JPS6345362A - フタロシアニン化合物薄膜の製造方法 - Google Patents
フタロシアニン化合物薄膜の製造方法Info
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- JPS6345362A JPS6345362A JP18815086A JP18815086A JPS6345362A JP S6345362 A JPS6345362 A JP S6345362A JP 18815086 A JP18815086 A JP 18815086A JP 18815086 A JP18815086 A JP 18815086A JP S6345362 A JPS6345362 A JP S6345362A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子技術、情報記録分野等に利用される、新た
な物性の出現を可能とするフタロシアニン化合物薄膜の
製造方法に関するものである。
な物性の出現を可能とするフタロシアニン化合物薄膜の
製造方法に関するものである。
従来の技術
フタロシアニンは色素として優れた特性を有しており、
又最近はその構造から中心の窒素原子を介して多種類の
金属をキレート化する能力があり、又リガンド部の豊富
なπ電子等、電子的に非常に機能的である点が注目され
、多くの研究がなされている。フタロシアニンのこれら
の特性をより発展させる方法として例えば、金属フタロ
シアニンの中心金属に弗素、酸素、ピラジン等を結合し
た化合物を作製することにより、例えば電気抵抗が大き
く変化する等の新しい物性の出現が観測されている。
又最近はその構造から中心の窒素原子を介して多種類の
金属をキレート化する能力があり、又リガンド部の豊富
なπ電子等、電子的に非常に機能的である点が注目され
、多くの研究がなされている。フタロシアニンのこれら
の特性をより発展させる方法として例えば、金属フタロ
シアニンの中心金属に弗素、酸素、ピラジン等を結合し
た化合物を作製することにより、例えば電気抵抗が大き
く変化する等の新しい物性の出現が観測されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらこれらの新化合物の合成は例えば溶媒中で
原料物質を反応させ、化合物の沈澱を得る等、粉末試料
しか得られなく、応用面から、物質の物性を効果的に利
用するには、薄膜化や、固体として利用し得る程度の大
きな粒子の作成が望まれる。薄膜化の手法として蒸着法
による方法がよく知られているが、これら化合物の場合
には比較的低温で分解してしまうため、通常行われる様
な例えばルツボ中に化合物粉末を入れ、加熱により蒸発
させる方法では、化合物の形で蒸発する前に分解してし
まい、所期の薄膜は得られない。
原料物質を反応させ、化合物の沈澱を得る等、粉末試料
しか得られなく、応用面から、物質の物性を効果的に利
用するには、薄膜化や、固体として利用し得る程度の大
きな粒子の作成が望まれる。薄膜化の手法として蒸着法
による方法がよく知られているが、これら化合物の場合
には比較的低温で分解してしまうため、通常行われる様
な例えばルツボ中に化合物粉末を入れ、加熱により蒸発
させる方法では、化合物の形で蒸発する前に分解してし
まい、所期の薄膜は得られない。
本発明は前記フタロシアニン化合物の薄膜化の困難さを
解決し、各種物質とフタロシアニンとの化合物薄膜の作
製を可能とすることを目的とするものである。
解決し、各種物質とフタロシアニンとの化合物薄膜の作
製を可能とすることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、フタロシアニンと
これを化合させる物質とをそれぞれ独立な蒸発源より蒸
発させ、基板上（−同時に堆積させ反応させることによ
りフタロシアン化合物薄膜を作製するものである。
これを化合させる物質とをそれぞれ独立な蒸発源より蒸
発させ、基板上（−同時に堆積させ反応させることによ
りフタロシアン化合物薄膜を作製するものである。
作 用
本発明は、化合物を作成後蒸着するのではなく、化合物
の出発原料をそれぞれ独立した蒸発源から別々に蒸発さ
せることにより、基板上に同時に堆積させ、化合させて
フタロシアニン化合物薄膜が得られる。
の出発原料をそれぞれ独立した蒸発源から別々に蒸発さ
せることにより、基板上に同時に堆積させ、化合させて
フタロシアニン化合物薄膜が得られる。
フタロシアニン類としては、メタルフリーフタロシアニ
ン、各種金属フタロシアニン、及び核置換フタロシアニ
ン、などが好ましく、これらの混合物を用いても良い。
ン、各種金属フタロシアニン、及び核置換フタロシアニ
ン、などが好ましく、これらの混合物を用いても良い。
また対となる化合物としては、フタロシアニン類と反応
しうるものならば何でも利用可能で、フタロシアニンと
不安定な電荷移動錯体な形成するものは好ましく無いが
、それ以外のものは特に限定されない。特（二フタロシ
アニンが、金属フタロシアニンの場合、これらの中心金
属と配位結合しうるＮ、Ｏ，Ｓ、Ｐなどの原子団を有す
るすがンドは好ましく、合窒素芳香種環などが特に好ま
しい。
しうるものならば何でも利用可能で、フタロシアニンと
不安定な電荷移動錯体な形成するものは好ましく無いが
、それ以外のものは特に限定されない。特（二フタロシ
アニンが、金属フタロシアニンの場合、これらの中心金
属と配位結合しうるＮ、Ｏ，Ｓ、Ｐなどの原子団を有す
るすがンドは好ましく、合窒素芳香種環などが特に好ま
しい。
またリガンドとしては、ジフェニールフォスフィン、ト
リノーニールフォスフイン、ヒドロキシピリジンのうち
の少なくとも１個よりなることが好ましい。
リノーニールフォスフイン、ヒドロキシピリジンのうち
の少なくとも１個よりなることが好ましい。
実施例
以下（一本発明の実施例を図面を用いて説明する。
〈実施例 １〉
用いた真空蒸着装置の構成の一例を第１図に示す。即ち
１は化合物を堆積するための基板、２はフタロシアニン
蒸発用加熱源、３は熱電対、４はフタロシアニン蒸発用
加熱源２の温度制御の為の温度制御器、５は加熱用電源
、６はフタロシアニンと化合させる物質を蒸発させるだ
めの加熱源、７は熱電対、８は６の温度制御器、９は加
熱用電源であり、装置は引き口１０を介して真空ポンプ
系（図示せず）に接続されている。
１は化合物を堆積するための基板、２はフタロシアニン
蒸発用加熱源、３は熱電対、４はフタロシアニン蒸発用
加熱源２の温度制御の為の温度制御器、５は加熱用電源
、６はフタロシアニンと化合させる物質を蒸発させるだ
めの加熱源、７は熱電対、８は６の温度制御器、９は加
熱用電源であり、装置は引き口１０を介して真空ポンプ
系（図示せず）に接続されている。
１１はシャッターである（シャッターは夫々、加熱源２
．６上（二独立に設けても良い）。
．６上（二独立に設けても良い）。
鉄フタロシアニンを加熱源２（−入れ、ジフェニールフ
ォスフィンを加熱源６に入れ、引き口１０に接続した真
空ポンプ（二より、ペルジャー内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
Ｉ：減圧した後、加熱源２の温度をｓｏ。
ォスフィンを加熱源６に入れ、引き口１０に接続した真
空ポンプ（二より、ペルジャー内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
Ｉ：減圧した後、加熱源２の温度をｓｏ。
０Ｃ１加熱源６の温度を１２０°Ｃにした後シャッター
１１を開けて、石英基板した薄膜を作成した。得られた
薄膜は緑色を呈しており、可視域の分光特性は第２図で
曲線１２に示す様に、約６７０ｒｎｍ付近に大きな吸収
ピークを示し、これは同図の曲線１３に示した鉄フタロ
シアニン薄膜にはみられないピークであり、ジフェニー
ルフォスフインと鉄フタロシアニンの間での化学結合が
起っている為であると考えられ、本実施例の方法でフタ
ロシアニン、ジフェニールフォスフィン化合薄膜が作製
できる事が確認された。
１１を開けて、石英基板した薄膜を作成した。得られた
薄膜は緑色を呈しており、可視域の分光特性は第２図で
曲線１２に示す様に、約６７０ｒｎｍ付近に大きな吸収
ピークを示し、これは同図の曲線１３に示した鉄フタロ
シアニン薄膜にはみられないピークであり、ジフェニー
ルフォスフインと鉄フタロシアニンの間での化学結合が
起っている為であると考えられ、本実施例の方法でフタ
ロシアニン、ジフェニールフォスフィン化合薄膜が作製
できる事が確認された。
〈実施例 ２〉
実施例１と同じ装置を用い、鉄フタロシアニンを加熱＃
２（−１３ヒドロキシピリジンを加熱源６（二人れ、加
熱源２の温度を４５０°Ｃ１加熱源６の温度を５０°Ｃ
１；シた後、シャッター１１を開けて薄膜の作製を試み
た所、実施例１の場合と同様（二、鉄フタロシアニン薄
膜とは光学的特性の異った薄膜が得られ、鉄フタロシア
ニン、３ヒドロキシピリジン化合物薄膜が作製できるこ
とが確認された。
２（−１３ヒドロキシピリジンを加熱源６（二人れ、加
熱源２の温度を４５０°Ｃ１加熱源６の温度を５０°Ｃ
１；シた後、シャッター１１を開けて薄膜の作製を試み
た所、実施例１の場合と同様（二、鉄フタロシアニン薄
膜とは光学的特性の異った薄膜が得られ、鉄フタロシア
ニン、３ヒドロキシピリジン化合物薄膜が作製できるこ
とが確認された。
以上実施例１．２で示した様にフタロシアニンとりガン
トを同時に蒸着すること（二より、その化合物薄膜が得
られる事が確認され、各種リガンドとフタロシアニンと
の化合物薄膜作製方法とじて有用である事が確認された
。
トを同時に蒸着すること（二より、その化合物薄膜が得
られる事が確認され、各種リガンドとフタロシアニンと
の化合物薄膜作製方法とじて有用である事が確認された
。
また上記実施例以外にもリガンドとして２ヒドロキシピ
リジンやトリノーニールフォスフインを用いた場合にも
本方法が有用である事が見出されており、この他のりガ
ントにも有用な方法と考えられる。又実施例で示した場
合には基板は室温のままであったが、必要に応じて基板
温度調節をしたり、例えば光を基板面に照射する等の反
応を進める補助的手段を用いることは本発明の主旨を逸
脱するものではない。
リジンやトリノーニールフォスフインを用いた場合にも
本方法が有用である事が見出されており、この他のりガ
ントにも有用な方法と考えられる。又実施例で示した場
合には基板は室温のままであったが、必要に応じて基板
温度調節をしたり、例えば光を基板面に照射する等の反
応を進める補助的手段を用いることは本発明の主旨を逸
脱するものではない。
さらに本実施例では蒸発源を二つの場合（二ついて示し
たが３つ以上の蒸発源を用いて多種類の出発物質を用い
る事も可能である。
たが３つ以上の蒸発源を用いて多種類の出発物質を用い
る事も可能である。
発明の効果
以上要するに本発明は、フタロシアニンとリガンドとを
それぞれ独立な蒸発源より蒸発させ、基板上で堆積、反
応させることにより、蒸着法で薄膜形成するには熱的に
不安定なフタロシアニン化合物を、蒸着法により薄膜の
形で作製可能であり、従来の化合物合成法で得られる粉
末の形態に比して、応用的見地から極めて有意義な方法
である。
それぞれ独立な蒸発源より蒸発させ、基板上で堆積、反
応させることにより、蒸着法で薄膜形成するには熱的に
不安定なフタロシアニン化合物を、蒸着法により薄膜の
形で作製可能であり、従来の化合物合成法で得られる粉
末の形態に比して、応用的見地から極めて有意義な方法
である。
第１図は本発明のフタロシアニン化合物薄膜の製造方法
を具現化する一実施例における蒸着装置の概略図、第２
図は上記方法で作製された化合物の可視域の分光特性図
である。 １・・・基板、２・・フタロ７アニン蒸発用加熱源、３
．７・・・熱電対、６−・反応物用加熱源、１トシャノ
ター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｎ ２ 図 張子（ｎ加２
を具現化する一実施例における蒸着装置の概略図、第２
図は上記方法で作製された化合物の可視域の分光特性図
である。 １・・・基板、２・・フタロ７アニン蒸発用加熱源、３
．７・・・熱電対、６−・反応物用加熱源、１トシャノ
ター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｎ ２ 図 張子（ｎ加２
Claims (3)
- （１）フタロシアニン及びこれと化合させる物質をそれ
ぞれ独立な蒸発源より蒸発させ、基板上に同時に堆積し
反応させることを特徴とするフタロシアニン化合物薄膜
の製造方法。 - （２）フタロシアニンと化合させる物質が、フタロシア
ニン中の金属と配位結合しうるリガンドであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のフタロシアニン化
合物薄膜の製造方法。 - （３）リガンドが、ジフェニールフォスフィン、トリフ
ェニールフォスフィン、ヒドロキシピリジンのうちの少
なくとも１つよりなることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載のフタロシアニン化合物薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18815086A JPS6345362A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | フタロシアニン化合物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18815086A JPS6345362A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | フタロシアニン化合物薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345362A true JPS6345362A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16218625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18815086A Pending JPS6345362A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | フタロシアニン化合物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0389938A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子の製造方法 |
| US5789138A (en) * | 1993-07-19 | 1998-08-04 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and method of producing the same |
| WO1999025894A1 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18815086A patent/JPS6345362A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0389938A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子の製造方法 |
| US5789138A (en) * | 1993-07-19 | 1998-08-04 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and method of producing the same |
| WO1999025894A1 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| US6558736B2 (en) | 1997-11-17 | 2003-05-06 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
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