JPS6333388A - ホスフアチジルイノシト−ル類の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は天然に存在する１、２−ジアシル−３−ホスフ
ァチジルイノシトール（以下、ＰＩと略す）に任意のア
シル基を組み換えたＰＩ類の製造方法に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

ＰＩは天然界に広く存在し、生物の生体内において生体
膜などの主要な構成成分となっているリン脂質の一つで
ある。その機能は今までにも研究されており、その−例
として抗脂肪肝因子つまりコレステロール代謝作用や末
梢血管保護作用等が挙げられ、さらにはその分子内にも
つイノシトールはビタミンＢ群の一つとして数えられ、
成長や発毛に関与する因子であることが知られている。

また最近ではＰＩは他のリン脂質と体内での代謝が異な
ることが注目されており、さらにガン細胞に特異的に作
用することが報告されている。これはガン細胞において
ＰＩが速いスピードで代謝され、その時に生成する脂肪
酸、とりわけリノール酸、リルン酸、アラキドン酸等の
高度不飽和酸に抗ガン作用があると言われている。この
抗ガン作用は公的に認知されておらず、そのメカニズム
についても仮説の域を出ていない。

そこでＰＩの抗ガン効果を確認するために、任意のアシ
ル基で組み換えたＰＩが必要であり、脂肪酸鎖長、不飽
和度、グリセリン骨格への結合位置等が明らかにされた
ＰＩが望まれている。またＰＩのアシル基を任意のもの
に組み換えると、アシル基に機能性をもたせることがで
き、ＰＩの利用範囲が広がる。

ＰＩは天然界に広く存在するが、その濃縮精製は大変困
難であり、試薬として市販されているものは非常に高価
なものでありながら純度が５０％程度と低い。まして、
アシル基として任意のものが結合した製品は市販されて
いない。

従来の合成リン脂質の研究はほとんどが１，２−ジアシ
ル−３−ホスファチジルコリン（以下、ＰＣと略す）類
および血小板活性化因子（ＰＡＦ）類に関するものであ
る。ＰＣの製造方法としては従来から全合成法および半
合成法が知られている（Ｂｅａｒら、ＪＡＣＳ　６１（
４）、７６１（１９３９）、Ｊ、　Ｂｉｏｌ、　Ｃｈｅ
ｗ。

２３０．４４７（１９５８）、ＪＡＣＳ　７２．９４２
（１９５０）　）が、全合成法は工程数が多く、工業化
することは困難であった。半合成法は３−グリセリルホ
スホリルコリンとアシル化剤とからＰＣを合成するもの
である。

アシル化剤としては、■脂肪酸クロライド（ｃａｎ。

Ｊ、　Ｂｉｏｃｈｅｍ、　Ｐｈｙｓｉｏｌ、　３７．９
５３（１９５９））　、■脂肪酸イミダゾール塩〔特開
昭５１−９１２１３、Ｈｅｒｍｅｔｔｅｒら、Ｃｈｅｗ
、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｉｐｉｄｓ　２８．１１１（１９８
１））　、および■脂肪酸無水物（Ｒｅｇｓｎら、　Ｊ
ＡＣＳ　１０４．７９１（１９８２））が−船釣に用い
られている。

一方、従来のＰＩの製造方法としては全合成法が行われ
ており、半合成法は行われていない［Ｃｈｅｍ、　Ｐｈ
ｙｓ、　Ｌｉｐｉｄｓ　２５．２４７（１９７９）、Ｚ
ｈ、　Ｏｂｓ。

Ｋｈｉ＋＊、　４７．２１３０（１９７７）、Ｔｅｔｒ
ａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒ（８）、５８７（１９７
０）、Ｚｈ、　Ｏｂｓ、　Ｋｈｉｍ、　４１．１３８６
（１９７１））。

ＰＩの全合成法のキーテクノロジーは、ｉ＊ｙｏ−イノ
シトールの１位以外の５つの水酸基を適当な保護基で保
護した後、１，２−ジアシル−３−ホスファチジン酸誘
導体に導入する方法である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このようなＰＩの全合成法においては、
ｍｙｏ−イノシトールの１位の水酸基のみをいかにして
選択的に３−グリセリルホスホリル基に結合させるかが
問題である。これまでの報告では何度も水酸基の保護と
生成物の分離を繰り返し行うことにより目的物を得てい
る。しかし、この方法では工程数が多く、工業化は困難
である。

ＰＣの場合は上述のように半合成法により天然ＰＣを原
料とし、アシル基を任意に組み換えて新規ＰＣを得てい
るが、ＰＩにおいてＰＣと同様の工程で新規ＰＩの製造
を試みた場合、目的とするＰＩを得ることはできない。

というのは、天然Ｐ■を脱アシル化して得られる３−グ
リセリルホスホリルイノシトールを再アシル化する場合
、分子内にグリセリン骨格の他にイノシトール骨格にも
水酸基を有するために、そのイノシトール骨格にまでア
シル化が及ぶからである。このためＰＣの半合成法を応
用して任意のアシル基に組み換えたＰＩを合成すること
は回道であった。

本発明は以上のような問題点を解決するためのものであ
り、天然から得られるＰＩを原料として、そのアシル基
を任意のアシル基に組み換えて新規なＰＩ類を製造する
ことが可能なホスファチジルイノシトール類の製造方法
を提案することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、（ａ）天然原料の１，２−ジアシル−３−ホ
スファチジルイノシトール分子内のイノシトール部分の
水酸基を保護基で保護する工程、（ｂ）上記（ａ）工程
で水酸基を保護した１、　２−ジアシル−３−ホスファ
チジルイノシトールを脱アシル化する工程、 （ｃ）上記（ｂ）工程で説アシル化した水酸基保護３−
グリセリルホスホリルイノシトールに任意のアシル基を
導入する工程、および （ｄ）上記（ｃ）工程で得られた任意のアシル基を導入
した水酸基保護１．２−ジアシル−３−ホスファチジル
イノシトールから保護基を脱離させる工程を含むホスフ
ァチジルイノシトール類の製造方法である。

本発明において原料として用いる天然原料のＰＩは、一
般式 （式中、Ｒ１、Ｒ２はアシル基を示す、）で表わされる
ものが一般的であるが、イノシトール部分が異性体とな
ったもの、および塩の形になったものも含まれる。

原料として用いる天然から得られるＰＩは動物由来、植
物由来、微生物由来の種類を問わず、いずれのものも使
用することができる。特に豊富に含まれているものとし
ては、動物の脳および臓器、大豆レシチン、酵母等が挙
げられる。また原料中のＰＩ濃度は特に制限はなく、そ
れほど高いものを使用する必要がない、というのはＰＩ
分子内のイノシトール部分の水酸基を保護した後、脱ア
シル化を行った反応物はクロロホルム等の有機溶媒への
溶解度およびその他の物性に違いが出てくるため、溶剤
分別やシリカゲルカラム、活性アルミナカラム等を用い
ることにより他の混在するリン脂質等を分離することが
できるためである。

以下、本発明を各工程ごとに説明する。

（ａ）ＰＩ分子内のイノシトール部分の水酸基を保護基
で保護する工程 本発明ではまず原料となるＰＩ分子内のイノシトール部
分の水酸基を保護基で完全にまたは部分的に保護する。

イノシトール部分の水酸基の保護は後の工程を考慮して
、耐アルカリ性を有する保護基によるのが好ましく、特
に還元または酸触媒等の反応により脱離できる保護基に
よるのがより好ましい、水酸基の保護はＰＩのイノシト
ール部分の水酸基５個のうち、すべてを完全に保護して
もよいが、保護基の脱離のし易さおよび保護基剤のコス
トを考え、部分的に保護することもできる。部分保護の
場合は、導入される保護基の数が少な過ぎると、イノシ
トール部分にまでアシル化が及んでしまうため、最低必
要な保護基数は２個であり、それ未満の場合には目的と
するＰＩを製造することはできない。

アシル基に不飽和脂肪酸を導入する場合、還元により脱
離する保護基で保護すると、不飽和酸の二重結合に影響
を及ぼすため、酸触媒等により脱離する保護基を用いる
ことが望ましい。しかし、還元により脱離する保護基を
使用する場合、二重結合部分を臭素等で保護する工程を
付し、保護基を脱離させた後に臭素を外すことにより、
目的とするＰＩを製造することが可能となる。

保護基としては、例えば水酸基と結合してベンジルエー
テル、テトラヒドロビラニールエーテル、テトラヒドロ
チオピラニールエーテル、テトラヒドロフラニールエー
テル、４−メトキシテトラヒドロビラニールエーテル、
ｌ−エトキシエチルエーテル、トリアリールメチルエー
テル、トリアルキルシリルエーテル等のエーテル類；メ
チレンアセタール、イソプロピリデンアセタール、ベン
ジリデンアセタール、シクロへキシリデンアセタール等
のアセタール類；イソブチル炭酸エステル、アリール炭
酸エステル、２．２．２−トリクロロエチル炭酸エステ
ル等の炭酸エステル類を形成するものを挙げることがで
きる。

水酸基を保護する反応は、糖および環状アルコールの反
応に一般に採用されている反応を採用することができる
。例えば、ベンジル化の場合は、溶媒としてジメチルス
ルホキサイド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等のよく脱水したものを使用
し、水素化ナトリウムや金属ナトリウム等を用いてアル
カリ金属のアルコラードを形成させ、続いてハロゲン化
ベンジルを加えることにより、ベンジルエーテルを形成
し、水酸基をベンジル基で保護することができる。また
テトラヒドロピラニール化の場合は、溶媒としてジクロ
ロメタン、クロロホルム、四塩化ＬＨ、ベンゼン等のＰ
Ｉをよく溶解または分散するものを使用し、触媒として
酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、Ｈ
＋型イオン交換樹脂等σ酸を使用し、３，４−ジヒドロ
−α−ピランと撹拌下に反応させることにより、テトラ
ヒドロビラニールエーテルを形成し、水酸基を保護する
ことができる。他の反応も上記に準じて行うことができ
る。反応温度は保護基の種類により一２０〜１００℃の
範囲で使用するが、基質の安定性から一２０〜４０℃が
最も好ましい。反応時間は１５分〜数日間の範囲で適宜
選択することができる０反応後退量の水で洗浄し、溶媒
を除いた後、得られた生成物をそのまま、または薄層ク
ロマトグラフィーあるいはカラムクロマトグラフィーに
より精製して次の工程に移ることができる。

（ｂ）水酸基を保護したＰＩを脱アシル化する工程（ａ
）工程で水酸基を保護したＰＩを、　この工程で脱アシ
ル化して３−グリセリルホスホリルイノシトールを生成
させる。水酸基を保護したＰＩの脱アシル化はテトラブ
チルアンモニウムヒドロキサイド等の四級アルキルアン
モニウム水酸化物あるいはアルカリ金属などを使用して
アルコーリシスすることにより行うことができるが、低
濃度のアルカリ等で穏やかに加水分解してもよい。脱ア
シル化反応に使用する溶媒としてはクロロホルム、ジク
ロロメタン、四塩化炭素、エーテル等があるが、必要に
応じてメタノール、エタノール等の親水性溶媒との混合
溶媒を使用することもできる。

反応温度は０〜１００℃の範囲が好ましいが、基質の安
定性から０〜４０℃が特に好ましい。反応時間は１５分
〜数日間の範囲で適当な時間を選択すればよい０反応後
退量の水で数度洗浄し、′溶媒を除いた後、得られた生
成物をそのまま、または薄層クロマトグラフィーあるい
はカラムクロマトグラフィーにより精製して、次の工程
に移ることができる。

（ｃ）脱アシル化した水酸基保護の３−グリセリルホス
ホリルイノシトールに任意のアシル基を導入する工程 この工程では、（ｂ）工程において生成した３−グリセ
リルホスホリルイノシトールに任意のアシル基を導入し
て、水酸基保護ＰＩを生成させる。導入するアシル基と
しては、天然もしくは合成の直鎖状、分枝状または環状
の炭素数１〜３０の飽和または不飽和カルボン酸のアシ
ル基があり、任意のものを導入することができる。上記
カルボン酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、酪酸
、カプロン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パリミチン
酸、ステアリン酸、アラキン酸、ベヘン酸等の直鎖飽和
カルボン酸；パルミトオレイン酸、オレイン酸、エライ
ジン酸、エルシン酸、リノール酸、リルン酸、エイコサ
ペンタエン酸、ドコサヘキサエン酸、アラキドン酸、ｔ
ｏ、　１２−オクタデカジエン酸、２，４−オクタデカ
ジエン酸、１０．１２−ヘプタデカジイン酸、２，４−
ナノデカジイン酸等の直鎖不飽和カルボン酸：イソ酪酸
、イソ吉草酸、メチルステアリン酸、プリスタン酸等の
分枝状カルボン酸；フラン酸、マルバリン酸、ヒトツカ
ルピン酸、シ五−ルムーグリン酸、ゴルリン酸、安息香
酸、ｐ−メチルフェニルプロピオン酸、ｐ−ビニルフェ
ニルヘキサン酸等の環状カルボン酸などを挙げることが
できる。これらのカルボン酸を目的に応じ、単独である
いは自由に組み合わせて用いることができる。

アシル基を導入する反応方法は、例えば上記カルボン酸
を酸無水物、酸ハロゲン化物、脂肪酸イミダゾール化物
等の活性アシル化状履にしたものをアシル化剤とし、水
酸基を保護した３−グリセリルホスホリルイノシトール
のグリセリル部分の水酸基と反応させる。アシル化剤の
添加量は反応基質に対し１〜２０当量、好ましくは１〜
５当量とするのが良い。

反応に使用する触媒は塩基性触媒が用いられ、好ましく
はＰＩの異性化を生じさせない穏やかなものがよい。ア
シル化剤に酸無水物、酸ハロゲン化物を使用する場合、
触媒としては、ピリジン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−４−アミ
ノピリジン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−４−アミノ−２−メチ
ルピリジン、４−ピロリジノピロリジン等のピリジン誘
導体、およびトリエチルアミン、トリブチルアミン等の
三級アミン類等が使用できるが、酸無水物の場合にはＮ
、Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジンまたは４−ピロリ
ジノピリジン、酸ハロゲン化物の場合にはピリジンが好
ましい。

脂肪酸イミダソール化物を使用する場合はイミダゾール
ナトリウム、トリアゾールナトリウム、ベンツイミダゾ
ールナトリウムなどの含窒素置員複素環状化合物誘導体
のアルカリ塩が使用できるが、なかでもイミダゾールナ
トリウムが好ましい。触媒の添加量は原料に対し０．０
１〜２０当量程度、好ましくは０．１〜２当量が良い。

溶媒としてはクロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭
素等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン等の芳
香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素：酢酸
エチル、酢酸プロピル等のエステル；ジエチルエーテル
、テトラヒドロフラン等のエーテル類などを用いること
ができ、これらの溶媒は乾燥していることが好ましい。

アシル化反応はＯ〜８０℃程度、好ましくは１０〜５０
℃の範囲で行うことができ、通常１５５分〜数間、好ま
しくは３０分〜３日間で終了し、目的とする任意のアシ
ル基で組み換えた水酸基保護のＰＩを得ることができる
。また、反応系は必ずしもではないが、特にアシル基に
高度不飽和脂肪酸を用いる場合は、窒素、アルゴン等の
不活性ガス気流下で行うことが好ましい０反応後よく水
洗し、溶媒を除いた後、そのまま、または薄層クロマト
グラフィーあるいはカラムクロマトグラフィーにより精
製して次の工程に移ることができる。

（ｄ）任意のアシル基に組み換えた水酸基保護ＰＩから
保護基を脱離させる工程 イノシトール部分の水酸基を保護し、かつ任意のアシル
基に組み換えたＰＩから保護基を脱離させ、目的とする
ＰＩを得る。この保護基の脱離は、還元もしくは酸を用
いて、アシル基が脱離しない条件下で行う。還元により
脱離する保護基を使用した場合、反応は水素による接触
還元が一般的であるが、もっと穏やかなギ酸、ギ酸アン
モニウム、シクロへキサジエン等を水素供給源とした還
元反応を用いることもできる。

溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロ
ゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル等のエーテル類：ベンゼン、トルエン等の芳香族炭
化水素類を使用することができ、触媒にはパラジウム、
酸化パラジウム、パラジウム−カーボン等を用いること
ができる。触媒添加量は、イノシトール部分を保護する
保護基１モルにつき１０〜１００　ｇのパラジウム量が
好ましい。

反応は水酸基を保護し、任意の脂肪酸に組み換えたＰＩ
を適当な溶媒に溶解し、触媒を添加後、接触還元の場合
には水素を吹き込み撹拌すればよく、ギ酸、ギ酸アンモ
ニウム、シクロヘキサジエン等の助触媒を用いる場合は
、この助触媒を基質中の保護基１モルについて１〜２０
当量添加し、不活性ガス気流下で撹拌することにより得
ることができる。この反応は温度−２０〜８０℃で行い
、好ましくは０〜４０℃が良い、１０分〜４時間で反応
は終了し、後処理として、固形物をろ過により除き、ろ
液を水でよく洗浄し、乾燥後溶媒を除き、さらに薄層ク
ロマトグラフィーまたはカラムクロマトグラフィーによ
り精製し、目的とする任意のアシル基に組み換えたＰＩ
を得ることができる。

保護基に酸触媒により脱離するものを用いた場合には、
溶媒はクロロホルム、ジクロロメタン、ベンゼン、テト
ラヒドロフラン、ジメチルスルホキサイド等の基質をよ
く溶解または分散するものであればよい、酸触媒には、
塩酸、硫酸、硝酸、ホウ酸等の無機酸、および酢酸、Ｐ
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸、
ならびに■“型イオン交換樹脂を用いることができる。

酸触媒の添加量は、分子内の保護基１モルに対し、上記
の酸０．１〜５当量使用すればよく、好ましくは０．５
〜２当量が良い。５分〜数日間の適当な時間を反応時間
とすることができ、反応温度は−２０〜１００℃の間で
行うことができるが、基質の安定性を考慮すると０〜４
０℃で１５分〜４時間の反応が好ましい。反応検水でよ
く洗浄し、乾燥後溶媒を除き、さらに薄層クロマトグラ
フィーまたはカラムクロマトグラフィーにより精製し、
目的とする任意のアシル基に組み換えたＰＩを得ること
ができる。

このようにして目的物である任意のアシル基に組み換え
た新規なＰＩを得ることができるが、全反応工程を通し
ての収率は５０％以上という良好な結果が得られる。

こうして得られるＰＩは天然のＰＩの構造をそのまま保
持し、アシル基のみが組み換えられた構造であるため、
組み換えられたアシル基に応じた目的に使用される１例
えばアシル基の鎖長、不飽和度、結合位置を明らかにす
る目的の場合には、それらが明らかなＰＩとして薬理効
果の確認等に用いられる。またアシル基に機能性を持た
せる目的の場合、例えばアシル基が生理活性を有する高
度不飽和脂肪酸の場合には、生活活性物質とじて用いら
れ、アシル基が重合性基である場合には、重合用の単量
体として用いられる。さらにこれらのＰＩは目的に応じ
て塩として用いられる。

上記の製造工程によって得られるＰＩは、各工程におけ
る精製の際効率よ＜ＰＩが濃縮されるので、ＰＩの純度
が高くなる０例えば（ａ）工程において保護基が結合し
たＰＩ、（ｂ）工程において脱アシル化したＰＩ、（ｃ
）工程で特定のアシル基を導入したＰＩなどは他のリン
脂質と異なる物性を有するため、精製により効率よく分
離され、高純度に濃縮される。

〔発明の効果〕

本発明によれば、前記（ａ）〜（ｄ）工程によりＰＩを
製造するため、次のような効果が得られる。

（１）天然に存在するＰＩの構造をそのまま保持して、
アシル基のみを組み換えることができる。

（２）全合成をする場合に比べて工程の数が少なく、工
業的製造方法として用いることができる。

（３）製造工程中において精製する際、ＰＩが有効に濃
縮されるため、原料中のＰＩの純度を高める必要がない
。

〔実施例〕

以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明する。

実施例１ （ａ）イノシトール部分の水酸基を保護する工程大豆レ
シチンから濃縮された粗Ｐ工５０１１１ｇをよく乾燥し
たベンゼン５ｔＱとジメチルスルホキサイド５＋＋＋Ｑ
の混合溶媒に溶解後、窒素ガス気流下であらかじめ調製
しておいた水素化ナトリウム−ジメチルスルホキサイド
のカルバニオン溶液（水素化ナトリウム２５０ＩＩＩｇ
をｎ−ヘキサンで２回洗浄後、ジメチルスルホキサイド
１５−Ωを加え窒素気流下６５〜７０℃で１時間撹拌し
て得られた暗緑色の溶液）　１．２５ｍｍを撹拌しなが
ら滴下する。２時間撹拌後、水冷下に塩化ベンジル０．
４ｒｍＱを加えさらに４時間撹拌した０反応終了後ベン
ゼン１０＠Ｑで抽出し、２０ｄの水で３回洗浄後、減圧
濃縮したものを分取用薄層クロマ１〜グラフイー（展開
溶媒　ヘキサン：エーテル＝ｌ：１）にかけ、Ｒｆ値０
．２７〜０．３４のバンドからクロロホルム：メタノー
ル＝１：１で抽出、濃縮した。この操作により、イノシ
トール部分の水酸基を部分的に保護したＰＩ６４．７■
を得た。

Ｉ　Ｒ：　３３６０．３０４０．２９２５．１７４０．
１５００ｃ＋＋＋−’ＮＭＲ（ｃＤＣｌ２．　ｐｐ＋ｉ
）　：　０．８９（ｍ）、　１．２９（ｍ）ｔ　４．６
６（ｍ）、　７．２０（ｓ）（ｂ）水酸基を保護したＰ
Ｉを脱アシル化する工程上記（ａ）の反応物を５ｗ、Ｑ
のクロロホルムに溶解し、１０％水酸化カリウム−メタ
ノール溶液１００■を加え室温で２時間撹拌した０反応
終了後２０ｄの水で３回洗浄後、減圧濃縮し、分取用薄
層クロマトグラフィー（展開溶媒　クロロホルム：メタ
ノール：水＝５５　：　２５　：　４）にかけ、Ｒｆ値
０．６２〜０．７０のバンドからクロロホルム：メタノ
ール＝１：１で抽出機濃縮することにより、イノシトー
ル部分の水酸基を部分的に保護した３−グリセリルホス
ホリルイノシトール３７．２■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４００．３０４０．２９２０．１５００ｃ
ｍ−’ＮＭＲ（ｃＤＣ１，、ＰＰＭ）　：　４．６４（
ｍ）、　７．２０（ｓ）Ｍ　Ｓ　　：　８０７　（ＧＰ
Ｉ＋５Ｂｚｌ＋Ｎａ）”　　　（ＴＥＡ＋ＮａＣ１）７
１７　（ＧＰＩ＋４Ｂｚｌ＋Ｎａ）”ＧＰＩ　：　３−
グリセリルホスホリルイノシトールＴＥＡ＝トリエチル
アミン Ｂｚｌ　：ベンジル基 （ｃ）イノシトール部分の水酸基を保護した３−グリセ
リルホスホリルイノシトールに任意のアシル基を導入す
る工程 上記（ｂ）の反応物を減圧下に五酸化リンを入れたデシ
ケータ中で乾燥後、パルミチン酸無水物２５■、ジメチ
ルアミノピリジン４■およびジクロロメタン５ｇの中で
室温下４８時間反応させた０反応後減圧濃縮し、分取用
薄層クロマトグラフィー（展開溶媒　ヘキサン：エーテ
ル＝ｌ：Ｌ）にかけ、Ｒｆ値０．２７〜０．３３のバン
ドからクロロホルム：メタノール＝１＝１の溶媒で抽出
する。この抽出液を減圧下で濃縮することにより、１，
２−ジパルミトイル−３−ホスファチジルイノシトール
の水酸基保護物５３．６．を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４２０（ｗｅａｋ）、　３０４０．２９３
０．１７３０．１５００　ａｍ−”ＮＭＲ（ｃＤＣ１，
、ｐｐｍ）　：　０．８６（ｔ）、　１．３０（ｍ）、
　４．６４（ｓ）、、７．１９（ｓ）Ｍ　Ｓ　：　１２
５９　（ＤＰＰＩ＋５Ｂｚｌ）”　　（Ｎｅｇａｔｉｖ
ｅ、　ｍａｔｒ９　ＴＥＡ）１１６９　（ＤＰＰＩ＋４
Ｂｚｌ）” ＤＰＰＩ　：　１．２−ジパルミトイル−３−ホスファ
チジルイノシトール （ｄ）保護基を脱離させる工程 上記（ｃ）の反応物に５ｇのベンゼン、１２０■の１０
％パラジウム−チャコールを加え、水素気流下で４０℃
に加熱しながら３０分間撹拌した。反応後パラジウムー
チャコールを濾別し、減圧濃縮した。この濃縮物を分取
用薄層クロマトグラフィー（展開溶媒　クロロホルム：
メタノール：水＝６５：２５：４）にかけ、Ｒｆ値０．
０９〜０．１３のバンドからクロロホルム：メタノール
＝１：１で抽出後、減圧濃縮をかけることにより、１，
２−ジパルミトイル−３−ホスファチジルイノシトール
３０．３■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３３６０．２９５０．１７３０　ｃｘａ−”
ＮＭＲ（ｃＤ、００．　ｐｐｍ）　：　０，８？（ｔ）
、　１．２７（ｓｌ）元素分析　　Ｃ＊１Ｈｔ＊０ｔａ
Ｐ 計算値（％）　　　Ｃ：　６０．０７．　Ｈ：　９．８
２実測値（％）　　　Ｃ：　５９．８９．　Ｈ：　９．
５１Ｍ　Ｓ　：　８３３　（ＤＰＰＩ＋Ｎａ”）　　　
　（ｍａｔｒｉｘ　ＴＥＡ＋ＮａＣ１）８５５　（ＤＰ
ＰＩ＋２Ｎａ”−Ｈ）”実施例２ （ａ）イノシトール部分の水酸基を保護する工程酵母か
ら抽出された粗ＰＩ３００■をクロロホルム３０ｇに溶
解し、３，４−ジヒドロ−α−ピランｏ、ｓ　ｇ、Ｐ−
トルエンスルホン酸６■を加え室温下３時間撹拌後、５
％炭酸水素ナトリウム水溶液５０ｗ、Ｑで２回洗浄した
。無水硫酸ナトリウムで乾燥後濾過し、減圧濃縮した。

この反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（φ
２Ｘ１０３）で、溶媒としてクロロホルム：メタノール
＝９：１を用いて、水酸基を部分的に保護したＰＩ３７
１■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４１０．２９３０．１７４２．１０２８　
ｃｍ−１ＮＭＲ（ｃＤＣ１ａ、　　ｐｐｍ）：　０．９
０（ｉＩ）、　　１．２７（鳳）ｔ　　１．５６（ｍ）
ＴＬＣ：Ｒｆ値０．８４（展開溶媒ＣＨＣｌ、　：Ｍｅ
ＯＨ：Ｈ２Ｏ＝６５：２５：４）（ｂ）脱アシル化工程 上記（ａ）の工程で得られた反応物を３０ｇのクロロホ
ルムに溶解後、０．３３Ｍ水酸化カリウム−メタノール
溶液１０ｍＲを加え室温で１５分間撹拌した。反応終了
後、水９＋ａＲを加え洗浄し、クロロホルム層の減圧濃
縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（φ２Ｘ１
０３）を用い、溶媒にクロロホルム：メタノール：水：
＝６５：２５：４を用い、イノシトール部分の水酸基を
テトラヒドロビラニール基で部分保護した３−グリセリ
ルホスホリルイノシトールを分離し、濃縮して２０４■
の反応物を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４００．２９２０．１０２１ｃｍ−’Ｍ　
Ｓ　：　６０９　（ＧＰＩ＋３ＴＨＰ＋Ｎａ）”、　６
９３　（ＧＰＩ＋４ＴＨＰ＋Ｎａ）”７７７　［ＧＰＩ
＋５ＴＨＰ＋Ｎａ］”　　（ｍａｔｒｉｘ：　ＴＥＡ＋
ＮａＣ１）ＴＬＣ：Ｒｆ値　０．１７（展開溶媒ＣＨＣ
ｌ３：ＭｅＯ）ｌ：）１．０　＝６５：２５：４）ＴＨ
Ｐ　：テトラヒドロピラニール基 （ｃ）任意のアシル基を導入する工程 上記（ｂ）の工程で得られた反応物９０■をクロロホル
ム１５．に溶解し、ピリジン４０蝿、０．０７３８塩化
バルミトイル−クロロホルム溶液３．０ｔＱを加え４時
間撹拌後、水洗し、減圧濃縮をした。この濃縮物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（φ２ＸＩＯＣＩＩ）
で溶媒にクロロホルム：メタノール＝９：１を用いてイ
ノシトール部分をテトラヒドロビラニール基で部分保護
したｌ、　２−ジパルミトイル−３−ホスファチジルイ
ノシトール１２４■をｍｔ＝。

Ｉ　Ｒ：　３４１０．２９２０．１７１５．１４６０ｃ
ｍ−”ＮＭＲ（ｃＤ、００．　ｐｐｍ）　：　０．８７
（ｔ）、　１．２６（ｍ）、　１．５５（ｍ）Ｍ　Ｓ　
：　１０６１　（ＤＰＰＩ＋３ＴＨＰ）”、　１１４５
　（ＤＰＰＩ＋４７ＨＰ）”１２２９　（ＤＰＰ！＋５
７ＨＰ）”　　（Ｎｅｇａｔｉｖｅ、　ｉ＊ａｔｒｉｘ
：　ＴＥＡ）ＴＬＣ：Ｒｆ値０．６７（展開溶媒ＣＨＣ
ｌ、：ＭｅＯＨ：Ｈ，０＝６５：２５：４）（ｄ）保護
基を”脱離させる工程 上記（ｃ）の工程で得られた反応物をクロロホルム：メ
タノール＝２：１１０■Ｑに溶解し、水冷下で０．５Ｎ
塩酸２００μＱを滴下し、４時間撹拌した０反応終了後
３０ｍｍの水で２回洗浄し、減圧濃縮した。

シリカゲルカラムクロマトグラフィー（φ２Ｘ１５ａ１
）で溶媒にクロロホルム：メタノール＝７５：２５を用
いて精製することにより、１，２−ジパルミトイル−３
−ホスファチジルイノシトール８１■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３３９０．２９４０．１？４０．１４６０　
ａｍ−８ＭＲ（ｃＤＣｌ２．　ＰＰＩＩ）　：　ｏ、ａ
７（ｔ）、　１．２５（＋ｍ）Ｍ　Ｓ　：　８３３　（
ＤＰＰＩ＋Ｎａ）”８５５　［ＤＰＰＩ＋２Ｎａ−Ｈ）
”　　（ｍａｔｒｉｘ：　ＴＥＡ＋ＮａＣ１）元素分析
　　ｃ４Ｊｔｓｏｘ３ｐ 計算値（％）　　　Ｃ：　６０．０７．　Ｈ：　９．８
２実測値（％）　　　Ｃ：　５９．６６、　Ｈ：　９．
７９実施例３ 実施例２の（ｂ）の工程で得られたイノシトール部分の
水酸基を部分的に保護した３−グリセリルホスホリルイ
ノシトール９０■をジクロロメタン１５ｇに溶解し、リ
ノール酸無水物１０４■、ジメチルアミノピリジン１８
■を加え１０℃で９６時間反応させた。

反応終了後、反応液をイオン交換樹脂アンバーライト２
００Ｃ（ロームアンドハース社１１）のカラムに通し、
ジメチルアミノピリジンを除去した。流出液を減圧濃縮
し、シリカゲルカラムで溶媒にクロロホルム：メタノー
ル＝９：１を用いてイノシトール部分を保護した１、２
−シリルイル−３−ホスファチジルイノシトール１３１
■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４１０．２９２０．１７３０．１４５５　
ｃｘ−”ＮＭＲ（ｃＤＣ１，、ｐｐｍ）　：　０．８７
（ｔ）、　１．２５（＋ｍ）、　１．５５（＋ｍ）Ｍ　
Ｓ　：　１１０９　（ＤＬＰＩ＋３Ｔ）ＩＰ）ゝ、　１
１９３　（ＤＬＰＩ＋４ＴＩＩＰ）１２７７　（ＤＬＰ
Ｉ＋５７ＨＰ）”　（Ｎｅｇａｔｉｖｅ、　ｍａｔｒｉ
ｘ　：　ＴＥＡ）このアシル化反応物を実施例２の（ｄ
）の工程と同様に反応し、精製することにより、１．２
−シリルイル−３−ホスファチジルイノシトール８２．
２■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３３９０．２９５０．１７３０．１４６０　
ｃｍ’″１ＮＭＲ（ｃＤＣ１３，ＰＰ■）　：　０．８
７（ｔ）、　１．２６６）Ｍ　Ｓ　：　８８１　（ＤＬ
ＰＩ＋Ｎａ）”９０３　（ＤＬＰＩ＋２Ｎａ−８）” 元素分析　　Ｃ□Ｈ７９０１３Ｐ 計算値（％）　　　Ｃ：　６２．９２．　Ｈ：　９．２
７実測値（％）　　　Ｃ：　６２．６７、　Ｈ：　９．
０９ＤＬＰＩ　：　１．２−シリルイル−３−ホスファ
チジルイノシトール 実施例４ （ａ）イノシトール部分の水酸基を保護する工程牛脳か
ら抽出された粗ＰＩ３００■をクロロホルム３０ｇに溶
解し、エチルビニルエーテル２．０ｍｆｆ１、ｐ−トル
エンスルホン酸６■を加え室温下２時間撹拌後、５％炭
酸水素ナトリウム水溶液５０ｍΩで２回洗浄した。無水
硫酸ナトリウムで乾燥後ろ過し、減圧下でａ縮した。こ
の反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（φ２
Ｘ１０Ｃ１＋）で、溶媒としてクロロホルム：メタノー
ル＝９：１を用いて、水酸基を部分的に保護したＰＩ３
９７■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４００．２９３０．１７４０．１０２５　
ｄｌｌ−”ＮＭＲ（ｃＤＣ１，、ｐｐｍ）　：　０．９
０（園）、　１．２５（珈）ＴＬＣ：Ｒｆ値０．８１（
展開溶媒ＣＩ（ｃＬ　：ＭｅＯＨ：Ｈ，Ｏ＝６５：２５
：４）（ｂ）脱アシル化工程 上記（ａ）の工程で得られた反応物を３０ｇのクロロホ
ルムに溶解後、０．３３Ｍ水酸化カリウム−メタノール
溶液１５ｍＱを加え室温で１５分間撹拌した。反応終了
後水１５ｍＱを加え洗浄し、クロロホルム層の減圧濃縮
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（φ２Ｘ１０
Ｑｍ）により、溶媒にクロロホルム：メタノール：水＝
６５＝２５：４を用いて、イノシトール骨格の水酸基を
ｌ−二トキシエチル基で部分的に保護した３−グリセリ
ルホスホリルイノシトールを分離し、濃縮して２５４．
の反応物を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４０５．２９２０．１０２０　ｃ＋ｉ−’
Ｍ　Ｓ　：　５７３　（ＧＰＩ＋３ＥＥ＋Ｎａ）”、　
６４５　（ＧＰＩ＋４ＥＥ＋Ｎａｌ”７１４　（ＧＰＩ
＋５ＥＥ＋Ｎａ）”　　（ｍａｔｒｉｘ　ＴＨＡ＋Ｎａ
Ｃ１）ＴＬＣ：Ｒｆ値０．１７（展開溶媒ＣＨＣｌ、：
ＭｅＯＨ：）１．０＝６５：２５：４）ＨＥ　：１−エ
トキシエチル基 （ｃ）任意のアシル基を導入する工程 上記（ｂ）の工程で得られた反応物をジクロロメタン２
０ｇに溶解し、ドコサヘキサエン酸無水物３１０■、ジ
メチルアミノピリジン３２■を加え１０℃で４８時間反
応させた。反応終了後、反応液をイオン交換樹脂アンバ
ーライト２００Ｃ（ロームアンドハース社製）のカラム
に通し、ジメチルアミノピリジンを除去した。流出液を
減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（φ
２Ｘ１５Ｑｍ）で溶媒にクロロホルム：メタノール＝９
＝１を用いてイノシトール骨格を部分的に保護した１、
２−シトコサヘキサノイル−３−ホスファチジルイノシ
トール２９７■を得た。

Ｉ　Ｒ：　３４１０．２９３０．１７３０．１４５０　
ａｌｓ−”ＮＭＲ（ｃＤＣ１３−ＰＰＩＩ）：　０．８
６（ｔ）、　１．２５（醜）Ｍ　Ｓ　：　１２０２　（
ＤＤＰＩ＋３ＥＥ）”、　１２３７　（ＤＤＰＩ＋４Ｅ
Ｅ）”１３４６　［ＤＤＰＩ＋５ＥＥ］”　　（Ｎｅｇ
ａｔｉｖｅ、　ｍａｔｒｉｘ：　ＴＥＡ）ＤＤＰＩ　：
　１．２−シトコサヘキサノイル−３−ホスファチジル
イノシトール （ｄ）保護基を脱離させる工程 上記（ｅ）の工程で得られた反応物をクロロホルム２０
ｇに溶解し、水冷下でｐ−トルエンスルホン酸８■を加
え５時間撹拌した０反応終了後３０ｍＱの水で２回洗浄
し、減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（φ２Ｘ１５０１１）で、溶媒にクロロホルム：メタ
ノール＝７５：２５を用いて精製することにより、１，
２−シトコサヘキサノイル−３−ホスファチジルイノシ
トール１６６■を得た。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）天然原料の１，２−ジアシル−３−ホスフ
   ァチジルイノシトール分子内のイノシトール部分の水酸
   基を保護基で保護する工程、 （ｂ）上記（ａ）工程で水酸基を保護した１，２−ジア
   シル−３−ホスファチジルイノシトールを脱アシル化す
   る工程、 （ｃ）上記（ｂ）工程で脱アシル化した水酸基保護３−
   グリセリルホスホリルイノシトールに任意のアシル基を
   導入する工程、および （ｄ）上記（ｃ）工程で得られた任意のアシル基を導入
   した水酸基保護１，２−ジアシル−３−ホスファチジル
   イノシトールから保護基を脱離させる工程 を含むホスファチジルイノシトール類の製造方法。
2. （２）イノシトール部分の水酸基の保護に用いる保護基
   が耐アルカリ性で、還元または酸触媒により脱離工程が
   行われるものである特許請求の範囲第１項記載のホスフ
   ァチジルイノシトール類の製造方法。
3. （３）導入するアシル基が炭素数１〜３０の直鎖状、分
   枝状もしくは環状の飽和または不飽和カルボン酸である
   特許請求の範囲第１項または第２項記載のホスファチジ
   ルイノシトール類の製造方法。