JPS63304450A

JPS63304450A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS63304450A
Application number: JP13984387A
Authority: JP
Inventors: Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原; Sumio Ashida; 純生芦田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-06-05
Filing date: 1987-06-05
Publication date: 1988-12-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、レーザビームを照射して情報の記録、再生、
消去を行なう光磁気記録媒体に関する。

（従量の技術）膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−
遷移金属非晶質合金薄膜（以下Ｒ［−ＴＭ膜と略記する
）は、半導体レーザビームの照射と外部からの微小磁場
（〜１ｘｏｏＯｅ）の印加とによって磁化の向きを可逆
的に変化させる４ｔができ、又、直線偏光のレーザビー
ムによって、この磁化の向きを極力−効果を利用して書
生する事ができるので、書き換え可能型光ディスクの記
録層材料としてその実用化が期待されている。

几Ｅ　−Ｔ　薄膜は極めて酸化され易い材料であるので
、その実用化の為には膜を如何に外気中の酸素や湿度か
ら遮断し酸化を防止するかが重要な技清となっており、
従来より種々の保護対策が検討されている。最も実用に
近いと考えられる保護対策としてＲＥ−ＴＭ膜に透明金
属化合物薄膜（酸化硅素、窒化硅素、窒化アルミニウム
、窒化硼素、酸化チタン、弗化アルミニウム、硫化亜鉛
等）をスパッタ法もしくは蒸着法を用いて積層する手法
があげられ、保護膜としての機能の他に、カーエンハン
スメント機能を付与する立場からも数多くの透明金属化
合物膜材料が検討されている。しかしながら、スパッタ
法、蒸着法といった光ディスクに適した成膜方法を用い
て形成した金属化合物膜中へは、結合に供さない浮遊状
態の酸素が混入しやすい事が知られており（ＩＥＥＥ　
Ｔｒａｎｓ　。

ｂｉａｇｎ、ＭＡＧ−２２，Ｐ、１３３１．１９８６）
この浮遊酸素に起因して、ＲＥ−ＴＭ膜と金属化合物膜
界面に、ＲＥ酸化物を形成し磁気特性に経時変化を発生
する事が報告されている（ＡｐｐｌＯｐｔ２３、Ｐ、３
９７２．１９８４）。

（発明の解決しようとする問題点）本発明は上記した従事技術の有する問題点を克服する目
的で実施されるものであり、スパッタ法、蒸着法で形成
した透明金属化合物薄膜中にとり込まれた浮遊酸素を結
合状態に変化する事によって、ＲＥ−ＴＭ膜と金属化合
物薄膜の界面で、ＲＥ−ＴＭ膜の酸化が進展するのを防
止する事をその主旨とするものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決する為の手段）本発明は、透明金属化合物薄膜中に混入した浮遊酸素を
結合状態の酸素へ転換する（浮遊酸素のトラップ）物質
を記録層の少なくとも、−面に設けたもので、その−例
としては透明金属化合物膜中へ、希土類元素と窒素とを
混入した保護膜を用いる事を手段としており、保護膜の
形成には、例えば、金属化合物ターゲット（Ｓｉｎ、Ｓ
ｉｎ、。

Ｓｉ３Ｎ、　　、　　Ａ　Ｉ　Ｎ、　　Ｚｎｓ、　　Ｃ
ａＦ、　　、　　Ｔｉｅ、　　。

ｅｔｃ）　　と舌上Ｗｉ　ター’ｆ　ｙ　）　（Ｌ　ａ
　、　Ｃｅ　、　Ｐ　ｒ　。

Ｎｄ、　Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ　　ｅ　ｔ　ｃ
、）を、アルゴンと窒素との混合ガス中で反応性スパッ
タリングを行なう等の手法を具体的には用いる事ができ
る。また、他の手段として、浮遊酸素を含有する透明金
属化合物薄膜からなるカーエンハンスメント層と、ＲＥ
−ＴＭ膜からなる記録層との間に、′ｆＬＥとＮとから
なりＴＭを含有しない非磁性の酸素遮断層を設けるもの
である。この酸素遮断層は、ＢＥ−ＴＭ膜の片面もしく
は両面いづれにも形成し得るが、酸素遮断層自体は酸素
や水分との反応性が強いので直接外気に接する構造では
なく、いづれの場合にもＢＥ−ＴＭ膜と透明金）４化合
物膜の間に設けられている膜構造とするのが好ましい。

又、酸素遮断層の光透過率は低いので特に再生用光ビー
ムの光路上に、酸素遮断層が設けられる場合には、再生
性能指数の立場からはなるべく薄い方がよい。最適な膜
厚は、透明金属化合物膜中の浮遊酸素を充分にトラップ
でき、かつ再生性能指数をなるべく大きくする様に設定
されるべきであって、これは透明金属化合物膜中の浮遊
酸素濃度に依存するものであるが、２０八〜２００Ａと
するのが好ましい。

（作用）上記した本発明の手段を用いる事によって、透明金属化
合物膜へ混入する酸素を、化学的に強い還元作用を有す
る希土類窒化物粒子等によって強制的に化学的な安定な
酸素（例へばＳｉの熱酸化法によって生成されたＳｉｎ
、中の酸素の様な安定な総）状態）に転換する事ができ
るので、本発明の膜体層を保護膜として用いれば、保護
膜とＲＥ−ＴＭ膜の間でのＲＥ−ＴＭ膜の酸化の発生、
進展を防止する事ができ、長期に亘って安定した特性の
光磁気記録媒体を提供できる。

（実施例）以下、図面を参照にして本発明の光磁気記録媒体を詳細
に説明する。

第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例の断面構成
概略図である。第１図において、１はガラス基板、２は
ＮｄとＮとＯと８ｉ−Ｎとを含有する保護層、３はＴｂ
Ｃｏ記録層である。第２回は第１回の光磁気記録媒体を
形成するのに使用したスパッタリング装置の一実施例の
概略構成図である。第２図において、ｌは、第１図のガ
ラス基板、４は基板ホルダー、５１〜５４はマグネトロ
ンスパッタリング源、６１〜６４は各スパッタ源上部に
設置されたシャッター、７はガス供給系、８は排気系、
９は成膜容器である。この時、４つのスパッタリング源
には、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｎ４゜Ｃｏのターゲットを各
々５１，５２，５３．５４に設置した。上記構成のスパ
ッタ装置によって、本発明の光磁気記録媒体を以下の手
順で形成した。

先ず排気系８によって、成膜容器９内部を５ＸＩＴｆＩ
Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス供給系７より、Ｎ！ガス
を５ｓｃｃｔｎとＡｒガスを４５　ｓｅｃｍ同時に導入
して、容器内のガス圧力を５Ｘ１１Ｔ”Ｔｏｒｒに維持
し、次にＮｄとＳｉ、Ｎ、ターゲットを設置したスパッ
タ源５１．５３にシャッター６１．６３を閉じた状態で
、外部より１３，５６ＭＨｚのＲＦ１１！力を各々３０
０Ｗ及び１００ＯＷ導入し、１０分間のコンディジ冒二
ングを行なった後、シャッター６１゜６３を開けて、基
板ホルダー４を回転しながら、Ｎｄと８ｉ、Ｎ４ターゲ
ツトの２元同時スパッタリングを行なってガラス基板１
の上に、ＮｄとＮと０と８ｉ−Ｎとを含有する保護層２
を１０００人形成した。次に、スパッタガスを１００％
Ａｒ（５Ｎグレード）に切換えてＴｂ、Ｃｏターゲット
を収納するスパッタ源５２．５４に各々０．５　Ａ、１
．６人の直流を通電し、（補償組成よりもＴｂ−ｒｉｃ
ｈ側の組成のＴｂＣｏ膜となる条件）シャッター６２゜
６４を閉じた状態で１０分間コンディシッニングを行な
った後１シヤツター６２．６４を開けて、保ｔ！Ｉ層２
の上に約１００ＯＡのＴｂＣｏ記録層３を形成し、続い
て、前述したと同じ方法で、ＴｂＣ０記録Ｍ３の上に保
護層２を１００ＯＡ形成した。

この様にして得られた本発明の光磁気記録媒体のサンプ
ルを（ａ）とし、次に（ａ）と磁気特性及び媒体寿命を
比較する為に、第１図のＮｄとＮとＯと５ｉ−Ｎとを含
有する保護層に代えて、５ｉ−Ｎと０とのみを含有する
保護層を有するサンプルを作成した（サンプル（ｂ）と
する）。サンプルア）は従来技術に基づいて、保護膜の
形成を１０％Ｎ、−Ａｒ混合ガスでＳｉ、Ｎ、ターゲッ
トのみをスパッタして行ない、ＴｂＣ０膜は（ａ）と同
一条件で形成した。

上記した本発明の光磁気記録媒体のサンプル（ａ）と従
来技術のサンプル（ｂ）の形成直後の極力−ヒステリシ
スループを第３図に示す。本発明のサンプル（ａ）は磁
化反転部のシャープな角形ヒステリシスとなっているの
に対して、従来技術のサンプル（ｂ）は、磁化反転部が
斜めになっており保磁力も（ａ）に比べて太き（（Ｔｂ
が一部欠乏し補償組成に近い特性となっている）なって
いる事が判る。又、垂直磁気異方性定数Ｋｕも、（ａ）
のサンプルが２　Ｘ　１０’（ｅｒｇ／ＣＣ）であった
のに対し、（ｂ）のサンプルは０．２Ｘ１０’（ｅｒｇ
／ｃｃ）と小さな値になっており、ＴｂＣｏ膜の一部が
磁気的に変質（非磁性もしくは面内磁性）している事が
判った。（ａ）、（ｂ）のサンプルを膜厚方向にエツチ
ングしながら、オージェ分析した所、（ａ）のサンプル
では保護膜２と記録膜３の界面はシャープであったが、
（ｂ）のサンプルは界面時ｃ；！　ｂＣ。

の下地５ｉ−０−Ｎ膜との界面にＴｂ、０．が形成して
いる事が判明した。次にこれら（ａ）　（ｂ）のサンプ
ルを６５°Ｃ−９０％几、Ｈの加速劣化環境下に放置し
てその保磁力変化を調べた所、第４図に示す様に、本発
明のサンプル（ａ）では全く保磁力変化かみられないの
に対し、従来技術のサンプル（ｂ）では、最初Ｈｃの増
大次にループセンスをＣｏ−ｒｉｃｈ側に反転させての
Ｈｃの減少という変化がみられ、５ｉ−０−Ｎ保護膜と
ＴｂＣ０膜界面でのＴｂ！０．の生成が経時的に進行し
てしまう事が判った。

上記した結果は、浮遊酸素をとり込んだＳｉ　−Ｎ膜の
形成時に本発明の主旨に基づいて、化学的に強い還元性
を有するＮｄ−Ｎを意図的に混入させる事によって、浮
遊酸素を効率的にトラップし化学的に安定な保護膜に変
化させる（例へば、Ｓ　ｉ、００．６Ｎ３＋　Ｎｄ０．
４Ｎ０．４−８　ｉ、Ｎ３．４＋−５Ｎｄ、　０．で示
される還元反応）に因るものと考えられる。安定化の効
果は、Ｎｄ−Ｈの代わりにＮｄ単体を用いても得る事が
できるが、Ｎｄ単体の還元性はＮｄ−Ｎ程強くないので
、実用的な効果（例へば６５°Ｃ−９０％Ｒ，Ｈ中で１
０００Ｈｒｓ時間以上保磁力変化が起こらない程度）を
得る為には窒化物として混入させるのが必要となる。混
入量は、透明金風化金物中の浮遊酸素濃度を充分に還元
し、余剰の希土類窒化物を残存しない程度に、金属化合
物との組み合わせによって最適化（保護膜形成時の精工
類ターゲットと金属化合物ターゲットとへのスパッタ入
力比やスパッタガス中のＮ、混合比を変化する等）する
事が必要であるが、金属化合物原料とシテＳｉ、Ｎ、ノ
他にｓ　ｉｏ、Ｓ　ｉＯ，、ＡｌＮ、Ｚｎ８゜ＴｉＯ２
，ＣａＦ、等、添加精工類窒化物として、Ｎｄ−Ｈの他
に、Ｇｄ−Ｎ、Ｔｂ−Ｎ、Ｄｙ−Ｎ等を用いた各れの組
み合わせの場合にも同様の効果が得られ、特に金属化合
物中の金属が８１．ｋｌ等、その窒化物が透明となる元
素の場合には、還元反応後に光透過率の高い保護膜が得
られるのでカーエンハンスメント効果等寿命以外の点か
ら有利となる。

第５図は、本発明の光磁気記録媒体の他の実施例の構成
図である。第５図において、１はガラス基板、２０１は
５ｉＯＮ力−エン１１ンス層、２０２はＴｂ−Ｎ酸素遮
断層、２０３はＴｂＣｏ記録層、２０４はＡ１反射層で
ある。この光磁気記録媒体の形成には前述の実施例で使
用したスパッタリング装！！！（第２図を参照して説明
する。）を用いて、以下の手順で形成した。尚、この時
のスパッタリング源としては、Ｓ　ｉ、’ｒｂ、Ｃｏ、
　Ａｌターゲットを用いる。先ず成膜容器９内部を排気
系８によって５Ｘ１１Ｔ’Ｔｏｒｒに真空排気し、次に
ガス供給系７を介して、２０％Ｎ、−Ａｒ混合ガスを流
入し、容器内ガス圧力を５ｍＴｏｒｒに維持した後、Ｓ
ｉターゲットを収納するスパッタ源５１にシャッター６
１を閉じた状態で５００ＷのＲＦｇ力を投入し放電を励
起した。１０分間のコンディジ璽ニングの後、基板ホル
ダー４を回転してシャッター６１を開きガラス基板１の
上に１００ＯＡ厚の５ｉＯＮ膜２０１を形成した。別途
性なった実験の結果、この８ｉＯＮ膜は約２Ｑａｔ％の
換算８ｉ０．相当の酸素を含有している事が判っている
。この８ｔＯＮ膜２０１の上に、同じスノクツタガス雰
囲気を用いて、Ｔｂターゲ−、）を収納するスパッタ＃
５２に３００ＷのＲ，Ｆ１ａ力を投入し、５０人４のＴ
ｂＮ膜２０２を形成し、次にガスを純Ａｒに切り換えて
、Ｔｂターゲット、ＣＯターゲットを収納するスパッタ
［５２，５３を用いて、Ｔｂ　　Ｎ膜２０２の上に２５
０Ａ厚のＴｂＣｏ膜（膜組成は補償組成よりもＴｂ−ｒ
ｉｃｈ側に設定した）を形成し、つづいて１００Ａ厚の
Ｔｂ−Ｎ膜２０２．１０００Ａｃ７）　８　ｉ　＜）　
ＮＵ　２０１　ｔｔｆｍ記Ｌりと同一の手法で成膜し、
最後に純Ａｒガスを用いてＡｌターゲットを収納するス
パッタ源５４に、３００〜■のＲＦ′１力を投入して５
００ｘ厚のＡｌ膜を５ｉＯＮ膜２０１の上に形成した。

この様にして得られた本発明の光磁気記録媒体を以下サ
ンプル（Ｃ）としてその評価結果を示す。

次に、サンプル（Ｃ）と比較計［相］を行なう目的で、
第５図に示す構造のＴｂ−Ｎ酸素遮断層２０２のないサ
ンプルを第２図に示したスパッタ装置と同様のものを用
いて作成し、これをサンプル（ａ）とした。以下、本発
明の光磁気記録媒体（Ｃ）と比較例の光磁気記録媒体（
ａ）の評価結果について述べる。第６図は、サンプル（
Ｃ）及び（ｄ）の成膜後のカーヒステリシスループであ
る。光ビームを基板面側から照射しているので、基板の
ヴエルデ回転の効果によって（Ｃ）、　（ｄ）共１ルー
プが斜めに傾いているが、（Ｃ）と（ｄ）とを比較する
と、本発明のサンプル（Ｃ）では磁化反転部が急峻であ
ろのに対し、比較例のサンプル（ｄ）では、磁化反転部
が斜めになっており、又、保磁力も大きくなっている。

これは比較例のサン”ｆ　ル（ｄ）　Ｆ　ハ、５ｉＯＮ
膜２０２とＴｂＣｏ膜２０３とが直接接している為に膜
界面においてＴｂＣ。

膜の一部が選択酸化され、ＴｂＣｏ膜の膜厚方向に磁気
特性的変動を発生すると同時に、全体として磁気的にＴ
ｂが欠乏した為と考える事ができる。

次に、このサンプル（Ｃ）、（ｄ）を、６５ＱＣ−９０
％Ｐ、Ｈの恒温恒湿雰囲気中に放置して保磁力の変化を
調べた所、第７図に示す様に本発明の′ｊｔ、磁気記録
媒体サンプル（Ｃ）では、全く変化がみられなかったの
に対して、比較例のサンプル（ｄ）では界面酸化、特に
Ｔｂの選択的酸化が進行してＨｃが最初増加ついでルー
プセンスをＣｏ−ｒ　ｉ　ｃｈ側へ反転しり後減少する
事が判る。

次に、第５図の本発明の光磁気記録媒体において、干渉
層２０１を上記したＳＬターゲットの、Ｎ、−Ａｒスパ
ッタ膜と、Ｓｉターゲットの２０％０．−Ａｒスパッタ
膜の２種類とし、各々についてＴｂ−Ｎ膜２０２の膜厚
を変えてサンプルを咋成し、基板面側からのディスク反
射率を各々測定した結果、第８図に示す様に干渉層（ｉ
ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅｆ　ｉ　Ｉｍ：ｉ、　ｆ、と呼
ぶ）がＳｉのＮ、−Ａｒスバ。

り膜（Ｓ　ｉ−Ｎ、５ｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｉ、ｆ、）Ｃ
７）場合（”ｊ　ンフル（ｅ）、）　Ｔ　ｂ−Ｎ膜厚２
０Ａ以上で、又、ｉ、ｆ、が８　ｉのｏ、−Ａｒスパッ
タ膜（８ｉ−Ｑ□　５ｐｕｔｔｅｒｅｄ　　ｉ、ｆ、）
の場合（サンプル（ｅ））。

Ｔｂ−Ｎ膜厚２０Ａ以上で、又、ｉ、ｆ、がＳｉの０！
−Ａｒスパッタ膜（Ｓ　ｉ　−０，５ｐｕｔｔｅｒｅｄ
ｉ、ｆ、）の場合（サンプル（ｆ））、Ｔｂ−Ｎ膜厚１
５０Ａ以上で急激に反射率の低下が発生した。

これは、Ｔｂ−Ｎ膜自体は光透明率が低い（１００ＯＡ
厚で５０％：波長８３０ｎｍ）為に、干渉層中の浮遊酸
素を充分にトラップし干渉層とＴｂ−Ｎ膜界面でＴｂ、
０３（透明）を形成し干渉層表面を安定化した後に余分
のＴｂ−Ｎ膜が存在すると光損失が大きくなる為である
。干渉層表面を充分に安定化する上で必要な’ｒｂＮの
量は干渉層中に混入している浮遊酸素量によって変化し
、浮遊酸素量の比較的少ない５ｉ−Ｎ、スパッタ干渉層
では少なく、酸素量の多い５ｉ−０，スパッタ干渉層で
は多く必要となる為に、第８図に示される結果が得られ
たものと考える事ができる。通常使用される５ｉ−Ｎ系
、５ｉ−０系、Ａｌ−Ｎ系、Ｃａ−Ｆ糸、Ｚｎ−８系゛
等のスパッタ干渉層に対しては、充分なディスク反射率
（例えば２０％以上）を得る上では、Ｔｂ−Ｎの膜厚は
２０ＯＡ以下、又、干渉層中の浮遊酸素を充分に安定化
する上では２０Ａ以上とするのが好ましい事が実験的に
把握できた。

次に、従来技術に基づいて、第１図と同じ積層膜構造に
おいて、酸素遮断層２としてＴｂ（’ｏ−Ｎ（Ｔｂター
ケットとＣＯターケット両者を２０％Ｎ、−Ａｒ中で反
応性同時スパッタして得た）膜とした所、保磁力等に経
時変化のみられない光磁気記録媒体となったが、酸素遮
断層中にＣｏもしくはＣｏ−Ｎといった磁性材料が含ま
れているので、トルク測定によって媒体に垂直磁性成分
の他面内磁性成分の含まれている事が判った。又、第５
回に示した構造のＡ１反射膜２０４のないサンプルを作
成して外部よりサンプルに垂直に１５ＫＯｅの磁場を印
加した後に偏光顕微鏡によって磁区観察した所、本発明
のＴｂ−Ｎを酸素遮断層とする光磁気記録媒体において
は、サンプル全面に磁化の向きが整えられていたのに対
して、比較例として示すＴ　ｂ　Ｃｏ−Ｎを酸素遮断層
とするサンプルでは、ＴｂＣｏ記録膜２０３自体の保磁
力は４ＫＯｃ程度であるにもかかわらず、部分的に磁化
が逆転しており、酸素遮断層が面内磁性を有している事
に起因して磁化を一様に整える事ができない事が判った
。

上記した実施例、比較例では、ＲＥ−Ｔで、１記録膜と
してＴｂＣｏ膜、酸素遮断層中のＲＥとしてＴｂを用い
た例を述べたが、本発明の主旨は、透明金属化合物膜中
に浮遊する酸素を、金属化合物膜とＲＥ−Ｔ　Ｍ膜の間
に、強い化学的還元性を有する非磁性のＲＢ　−Ｎを設
ける事によってトラップし、ＲＥ−ＴＭ膜膜体体磁気特
性に影響を与える事なくＢＥ−ＴＭ膜の界面酸化の発生
、ａ展を防止する事にあるので、ＴｂＣ０以外のＢＥ−
ＴＳ４系記録膜全てに対して有用であり、又、酸素遮断
層中の几ＥはＴｂ以外にＬａ、Ｃｅ、Ｐ　ｒＳＮｄ。

Ｓｍ５Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ等幅広く同じ効果が得られる。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気記録媒体によれば、スノクノタ法、蒸着
法等で形成した透明金填化合物膜からなるカーエンハン
スメント層中に取り込まれた浮諺状態の酸素を、化学的
に強い還元性を有するＲ　Ｅ−Ｎからなる酸素遮断層に
よってトランプできるのでＲＥ−ＴＭ膜の界面酸化の発
生を防止でき長期に亘って磁気特性の変化のない媒体を
提供しうる。又、Ｉｔ、Ｅ−Ｎ酸素遮断層は非磁性であ
るので、Ｒｇ　−Ｔ　Ｍ膜と積層した場合にＲ，Ｅ　−
Ｔ　Ｍ膜本来の有する磁気特性に何ら影響を及ぼす事が
なく、記録特性上、安定しており又媒体設計も行ない易
い。さらにＲＥ−Ｎ酸素遮断層の膜厚を適正な値に設定
すれば再生特性上も全く問題はない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成図、
第２図は本発明の光磁気記録媒体の形成に使用した成膜
装置の断面図、第３図および第４図は本発明の光磁気記
録媒体の効果を示す図、第５図は本発明の他の実施例を
示す構成図、第６図乃至第８図は本発明の詳細な説明す
るための曲線図である。１・・・基板、　　　　　２・・・保護膜、２０１・・
・カーエンハンスメント層、２０２・・・酸素遮断層、２０３・・・記録層、　　２０４・・・反射層、４・・
・基板ホルダー１５１〜５４・・・スパッタ源、６１〜６４・・・シャッター、７・・・ガス供給系、　　８・・・排気系、９・・・成
膜容器。第１図第２図サソアル（ａ）第３図情４図第５図第６１′χ１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）膜面に対して垂直な磁化容易軸を有する希土類遷
移金属非晶質合金薄膜の記録層を具備してなるものにお
いて、前記記録層の少なくとも一面に、透明金属化合物
と、この透明金属化合物内に取込まれた浮遊酸素を結合
状態の酸素に変化させる物質とで構成してなる膜体層を
形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
（２）膜体層を希土類元素と窒素と酸素と透明金属化合
物とを含有して形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光磁気記録媒体。
（３）膜体層を、透明金属化合物層と、この透明金属化
合物層と前記記録層との間に設けた季土類元素と窒素か
らなる物質層とで形成したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
（４）物質層を２０Å〜２００Åの膜厚としたことを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の光磁気記録媒体。