内に、例えばＣｄＴｅからなる被結
晶成長用基板３を水平に架は渡した形に保持し、この基
板保持治具１１と、予め所定組成比 □に秤量さ
れたＨｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶成長用メルト
材料４とを図示のように石英アンプル５内に配設し、内
部を排気した後、該基板保持治具１１が内部で動かない
ように気密に封止する。
しかる後、前記石英アンプル５を図示しないエピタキシ
ャル結晶成長炉内に配置し、結晶成長温度よりも高い所
定温度に加熱して該石英アンプル５内の結晶成長用メル
ト材料４を熔融し、前記石英アンプル５を１８０度回転
して、前記基板３面に熔融した結晶成長用メルト材料４
を接触させると共に、加熱温度を所定結晶成長温度に低
下させて該基板３上にＨｇ＋−ｘＣｄｘＴｅからなる結
晶層を成長させる。
ャル結晶成長炉内に配置し、結晶成長温度よりも高い所
定温度に加熱して該石英アンプル５内の結晶成長用メル
ト材料４を熔融し、前記石英アンプル５を１８０度回転
して、前記基板３面に熔融した結晶成長用メルト材料４
を接触させると共に、加熱温度を所定結晶成長温度に低
下させて該基板３上にＨｇ＋−ｘＣｄｘＴｅからなる結
晶層を成長させる。
次に所定の厚さの結晶層が形成された時点で該石英アン
プル５を再び１８０度反軸反転ことにより、該基板３上
の前記結晶成長用メルト材料４を除去して結晶成長を停
止させ、その後成長炉内より石英アンプル５を徐冷しな
がら引き出し、該石英アンプル５を開封し、基板保持治
具１１よりＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅからなる結晶層が形成
された基板３を取り出している。
プル５を再び１８０度反軸反転ことにより、該基板３上
の前記結晶成長用メルト材料４を除去して結晶成長を停
止させ、その後成長炉内より石英アンプル５を徐冷しな
がら引き出し、該石英アンプル５を開封し、基板保持治
具１１よりＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅからなる結晶層が形成
された基板３を取り出している。
ところで、このような従来の液相エピタキシャル結晶成
長用の基板保持治具１１では、エピタキシャル結晶成長
時に被結晶成長用基板３を水平に架は渡した形に保持し
た該治具１１とその基板３との間に溶融した前記結晶成
長用メルト材料４が入り込み、結晶成長後、石英アンプ
ル５を再び１８０度反軸反転該基板３上の該メルト材料
４を除去した際に、前記保持治具１１と基板３との間に
該メルト材料４が残留し、この残留メルト材料４によっ
て基板保持治具１１より結晶層形成後の基板３を取り出
すことが妨げられて困難となり、該基板３を破損させる
といった問題があった。 −またかかる問題は被結晶
成長用基板３の面積が大きくなるにつれて顕著となる欠
点があった。
長用の基板保持治具１１では、エピタキシャル結晶成長
時に被結晶成長用基板３を水平に架は渡した形に保持し
た該治具１１とその基板３との間に溶融した前記結晶成
長用メルト材料４が入り込み、結晶成長後、石英アンプ
ル５を再び１８０度反軸反転該基板３上の該メルト材料
４を除去した際に、前記保持治具１１と基板３との間に
該メルト材料４が残留し、この残留メルト材料４によっ
て基板保持治具１１より結晶層形成後の基板３を取り出
すことが妨げられて困難となり、該基板３を破損させる
といった問題があった。 −またかかる問題は被結晶
成長用基板３の面積が大きくなるにつれて顕著となる欠
点があった。
本発明は上記のような従来の欠点に鑑み、被結晶成長用
基板を保持した治具との間隙に結晶成長用メルト材料が
残留しても、結晶成長後の基板を容易に取り出すことを
可能とした新規な液相エピタキシャル結晶成長用治具を
提供することを目的とするものである。
基板を保持した治具との間隙に結晶成長用メルト材料が
残留しても、結晶成長後の基板を容易に取り出すことを
可能とした新規な液相エピタキシャル結晶成長用治具を
提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、液相エピタキシャル
結晶成長用の基板保持治具を石英アンプル内に内接する
所定長さの半円柱の平面部中央に切り欠き凹部を有する
長年円柱部と、該長年円柱部の切り欠き凹部に対向配置
される被結晶成長用基板を水平に架設保持する二つの短
手円柱部とからなる三分割型の治具構成とする。
結晶成長用の基板保持治具を石英アンプル内に内接する
所定長さの半円柱の平面部中央に切り欠き凹部を有する
長年円柱部と、該長年円柱部の切り欠き凹部に対向配置
される被結晶成長用基板を水平に架設保持する二つの短
手円柱部とからなる三分割型の治具構成とする。
本発明の液相エピタキシャル結晶成長用の基板保持治具
は、前記長年円柱部の切り欠き凹部に対向して被結晶成
長用基板を二つの短手円柱部により水平に架は渡した形
に保持する構成とすることにより、被結晶成長用基板を
保持した長年円柱部と各短手円柱部との間に結晶成長用
メルト材料が残留しても、該長年円柱部と二つの短手円
柱部との三者の組合せを分解すれば、該基板を簡単、か
つ容易に取り出すことが可能となる。
は、前記長年円柱部の切り欠き凹部に対向して被結晶成
長用基板を二つの短手円柱部により水平に架は渡した形
に保持する構成とすることにより、被結晶成長用基板を
保持した長年円柱部と各短手円柱部との間に結晶成長用
メルト材料が残留しても、該長年円柱部と二つの短手円
柱部との三者の組合せを分解すれば、該基板を簡単、か
つ容易に取り出すことが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る液相エピタキシャル結晶成長用の
基板保持治具の一実施例を示す要部断面図である。
基板保持治具の一実施例を示す要部断面図である。
図において、２２は石英アンプル内に内接する所定長さ
の石英ガラス、或いはカーボン材などからなる長年円柱
の平面部中央に切り欠き凹部２５を有、する長年円柱部
、２３．２４は該長年円柱部２２の切り欠き凹部２５に
対向して図示のように被結晶成長用基板２６を水平に架
設保持する短手円柱部であり、これら三つの半円柱部に
よる三分割型の治具構成となっている。
の石英ガラス、或いはカーボン材などからなる長年円柱
の平面部中央に切り欠き凹部２５を有、する長年円柱部
、２３．２４は該長年円柱部２２の切り欠き凹部２５に
対向して図示のように被結晶成長用基板２６を水平に架
設保持する短手円柱部であり、これら三つの半円柱部に
よる三分割型の治具構成となっている。
そして前記長年円柱部２２の切り欠き凹部２５に対応し
て図示のように被結晶成長用基板２６を水平に架設し、
該基板２６の両端部を各短手円柱部２３と２４とで挟着
した形とすることで、該基板２６を安定に保持すること
ができる。
て図示のように被結晶成長用基板２６を水平に架設し、
該基板２６の両端部を各短手円柱部２３と２４とで挟着
した形とすることで、該基板２６を安定に保持すること
ができる。
従って、上記のように長年円柱部２２と各短手円柱部２
３．２４とが一体に構成され、かつ例えばＣｄＴｅから
なる被結晶成長用基板２６が水平に架設保持された基板
保持治具２１を、第２図に示すように予め所定組成比に
秤量されたＨｇｈｘＣｄＸ Ｔｅからなる結晶成長用メ
ルト材料２７と共に石英アンプル２８内に配設し、内部
を排気した後、該基板保持治具２１が内部で動かないよ
うに気密に封止し、かかる石英アンプル２８を図示しな
いエビクキシャル結晶成長炉内に挿入して従来と同様な
液相エピタキシャル結晶成長法により、該基板２６上に
Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶層を成長させる。
３．２４とが一体に構成され、かつ例えばＣｄＴｅから
なる被結晶成長用基板２６が水平に架設保持された基板
保持治具２１を、第２図に示すように予め所定組成比に
秤量されたＨｇｈｘＣｄＸ Ｔｅからなる結晶成長用メ
ルト材料２７と共に石英アンプル２８内に配設し、内部
を排気した後、該基板保持治具２１が内部で動かないよ
うに気密に封止し、かかる石英アンプル２８を図示しな
いエビクキシャル結晶成長炉内に挿入して従来と同様な
液相エピタキシャル結晶成長法により、該基板２６上に
Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶層を成長させる。
しかして、結晶成長が終了し、その後成長炉内より引き
出した石英アンプル２８を開封する。基板保持治具２１
よりＨｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶層が形成され
た基板２６を取り出す際には、該基板保持治具２１を構
成している長年円柱部２２と二つの短手円柱部２３．２
４との組合せを分解すれば、該基板２６を保持した長年
円柱部２２と各短手円柱部２３．２４との間に前記メル
ト材料２７が残留することがあっても、該基板２６を簡
単、かつ容易に取り出すことが可能となる。
出した石英アンプル２８を開封する。基板保持治具２１
よりＨｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶層が形成され
た基板２６を取り出す際には、該基板保持治具２１を構
成している長年円柱部２２と二つの短手円柱部２３．２
４との組合せを分解すれば、該基板２６を保持した長年
円柱部２２と各短手円柱部２３．２４との間に前記メル
ト材料２７が残留することがあっても、該基板２６を簡
単、かつ容易に取り出すことが可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る液相エピ
タキシャル結晶成長用の基板保持治具によれば、該基板
保持治具を三分割型の治具構成とし、この三分割構成部
材を組合せることによって被結晶成長用基板を保持して
いるので、結晶層形成後に基板を保持した間隙に結晶成
長用メルト材料が残留することがあっても、該基板を簡
単、かつ容易に取り出すことが可能となる優れた利点を
有する。
タキシャル結晶成長用の基板保持治具によれば、該基板
保持治具を三分割型の治具構成とし、この三分割構成部
材を組合せることによって被結晶成長用基板を保持して
いるので、結晶層形成後に基板を保持した間隙に結晶成
長用メルト材料が残留することがあっても、該基板を簡
単、かつ容易に取り出すことが可能となる優れた利点を
有する。
従って、Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅからなる結晶層の液相
エピタキシャル結晶成長に限らず、この種の化合物半導
体結晶層の液相エピタキシャル結晶成長に通用して極め
て有利である。
エピタキシャル結晶成長に限らず、この種の化合物半導
体結晶層の液相エピタキシャル結晶成長に通用して極め
て有利である。
第１図は本発明に係る液相エピタキシャル結晶成長用の
基板保持治具の一実施例を示 す要部断面図、 第２図は本発明に係る液相エピタキシャル結晶成長用の
基板保持治具の使用例を説明 するための要部断面図、 第３図は従来の液相エピタキシャル結晶成長用の基板保
持治具を説明するための要部 断面図である。 第１図及び第２図において、 ２１は基板保持治具、２２は長年円柱部、２３゜２４は
短半円柱部、２５は切り欠き凹部、２６は被結晶成長用
基板、２７はメルト材料、第１図 才さａｌｐ、便項例を酬丁３１川■の 第２図 １ブ１１」学ヒｆイをｉ負（−丁）凋ザし１ｇラシ白き
一１１工ｉフ［たり第３図
基板保持治具の一実施例を示 す要部断面図、 第２図は本発明に係る液相エピタキシャル結晶成長用の
基板保持治具の使用例を説明 するための要部断面図、 第３図は従来の液相エピタキシャル結晶成長用の基板保
持治具を説明するための要部 断面図である。 第１図及び第２図において、 ２１は基板保持治具、２２は長年円柱部、２３゜２４は
短半円柱部、２５は切り欠き凹部、２６は被結晶成長用
基板、２７はメルト材料、第１図 才さａｌｐ、便項例を酬丁３１川■の 第２図 １ブ１１」学ヒｆイをｉ負（−丁）凋ザし１ｇラシ白き
一１１工ｉフ［たり第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定長さの円柱の外周部中央の一部を該円柱の中心軸方
向に切り欠いた切り欠き凹部（２５）を有し、該切り欠
き凹部（２５）内に被結晶成長用基板（２６）を保持し
て結晶成長用メルト材料と共に石英アンプル内に封入す
る基板保持治具であって、 上記治具（２１）を平面部中央に切り欠き凹部（２５）
を有する長半円柱部（２２）と、該長半円柱部（２２）
の切り欠き凹部（２５）に対向配置される被結晶成長用
基板（２６）を水平に横架保持する二つの短半円柱部（
２３、２４）とからなる三分割型としたことを特徴とす
る液相エピタキシャル結晶成長用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14926886A JPS634627A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 液相エピタキシヤル結晶成長用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14926886A JPS634627A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 液相エピタキシヤル結晶成長用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634627A true JPS634627A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15471524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14926886A Pending JPS634627A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 液相エピタキシヤル結晶成長用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634627A (ja) |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14926886A patent/JPS634627A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS634627A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長用治具 | |
| JPH0514162U (ja) | 液相エピタキシヤル法用基板ホルダ− | |
| JPH0478598B2 (ja) | ||
| Pandey | A new method for the growth of Pb1− xSnxTe single crystals | |
| JPH01179786A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPS634626A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長用基板保持治具 | |
| JPH0348431A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長装置 | |
| JPH027918B2 (ja) | ||
| JPS62214627A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0352241A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長方法 | |
| JPH0516222Y2 (ja) | ||
| JPH042689A (ja) | ヘテロエピタキシャル液相成長方法 | |
| JPS60218851A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0348432A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長方法 | |
| JPH0536732A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 | |
| JPH03204923A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPH02263433A (ja) | 液相エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63137436A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0536731A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 | |
| JPH04187589A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 | |
| JPH04148532A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長装置 | |
| JPH0625955Y2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS55100295A (en) | Production of single crystal thin film | |
| JPH01201094A (ja) | 液相エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63236316A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 |