JPS6345361A - フタロシアニン薄膜の製造方法 - Google Patents
フタロシアニン薄膜の製造方法Info
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- JPS6345361A JPS6345361A JP18814986A JP18814986A JPS6345361A JP S6345361 A JPS6345361 A JP S6345361A JP 18814986 A JP18814986 A JP 18814986A JP 18814986 A JP18814986 A JP 18814986A JP S6345361 A JPS6345361 A JP S6345361A
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- phthalocyanine
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- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は結晶性の良好なフタロシアニン薄膜の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
近年、フタロシアニンは、これまでの顔料、染料として
の利用以外に、大きなπ電子系を有することから、電導
性、光電導性といった有機半導体としての性質や、さら
には情報交換素子の可能性を持つ機能分子としての性質
が注目されている。
の利用以外に、大きなπ電子系を有することから、電導
性、光電導性といった有機半導体としての性質や、さら
には情報交換素子の可能性を持つ機能分子としての性質
が注目されている。
フタロシアニンを機能分子として用いるためには、欠陥
のない均一な極薄膜を形成することが重要である。この
目的のために有機質の真空蒸着における蒸着条件として
は、従来、真空度、蒸着速度、基板温度、基板の種類な
どが挙げられており、フタロシアニンについては特に基
板の種類と基板温度について検討されている。結晶性の
良好なフタロシアニン薄膜の形成法としては、ウェット
プロセスとしてはＬＢ法が、ドライプロセスとして真空
蒸着法で基板温度を高くする方法、クラスタイオンビー
ム法、プラズマ重合法などが用いられている。
のない均一な極薄膜を形成することが重要である。この
目的のために有機質の真空蒸着における蒸着条件として
は、従来、真空度、蒸着速度、基板温度、基板の種類な
どが挙げられており、フタロシアニンについては特に基
板の種類と基板温度について検討されている。結晶性の
良好なフタロシアニン薄膜の形成法としては、ウェット
プロセスとしてはＬＢ法が、ドライプロセスとして真空
蒸着法で基板温度を高くする方法、クラスタイオンビー
ム法、プラズマ重合法などが用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、ＬＢ法による薄膜はフタロシアニンを溶
媒に可溶するために、フタロシアニンに置換性を付ける
必要があり、置換基の付いたフタロシアニンは、フタロ
シアニン本来の性質と異なることが考えられる。また、
基板温度を高くする方法は、耐熱性のある基板にしか応
用できないし、クラスタイオンビーム法は複雑な装置を
必要とする。また、プラズマ重合フタロシアニン薄膜は
、膜が緑色を呈していることから、プラズマの影響を受
けてフタロシアニン本来の性質と異なっていると考えら
れる。
媒に可溶するために、フタロシアニンに置換性を付ける
必要があり、置換基の付いたフタロシアニンは、フタロ
シアニン本来の性質と異なることが考えられる。また、
基板温度を高くする方法は、耐熱性のある基板にしか応
用できないし、クラスタイオンビーム法は複雑な装置を
必要とする。また、プラズマ重合フタロシアニン薄膜は
、膜が緑色を呈していることから、プラズマの影響を受
けてフタロシアニン本来の性質と異なっていると考えら
れる。
更に、従来フタロシアニンの蒸着膜は、光導電層として
の応用をはかる目的で、特に銅フタロシアニンを用いて
、種々の蒸着条件検討が行われている。通常実施されて
いる条件は、真空度が１０− ’〜１０＝ｔｏｒｒ、基
板−熱源距離５〜１０ｃｍ、基板温度は室温〜２５０℃
、ルツボとしてはコ二カルパスクットのごとき一般的な
ルツボ、特にその蒸着速度は〜１０００ ；７ｍ１ｎの
場合が多い。これは、一つは光導電層としての機能とし
て、この程度で成長させた薄膜でも用いうる結晶性とな
りうること、また生産性を考慮して極端に遅い蒸着速度
を求めないためであると考えられる。本発明は上記問題
点を解決するもので、真空蒸着法において、基板温度を
高くすることなくどんな基板にも応用することができ、
複雑な装置を必要とせず、フタロシアニン本来の性質で
保持したまま、結晶性の良好な薄膜を形成することを目
的とするものである。。
の応用をはかる目的で、特に銅フタロシアニンを用いて
、種々の蒸着条件検討が行われている。通常実施されて
いる条件は、真空度が１０− ’〜１０＝ｔｏｒｒ、基
板−熱源距離５〜１０ｃｍ、基板温度は室温〜２５０℃
、ルツボとしてはコ二カルパスクットのごとき一般的な
ルツボ、特にその蒸着速度は〜１０００ ；７ｍ１ｎの
場合が多い。これは、一つは光導電層としての機能とし
て、この程度で成長させた薄膜でも用いうる結晶性とな
りうること、また生産性を考慮して極端に遅い蒸着速度
を求めないためであると考えられる。本発明は上記問題
点を解決するもので、真空蒸着法において、基板温度を
高くすることなくどんな基板にも応用することができ、
複雑な装置を必要とせず、フタロシアニン本来の性質で
保持したまま、結晶性の良好な薄膜を形成することを目
的とするものである。。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、基板温度を常温に
保ち、真空度を１０ 〜１０ Ｔｏｒｒｆ二維持し、
蒸着速度を１００ Ａ／ ｒｎｉｎ以下で真空蒸着する
ことにより上記目的を達成するものである。
保ち、真空度を１０ 〜１０ Ｔｏｒｒｆ二維持し、
蒸着速度を１００ Ａ／ ｒｎｉｎ以下で真空蒸着する
ことにより上記目的を達成するものである。
作 用
本発明は蒸着速度を１００；／ｍｉｎ以下に保って真空
蒸着を行うため、基板温度を上げることなく結晶性の良
好なフタロシアニン薄膜が得られる。
蒸着を行うため、基板温度を上げることなく結晶性の良
好なフタロシアニン薄膜が得られる。
１００Ａ／ｍｉｎ以下の蒸着速度では、 生産性におい
て従来法よりは劣るけれども、実施例に述べるごとく、
この領域を境にして、生成される薄膜の結晶性が著しく
変化することを、本発明者らは見比し、高結晶性薄膜を
得る目的としては生産性の低下を考慮しても、大きなメ
リットとなる。
て従来法よりは劣るけれども、実施例に述べるごとく、
この領域を境にして、生成される薄膜の結晶性が著しく
変化することを、本発明者らは見比し、高結晶性薄膜を
得る目的としては生産性の低下を考慮しても、大きなメ
リットとなる。
また蒸着材料としてはメタルフリーフタロシアニンを使
用することが好ましく、更に蒸着源温度としては４００
〜４８０℃の範囲にあることが望ましい。
用することが好ましく、更に蒸着源温度としては４００
〜４８０℃の範囲にあることが望ましい。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
本発明の一実施例では、真空度を１０−５〜１０−６Ｔ
ｏｒｒに維持し、蒸着源としてタンタルのチムニ−型ヒ
ーターを用い、膜厚を水晶振子膜厚計でモニターして蒸
発源に流す電流をフィードバックすることにより蒸着速
度を１００ Ａ／ ｍｉｎ以下の一定値としている。
ｏｒｒに維持し、蒸着源としてタンタルのチムニ−型ヒ
ーターを用い、膜厚を水晶振子膜厚計でモニターして蒸
発源に流す電流をフィードバックすることにより蒸着速
度を１００ Ａ／ ｍｉｎ以下の一定値としている。
真空蒸着によるフタロシアニン薄膜の例としてメタルフ
リーフタロシアニンのいろいろな蒸着速度による薄膜の
Ｘ線回折パターンを第１図に示す。
リーフタロシアニンのいろいろな蒸着速度による薄膜の
Ｘ線回折パターンを第１図に示す。
第１図から薄膜はα型結晶で、ｂ軸が基板面に平行配向
していることがわかり、蒸着速度が遅い程ピーク強度が
大きくなる。（２００）ピークについて半値幅と蒸着速
度との関係を示したのが第２図であり、蒸着速度が遅い
程半値幅が小さくなり、結晶性が良くなっていることが
わかる。特に蒸着速度が１００Ａ／ｍｉｎ以下（＝おい
て半値幅が急激に減少しており、結晶性が良くなってい
る。同様のことは他のフタロシアニンについてもみられ
、蒸着速度を１００；／ｍｉｎ以下で真空蒸着を行なう
ことにより、顕著に結晶性が良好なフタロシアニン薄膜
を得ることができる。このことは蒸着速度が１０ＯＡ／
ｍｉｎ付近を境界として、１００久／ｍｉｎを越えると
きには基板上に飛来したフタロシアニン分子が基板上を
動いて、α型結晶の格子位置に落ち着く前に次のフタロ
シアニン分子が飛来するため結晶性が良くならないのに
対し、蒸着速度が１００＾／ ｍｌ ｎ以下のときには
基板上に飛来したフタロシアニン分子が基板上を動いて
α型結晶の格子位置に落ち着いてから次のフタロシアニ
ン分子が飛来するため結晶性が良くなると考えられる。
していることがわかり、蒸着速度が遅い程ピーク強度が
大きくなる。（２００）ピークについて半値幅と蒸着速
度との関係を示したのが第２図であり、蒸着速度が遅い
程半値幅が小さくなり、結晶性が良くなっていることが
わかる。特に蒸着速度が１００Ａ／ｍｉｎ以下（＝おい
て半値幅が急激に減少しており、結晶性が良くなってい
る。同様のことは他のフタロシアニンについてもみられ
、蒸着速度を１００；／ｍｉｎ以下で真空蒸着を行なう
ことにより、顕著に結晶性が良好なフタロシアニン薄膜
を得ることができる。このことは蒸着速度が１０ＯＡ／
ｍｉｎ付近を境界として、１００久／ｍｉｎを越えると
きには基板上に飛来したフタロシアニン分子が基板上を
動いて、α型結晶の格子位置に落ち着く前に次のフタロ
シアニン分子が飛来するため結晶性が良くならないのに
対し、蒸着速度が１００＾／ ｍｌ ｎ以下のときには
基板上に飛来したフタロシアニン分子が基板上を動いて
α型結晶の格子位置に落ち着いてから次のフタロシアニ
ン分子が飛来するため結晶性が良くなると考えられる。
このことは、単に連続的条件変化の中での最適値を見出
したものでは無く、通常は考慮されない条件下での、特
異な長所の発見に基くものであり、この方法により、従
来期待されていなかった良好な結晶性薄膜が得られるも
のである。本方法ではクラスタイオンビーム法、その他
で用いられるような高価格の、複雑な装置も不要で、簡
単な低価格のすぐれた方法である。
したものでは無く、通常は考慮されない条件下での、特
異な長所の発見に基くものであり、この方法により、従
来期待されていなかった良好な結晶性薄膜が得られるも
のである。本方法ではクラスタイオンビーム法、その他
で用いられるような高価格の、複雑な装置も不要で、簡
単な低価格のすぐれた方法である。
さらに第２図から、蒸着速度が３０Ｘ／ｍｉｎ以下では
半値幅の減少は大きくないことから、より好ましくは蒸
着速度が７０〜３０Ａ／ｍｉｎで真空蒸着を行なうこと
により、より一層効率的に結晶性の良好なフタロシアニ
ン薄膜を得ることができる。
半値幅の減少は大きくないことから、より好ましくは蒸
着速度が７０〜３０Ａ／ｍｉｎで真空蒸着を行なうこと
により、より一層効率的に結晶性の良好なフタロシアニ
ン薄膜を得ることができる。
〈実 施例〉
フタロシアニンとしてメタルフリーフタロシアニンを昇
華精製して使用し、蒸発源としてタンタルのチムニ−型
ヒーターを抵抗加熱して１０ Ｔｏｒｒ台の真空度で
真空蒸着を行なった。良く清浄化したスライドガラスを
基板とし、蒸発源と基板との距離は２３０ ｍｍである
。上記の方法で蒸着速度を４０Ａ／ｍｉｎで真空蒸着し
た。 その結果、結晶性の良好なフタロシアニン薄膜を
得ることができた。
華精製して使用し、蒸発源としてタンタルのチムニ−型
ヒーターを抵抗加熱して１０ Ｔｏｒｒ台の真空度で
真空蒸着を行なった。良く清浄化したスライドガラスを
基板とし、蒸発源と基板との距離は２３０ ｍｍである
。上記の方法で蒸着速度を４０Ａ／ｍｉｎで真空蒸着し
た。 その結果、結晶性の良好なフタロシアニン薄膜を
得ることができた。
発明の効果
以上要するに本発明は、基板温度を常温に保ち、蒸着速
度が１００＾／ｍｌｎ以下で真空蒸着することにより、
簡便に結晶性の良好なフタロシアニン薄膜を形成するこ
とができ、その効果は太さい。
度が１００＾／ｍｌｎ以下で真空蒸着することにより、
簡便に結晶性の良好なフタロシアニン薄膜を形成するこ
とができ、その効果は太さい。
第１図は実施例におけるいろいろな蒸着速度の真空蒸着
によるメタルフリーフタロシアニン薄膜のＸ線回折パタ
ーン図、第２図は第１図の（２００）ピークの半値幅の
蒸着速度依存性を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第２
図
によるメタルフリーフタロシアニン薄膜のＸ線回折パタ
ーン図、第２図は第１図の（２００）ピークの半値幅の
蒸着速度依存性を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第２
図
Claims (3)
- （１）基板温度を常温に保ち、蒸着速度を１００Å／ｍ
ｉｎ以下に制御して真空蒸着することを特徴とするフタ
ロシアニン薄膜の製造方法。 - （２）メタルフリーフタロシアンを使用することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のフタロシアニン薄膜
の製造方法。 - （３）蒸着源温度が４００〜４８０℃の範囲であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフタロシアニ
ン薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18814986A JPS6345361A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | フタロシアニン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18814986A JPS6345361A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | フタロシアニン薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345361A true JPS6345361A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16218607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18814986A Pending JPS6345361A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | フタロシアニン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1366973A2 (en) | 2002-05-30 | 2003-12-03 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Oscillation type vehicle |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18814986A patent/JPS6345361A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1366973A2 (en) | 2002-05-30 | 2003-12-03 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Oscillation type vehicle |
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