JPS6336583A - 熱電材料の製造方法 - Google Patents
熱電材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS6336583A JPS6336583A JP61177662A JP17766286A JPS6336583A JP S6336583 A JPS6336583 A JP S6336583A JP 61177662 A JP61177662 A JP 61177662A JP 17766286 A JP17766286 A JP 17766286A JP S6336583 A JPS6336583 A JP S6336583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- thin film
- thermoelectric
- sintering
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001046 rapid expansion of supercritical solution Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C12/00—Alloys based on antimony or bismuth
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ベルチェ効果を利用する電子冷却用モジュー
ルの脚部材料或いはゼーベック効果を利用する熱電発電
用モジュールの脚部材料として用いられる熱電材料の製
造方法に関するものである。
ルの脚部材料或いはゼーベック効果を利用する熱電発電
用モジュールの脚部材料として用いられる熱電材料の製
造方法に関するものである。
従来の技術
げ２ 従来、熱電材料製造には粉末→成形→焼結（以下
プレスシンター法と呼ぶ）やホットプレス（ＥＯＴ Ｐ
ＲＥＳＳ ）法が用いられてき穴。
プレスシンター法と呼ぶ）やホットプレス（ＥＯＴ Ｐ
ＲＥＳＳ ）法が用いられてき穴。
（リ 熱電材料の特性は、性能指数（ｆｉｇｔｃｒａ
ｏｆｍａｒｉｔ） Ｚで示される。
ｏｆｍａｒｉｔ） Ｚで示される。
Ｚ＝α ［相］σ／Ｋ α：ゼーベツク定数σ：電
気伝導度 に：熱伝導度 αは、結晶粒度にめまシ影響されないが、て及びＫは、
一般に結晶粒度が細かくなる程小さくなる。
気伝導度 に：熱伝導度 αは、結晶粒度にめまシ影響されないが、て及びＫは、
一般に結晶粒度が細かくなる程小さくなる。
５ｉ−Ｇ−系熱電材料の文献（Ｒｏｗｓ 、 Ｓｉｎｔ
ｇｒＴｈｅｏｒｙ Ｐｒａｃｔ 、ｐ、４８７〜４９５
°８２ ）では、粒度がある程度以上細かくなると
、りは変らず、Ｋのみが小さくなることが報告されてい
る。
ｇｒＴｈｅｏｒｙ Ｐｒａｃｔ 、ｐ、４８７〜４９５
°８２ ）では、粒度がある程度以上細かくなると
、りは変らず、Ｋのみが小さくなることが報告されてい
る。
（ハ）従って、結晶粒度を細かくするほどＺが大きくな
るため、結晶粒度の細かい粉末を用いタフレスシンター
法、ホットプレス（ＨＯＴｐＲＥｓｓ ）法が行なわれ
てきた。
るため、結晶粒度の細かい粉末を用いタフレスシンター
法、ホットプレス（ＨＯＴｐＲＥｓｓ ）法が行なわれ
てきた。
発明が解決しようとする問題点
プレスシンター法、ホットプレス法に供せられる粉末は
、一般に機械的粉砕により作製されるが、長時間粉砕す
ると不純物の混入量が増加する±め、平均粒径は数ミク
ロン程度のものが用いられる。従って得られる焼結体の
結晶粒度も数ミクロン程度となシ、それ以上微細な結晶
粒度をもつ熱電材料は炸裂不可能であった。
、一般に機械的粉砕により作製されるが、長時間粉砕す
ると不純物の混入量が増加する±め、平均粒径は数ミク
ロン程度のものが用いられる。従って得られる焼結体の
結晶粒度も数ミクロン程度となシ、それ以上微細な結晶
粒度をもつ熱電材料は炸裂不可能であった。
発明の目的
本発明は上記の事情に鑑みなされたもので、その目的と
するところは溶融状態の電熱合金を急冷することにより
サブミクロンの結晶粒度ヲもつ薄膜状物、粉末状物を得
てこれらを冷開成形、焼結することによシサブミクロン
の結晶粒度をもつ熱電材料を得るよりにして優れた性能
指数Ｚをもつ熱電材料の製造方法を提供することにある
。
するところは溶融状態の電熱合金を急冷することにより
サブミクロンの結晶粒度ヲもつ薄膜状物、粉末状物を得
てこれらを冷開成形、焼結することによシサブミクロン
の結晶粒度をもつ熱電材料を得るよりにして優れた性能
指数Ｚをもつ熱電材料の製造方法を提供することにある
。
問題点を解決するための手段及び作用
上記の目的を達成するために本発明は、溶融状態のｌｉ
７％合金ｔ ｌ Ｏ” ０Ｃ／ ｓａｃ以上の冷却速
度で冷却することによって薄膜又は粉末とし、これらの
薄膜物又は粉末物を冷間成形又は焼結するようにしたも
のである。
７％合金ｔ ｌ Ｏ” ０Ｃ／ ｓａｃ以上の冷却速
度で冷却することによって薄膜又は粉末とし、これらの
薄膜物又は粉末物を冷間成形又は焼結するようにしたも
のである。
実施例
゛以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
サブミクロンの結晶粒度をもつ熱電材料を得る方法はＷ
ｃ１図に示すように溶湯留４に熱電合金３を装填し、高
肩波コイル２で加熱、熱電合金３ｅ溶融状態とする。
ｃ１図に示すように溶湯留４に熱電合金３を装填し、高
肩波コイル２で加熱、熱電合金３ｅ溶融状態とする。
金属製のロール１を馬連５〜４ Ｑ ｍ ／ｚｅｅｙと
なるように回転させ溶湯留４より不活性ガス（圧力０．
１Ａ１／ｃｍ”〜４ ｋｇ／ Ｃｍ” ）によｐ溶湯を
ロール１に噴出させ薄膜或いは粉末とする。
なるように回転させ溶湯留４より不活性ガス（圧力０．
１Ａ１／ｃｍ”〜４ ｋｇ／ Ｃｍ” ）によｐ溶湯を
ロール１に噴出させ薄膜或いは粉末とする。
薄膜或いは粉末を冷開成形成いは焼結することにより熱
電材料を得る。
電材料を得る。
上記の熱電材料の製造方法では急冷される際、い禽ると
ころで結晶化するため、サブミクロンの結晶粒度をもつ
薄膜状、粉末状熱電材料が得られる。それらを冷間成形
、或いは結晶粒粗大化温度以下で焼結すればサブミクロ
ンの結晶粒度をもつ熱電材料が得られる。
ころで結晶化するため、サブミクロンの結晶粒度をもつ
薄膜状、粉末状熱電材料が得られる。それらを冷間成形
、或いは結晶粒粗大化温度以下で焼結すればサブミクロ
ンの結晶粒度をもつ熱電材料が得られる。
その結果従来のプレスシンブー法、ホットプレス（ＥＯ
Ｔ ＰＲＥＳＳ ）法で作製される熱電材料より優れた
性能指数Ｚをもつ熱電材料が炸裂可能となる。
Ｔ ＰＲＥＳＳ ）法で作製される熱電材料より優れた
性能指数Ｚをもつ熱電材料が炸裂可能となる。
実施例（１）
Ｂｉ＠８５６，２の組成をもつ熱電合金ｋ 約６０００
０ ＩＣ加熱し、液相状態とする。その状態より周速的
１０ ｍ／ ｓｅｃで回転するＣｕ！ｐのロールにガス
噴、射圧約ｌ 、 Ｑｋ、ｑ／ｃ♂で溶湯を噴き付は長
さ約２Ｑｍｍ、巾約２ｍｍ、厚さ約３０μｍの薄膜を作
製した。
０ ＩＣ加熱し、液相状態とする。その状態より周速的
１０ ｍ／ ｓｅｃで回転するＣｕ！ｐのロールにガス
噴、射圧約ｌ 、 Ｑｋ、ｑ／ｃ♂で溶湯を噴き付は長
さ約２Ｑｍｍ、巾約２ｍｍ、厚さ約３０μｍの薄膜を作
製した。
その薄１を約３００００倍で透過電顕で観察したところ
、第１図に示す組織であった。
、第１図に示す組織であった。
比較例（１）
Ｅｉ ８ｓＳＡ 、２の組成をもつ熱電合金を約６００
０Ｃ“に加熱し液相状態とする。その状態より炉冷した
インボッ）１ボールミルで約５時間粉砕した後Ａｒ雰囲
気中で約１８０°Ｃ１３００ｋｙ ／ ａｍ’ Ｑ：）
圧’ｊＥ ７１０分間焼結した。
０Ｃ“に加熱し液相状態とする。その状態より炉冷した
インボッ）１ボールミルで約５時間粉砕した後Ａｒ雰囲
気中で約１８０°Ｃ１３００ｋｙ ／ ａｍ’ Ｑ：）
圧’ｊＥ ７１０分間焼結した。
その焼結体をＩ ０００倍で光学Ｍ微鏡覗察し念ところ
、第３図に示す組織であった。
、第３図に示す組織であった。
比較例（υは、従来技術（ハ）で示したホットプレス（
ＨＯＴ ＰＲＥＳＳ ）法により作製する熱電材料の１
例である。焼結体の結晶粒度は数ミクロンである。（粉
末に超微粒子を用いれば更に結晶粒度の小さい焼結体が
得られるが熱電材料のコストが上がるなめ実用的ではな
い。） 実施例（υに示した通り本発明による方法では容易にサ
ブミクロンの結晶粒度をもつ急冷薄膜が得られた。この
薄膜を束ね冷開成形し、膜厚方向に垂直に電気を流せは
便れた性能をもつ熱１材料として使用できる。
ＨＯＴ ＰＲＥＳＳ ）法により作製する熱電材料の１
例である。焼結体の結晶粒度は数ミクロンである。（粉
末に超微粒子を用いれば更に結晶粒度の小さい焼結体が
得られるが熱電材料のコストが上がるなめ実用的ではな
い。） 実施例（υに示した通り本発明による方法では容易にサ
ブミクロンの結晶粒度をもつ急冷薄膜が得られた。この
薄膜を束ね冷開成形し、膜厚方向に垂直に電気を流せは
便れた性能をもつ熱１材料として使用できる。
急冷時のロール回転数、噴射圧を変更すればサブミクロ
ンの結晶粒度をもつ急冷粉末が得られる。急冷粉末をホ
ットプレス（ＥＯＴ ＰＥＥＳＳ ）し、焼結体を作製
する際には、結晶粒が粗大化する温度以下で作業を行な
う。
ンの結晶粒度をもつ急冷粉末が得られる。急冷粉末をホ
ットプレス（ＥＯＴ ＰＥＥＳＳ ）し、焼結体を作製
する際には、結晶粒が粗大化する温度以下で作業を行な
う。
急冷法すなわち本発明方法において、ロール回転数が大
きくなる程、又噴射圧が小さくなる程得られる急冷物は
薄状から粉末状へ変化する。
きくなる程、又噴射圧が小さくなる程得られる急冷物は
薄状から粉末状へ変化する。
ロール回転数が周速５ ｎＬ ／ＪＰａＣ以下、噴射圧
が４ｈｙ／ａｍ”以上になると薄片の厚みが増し急冷度
が下が５ｏ−ルヘ薄片が巻きつくなどの不都合が生じる
。またロール回転数が面速４０ ｍ ／ 、ｔｇｃ以上
、噴射圧がＱ、ｊｋｇ／ｃ♂以下になると粉末が細かく
なり回収率が悪くなるため好ましくない〇実施例（１）
に示したロールを用い念急冷法以外すなわちアトマイズ
法、粉砕法でもＩ Ｏ”Ｃ／１ａｒｙ以上の冷却速度で
粉末、薄膜を作製し、それらを冷開成形成いは焼結すれ
ば同様の効果が得られる。
が４ｈｙ／ａｍ”以上になると薄片の厚みが増し急冷度
が下が５ｏ−ルヘ薄片が巻きつくなどの不都合が生じる
。またロール回転数が面速４０ ｍ ／ 、ｔｇｃ以上
、噴射圧がＱ、ｊｋｇ／ｃ♂以下になると粉末が細かく
なり回収率が悪くなるため好ましくない〇実施例（１）
に示したロールを用い念急冷法以外すなわちアトマイズ
法、粉砕法でもＩ Ｏ”Ｃ／１ａｒｙ以上の冷却速度で
粉末、薄膜を作製し、それらを冷開成形成いは焼結すれ
ば同様の効果が得られる。
発明の効果
以上詳述したように、本発明に係る熱電材料の製造方法
は、溶融状態の電熱合金をＩ Ｏ”Ｃ／ｓｅｃ以上の冷
却速度で冷却することによって薄膜又は粉末とし、これ
らの薄膜物又は粉末物を冷間成形又は焼結するようにし
たことを特徴とするものである。
は、溶融状態の電熱合金をＩ Ｏ”Ｃ／ｓｅｃ以上の冷
却速度で冷却することによって薄膜又は粉末とし、これ
らの薄膜物又は粉末物を冷間成形又は焼結するようにし
たことを特徴とするものである。
したがって、溶融状態の電熱合金を急冷することにより
いたるところで結晶化してサブミクロンの結晶粒度をも
つ薄膜状物、粉末状物が生じこれらを冷開成形、焼結す
ることによりサブミクロンの結晶粒度をもつ熱電材料を
得ることができる。
いたるところで結晶化してサブミクロンの結晶粒度をも
つ薄膜状物、粉末状物が生じこれらを冷開成形、焼結す
ることによりサブミクロンの結晶粒度をもつ熱電材料を
得ることができる。
この結果、従来のプレスシンター法、ホットプレス（Ｈ
ＯＴ ＰＲＥＳＳ ）法で作製される熱電材料よシ優れ
た性能指数Ｚｔ−もつ熱電材料が作製可能となる。
ＯＴ ＰＲＥＳＳ ）法で作製される熱電材料よシ優れ
た性能指数Ｚｔ−もつ熱電材料が作製可能となる。
第１図は本発明方法に用いる熱電材料の製造方法の構成
説明図、第２図は熱電材料の薄膜を約３００００倍で透
過電子顕微鏡で観察してなる組織図、第３図は熱電材料
の焼結体ｅｌｏｏｏ倍で光学顕微鏡で観察してなる組織
図である。 １はロール、２は高閏波コイル、３は熱電合金、４は溶
瀞留。、。
説明図、第２図は熱電材料の薄膜を約３００００倍で透
過電子顕微鏡で観察してなる組織図、第３図は熱電材料
の焼結体ｅｌｏｏｏ倍で光学顕微鏡で観察してなる組織
図である。 １はロール、２は高閏波コイル、３は熱電合金、４は溶
瀞留。、。
Claims (1)
- 溶融状態の電熱合金を１０＾３℃／ｓｅｃ以上の冷却速
度で冷却することによつて薄膜又は粉末とし、これらの
薄膜物又は粉末物を冷間成形又は焼結するようにしたこ
とを特徴とする熱電材料の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177662A JP2556970B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 熱電材料の製造方法 |
| US07/016,265 US4764212A (en) | 1986-02-21 | 1987-02-19 | Thermoelectric material for low temperature use and method of manufacturing the same |
| EP87102425A EP0235702B1 (en) | 1986-02-21 | 1987-02-20 | Thermoelectric material for low temperature use and method of manufacturing the same |
| DE8787102425T DE3767892D1 (de) | 1986-02-21 | 1987-02-20 | Thermoelektrischer werkstoff, anwendbar bei niedrigen temperaturen und verfahren zu seiner herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177662A JP2556970B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 熱電材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336583A true JPS6336583A (ja) | 1988-02-17 |
| JP2556970B2 JP2556970B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=16034909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61177662A Expired - Lifetime JP2556970B2 (ja) | 1986-02-21 | 1986-07-30 | 熱電材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556970B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0335213A2 (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Method for producing thermoelectric elements |
| JPH05335628A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Chubu Electric Power Co Inc | 熱電変換素子 |
| US5507879A (en) * | 1992-06-09 | 1996-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sensor utilizing thermoelectric material and method for manufacture thereof |
| US5981863A (en) * | 1995-03-03 | 1999-11-09 | Yamaha Corporation | Process of manufacturing thermoelectric refrigerator alloy having large figure of merit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101455713B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2014-11-04 | 한국과학기술연구원 | 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4868409A (ja) * | 1971-12-21 | 1973-09-18 | ||
| JPS61507A (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 金属粉末の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61177662A patent/JP2556970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4868409A (ja) * | 1971-12-21 | 1973-09-18 | ||
| JPS61507A (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-06 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 金属粉末の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0335213A2 (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Method for producing thermoelectric elements |
| EP0583795A1 (en) * | 1988-03-30 | 1994-02-23 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Method for producing thermoelectric elements |
| JPH05335628A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Chubu Electric Power Co Inc | 熱電変換素子 |
| US5507879A (en) * | 1992-06-09 | 1996-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sensor utilizing thermoelectric material and method for manufacture thereof |
| US5981863A (en) * | 1995-03-03 | 1999-11-09 | Yamaha Corporation | Process of manufacturing thermoelectric refrigerator alloy having large figure of merit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2556970B2 (ja) | 1996-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3092463B2 (ja) | 熱電材料及び熱電変換素子 | |
| KR101683687B1 (ko) | 나노복합체형 열전소재 및 이의 제조방법 | |
| US20060118161A1 (en) | Thermoelectric material having crystal grains well oriented in certain direction and process for producing the same | |
| US5763293A (en) | Process of fabricating a thermoelectric module formed of V-VI group compound semiconductor including the steps of rapid cooling and hot pressing | |
| KR20160125132A (ko) | 저항 발열체를 이용한 Bi-Te계 열전 재료의 제조 방법 | |
| JP7344531B2 (ja) | 熱電変換材料、及びその製造方法 | |
| US4764212A (en) | Thermoelectric material for low temperature use and method of manufacturing the same | |
| JPS6336583A (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
| KR20180060265A (ko) | 산화도가 제어된 Bi-Te계 열전 재료의 제조 방법 | |
| JP3572939B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| KR102033900B1 (ko) | 복합체형 열전소재 및 그 제조방법 | |
| KR102670992B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 | |
| US3132488A (en) | Thermoelectricity | |
| KR20020034463A (ko) | 고순도의 합금 및 복합상 나노금속분말의 제조방법 | |
| JP2533356B2 (ja) | 熱電素子およびその製造方法 | |
| JP2000036627A (ja) | 熱電材料及び熱電変換素子 | |
| JPH0462981A (ja) | 非晶質ＦｅＳｉ↓２熱電変換半導体の製造方法 | |
| JPH07211944A (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JPH10102160A (ja) | 三アンチモン化コバルト系複合材料の製造方法 | |
| US11839158B2 (en) | Silicide alloy material and thermoelectric conversion device in which same is used | |
| KR20240103827A (ko) | Ag 나노입자가 함유된 Bi-Sb-Te계 열전 복합체 및 그의 제조방법 | |
| JP3572791B2 (ja) | 熱電冷却用材料の製造方法 | |
| JP3572814B2 (ja) | 熱電冷却用材料の製造方法 | |
| USH1193H (en) | Method of producing copper alloys with manganese and selenium to improve thermal stability | |
| JPH01149931A (ja) | 熱電材料の製造方法 |