JPS634615A - Apparatus for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造装置、特に、チャンバー内に平
行平板電極を有する半導体装置製造装置であって、たと
えば、半導体薄板（ウェハ）の主面に各種の被膜を形成
するＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａｌｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, particularly a semiconductor device manufacturing apparatus having parallel plate electrodes in a chamber, for example, a main surface of a semiconductor thin plate (wafer). CVD (Chemical Vapor
Deposition) device.
プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等の被膜形成装置ま
たはウェハの主面に設けられた被膜をエツチングするプ
ラズマエツチング装置、スパッタエツチング装置等のエ
ツチング装置等に適用して有効な技術に関する。The present invention relates to a technique that is effective when applied to a film forming apparatus such as a plasma CVD apparatus or a sputter apparatus, or an etching apparatus such as a plasma etching apparatus or sputter etching apparatus that etches a film provided on the main surface of a wafer.
半導体装置の製造において、シリコン酸化膜（Ｓｉｎ２
膜）、リンシリケートガラス膜（ＰＳＧ膜）、ナイトラ
イド膜（ＳｔＮ膜）等をウェハ（半導体薄板）の主面に
形成する技術の一つとして、プラズマＣＶＤ技術がある
。プラズマＣＶＤについては、株式会社プレスジャーナ
ル発行「月刊セミコンダクター ワールド（Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ）Ｊ１９８２年６月号
、昭和５７年５月１５日発行、Ｐ５３〜Ｐ５７に記載さ
れている。プラズマＣＶＤを行うプラズマＣＶＤ装置の
一つとして、前記文献に記載されているが、真空排気系
を有するチャンバー内に平行平板電極を配置した構造の
ものが知られている。この構造のプラズマＣＶＤ装置は
、前記平行平板電極の一方、すなわち、下方の電極板を
サセプタとしてワークであるウェハを載せるとともに、
平行平板電極間にプラズマを発生させることによって、
ウェハの主面に所望の被膜を形成する構造となっている
。In the manufacture of semiconductor devices, silicon oxide film (Sin2
Plasma CVD technology is one of the techniques for forming a phosphosilicate glass film (PSG film), a nitride film (StN film), etc. on the main surface of a wafer (semiconductor thin plate). Regarding plasma CVD, please refer to the “Monthly Semiconductor World (Semiconductor World)” published by Press Journal Co., Ltd.
onductor World) J June 1982 issue, published May 15, 1982, pages 53 to 57. As one of the plasma CVD apparatuses for performing plasma CVD, as described in the above-mentioned literature, there is known one having a structure in which parallel plate electrodes are arranged in a chamber having a vacuum evacuation system. A plasma CVD apparatus with this structure uses one of the parallel plate electrodes, that is, the lower electrode plate, as a susceptor to place a wafer as a workpiece, and
By generating plasma between parallel plate electrodes,
The structure is such that a desired coating is formed on the main surface of the wafer.
平行平板電極を有する構造のプラズマＣＶＤ装置は、た
とえば、その構造を概念的に例示すると、第６図および
第７図に示すような構造となる。すなわち、プラズマＣ
ＶＤ装置は、チャンバー（反応室）１内に相互に平行に
配設される一対の電極板２を有し、平行平板電極構造と
なっている。前記電極板２の一方、すなわち下方の電極
板２はウェハ（半導体薄板）３を載置するサセプタ４と
もなっている。このサセプタ４は図示しないヒータを内
蔵し、載置したウェハ３を所望温度に加熱するようにな
っているとともに、ウェハ３を５ｆｔＷした状態で回転
するようになっている。A conceptual example of a plasma CVD apparatus having a structure having parallel plate electrodes is as shown in FIGS. 6 and 7, for example. That is, plasma C
The VD device has a pair of electrode plates 2 arranged in parallel to each other in a chamber (reaction chamber) 1, and has a parallel plate electrode structure. One of the electrode plates 2, that is, the lower electrode plate 2 also serves as a susceptor 4 on which a wafer (semiconductor thin plate) 3 is placed. The susceptor 4 has a built-in heater (not shown) to heat the wafer 3 placed thereon to a desired temperature, and rotates with the wafer 3 heated at 5 ftW.
−方、上方の電極板２の下面、すなわちウェハ３に対面
する面には、ガス噴出孔５が複数設けられていて、サセ
プタ４上に載置されるウェハ３に均一にガス（処理ガス
）６を吹き出すようになっている。また、前記チャンバ
ー１には真空ポンプに連結される排気系（排気口）７が
設けられている。- A plurality of gas ejection holes 5 are provided on the lower surface of the upper electrode plate 2, that is, the surface facing the wafer 3, so that gas (processing gas) is uniformly distributed over the wafer 3 placed on the susceptor 4. It is designed to blow out the number 6. Further, the chamber 1 is provided with an exhaust system (exhaust port) 7 connected to a vacuum pump.
このプラズマＣＶＤ装置にあっては、前記サセプタ４上
にウェハ３を載置させた後、チャンバー１内を排気系７
によって所望の真空度とし、ウェハ３を加熱するととも
に回転させ、かつ噴出孔５からガス６を吹き出させ、こ
のガス６を一対の電極板２に印加される高周波電圧によ
ってプラズマ化し、ウェハ３の主面にプラズマＣＶＤ膜
を形成するようになっている。なお、図中の矢印は処理
ガスあるいはキャリヤガス等のガスが流れる状態を示す
ものである。In this plasma CVD apparatus, after placing the wafer 3 on the susceptor 4, the inside of the chamber 1 is exhausted by an exhaust system 7.
The wafer 3 is heated and rotated to a desired degree of vacuum, and gas 6 is blown out from the nozzle hole 5. This gas 6 is turned into plasma by a high frequency voltage applied to a pair of electrode plates 2, and the wafer 3 is heated and rotated. A plasma CVD film is formed on the surface. Note that the arrows in the figure indicate the flow of gas such as processing gas or carrier gas.
しかし、前記プラズマＣＶＤ装置は、排気ロアが単一で
あることから、前記ガス噴出孔５からチャンバー１内に
導入されたガス６が一つの排気ロアに向かって流れるた
め、ガス６がサセプタ４上の各ウェハ３に対して不均一
となり、形成される膜の膜厚や膜厚分布がばらつくと言
うことが本発明者によってあきらかにされた。また、第
６図および第７図に示すプラズマＣＶＤ装置は、ガスの
不均一流れが顕著に現れる単一の排気ロアがチャンバー
１の側壁に設けられた例を示したが、排気ロアを多数設
けた場合あるいは、排気ロアをチャンバー１の底部分に
設けた場合でも、ガス６の流れは各排気ロアに直接向か
って流れることから、前述のようなガスの不均一流れ現
象は、その程度は低くても生じる
本発明の目的は均等にガスが流れる平行平板電極構造の
半導体装置製造装置を提供することにあ本発明の他の目
的は膜質、膜厚の均一化が達成できる半導体装置製造装
置を提供することにある。However, since the plasma CVD apparatus has a single exhaust lower, the gas 6 introduced into the chamber 1 from the gas ejection hole 5 flows toward one exhaust lower, so that the gas 6 is transferred onto the susceptor 4. The inventor of the present invention has clarified that the thickness and thickness distribution of the formed film become non-uniform for each wafer 3 . In addition, although the plasma CVD apparatus shown in FIGS. 6 and 7 shows an example in which a single exhaust lower is provided on the side wall of the chamber 1, where the non-uniform flow of gas is noticeable, a large number of exhaust lowers are provided. Even if the exhaust lowers are installed at the bottom of the chamber 1, the gas 6 flows directly toward each exhaust lower, so the non-uniform gas flow phenomenon described above will be less severe. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus having a parallel plate electrode structure in which gas flows evenly. It is about providing.
本発明の他の目的は高精度なエツチングができる半導体
装置製造装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus that can perform highly accurate etching.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、平行平板電
極の周囲に平行平板電極を取り囲むように同心円的に三
重に筒状の流れ調整体を有している。これら流れ調整体
には、スリット等からなるオリフィスが設けられている
。これらオリフィスの分布状態あるいはオリフィスの大
きさは、平行平板電極間の各領域における円周各部で均
一にガスが流れるように設定されている。That is, the plasma CVD apparatus of the present invention has three cylindrical flow regulating bodies arranged concentrically around the parallel plate electrode so as to surround the parallel plate electrode. These flow regulating bodies are provided with orifices such as slits. The distribution state or the size of the orifices is set so that the gas flows uniformly at each circumferential portion in each region between the parallel plate electrodes.
上記した手段によれば、三重の流れ調整体によって、電
極板の中心部分から半径方向に周囲に流れるガスの流れ
状態は均一となることから、ウェハの主面にはプラズマ
ＣＶＤ膜が均一な厚さでかつ均質に形成できる。また、
各ウェハにおけるプラズマＣＶＤ膜の分布も均一となる
ことから、ウェハにおける利用面積も増大する。According to the above-mentioned means, the flow state of the gas flowing from the central part of the electrode plate to the radial direction becomes uniform due to the triple flow adjustment body, so that the plasma CVD film is formed on the main surface of the wafer with a uniform thickness. Can be formed uniformly and uniformly. Also,
Since the distribution of the plasma CVD film on each wafer becomes uniform, the usable area on the wafer also increases.
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置の
要部を示す断面図、第２図は同じく模式図、第３図は同
じく排気口側の流れ調整体の一部を示す拡大断面図、第
４図は同じく排気口とは逆となる側の流れ調整体の一部
を示す拡大断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main parts of a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the flow regulating body on the exhaust port side. , FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a part of the flow regulating body on the side opposite to the exhaust port.
この実施例のプラズマＣＶＤ装置は、第１図および第２
図に示されるように、チャンバー１内に相互に平行に配
設される一対の電極板２を有し、平行平板電極構造とな
っている。前記電極板２の一方、すなわち下方の電極板
２はウェハ３を載置するサセプタ４ともなっている。こ
のサセプタ４は図示しないヒータを内蔵し、ｉＩ２置し
たウェハ３を所望温度に加熱するようになっているとと
もに、ウェハ３を載置した状態で回転するようになって
いる。The plasma CVD apparatus of this embodiment is shown in FIGS. 1 and 2.
As shown in the figure, a pair of electrode plates 2 are arranged in parallel to each other in a chamber 1, forming a parallel plate electrode structure. One of the electrode plates 2, that is, the lower electrode plate 2 also serves as a susceptor 4 on which the wafer 3 is placed. This susceptor 4 has a built-in heater (not shown), and is configured to heat the wafer 3 placed on the iI2 to a desired temperature, and is configured to rotate with the wafer 3 placed thereon.
一方、上方の電極板２の下面、すなわちウェハ３に対面
する面には、ガス噴出孔５が複数設けられていて、サセ
プタ４上に載置されるウェハ３に均一にガス（処理ガス
）６を吹き出すようになっている。前記ガス噴出孔５に
は電極板２を支持する支持軸８内に設けられたガス案内
路９を介してガス６が送り込まれる。ウェハ３の主面に
プラズマナイトライド膜（ＳｉＮ膜）を形成する場合に
は、モノシラン（ＳｉＨ４）、アンモニア（ＮＨｌ）、
窒素（Ｎ２）が−対の電極板２間に送り込まれる。また
、前記チャンバー１には真空ポンプに連結される排気系
（排気口）７が設けられている。On the other hand, a plurality of gas ejection holes 5 are provided on the lower surface of the upper electrode plate 2, that is, the surface facing the wafer 3, so that a gas (processing gas) 6 is uniformly distributed over the wafer 3 placed on the susceptor 4. It's supposed to blow out. Gas 6 is fed into the gas ejection hole 5 via a gas guide path 9 provided in a support shaft 8 that supports the electrode plate 2 . When forming a plasma nitride film (SiN film) on the main surface of the wafer 3, monosilane (SiH4), ammonia (NHl),
Nitrogen (N2) is fed between the negative electrode plates 2. Further, the chamber 1 is provided with an exhaust system (exhaust port) 7 connected to a vacuum pump.
また、チャンバー１内には、前記−対の電極板２を取り
囲むように、同心円的に三重に流れ調整体１０が配設さ
れている。これら流れ調整体１０はいずれも円筒体とな
っていて、第３図および第４図に示されるように、その
周面にスリット等からなるオリフィス１１を有している
。これらオリフィス１１の分布状態およびオリフィスサ
イズは、電極板２の中心から周囲に流れるガス６が半径
方向にかつ均一に流れるように設定されている。すなわ
ち、これら、流れ調整体１０は各部でガス６の流れに対
して抵抗体として作用し、ガス６の流れを制御するもの
である。このため、流れ調整体１０にあって、第３図お
よび第４図に示されるように、排気ロアに対面する部分
ではオリフィス１１の配設数は最も密となり、排気ロア
から遠去かるにつれて徐々にオリフィス１１の配設数を
粗にし、排気ロアが配設されている個所と逆となる部分
では、オリフィス１１の数は最も少なくなる。Further, within the chamber 1, three flow regulating bodies 10 are arranged concentrically so as to surround the negative pair of electrode plates 2. Each of these flow adjusting bodies 10 is a cylindrical body, and as shown in FIGS. 3 and 4, has an orifice 11 formed of a slit or the like on its circumferential surface. The distribution state and orifice size of these orifices 11 are set so that the gas 6 flowing from the center of the electrode plate 2 to the periphery flows uniformly in the radial direction. That is, each part of the flow regulating body 10 acts as a resistor against the flow of the gas 6 and controls the flow of the gas 6. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4, in the flow regulating body 10, the number of orifices 11 is densest in the portion facing the exhaust lower, and gradually increases as the distance from the exhaust lower increases. The number of orifices 11 is set sparsely, and the number of orifices 11 is the smallest in the part opposite to where the exhaust lower is arranged.
また、オリフィス１工の大きさは、内側の流れ調整体１
０程太き（し、外側の流れ調整体１０程小さくする。ま
た、オリフィス１１は、第３図および第４図に示される
ように、ガス６の通過方向に沿って徐々に開口する構造
となり、ガス６が平行平板電極間側が乱流にならず、層
流となるように配慮されている。また、内側の流れ調整
体１０のオリフィス１１と外側の流れ調整体１０のオリ
フィス１１は相互に食い違い、内側のオリフィス１１を
通過したガス６は、−度外側の流れ調整体１０の壁面に
当たり、その後外側の流れ調整体１０のオリフィス１１
を通過するようになっている。Also, the size of one orifice is equal to the size of the inner flow adjusting body 1.
The orifice 11 has a structure that gradually opens along the direction in which the gas 6 passes, as shown in FIGS. 3 and 4. , the gas 6 is designed so that it does not become a turbulent flow on the side between the parallel plate electrodes, but becomes a laminar flow.Also, the orifice 11 of the inner flow regulating body 10 and the orifice 11 of the outer flow regulating body 10 are mutually connected. The gas 6 that has passed through the inner orifice 11 hits the wall surface of the outer flow regulating body 10 by − degrees and then passes through the orifice 11 of the outer flow regulating body 10.
It is supposed to pass through.
これは、ガス６の流れを効果的に制御するために必要な
構造である。すなわち、三重の流れ調整体１０の各オリ
フィス１１を略−直線上に配列すると、電極板２の中央
から外周に向かって流れるガス６が直線的に流れ、ガス
流の流れを効果的に制御でき難くなる。This is a necessary structure to effectively control the flow of gas 6. That is, when the orifices 11 of the triple flow regulating body 10 are arranged substantially in a straight line, the gas 6 flowing from the center of the electrode plate 2 toward the outer periphery flows linearly, and the gas flow can be effectively controlled. It becomes difficult.
前記三重の流れ調整体１０のオリフィス１１のそれぞれ
の大きさ、分布は、適当に組み合わされて、第２図の矢
印に示されるように、各円周領域では均一となる。なお
、前記オリフィス１１はスリフト状あるいは円形状等適
宜選択すればよい。The respective sizes and distributions of the orifices 11 of the triple flow regulating body 10 are appropriately combined to become uniform in each circumferential region, as shown by the arrows in FIG. Incidentally, the orifice 11 may be suitably selected to have a thrift shape, a circular shape, or the like.
このようなプラズマＣＶＤ装置にあっては、前記サセプ
タ４上にウェハ３を載置させた後、チャンバー１内を排
気系７によって所望の真空度とする。その後、ウェハ３
を電極板２に内蔵されたヒータで所望温度に加熱すると
ともに回転させる。In such a plasma CVD apparatus, after the wafer 3 is placed on the susceptor 4, the inside of the chamber 1 is brought to a desired degree of vacuum by the exhaust system 7. Then wafer 3
is heated to a desired temperature by a heater built into the electrode plate 2 and rotated.
また、前記噴出孔５からは、前述のように、モノシラン
、アンモニア、窒素等のガス６がサセプタ４上のウェハ
３に向かって吹き出される。さらに、平行平板電極には
高周波電圧が印加される。この結果、−対の電極板２間
にはプラズマが発生し、ナイトライド膜がウェハ３の主
面に形成される。Further, as described above, gas 6 such as monosilane, ammonia, nitrogen, etc. is blown out from the blowing hole 5 toward the wafer 3 on the susceptor 4. Furthermore, a high frequency voltage is applied to the parallel plate electrodes. As a result, plasma is generated between the negative pair of electrode plates 2, and a nitride film is formed on the main surface of the wafer 3.
この際、前述のように、流れ調整体１０によってガス噴
出孔５から吹き出されたガス６は、第２図の矢印に示さ
れるように、電極Ｆ１．２の円周全方向に均一に流れる
ため、サセプタ４の回転もあって、ウェハ３各個には均
一、均質なナイトライド膜、すなわち、プラズマナイト
ライド膜（プラズマＣＶＤ膜）が形成される。なお、図
中の矢印は処理ガスあるいはキャリヤガス等のガスが流
れる状態を示すものである。At this time, as mentioned above, the gas 6 blown out from the gas jet hole 5 by the flow regulator 10 flows uniformly in all directions around the circumference of the electrode F1.2, as shown by the arrows in FIG. Due to the rotation of the susceptor 4, a uniform and homogeneous nitride film, that is, a plasma nitride film (plasma CVD film) is formed on each wafer 3. Note that the arrows in the figure indicate the flow of gas such as processing gas or carrier gas.
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。According to such an embodiment, the following effects can be obtained.
（１）本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、平行平板
電極を取り囲むように同心円的に配設された三重の流れ
調整体によって、総てのウェハに均一に処理ガスが供給
されることから、ウェハの表面には均一な厚さでかつ均
質なプラズマナイトライド膜が生成されるという効果が
得られる。(1) According to the plasma CVD apparatus of the present invention, processing gas is uniformly supplied to all wafers by the triple flow regulating bodies arranged concentrically surrounding the parallel plate electrodes. The effect is that a homogeneous plasma nitride film with a uniform thickness is generated on the surface of the wafer.
（２）上記（１）により、本発明のプラズマＣＶＤ装置
によれば、ウェハの主面には厚さ分布が均一となるプラ
ズマナイトライド膜が形成されるため、有効に使用でき
るウェハ径も広くなり、歩留りも向上するという効果が
得られる。(2) According to (1) above, according to the plasma CVD apparatus of the present invention, a plasma nitride film with a uniform thickness distribution is formed on the main surface of the wafer, so that the wafer diameter that can be effectively used is wide. Therefore, the effect of improving the yield can be obtained.
（３）本発明にあっては、チャンバー内に配設される流
れ調整体はその構造が簡単であることから、プラズマＣ
ＶＤ装置の生産コストの低減が達成できるという効果が
得られる。(3) In the present invention, since the flow regulating body disposed in the chamber has a simple structure, plasma C
The effect is that the production cost of the VD device can be reduced.
（４）上記（３）により、本発明によれば、流れ調整体
は構造が簡単であるとともに、取り付けも容易であるこ
とから、既存のプラズマＣＶＤ装置に取り込むことも簡
単であるという効果が得られる。(4) According to the above (3), according to the present invention, the flow regulating body has a simple structure and is easy to install, so that it can be easily incorporated into an existing plasma CVD apparatus. It will be done.
（５）上記（１）〜（４）により、本発明によれば、品
質の優れたプラズマＣＶＤ膜を再現性良く形成すること
ができるプラズマＣＶＤ装置を安価に提供することがで
きるという相乗効果が得られる。(5) According to (1) to (4) above, according to the present invention, a synergistic effect is achieved in that a plasma CVD apparatus capable of forming a plasma CVD film of excellent quality with good reproducibility can be provided at a low cost. can get.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、排気口は複数
配設される構造のプラズマＣＶＤ装置であっても前記実
施例同様な効果が得られる。また、流れ調整体は、前記
実施例よりも多く配設しても前記実施例同様な効果が得
られる。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, even in a plasma CVD apparatus having a structure in which a plurality of exhaust ports are provided, the same effects as in the above embodiment can be obtained. Furthermore, even if a larger number of flow regulating bodies are provided than in the embodiment described above, the same effects as in the embodiment described above can be obtained.
また、第５図に示されるように、三重の流れ調整体１０
に網目構造の流れ調整体ｌＯ１すなわち、クロスハンチ
ングで示されるように、トラップ１２を設けておけば、
粒子の大きい異物は、このトラップ１２で捕獲されるた
め、チャンバー１の内壁に異物が付着し難くなり、チャ
ンバー１の汚染が防止できるようになる。また、このプ
ラズマＣＶＤ装置は、異物を捕獲できるため、排気系の
汚染が少なく、排気系の保守管理がし易いという効果も
得られる。Further, as shown in FIG. 5, a triple flow regulating body 10
If a trap 12 is provided as shown by the mesh-structured flow regulating body lO1, that is, cross-hunting, then
Since foreign particles with large particles are captured by the trap 12, it becomes difficult for the foreign particles to adhere to the inner wall of the chamber 1, and contamination of the chamber 1 can be prevented. Furthermore, since this plasma CVD apparatus can capture foreign matter, the exhaust system is less contaminated and the exhaust system can be easily maintained.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるプラズマＣＶＤ技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、ＣＶＤ装置、低圧ＣＶＤ装置
、低圧エピタキシャル成長装置、スパッタ装置等の膜形
成装置あるいはウェハの主面に設けられている被膜をエ
ツチングするプラズマエツチング装置、スパッタエツチ
ング装置などに適用できる。The above explanation has mainly been about the case where the invention made by the present inventor is applied to the plasma CVD technology, which is the background field of application, but the invention is not limited thereto. , low-pressure epitaxial growth equipment, sputtering equipment, and other film forming equipment, or plasma etching equipment that etches a film provided on the main surface of a wafer, sputter etching equipment, and the like.
本発明は少なくとも平行平板電極構造の半導体装置製造
技術には適用できる。The present invention can be applied at least to semiconductor device manufacturing technology having a parallel plate electrode structure.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、平行平板電極の周囲に
平行平板電極を取り囲むように同心円的に三重に筒状の
流れ調整体を有している。これら流れ調整体には、スリ
ット等からなるオリフィスが設けられている。これらオ
リフィスの分布状態あるいはオリフィスの大きさは、平
行平板電極間の各領域における円周各部で均一にガスが
流れるように設定されている。したがって、三重の流れ
調整体によって、総てのウェハに均一にガスが供給され
るため、均一な厚さでかつ均質なプラズマＣＶＤ膜が形
成される。The plasma CVD apparatus of the present invention has three cylindrical flow adjusting bodies arranged concentrically around the parallel plate electrode so as to surround the parallel plate electrode. These flow regulating bodies are provided with orifices such as slits. The distribution state or the size of the orifices is set so that the gas flows uniformly at each circumferential portion in each region between the parallel plate electrodes. Therefore, gas is uniformly supplied to all wafers by the triple flow regulating body, so that a homogeneous plasma CVD film with uniform thickness is formed.
第１図は本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置の
要部を示す断面図、
第２図は同じく模式図、
第３図は同じく排気口側の流れ調整体の一部を示す拡大
断面図、
第４図は同じく排気口とは逆となる側の流れ調整体の一
部を示す拡大断面図、
第５図は本発明の他の実施例によるプラズマＣＶＤ装置
の要部を示す断面図、
第６図は従来のプラズマＣＶＤ装置の要部を示す断面図
、
第７図は同じく模式図である。
１・・・チャンバー、２・・・電極板、３・・・ウェハ
、４・・・サセプタ、５・・・ガス噴出孔、６・・・ガ
ス、７・・・排気口、８・・・支持軸、９・・・ガス案
内路、１０・・・流れ調整第 ３ 図
第 ４ 図ｔ／１
第５ 図
／２−トララフ。
第 ６ 図
第 ７ 図FIG. 1 is a sectional view showing the main parts of a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram thereof, and FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a part of the flow regulating body on the exhaust port side. , FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a part of the flow regulating body on the side opposite to the exhaust port, and FIG. 5 is a sectional view showing the main parts of a plasma CVD apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the main parts of a conventional plasma CVD apparatus, and FIG. 7 is a schematic diagram as well. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Chamber, 2... Electrode plate, 3... Wafer, 4... Susceptor, 5... Gas ejection hole, 6... Gas, 7... Exhaust port, 8... Support shaft, 9... Gas guide path, 10... Flow adjustment Fig. 3
Figure 4 t/1 Figure 5/2 - Trough. Figure 6 Figure 7
Claims (1)
を有する半導体装置製造装置であって、前記チャンバー
内には一対の平行平板電極を取り囲みかつ所定部にオリ
フィスを有する筒状の流れ調整体が少なくとも一つ設け
られていることを特徴とする半導体装置製造装置。 ２、前記オリフィス各部の大きさは前記平行平板電極の
中心から周囲に向かうガスの流れが各部で均一に流れる
ように設定されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置製造装置。 ３、前記流れ調整体は複数設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置製造装置。 ４、前記流れ調整体の一つは異物を捕獲するような網目
構造となっていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置製造装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor device manufacturing apparatus having a pair of parallel plate electrodes in a chamber having an exhaust system, wherein the chamber includes a cylinder surrounding the pair of parallel plate electrodes and having an orifice at a predetermined portion. 1. A semiconductor device manufacturing apparatus comprising at least one flow regulating body having a shape. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the size of each part of the orifice is set so that the gas flows uniformly in each part from the center of the parallel plate electrode toward the periphery. Manufacturing equipment. 3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of said flow regulating bodies are provided. 4. Claim 1, characterized in that one of the flow regulating bodies has a mesh structure to trap foreign matter.
The semiconductor device manufacturing apparatus described in 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14696886A JPS634615A (en) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14696886A JPS634615A (en) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634615A true JPS634615A (en) | 1988-01-09 |
Family
ID=15419648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14696886A Pending JPS634615A (en) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634615A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100230983B1 (en) * | 1996-06-05 | 1999-11-15 | 김광호 | Gas distribution plate of dry etching apparatus for semiconductor |
| WO2004010454A3 (en) * | 2002-07-23 | 2004-04-22 | Iplas Gmbh | Plasma reactor for carrying out gas reactions and method for the plasma-supported reaction of gases |
| US20060148038A1 (en) * | 2002-07-03 | 2006-07-06 | Inst. Nat'l De La Sante Et De La Rech. Medicale | Thrombin cleavable factor x analogues |
| JP2010016021A (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14696886A patent/JPS634615A/en active Pending
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| US8168753B2 (en) * | 2002-07-03 | 2012-05-01 | Institut National De La Sante Et De La Recherche Medicale | Thrombin cleavable factor X analogues |
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| US9227169B2 (en) | 2002-07-23 | 2016-01-05 | Iplas Gmbh | Plasma reactor for carrying out gas reactions and method for the plasma-supported reaction of gases |
| JP2010016021A (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus |
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