JPS63302545A - Resin sealed type semiconductor lead frame - Google Patents
Resin sealed type semiconductor lead frameInfo
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- JPS63302545A JPS63302545A JP13848487A JP13848487A JPS63302545A JP S63302545 A JPS63302545 A JP S63302545A JP 13848487 A JP13848487 A JP 13848487A JP 13848487 A JP13848487 A JP 13848487A JP S63302545 A JPS63302545 A JP S63302545A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレ
ームに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame used in a resin-sealed semiconductor device.
第3図は従来の樹脂封止型半導体リードフレームおよび
タイバーカット工程におけるタイバーカットパンチを示
す平面図であり、第4rIAは断面図である。FIG. 3 is a plan view showing a conventional resin-sealed semiconductor lead frame and a tie bar cut punch in a tie bar cutting process, and 4th rIA is a sectional view.
図において、1は半導体素子と樹脂封止したパッケージ
、2は半導体素子に配線され上記パッケージ1の外部に
設けられたアウターリード、3はこのアウターリード2
を連結したタイバー、4は上記アウターリード2および
タイバー3に囲まれ、樹脂封止工程で発生するリード間
パリ、5はリードフレーム、6は上記タイバー3を切断
するタイバーカットパンチである。In the figure, 1 is a package in which a semiconductor element is sealed with resin, 2 is an outer lead wired to the semiconductor element and provided outside the package 1, and 3 is this outer lead 2.
A tie bar 4 is surrounded by the outer lead 2 and the tie bar 3, and there is a gap between the leads which occurs in the resin sealing process, 5 is a lead frame, and 6 is a tie bar cut punch for cutting the tie bar 3.
次に作用について説明する。Next, the effect will be explained.
アウターリード2を連結したタイバー3はvI4e封止
工程で発生するリード間バリ4を途中で止めること及び
樹脂封止半導体装置の製造、搬送工程におけるリードフ
レーム5の強度UPを行う効果がある。また、リード間
バリ4の発生を極力少なくするためにタイバー3の位置
をパッケージ1に接近させる必要がある。The tie bar 3 connecting the outer leads 2 has the effect of stopping inter-lead burrs 4 generated in the vI4e sealing process and increasing the strength of the lead frame 5 during the manufacturing and transporting process of resin-sealed semiconductor devices. Further, in order to minimize the occurrence of inter-lead burrs 4, it is necessary to position the tie bars 3 close to the package 1.
上記目的により構成されたタイバー3は、タイバーカッ
ト工程において、クイバーカットパンチ6により切断さ
れる。タイバーカットパンチ6はパッケージ1やアウタ
ーリード2に傷をつけないよう、更にリード間パリ4の
残り量を極小にすべくクリアランスを設け、vI4II
Iからなるリード間バリ4とタイバー3を同時に切断し
除去する。また、タイバー3の位置をパッケージ1より
遠ざけ、リード間パリ4部に、リード間パリ4を除去す
べくパンチ6が入るスペースを設はタイバー3を切Ef
iする以前にリード間バリ4を切断除去する場合もある
。The tie bar 3 configured for the above purpose is cut by a quiver cut punch 6 in a tie bar cutting process. The tie bar cut punch 6 is provided with a clearance so as not to damage the package 1 or the outer leads 2, and to minimize the remaining amount of the gap 4 between the leads.
The inter-lead burr 4 made of I and the tie bar 3 are cut and removed at the same time. In addition, the tie bar 3 is moved away from the package 1, and a space is provided in the gap 4 between the leads for a punch 6 to be inserted in order to remove the gap 4 between the leads.
In some cases, the inter-lead burr 4 is cut and removed before the step i.
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の樹脂封止型半導体リードフレームは、以上のよう
に構成されているので、樹脂封止工程で発生したリード
間バリ4を切断することが必要で、樹脂切断屑が飛散し
、製品および金型に付着する。[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional resin-sealed semiconductor lead frame is configured as described above, it is necessary to cut off the inter-lead burrs 4 generated during the resin-sealing process. Resin cutting debris scatters and adheres to the product and mold.
また、す゛−ド間バリ4を切断する際にパッケージ1に
クラックが発生する。更にリード間バリ4を切断するパ
ンチ寿命が短いなどの問題点があった。Moreover, cracks occur in the package 1 when cutting the burr 4 between the blades. Furthermore, there were other problems such as a short life span of the punch for cutting the burrs 4 between the leads.
この発明は、上記のような問題点を解消するtコめにな
されたもので、Vt41111封止型半導体製造装置に
おけるパンチ寿命を長くできると共に、パッケージクラ
ックのない、樹脂切屑の付着していない樹脂封止型半導
体装置を提供できる、半導体リードフレームを得ること
を目的とする。This invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to extend the life of punches in Vt41111 sealed semiconductor manufacturing equipment, and to produce resin without package cracks and without resin chips attached. The object is to obtain a semiconductor lead frame that can provide a sealed semiconductor device.
この発明に係る樹脂封止型半導体リードフレームは、ダ
ムリード部をパッケージに近接すると共に、前記ダムリ
ード部に連結する補助リードを設けたものである。更に
上記ダムリード部と補助リード部はそれぞれアウターリ
ード部に連結され各連結部においてダムリードと1ウタ
ーリードの連結部を最小にしたものである。The resin-sealed semiconductor lead frame according to the present invention has a dam lead portion close to the package and is provided with an auxiliary lead connected to the dam lead portion. Furthermore, the dam lead part and the auxiliary lead part are each connected to the outer lead part, so that the number of connections between the dam lead and one outer lead is minimized in each connection part.
この発明におけるit封止型半導体リードフレームは、
ダムリード部をパッケージに近接させたことにより、樹
脂封止工程で発生するリード間パリを減少させ、更にダ
ムリードを補助リードに連結すると共にダムリードと1
ウターリードの連結を最小にしたことにより、補助リー
ドを加圧すると容易にダムリードとアウターリードを切
断できる。The IT-sealed semiconductor lead frame in this invention includes:
By placing the dam lead close to the package, it is possible to reduce the spall between the leads that occurs during the resin sealing process, and also connect the dam lead to the auxiliary lead, as well as connect the dam lead to the dam lead.
By minimizing the connection of the outer lead, the dam lead and outer lead can be easily disconnected by applying pressure to the auxiliary lead.
以下、この発明を図について説明する。 The invention will be explained below with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例によるリードフレーム及び
タイバーカット工程におけるタイバーカットパンチを示
す平面図、第2図は断面図である。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame and a tie bar cut punch in a tie bar cutting process according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view.
図において、1は半導体素子をt!l4II!封止した
パッケージ、2は半導体素子に配線され、上記パッケー
ジ1の外部に設けられたアウターリード、4はリード間
パリ、5はリードフレーム、6はタイバーカットパンチ
、7はダムリード、8は前記ダムリード7を連結し、ア
ウターリード2に連結される補助リード、9は上記タイ
バーカットパンチ6を構成する突起部、10は切断部で
ある。In the figure, 1 indicates the semiconductor element t! l4II! A sealed package, 2 is an outer lead wired to the semiconductor element and provided outside the package 1, 4 is a gap between the leads, 5 is a lead frame, 6 is a tie bar cut punch, 7 is a dam lead, and 8 is the dam lead. 7 is an auxiliary lead connected to the outer lead 2, 9 is a protrusion forming the tie bar cut punch 6, and 10 is a cutting portion.
次に作用について説明する。Next, the effect will be explained.
先ずダムリード7はパッケージ1に近接されているため
、樹脂封止工程におけるリード間パリ4の発生は極めて
少なくなる。First, since the dam leads 7 are located close to the package 1, the occurrence of gaps 4 between the leads during the resin sealing process is extremely reduced.
更に、ダムリード7は補助リード8及びアウターリード
2に連結され、また補助リード8もアウターリード2に
連結されている。この連結において、ダムリード7とア
ウターリード2の連結部を最小にしている。この状態で
第2図に示すタイバーカット工程におけるタイバーカッ
トパンチ6に設けられた突起部9及び切断部10が、第
1図に示すレイアウトで配置され加工を施す場合、先ず
タイバーカットパンチ6の突起部9により、補助リード
8部は加圧され、最小連結部であるダムリード7とアウ
ターリード2の連結が切断される。Further, the dam lead 7 is connected to an auxiliary lead 8 and an outer lead 2, and the auxiliary lead 8 is also connected to the outer lead 2. In this connection, the connection portion between the dam lead 7 and the outer lead 2 is minimized. In this state, when the protrusions 9 and cutting parts 10 provided on the tie bar cut punch 6 in the tie bar cutting process shown in FIG. 2 are arranged and processed in the layout shown in FIG. 1, first the protrusion of the tie bar cut punch 6 is The auxiliary lead 8 section is pressurized by the section 9, and the connection between the dam lead 7 and the outer lead 2, which is the minimum connection section, is severed.
次にタイバーカットパンチ6の切断部10により、補助
リード8と7ウクーリード2の連結部が切断されること
になる。そして最終的に不要なダムリード7と補助リー
ド8が切断除去されることになる。また、この場合、タ
イバーカットパンチ6とリード間バリ4は全く接触しな
いことになる。Next, the connecting portion between the auxiliary lead 8 and the seventh lead 2 is cut by the cutting portion 10 of the tie bar cut punch 6. Finally, unnecessary dam leads 7 and auxiliary leads 8 are cut and removed. Further, in this case, the tie bar cut punch 6 and the inter-lead burr 4 do not come into contact at all.
なお、上記実施例ではタイバーカットパンチ6に突起部
9及び切断部10を設けたが、タイバーカットパンチ6
を2分割し、先にダムリード7とアウターリード2を切
断し、後で補助リード8と1ウターリード2を切断した
り、あるいはタイバーカットパンチ6の形状を傾斜型に
してもよい。In addition, in the above embodiment, the tie bar cut punch 6 was provided with the protrusion 9 and the cutting part 10, but the tie bar cut punch 6
The dam lead 7 and the outer lead 2 may be cut first, and the auxiliary lead 8 and the outer lead 2 may be cut later. Alternatively, the tie bar cut punch 6 may have an inclined shape.
以上のように、この発明によれば、ダムリードをパッケ
ージに近接させ、ダムリードに連結する補助リードを設
けたことにより、リード間パリにタイバーカットパンチ
が接触することなく、ダムリード及び補助リードを切断
することができ、半導体装置としてパリ屑付着のない、
パッケージクラックのない高品質のものが得られる。更
にタイバーカットパンチの摩耗を防止でき、長い寿命が
得られる効果がある。As described above, according to the present invention, by bringing the dam lead close to the package and providing the auxiliary lead connected to the dam lead, the dam lead and the auxiliary lead can be cut without the tie bar cut punch coming into contact with the gap between the leads. As a semiconductor device, it can be used as a semiconductor device without the adhesion of Paris dust.
A high quality product with no package cracks can be obtained. Furthermore, wear of the tie bar cut punch can be prevented, resulting in a long service life.
第1図はこの発明の一実施例による樹脂封止型半導体リ
ードフレーム及びタイバーカット工程におけるタイバー
カットパンチを示す平面図、第2図はこの断面図である
。
第3図は従来や樹脂封止型半導体リードフレーム及びタ
イバー男′ツト工程におけるタイバーカットパンチを示
す平面図、第4図はこの断面図である。
1・・パッケージ、2・・・アウターリード、3・・タ
イバー、4・・リード間パリ、5・・・リードフレーム
、6・・タイバーカットパンチ、7 ・ダムリード、8
・補助リード、9・・・突起部、10 ・切断部。
なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a plan view showing a resin-sealed semiconductor lead frame and a tie bar cut punch in a tie bar cutting process according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof. FIG. 3 is a plan view showing a tie bar cut punch in a conventional resin-sealed semiconductor lead frame and tie bar cutting process, and FIG. 4 is a sectional view thereof. 1. Package, 2. Outer lead, 3. Tie bar, 4. Paris between leads, 5. Lead frame, 6. Tie bar cut punch, 7. Dam lead, 8
- Auxiliary lead, 9... Protrusion, 10 - Cutting part. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (3)
レームにおいて、樹脂封止工程におけるアウターリード
間への樹脂の進入を最小限に止めるダムリードを有し、
前記ダムリード部を切断する後工程でアウターリード間
に進入した樹脂に接触することなく、切断できる補助リ
ードを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体リード
フレーム。(1) A lead frame used in a resin-sealed semiconductor device has a dam lead that minimizes the intrusion of resin between the outer leads during the resin-sealing process;
A resin-sealed semiconductor lead frame characterized in that an auxiliary lead is provided that can be cut without contacting resin that has entered between the outer leads in a post-process of cutting the dam lead portion.
に連結され、更にダムリードと補助リードも連結したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止型
半導体リードフレーム。(2) The resin-sealed semiconductor lead frame according to claim 1, wherein the dam lead and the auxiliary lead are connected to the outer lead, and the dam lead and the auxiliary lead are also connected.
結部において、ダムリードとアウターリード間の連結を
最小にしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の樹脂封止型半導体リードフレーム。(3) The resin-sealed semiconductor lead frame according to claim 1, wherein the connection between the dam lead and the outer lead is minimized in each connection portion of the dam lead, the auxiliary lead, and the outer lead.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13848487A JPS63302545A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Resin sealed type semiconductor lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13848487A JPS63302545A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Resin sealed type semiconductor lead frame |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63302545A true JPS63302545A (en) | 1988-12-09 |
Family
ID=15223163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13848487A Pending JPS63302545A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Resin sealed type semiconductor lead frame |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63302545A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7211467B2 (en) * | 2004-05-24 | 2007-05-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method for fabricating leadless packages with mold locking characteristics |
WO2017060970A1 (en) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 三菱電機株式会社 | Manufacturing method for semiconductor device |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP13848487A patent/JPS63302545A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7211467B2 (en) * | 2004-05-24 | 2007-05-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method for fabricating leadless packages with mold locking characteristics |
WO2017060970A1 (en) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 三菱電機株式会社 | Manufacturing method for semiconductor device |
JPWO2017060970A1 (en) * | 2015-10-06 | 2017-11-30 | 三菱電機株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
KR20180021192A (en) * | 2015-10-06 | 2018-02-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Method for manufacturing semiconductor device |
CN108140583A (en) * | 2015-10-06 | 2018-06-08 | 三菱电机株式会社 | The manufacturing method of semiconductor device |
US10490422B2 (en) | 2015-10-06 | 2019-11-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Manufacturing method for semiconductor device |
CN112652543A (en) * | 2015-10-06 | 2021-04-13 | 三菱电机株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
CN108140583B (en) * | 2015-10-06 | 2021-06-11 | 三菱电机株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
CN112652543B (en) * | 2015-10-06 | 2023-12-26 | 三菱电机株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
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