JPS6339358A - 厚膜抵抗体の形成方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の形成方法Info
- Publication number
- JPS6339358A JPS6339358A JP61183839A JP18383986A JPS6339358A JP S6339358 A JPS6339358 A JP S6339358A JP 61183839 A JP61183839 A JP 61183839A JP 18383986 A JP18383986 A JP 18383986A JP S6339358 A JPS6339358 A JP S6339358A
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- JP
- Japan
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- resistance
- burning
- formation
- resistor
- resistor paste
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- Pending
Links
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- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 35
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発り１は、例えばザーマルヘッドに使用される厚膜
抵抗体の形成方法に関する。
抵抗体の形成方法に関する。
ザーマルヘッドの厚膜抵抗体は、ペースト状の抵抗を基
板上に所定パターシに印刷してこれを焼成して形成され
る。抵抗ペーストは、ガラス粒子、金属粒子、樹脂から
なるが、焼成過程中に樹脂が熱により気化するので、焼
成後の抵抗体はガラス粒子と金属粒子の混合したものと
なる。
板上に所定パターシに印刷してこれを焼成して形成され
る。抵抗ペーストは、ガラス粒子、金属粒子、樹脂から
なるが、焼成過程中に樹脂が熱により気化するので、焼
成後の抵抗体はガラス粒子と金属粒子の混合したものと
なる。
この厚膜抵抗体の物性はまだ解明されていない部分が多
く、同種類のペーストを使用していても、完成したザー
マルヘッドの抵抗値はまちまちであり、各メーカとも頭
を悩ませている。最近では一旦形成された抵抗の抵抗値
を目標値に調整する各種トリミシグ方法が提案されてい
る。
く、同種類のペーストを使用していても、完成したザー
マルヘッドの抵抗値はまちまちであり、各メーカとも頭
を悩ませている。最近では一旦形成された抵抗の抵抗値
を目標値に調整する各種トリミシグ方法が提案されてい
る。
厚膜抵抗体の抵抗値に影響する要素としては次のものが
ある１ （１１抵抗ペーストの性質 （２１印刷した抵抗ペーストの膜厚９幅等の幾何学的寸
法 （３）抵抗ペーストの焼成条件 （４）抵抗体を保護するためのガラス層の形成による抵
抗の増加 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来、目標抵抗値を得るため、上述の（１１〜（４）の
条件を工夫していたが、仲々目標値にすることは困雛で
、目標値に対し通常は±１５％程度のばらつきが生じて
いた。そのため、抵抗の発熱量がばらつき、印字品質が
一定しないという問題点があった。
ある１ （１１抵抗ペーストの性質 （２１印刷した抵抗ペーストの膜厚９幅等の幾何学的寸
法 （３）抵抗ペーストの焼成条件 （４）抵抗体を保護するためのガラス層の形成による抵
抗の増加 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来、目標抵抗値を得るため、上述の（１１〜（４）の
条件を工夫していたが、仲々目標値にすることは困雛で
、目標値に対し通常は±１５％程度のばらつきが生じて
いた。そのため、抵抗の発熱量がばらつき、印字品質が
一定しないという問題点があった。
この発明は、サーマルヘッドの厚膜抵抗体の製造毎の抵
抗値の目標値に対するばらつきを最小限にして、望みの
抵抗値を得ることを目的とする。
抗値の目標値に対するばらつきを最小限にして、望みの
抵抗値を得ることを目的とする。
この発明は、抵抗ペーストの焼成条件（３）と保護ガラ
ス層の形成時における抵抗の変化（４）との間に一定の
関連性があることを見い出し、保護ガラスの形成時にお
ける抵抗の変化の大小に応じ、同一抵抗ペーストにおけ
る焼成条件を変えて目標値に近い抵抗値を得るものであ
る。
ス層の形成時における抵抗の変化（４）との間に一定の
関連性があることを見い出し、保護ガラスの形成時にお
ける抵抗の変化の大小に応じ、同一抵抗ペーストにおけ
る焼成条件を変えて目標値に近い抵抗値を得るものであ
る。
焼成条件（３）が保護ガラス層形成時におりる抵抗値の
変化にどのように作用するかそのメカニズムは下引であ
るが、両者に一定の関係があることは確かである。
変化にどのように作用するかそのメカニズムは下引であ
るが、両者に一定の関係があることは確かである。
抵抗ペーストの焼成温度を高くすればする程、又焼成時
間を長くすればする程、保護ガラス層形成時の抵抗値の
変化は小さくなる傾向がある。そこで、成る抵抗ペース
トにおいて、先づ、保護ガラス層形成時の抵抗変化率が
大きいか小さいかをサンプルで確認しておく。そして、
保護ガラス層形成時の抵抗変化率が大きいときは、そう
でない場合に比し、より長時間又はより高温度で抵抗体
を焼成する。
間を長くすればする程、保護ガラス層形成時の抵抗値の
変化は小さくなる傾向がある。そこで、成る抵抗ペース
トにおいて、先づ、保護ガラス層形成時の抵抗変化率が
大きいか小さいかをサンプルで確認しておく。そして、
保護ガラス層形成時の抵抗変化率が大きいときは、そう
でない場合に比し、より長時間又はより高温度で抵抗体
を焼成する。
第１図はこの発明に使用する焼成炉を示すもので、（１
１は焼成炉、（２１は搬送手段、に（）はサーマルヘッ
ド基板である。
１は焼成炉、（２１は搬送手段、に（）はサーマルヘッ
ド基板である。
搬送手段（２）の速度を変えることによって、抵抗ペー
ストを印刷したサーマルヘッド基板（３）の焼成時間を
変えることができる。又、焼成炉（１）の温度を変える
ことによって抵抗ペーストの焼成温度を変えることが出
来る。第２図Ａが通常の焼成条件とすれば、Ｂは焼成温
度を高（した場合を、Ｃは焼成時間を長くした場合を示
す。
ストを印刷したサーマルヘッド基板（３）の焼成時間を
変えることができる。又、焼成炉（１）の温度を変える
ことによって抵抗ペーストの焼成温度を変えることが出
来る。第２図Ａが通常の焼成条件とすれば、Ｂは焼成温
度を高（した場合を、Ｃは焼成時間を長くした場合を示
す。
第３図のΔＲは、抵抗ペースト焼成後の抵抗値と、更に
その後、抵抗体上に保護ガラス層を形成した場合の抵抗
値とを比較した場合のその変化率である。第３図は抵抗
の変化率ΔＲは、抵抗ペーストの焼成時間が高ければ高
い程、又焼成時間が長ければ長い程、小さくなることを
示し−（いる。
その後、抵抗体上に保護ガラス層を形成した場合の抵抗
値とを比較した場合のその変化率である。第３図は抵抗
の変化率ΔＲは、抵抗ペーストの焼成時間が高ければ高
い程、又焼成時間が長ければ長い程、小さくなることを
示し−（いる。
この発明は、同一の抵抗ペーストに詔いて、通冨の焼成
条件で先づサシプルを製作１−１保護ガラス層形成時に
おける抵抗の変化率ΔＢと最終抵抗値を測定する。
条件で先づサシプルを製作１−１保護ガラス層形成時に
おける抵抗の変化率ΔＢと最終抵抗値を測定する。
例えば、サンプルの最終抵抗値が目標抵抗値より高く抵
抗変化率Δ１（が大きい場合には、抵抗ペーストの焼成
温度をより高めるか焼成時間をより長くする。そうすれ
ば抵抗の増加率Δ１（が減少［７、目標抵抗値が得られ
易くなる。又、サンプルの最終抵抗が目標抵抗値より低
く、抵抗変化率（増加率ΔＲが小さい場合には、抵抗ペ
ーストの焼成温度をよシ低めるか焼成時間をより短くす
ると、抵抗の増加率ΔＲが増し、目標抵抗値が得られ易
くなる。
抗変化率Δ１（が大きい場合には、抵抗ペーストの焼成
温度をより高めるか焼成時間をより長くする。そうすれ
ば抵抗の増加率Δ１（が減少［７、目標抵抗値が得られ
易くなる。又、サンプルの最終抵抗が目標抵抗値より低
く、抵抗変化率（増加率ΔＲが小さい場合には、抵抗ペ
ーストの焼成温度をよシ低めるか焼成時間をより短くす
ると、抵抗の増加率ΔＲが増し、目標抵抗値が得られ易
くなる。
このようにして、通常の抵抗焼成条件でサンプルを製作
し、保護ガラス層形成時の抵抗の変化率ΔＲと最終抵抗
値を測定し、それに応じて抵抗ペーストの焼成時間と焼
成温度を変えるようにしたので、目標抵抗値が容易に得
られる効果がある。
し、保護ガラス層形成時の抵抗の変化率ΔＲと最終抵抗
値を測定し、それに応じて抵抗ペーストの焼成時間と焼
成温度を変えるようにしたので、目標抵抗値が容易に得
られる効果がある。
この発明は、保護ガラス形成前後における抵抗の変化率
と最終抵抗値に応じて、厚膜抵抗の焼成温度または焼成
時間を変化するようにしたので、目標とする抵抗値が容
易に得られ、抵抗値のばらつきが少なくなる効果がある
。
と最終抵抗値に応じて、厚膜抵抗の焼成温度または焼成
時間を変化するようにしたので、目標とする抵抗値が容
易に得られ、抵抗値のばらつきが少なくなる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る厚膜抵抗体の形成方法に使用す
る焼成炉の断面図、第２図はこの発明で採用する抵抗体
の焼成条件を示す図、第３図は焼成温度及び焼成時間と
抵抗変化率ΔＲとの関係を示す図である。 図において、（１）は焼成炉、（２）は搬送手段、（３
）はサーマルヘッド基板である。
る焼成炉の断面図、第２図はこの発明で採用する抵抗体
の焼成条件を示す図、第３図は焼成温度及び焼成時間と
抵抗変化率ΔＲとの関係を示す図である。 図において、（１）は焼成炉、（２）は搬送手段、（３
）はサーマルヘッド基板である。
Claims (1)
- 保護ガラス層で保護される厚膜抵抗体の形成方法におい
て、保護ガラス形成の前後における抵抗値の変化率と最
終抵抗値を測定し、これらの測定値に基づいて、上記厚
膜抵抗体の焼成温度又は焼成時間を変化させることを特
徴とする厚膜抵抗体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183839A JPS6339358A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183839A JPS6339358A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6339358A true JPS6339358A (ja) | 1988-02-19 |
Family
ID=16142741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61183839A Pending JPS6339358A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6339358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108016141A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-05-11 | 山东华菱电子股份有限公司 | 一种热敏打印头的修阻方法 |
-
1986
- 1986-08-04 JP JP61183839A patent/JPS6339358A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108016141A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-05-11 | 山东华菱电子股份有限公司 | 一种热敏打印头的修阻方法 |
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