JPS634230A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

感光性樹脂組成物

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JPS634230A
JPS634230A JP14684086A JP14684086A JPS634230A JP S634230 A JPS634230 A JP S634230A JP 14684086 A JP14684086 A JP 14684086A JP 14684086 A JP14684086 A JP 14684086A JP S634230 A JPS634230 A JP S634230A
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JP
Japan
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polymer
resist
fms
copolymer
alkenyl group
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Pending
Application number
JP14684086A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Niwa
丹羽 正
Masayuki Kato
雅之 加藤
Yoshio Taguchi
田口 芳夫
Chihiro Imai
今井 千裕
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Tonen General Sekiyu KK
Original Assignee
Toa Nenryo Kogyyo KK
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Publication of JPS634230A publication Critical patent/JPS634230A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シリコン原子を有するスチレン系重合体に、
感光性架橋剤を配合してなる感光性樹脂組成物、特にネ
ガ型感光性樹脂組成物に関する。
従来の技術 従来、紫外線領域の光を用いた露光技術で用いられるネ
ガ型フォトレジストとしては、環化ポリイソプレン、環
化ポリブタジェン、環化天然ゴム等の環化ゴムに、ビス
アジド化合物を配合したものが主に使用されている。し
かし、これらは現像時の膨潤現象があり解像度が十分で
ない。又、最近使われるようになったドライエツチング
に対して耐性が十分でないという問題もある。
又、近年、酸素プラズマを用いた多層レジストが注目を
浴びておシ、その上層として、耐酸素プラズマ性を有す
るレジスト材が望まれている。
シリコン原子を有するレジスト材は、耐酸素プラズマ性
に優れており、それらレジスト材はいくつか知られてい
る。その代表的なものとしてシロキサン系ポリマーがあ
るが、このポリマーは一般に熱転移温度が低く、室温で
は粘稠な液体であったり、ガム状であるために、塵がつ
き易く、膜厚の調節が難しい等の欠点を有する。
最近、トリメチルシリルスチレンと架橋性モノマーとの
共重合体をレジスト材とする試み(特開昭59−154
19号公報)、あるいはケイ素とアリル基を含む重合体
、又はその組成物をレジスト材とする試み(特開昭60
−205609号公報)等がなされている。しかし、こ
れらの重合体は、ラジカル重合で製造されるため、これ
らをレジストとしたときは、解像度が必ずしも十分とは
言えない。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、従来のネガ型フォトレジストに比較して更に
解像度及び耐ドライエツチング性、特に酸素リアクティ
ブイオンエツチング性を有するレジストパターンの得ら
れるネガ型感光性樹脂組成物を提供するものである。
本発明は、−般式 %式% 〔式中、R1,R”及びR3は、同じか異なるC1〜C
8アルキル基又は、’t〜C3のアルケニル基であj)
 、Hl 、 Ra及び2の少くとも一個がアルケニル
基である〕の繰り返し単位を含むスチレン系重合体に、
感光性架橋剤を配合してなる感光性樹脂組成物を要旨と
する。
スチレン系重合体の製造法 本発明で用いられるスチレン系重合体は、前記−般式で
表わされる単位を含むものであるが、該重合体はP−メ
チルスチレン(以下PMf9という)重合体又はFMS
とa−メチルスチレン(αMBという)とのランダム若
しくはブロック共重合体(以下PMB共重合体という)
を、有機リチウム化合物と接触せしめ、リチオ化FMS
重合体又はリチオ化FMS共重合体とし、次いで式(R
1)(R” ) (R3) SiZ (但し、R1、R
a及びR1は前記と同意義、又はハロゲン原子を示す〕
で表わされるケイ素化合物と反応させる仁とによって製
造できる。
スチレン系重合体を製造する際に用いられる各化合物に
ついて説明する。
■ FM8重合体及びFMS共重合体 本発明で用いられるPMEI重合体は、PMS骨格の繰
り返し単位を持つ重合体であり、代表的にはポリFMS
である。
ポIJ PMEIは、FMS又はFMS含有量95qb
以上、望ましくは97チ以上のメチルスチレン混合物を
、ベンゼン、トルエノ等の不活性炭化水素溶媒中で行う
溶液重合、リン酸カルシウム、ポリビニルアルコール、
ヒドロキシエチルセル0−ス等の沈澱防止剤を含む溶液
中で行う懸濁重合、適当な界面活性剤を添加した水性媒
体中で行う乳化重合等の方法で重合することによって得
られる。重合は、フリーラジカル盟、アニオン型或いは
カチオン型の重合触媒の存在下で行ってもよく、又熱的
重合で行ってもよい。本発明においては、重量平均分子
量が数千〜数百万のものが使用できる。これらポリFM
Sは架橋したものも使用し得る。
FMS共重合体は、FMSとαM8を、通常のラジカル
重合法或いはリビング重合法により、ランダム若しくは
ブロック共重合することにより製造することができるが
、特にリビング重合法を採用すると狭い分子量分布を持
つ共重合体が得られるので望ましい。又、スチレン共重
合体の繰り返し単位にI’MSが均一に分散していると
レシストトした際に効果が大きいので、ランダム共重合
法が望ましい。
リビング重合は、スチリルアニオ/を形成させる開始剤
、例えばn−ブチルリチウム、素−プチルリチウム等の
有機リチウム化合物の存在下で行なわれる。又、リビン
グ重合は、溶媒の存在下で行うことができる。溶媒とし
ては、該開始剤や発生するアニオンに不活性なヘキサン
、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、
ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類が挙げられる。
リビング重合は、FMSとαMSを一80℃〜+50℃
の温度でIX、5〜50時間反応させることによって行
なわれる。ランダム共重合は、2M8とαMSを同時に
用いて共重合することにより、又ブロック共重合は、P
MB又はαM8の一方を先に単独重合した後、他を共重
合することにより行なわれる。
2M8とαMSの使用割合は、通常FMS /αMS(
モル比)が2〜98/9 B〜2、望ましくは25〜7
5/75〜25である。かくすることによシ、数千〜数
百万、望ましくは1万〜50万の数平均分子量、My/
Mnが2.0未満、望ましくは1.0〜1.5で、FM
S部分/αMS部分が上記モル比のFMSM重合体が得
られる。
■ 有機リチウム化合物 FMSM合体又はPMSM重合体をリチオ化する際に用
いられる有機リチウム化合物は、−般弐RLiで表わさ
れる。具体的には、Rが炭素数1〜12個のアルキル基
の化合物が挙げられ、代表的な化合物としては、メチル
リチウム、エチルリチウム、n−ブチルリチウム、5e
t−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、n−
ペンチルリチウム、tert−ペンチルリチウム、ヘキ
シルリチウム、オクチルリチウム、ドデシルリチウム等
であるが、特にブチルリチウムが望ましい。
■ ケイ素化合物 ケイ素化合物は、前記の式で表わされるが、式において
R1、% 、 R8がアルキル基の場合、望ましくはメ
チル、エチル、n−プロピル、n−ブチル基であり、特
にメチル、エチル基が望ましい0又 R1、HR、R3
がアルケニル基の場合、望ましくは、ビニル、アリル、
プロペニル、イソプロペニル、ブテニル基であり、特に
ビニル、アリル基が望ましい。Xは塩素原子が望ましい
FM8M合体又はPMSM重合体と有機リチウム化合物
との反応は、有機リチウム化合物に対して不活性な溶媒
中で行うことができる。用い得る溶媒としては、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、
トルエ/、キシレン等の炭化水素類、ジエチルエーテル
、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル類が挙げられる。反応は、これらの溶媒に
PM日重重合体溶解若しくは溶媒で膨潤させ、有機リチ
ウム化合物を作用させる。
この際、有機リチウム化合物の反応性を高めるような成
分、例えばアミン類を用いることができる。用い得るア
ミンとしては、N、N、N’、N’ −テトラメチルエ
チレンジアミンが望ましい。
反応温度は、−70℃から各溶媒の沸点温度迄自由に設
定することができるが、高いリチオ化率を効率よく達成
するためには、室温以上の温度が望ましい。又、有機リ
チウム化合物の使用量は、存在するパラメチルスチレン
骨格単位に対し任意に設定することができ、リチオ化率
を任意に調節できる。アミン類は有機リチウム化合物と
当量用いればよいが、過剰量用いてもよい。反応時間は
、反応温度によっても異なるが、通常α1〜100時間
であり、反応時間を長くすることによって、リチオ化率
を高めるこ七ができる。
このようにして調製されたりチオ化FMS重合体又はI
’MS共重合体は、反応性が高く、空気中との水分とも
反応してしまうため、分離せずに、後続の反応に用いる
のが望ましい。
リチオ化FMS重合体又はFMSM重合体とケイ素化合
物との反応は、リチオ化FMS重合体又はリチオ化FM
S共重合体の存在する前段の反応系に、直接ケイ素化合
物を添加して接触させることによって達成される、ケイ
素化合物は、前段で用いた有機リチウム化合物に対して
通常1〜100倍モル、好ましくは1〜10倍モル用い
られる。反応は一50℃〜+150℃、好ましくは0〜
50℃で11〜100時間、好ましくは15〜20時間
行なわれる。生成したポリマーは、水、希塩酸等で洗浄
するのが望ましく、又再沈澱等によシ精製するのが望ま
しい。
上記のようにして得られたスチレン系重合体は、下記の
式、 因     @(C) (4)及び田)からなる重合体又は(4)、伺及び(C
)からなる共重合体である。
上記式(4)及びΦンの繰り返し単位からなるFM8重
合体は、重量平均分子量が数千〜数百万、重量平均分子
量(MY)/数平均分子量(Mn) −1,0〜t2と
非常に分子量分布が狭く、かつケイ素含有置換基(−5
1uIR1N )の含有率が、通常は5〜80ユニット
モルチ、特に5〜50ユニットモルチからなる。
又、FMS共重合体は、前記CA)、CBI及び(Qの
繰シ返し単位がランダムに結合したものか、(4)繰り
返し単位と(Bl繰シ返し単位とのランダム結合部分と
(0)繰り返し単位部分とがブロック結合したものであ
る。望ましくは囚、 @ 、 (C’)のランダム共重
合体である。(A) 、 (Bl及び(qの割合は、(
4)1〜70モル慢、@1〜97モルチ、(C) 2〜
98モルチであるが、特に(4)5〜50モル%、R3
)s〜40モル%、((り20〜80モルチのものがレ
ジストとして用いた場合に好ましい。
このFMS共重合体は、数千〜数百万の重量平均分子量
を持ち、かつ重量平均分子量(MW)/数平均分子量(
Mn)−2,0以下の分子量分布を持つが、特にMww
1万〜50万、My/Mn sa 1.0〜1.5のも
のがレジストとして用いた場合に効果が大きいので望ま
しい。
このようにして得られたスチレン系重合体の繰り返し単
位(5)の前記式のR1、% 、 Haはケイ素化合物
の場合と同一である。すなわち、R1−R3の少なくと
も一個はアルケニル基である。R1゜R2又はR3がア
ルキル基の場合、01〜C4のアルキル基が望ましく、
特にメチル、エチル基が望ましい。又、アルケニル基の
場合、C1〜c4のアルケニル基が望ましく、特にビニ
ル、アリル基が望ましい。
本発明で用いられる感光性架橋剤としては、ビスアジド
化合物が挙げられる。例えば、4,4′−ジアジドカル
コン、2,6−ジー(4′−アジドベンザル)シクロヘ
キサノン、2,6−ジー(4′−アジドベンザル)4−
メチルシクロヘキサノン、2,6−ジー(4′−アジド
シンナミリデン)4−ハイドロオキシシクロヘキサノン
等が挙げられるが、これらのうちでは2,6−ジー(4
′−アジドベンザル)4−メチルシクロヘキサノ/が好
ましい。
本発明の組成物中に占める感光性架橋剤の割合は、1〜
10重量%が好ましい。感光性架橋剤の含量が1重量%
未満では、橋かけ構造を形成し不溶化することが不十分
となり、−方10重量憾を越える多量ではそれ以上の効
果がなく不経済であシ、又露光前に架橋が発生する等好
ましくない。
本発明の組成物の調製は、スチレン系重合体及び感光性
架橋剤を溶媒中に溶解させた後に溶媒を除去するか、あ
るいは溶解溶液として直接に使用することもできる。両
者を溶解させる際に用いられる溶媒としては、特に制限
されないが、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、モノクロルペンゼ/、ジクロルベンゼ
ン、モノクロルトルエン等のハロゲン化芳香族炭化水素
等が使用できる。
このようにして得られた本発明の組成物を半導体素子製
造時のレジストとして使用する場合には、−般に行なわ
れているスピンナーコーティング法を用いることができ
る。
該組成物を前記の溶媒【溶解し、所望の濃度とした溶液
を用いて、通常用いられる基板上に、スピンナーコーテ
ィングを行えば、基板上に均一なレジスト層が形成され
る。レジスト層は、A!(12〜1.0hである。この
レジスト層は、通常プリベークされ、その条件は一般式
に90〜150℃でrl、1〜1時間である。勿論減圧
下でより低温で行ってもよい。
次いで、紫外線等の照射によシ、パターンを焼付け、必
要に応じてポストベークした後、前記の現像液により現
像すれば、シャープなネガ型パターンを得ることができ
る。
実施例 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
なお、生成物の同定は下記の機器にて行った。
”HNMR: 試料を0DCZ、 O20重量%溶液と
し、Varian社製MM560ム型(60MHis 
)で測定。
測定条件;20℃ 又、レジスト評価は、下記の機器、条件にて行つた。
スピナー:高橋精機工業社製、スピナーモデルIE−2
5 実施例t rMe共重合体の合成 窒素ガス置換したフラスコに蒸留精製したテトラヒドロ
フラン(TBF) 1000−を入れ、ドライアイス−
メタノール浴にて冷却し、n−ブチルリチウム(n −
BuLl)s 9ミリモルを加え攪拌しておいた。別の
窒素ガス置換した容器内で蒸留精製したFMS 50 
d (A瓜61;CL5?モル)とαM850モル(4
4,6t ; (L 59モル)を混合しておき、この
混合物を先のTRIP溶液に加え、2.5時間反応させ
た後、メタノール5dを加え、反応を停止させた。この
反応液をメタノール中に滴下し、白色ポリマー890?
を得た。得られた共重合体をGPC測定したところ、M
y!52000 、 My/Mn −1,25であった
。また”H1iMR分析したところ、FMS部分が5o
ユニ7)モル%、αMS 50ユニットモルチの1対1
共重合体であった。との共重合体のTtは15℃2℃で
あった。
上記で得られたFMS共重合体4.Ofとシクロヘキサ
ン801Rtを窒素ガス置換したフラスコに入れ、50
℃のオイルバスにて加熱攪拌しておき、n−BuLi 
28ミリモルとテトラメチルエチレンジアミン28ミリ
モルを加え、5時間反応させた。水浴にて冷却しながら
アリルジメチルクロロシラン60ミリモルを加え、2時
間反応させた。反応液i10%塩駿で洗浄し、メタノー
ル中に滴下してポリマーS、1fを得た。GPC測定し
たところ、Mw−56000、My/Mn −1,28
であった。また”HNMR分析したところアリルジメチ
ルシリル基の導入率は52.0ユニットモル*、FMS
部分1&0ユニットモル嗟、αMS 部分5(10ユニ
ットモルチであった。
−とニー乙)F量= 上記で得られたシリコン原子を有するI’M日共重合体
1.02と2,6−ジ(4′−ジアジドベンザル)−4
−メチルシクロヘキサノンα1ffキシレンa?Fを混
合し、キシレン溶液とした。
この溶液をシリコンウェハー上にα6μ倶厚にスヒンコ
ートし、70℃で50分間プリベークした。このウェハ
ーをミカサ製マスクアライナーMム−10を用い露光し
た(snow超高圧水銀灯)。テストパターンを通して
露光したところ、1.0μ渇の解像度を持つことが明ら
かとなった。
耐酸素プラズマ性 上記組成物についてレジスト評価と同様に、露光、ボス
トベークを行ない、平行平板型リアクティブイオンエツ
チング装置を用いて、RF出力100W、真空度110
5Torr、酸素流量22scan の設定条件下に酸
素のりアクティブイオンエツチングを行なった。
なお比較のために東京応化社製ノボラック系ポジ型フォ
トレジスト0NPRa o o (商品名)をシリコン
ウェハー上に2.0μm厚さに塗布し、200℃で30
分間ベークした後、同様に酸素のりアクティブイオンエ
ツチングを行なった。
10分間のエツチングにより0NPR800は1.40
μ惰エツチングされたのに対し、本発明によるものはα
5(1!h+sLかエツチングされなかった。
実施例2 FMS重合体の合成 窒素ガス置換したフラスコに蒸留によシ精製したテトラ
ヒドロフラン100−とn−ブチルリチウムCL5?ミ
リモルを入れ、ドライアイス−メタノール浴で冷却し、
攪拌しておいた。ここに精製したFMS 10 fを加
え、攪拌下重合を開始した。2時間経過後メタノール2
−を加えて重合反応を停止させた。次いで反応液をメタ
ノール中に投入し、10?のポリマーを得た。
テトラヒドロフラン溶液としてGPO測定したところM
y−54,900、My/Mn −1,16であった。
窒素ガス置換したフラスコに、上記で得た重合体zO2
とシクロヘキサン40−を入れ、攪拌して溶液とした。
これにn−ブチルリチウム17.4ミリモルのn−へキ
サン溶液と、N、N。
M’、N’−テトラメチルエチレンジアミン(’rM1
!:DA’)17.4ミリモルを加え、50℃で2時間
反応させてリチオ化FMS重合体とした。次いでこの反
応系を20℃に冷却し、アリルジメチルクロロシラン4
0ミリモルを加え、2時間反応した。
反応液を水洗した後、メタノール中に滴下してポリマー
を析出させ、白色のポリマー2.55tを得た。GPO
測定したところMy m 4翫200゜My/Mn −
1,17であった。
ITIt liMR分析したところ、アリルジメチルシ
リル基の導入率はACL6ユニットモルチであった。
”HNMR(δ(ppm)) : 7.02〜tt o
 (刑潴) 、 ay 8(−0EI冒0%) t 4
.9 A * a、72 (−0ト0’ELx)s−[
lLO5(−81,−0H3) 雲 レジスト評価 上記で得られたシリコン原子を有するPM8重合体を用
いた以外は、実施例1と同様にしてレジスト評価を行っ
たところ、1.0pmの解像度を持つことが明らかとな
った。
実施例1の場合と同様にして酸素によるリアクティブイ
オンエツチングを行表った。10分間で0NPRは1.
AOp%エツチングされたが、本発明によるものは12
5μ惰しかエツチングされなかった。
発明の効果 本発明による組成物は、シリコン原子を有し、分子量分
布が非常に狭1いスチレン系重合体に、ビスアジド化合
物のような感光性架橋剤を配合することにより、解像度
に優れ、耐ドライエツチング性を兼ね備えたネガ型紫外
線レジストが得られる。又、スチレン系重合体は、シリ
コン原子を有するので耐酸素リアクティブイオンエツチ
ング性に優れ、多層レジスト法の上層としても使用可能
なレジストを得ることができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1、R^2及びR^3は、同じか異なるC
    _1〜C_6アルキル基又は、C_2〜C_6アルケニ
    ル基であり、R^1、R^2及びR^3の少くとも一個
    がアルケニル基である〕の繰り返し単位を含むスチレン
    系重合体に、感光性架橋剤を配合してなる感光性樹脂組
    成物。
JP14684086A 1986-06-25 1986-06-25 感光性樹脂組成物 Pending JPS634230A (ja)

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