JPS63316403A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
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- JPS63316403A JPS63316403A JP15190987A JP15190987A JPS63316403A JP S63316403 A JPS63316403 A JP S63316403A JP 15190987 A JP15190987 A JP 15190987A JP 15190987 A JP15190987 A JP 15190987A JP S63316403 A JPS63316403 A JP S63316403A
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Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は自動車等に用いられる軽油、ガソリン燃料のレ
ベルゲージセンサに用いられるサーミスタの製造方法に
関するものである。
ベルゲージセンサに用いられるサーミスタの製造方法に
関するものである。
従来の技術
自動車燃料としては主にガソリンが用いられているが、
ディーゼル車等には軽油が用いられている。自動車燃料
の残存量を警告するシステムで、燃料液面センサとして
、小型形状で液体中と空気中とでの熱放散の差が大きい
サーミスタ式のレベルゲージセンサが主に用いられてい
る。
ディーゼル車等には軽油が用いられている。自動車燃料
の残存量を警告するシステムで、燃料液面センサとして
、小型形状で液体中と空気中とでの熱放散の差が大きい
サーミスタ式のレベルゲージセンサが主に用いられてい
る。
このサーミスタの構造は、電極をつけたロッド型サーミ
スタ素子の両端に、あらかじめリード線を溶接したキャ
ップを、電極の面に圧入した形罠なっている。そして用
いられる一方のキャップの材質は黄銅でありリード線は
ニッケルである。又他方のキャップとリード線の材質は
モネルである。
スタ素子の両端に、あらかじめリード線を溶接したキャ
ップを、電極の面に圧入した形罠なっている。そして用
いられる一方のキャップの材質は黄銅でありリード線は
ニッケルである。又他方のキャップとリード線の材質は
モネルである。
このサーミスタ素子は遷移金属酸化物であるマンガン、
コバルト、銅から成り、一定の組成比を決めて配合し、
窯業的手段、すなわち混合仮焼。
コバルト、銅から成り、一定の組成比を決めて配合し、
窯業的手段、すなわち混合仮焼。
粉砕、造粒、成形、焼成、電極の工程を経てつくられる
。
。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、センサとしての高信頼性化
に対して、経時変化が大きくて十分対応しきれない問題
があった。
に対して、経時変化が大きくて十分対応しきれない問題
があった。
本発明はこの経時変化を小さく抑え、センサの高信頼性
化を実現することを目的とするものである。
化を実現することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、レベルゲージセ
ンサに用いられるサーミスタの製造に際して、ホウケイ
酸ビスマスガラス粉末をサーミスタ素子全体に塗布し、
熱処理温度８００℃〜９００℃でガラスをサーミスタ素
子内部に拡散させるようにしたものである。
ンサに用いられるサーミスタの製造に際して、ホウケイ
酸ビスマスガラス粉末をサーミスタ素子全体に塗布し、
熱処理温度８００℃〜９００℃でガラスをサーミスタ素
子内部に拡散させるようにしたものである。
作用
以上の方法により本発明は、サーミスタ素子全体にホウ
ケイ酸ビスマスガラスを熱処理で素子内部に拡散させて
、レベルゲージセンサとしての経時変化による抵抗値変
化率を抑え高信頼性を実現させるものである。
ケイ酸ビスマスガラスを熱処理で素子内部に拡散させて
、レベルゲージセンサとしての経時変化による抵抗値変
化率を抑え高信頼性を実現させるものである。
実施例
以下本発明の一実施例を添付の図面第１図を用いて以下
に説明する。
に説明する。
サーミスタ材料としては、マンガン、コバルト。
銅の遷移金属酸化物を規定量秤量し、混合、仮焼粉砕、
造粒、成形、焼成という窯業的手段でロッド型サーミス
タ素子３の焼結体を得る。このサーミスタ素子３の焼結
体を外周研磨して４１．４５ｍｍの寸法に仕上げる。そ
の後にＢ、、０．６−５ ％ ＊Ｂｉ２０３６０．５％
１．その他ＳｉＯ□、ＣＯ２Ｏ３゜Ｌｉ２Ｏからなるホ
ウケイ酸ビスマスガラス粉末をセラミック素子３の全体
に塗布する。この時のガラスの塗布量は素子１個当り０
．５〜１．０■とする。この後熱処理温度ｓｏｏ’Ｃ〜
９ｏｏ℃の範囲でセラミック素子３の内部に拡散させる
。
造粒、成形、焼成という窯業的手段でロッド型サーミス
タ素子３の焼結体を得る。このサーミスタ素子３の焼結
体を外周研磨して４１．４５ｍｍの寸法に仕上げる。そ
の後にＢ、、０．６−５ ％ ＊Ｂｉ２０３６０．５％
１．その他ＳｉＯ□、ＣＯ２Ｏ３゜Ｌｉ２Ｏからなるホ
ウケイ酸ビスマスガラス粉末をセラミック素子３の全体
に塗布する。この時のガラスの塗布量は素子１個当り０
．５〜１．０■とする。この後熱処理温度ｓｏｏ’Ｃ〜
９ｏｏ℃の範囲でセラミック素子３の内部に拡散させる
。
その後、銀電極２を全体に焼きつけ、規定の抵抗値にな
るように溝をきり黄銅よシなるキャップ１、モネルよシ
なるキャップ４を素子両端に圧入してサーミスタを得る
。なお、キャップ１にはニッケルからなるリード線５、
キャップ４にはモネルよシなるリード線６が接続されて
いる。
るように溝をきり黄銅よシなるキャップ１、モネルよシ
なるキャップ４を素子両端に圧入してサーミスタを得る
。なお、キャップ１にはニッケルからなるリード線５、
キャップ４にはモネルよシなるリード線６が接続されて
いる。
このサーミスタを用いて、軽油レベルゲージセンサに組
み込み、耐久評価試験を行う。耐久評価後の抵抗値変化
率は第２図の連続通電テスト（常温中、最大電圧ＤＣ１
５Ｖ印加）結果に示すように、本発明品■は従来品■に
くらべ安定している。
み込み、耐久評価試験を行う。耐久評価後の抵抗値変化
率は第２図の連続通電テスト（常温中、最大電圧ＤＣ１
５Ｖ印加）結果に示すように、本発明品■は従来品■に
くらべ安定している。
又第３図の動作耐久テスト（空気中１分、軽油中１分、
電圧り、Ｃｌ２Ｖ印加）結果に示すように本発明品■は
従来品■にくらべ著しく安定している。
電圧り、Ｃｌ２Ｖ印加）結果に示すように本発明品■は
従来品■にくらべ著しく安定している。
このようにガラス拡散を行うことで特性が安定しており
、液面の検出特性に変化がなく著しく信頼性は向上した
。
、液面の検出特性に変化がなく著しく信頼性は向上した
。
ところでガラス処理温度を９００’Ｃ以上にするとサー
ミスタの抵抗値は高くなりすぎ、軽油レベルゲージセン
サとして使用する値から大幅にずれて、製品特性を満足
しない。一方８００’Ｃ以下では耐久性が向上せず有効
でなかった。ガラス量０．５■以下では耐久性向上はみ
られない。一方１■以上になると抵抗値が高すぎて、製
品特性を満足させない。
ミスタの抵抗値は高くなりすぎ、軽油レベルゲージセン
サとして使用する値から大幅にずれて、製品特性を満足
しない。一方８００’Ｃ以下では耐久性が向上せず有効
でなかった。ガラス量０．５■以下では耐久性向上はみ
られない。一方１■以上になると抵抗値が高すぎて、製
品特性を満足させない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、レベルゲージセンサに用
いられるサーミスタの製造においてホウケイ酸ビスマス
ガラス粉末をサーミスタ素子に熱処理拡散することによ
り、経時変化による抵抗値変化率を小さくし、センサと
しての信頼性を著しく向上させることができる。
いられるサーミスタの製造においてホウケイ酸ビスマス
ガラス粉末をサーミスタ素子に熱処理拡散することによ
り、経時変化による抵抗値変化率を小さくし、センサと
しての信頼性を著しく向上させることができる。
第１図は本発明のサーミスタの製造方法によシ得られる
サーミスタの構造を示す断面図、第２図は軽油レベルゲ
ージセンサの連続通電テストによる本発明品と従来品と
の抵抗値変化率の比較図、第３図は軽油レベルゲージセ
ンサの動作耐久テストによる本発明品と従来品との抵抗
値変化率の比較図である。 １・・・・・・キャップ（黄銅）、２・・・・・・電極
、３・・・・・・サーミスタ素子、４・・・・・・キャ
ップ（モネル）、５・・・・・・リード線にニッケル）
、６・・・・・・リード線（モネル）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１．
４−キャップ ２＝ｔ ＆ ３−ブーミスタ素子 ５．６−リード趨 第 １ 図 第 ２ 図 第３図
サーミスタの構造を示す断面図、第２図は軽油レベルゲ
ージセンサの連続通電テストによる本発明品と従来品と
の抵抗値変化率の比較図、第３図は軽油レベルゲージセ
ンサの動作耐久テストによる本発明品と従来品との抵抗
値変化率の比較図である。 １・・・・・・キャップ（黄銅）、２・・・・・・電極
、３・・・・・・サーミスタ素子、４・・・・・・キャ
ップ（モネル）、５・・・・・・リード線にニッケル）
、６・・・・・・リード線（モネル）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１．
４−キャップ ２＝ｔ ＆ ３−ブーミスタ素子 ５．６−リード趨 第 １ 図 第 ２ 図 第３図
Claims (2)
- （１）ホウケイ酸ビスマスガラス粉末をサーミスタ素子
全体に塗布し熱処理によりガラスを素子内部に拡散させ
ることを特徴とするサーミスタの製造方法。 - （２）熱処理温度が８００℃〜９００℃であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載のサーミスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15190987A JPS63316403A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15190987A JPS63316403A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316403A true JPS63316403A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15190987A Pending JPS63316403A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63316403A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181105A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | 松下電器産業株式会社 | サ−ミスタ素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15190987A patent/JPS63316403A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181105A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | 松下電器産業株式会社 | サ−ミスタ素子の製造方法 |
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