JPS6344458U - - Google Patents

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JPS6344458U
JPS6344458U JP13810686U JP13810686U JPS6344458U JP S6344458 U JPS6344458 U JP S6344458U JP 13810686 U JP13810686 U JP 13810686U JP 13810686 U JP13810686 U JP 13810686U JP S6344458 U JPS6344458 U JP S6344458U
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JP
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electrode
semiconductor
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semiconductor junction
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JP13810686U
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544Solar cells from Group III-V materials

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す断面図、第
2図は従来の太陽電池を示す断面図である。 図において、1は半導体、2はグリツド、3は
第1の電極、4は絶縁層、5は第2の電極、6は
カバーガラス、7は絶縁材、8は絶縁膜、9は透
明導電性膜、10は接着剤、11は導電性接着剤
である。なお、図中同一符号は、同一又は相当部
分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. P型半導体とN型半導体で構成された複数の半
    導体接合と、この半導体接合の表面に形成された
    櫛形状のグリツドと、このグリツドに一端が接続
    され、半導体接合1の側面にL字状に密着して形
    成された絶縁層の表面に金属箔をL字状に密着し
    て取りつけた第1の電極と、上記半導体接合の裏
    面に密着して取りつけられた第2電極と、上記グ
    リツトの表面に密着して取りつけられたカバーガ
    ラスと、上記第1の電極の露出面に密着して覆つ
    て取りつけられた絶縁膜と、上記カバーガラスの
    表面に施された透明導電性膜と、この透明導電性
    膜と上記グリツドの間において、上記グリツドの
    表面の少なくとも1ケ所に置かれた導電性接着剤
    とを備えたことを特徴とする太陽電池。
JP13810686U 1986-09-09 1986-09-09 Pending JPS6344458U (ja)

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