JPS63301487A - 分散型電界発光素子 - Google Patents
分散型電界発光素子Info
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- JPS63301487A JPS63301487A JP62136592A JP13659287A JPS63301487A JP S63301487 A JPS63301487 A JP S63301487A JP 62136592 A JP62136592 A JP 62136592A JP 13659287 A JP13659287 A JP 13659287A JP S63301487 A JPS63301487 A JP S63301487A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶表示装置などに組み込まれて背面照明用
として用いられる分散型電界発光素子に係り、特に、そ
の素子本体に関する。
として用いられる分散型電界発光素子に係り、特に、そ
の素子本体に関する。
〈従来の技術〉
従来から、この種の電界発光素子として、第１図の断面
図に示すようなものが知られている。この図における符
号１０は電界発光素子であって、この電界発光素子１０
は積層体状の素子本体１１と、これを挟み込んで封止す
る２枚の樹脂外被１２．１２とによって構成されている
。この素子本体１１は背面電極１３と透明電極１４とを
備え、これらの両電極１３゜１４間には絶縁層１５と発
光７１１６とが設けられている。
図に示すようなものが知られている。この図における符
号１０は電界発光素子であって、この電界発光素子１０
は積層体状の素子本体１１と、これを挟み込んで封止す
る２枚の樹脂外被１２．１２とによって構成されている
。この素子本体１１は背面電極１３と透明電極１４とを
備え、これらの両電極１３゜１４間には絶縁層１５と発
光７１１６とが設けられている。
そして、この素子本体１１の製作にあたっては、まず、
背面電極１３の上に絶縁体としてのチタン酸バリウム（
ＢａＴｉＯｓ）粉末をシアノエチル系のバインダに分散
させた材料からなる絶縁層１５を形成し、つぎに、この
絶縁層１５の上に螢光体としての硫化亜鉛（ＺｎＳ ）
粉末を前記と同じバインダに分散させた材料からなる発
光ＪＨ１６を形成したのち、透明電極１４を発光層１６
と熱圧着で接合することにより一体化している。
背面電極１３の上に絶縁体としてのチタン酸バリウム（
ＢａＴｉＯｓ）粉末をシアノエチル系のバインダに分散
させた材料からなる絶縁層１５を形成し、つぎに、この
絶縁層１５の上に螢光体としての硫化亜鉛（ＺｎＳ ）
粉末を前記と同じバインダに分散させた材料からなる発
光ＪＨ１６を形成したのち、透明電極１４を発光層１６
と熱圧着で接合することにより一体化している。
なお、以上の説明においては、背面電極１３をベースと
してこれの上に絶縁層１５および発光層１６を形成し、
透明電極１４を熱圧着するものとして説明したが、これ
とは逆に、透明型ｉ１４をベースとして発光層１６およ
び絶縁層１５を順次形成したのち、背面電極１３を熱圧
着する場合もあることはいうまでもない。
してこれの上に絶縁層１５および発光層１６を形成し、
透明電極１４を熱圧着するものとして説明したが、これ
とは逆に、透明型ｉ１４をベースとして発光層１６およ
び絶縁層１５を順次形成したのち、背面電極１３を熱圧
着する場合もあることはいうまでもない。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、前記電界発光素子ｌＯの素子本体１１におい
ては、つぎのような問題点があった。
ては、つぎのような問題点があった。
すなわち、発光層１６に透明電極１４を軌圧着する際に
は、発光層１６を構成しているシアンエチル系のバイン
ダを加熱によって溶融させて透明電極１４と接合させる
必要があるが、この加熱によって絶縁層Ｉ５を構成して
いるバインダも熔融してしまうことになる。そのため、
熱圧着による圧力の影響を受けた発光層１６の螢光体粒
子１７．・・・が移動し、溶融している絶縁層１５中に
侵入してしまう。
は、発光層１６を構成しているシアンエチル系のバイン
ダを加熱によって溶融させて透明電極１４と接合させる
必要があるが、この加熱によって絶縁層Ｉ５を構成して
いるバインダも熔融してしまうことになる。そのため、
熱圧着による圧力の影響を受けた発光層１６の螢光体粒
子１７．・・・が移動し、溶融している絶縁層１５中に
侵入してしまう。
さらには、侵入にとどまらず、これらの粒子１７゜・・
・が絶縁層１５を突き抜けて背面電極１３にまで到達し
てしまい、電界発光素子１０への電圧印加時に短絡を引
き起こすことがあるため、その信頼性に問題があった。
・が絶縁層１５を突き抜けて背面電極１３にまで到達し
てしまい、電界発光素子１０への電圧印加時に短絡を引
き起こすことがあるため、その信頼性に問題があった。
なお、このような問題は、絶縁層１５に背面電極１３を
熱圧着する場合であっても同様である。
熱圧着する場合であっても同様である。
そこで、このような問題の発生を防止するために、絶縁
層１５の厚みを螢光体粒子１７．・・・が突き抜けるこ
とができない程度に厚くすることが考えられているが、
このようにすると、素子本体１１に印加する電圧のうち
、絶縁層Ｉ５に配分される電圧分が大きくなるので、発
光層１６に印加される電圧配分が小さくなり、電界強度
が弱くなってしまう。
層１５の厚みを螢光体粒子１７．・・・が突き抜けるこ
とができない程度に厚くすることが考えられているが、
このようにすると、素子本体１１に印加する電圧のうち
、絶縁層Ｉ５に配分される電圧分が大きくなるので、発
光層１６に印加される電圧配分が小さくなり、電界強度
が弱くなってしまう。
そのため、電界発光素子１０の発光輝度が低下しでしま
うという不都合があった。
うという不都合があった。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、熱圧着時に発光層
の螢光体粒子が絶縁層へ侵入することを防止でき、信頼
性や発光輝度の向上を図ることができる電界発光素子の
提供を目的とする。
の螢光体粒子が絶縁層へ侵入することを防止でき、信頼
性や発光輝度の向上を図ることができる電界発光素子の
提供を目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、絶縁体粉
末を分散した第１バインダおよび螢光体粉末を分散し、
た第２バインダそれぞれの溶融温度を、互いに異なる温
度に設定したことに特徴を有するものである。
末を分散した第１バインダおよび螢光体粉末を分散し、
た第２バインダそれぞれの溶融温度を、互いに異なる温
度に設定したことに特徴を有するものである。
〈作用〉
上記構成によると、絶縁層を構成する第１バインダおよ
び発光層を構成する第２バインダそれぞれの溶融温度を
互いに異なる温度、すなわち、いずれか一方のバインダ
の溶融温度を他方のそれよりも高い温度に設定している
。したがって、他方のバインダの有する低い溶融温度に
見合う温度の加熱によって電極を熱圧着しても、溶融温
度の高い方のバインダが溶融することがなく、発光層の
螢光体粒子が絶縁層中へ侵入することは確実に防止され
る。
び発光層を構成する第２バインダそれぞれの溶融温度を
互いに異なる温度、すなわち、いずれか一方のバインダ
の溶融温度を他方のそれよりも高い温度に設定している
。したがって、他方のバインダの有する低い溶融温度に
見合う温度の加熱によって電極を熱圧着しても、溶融温
度の高い方のバインダが溶融することがなく、発光層の
螢光体粒子が絶縁層中へ侵入することは確実に防止され
る。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本実
施例における電界発光素子は前述した従来例と同一の構
造であるから第１図に基づいて説明する。
施例における電界発光素子は前述した従来例と同一の構
造であるから第１図に基づいて説明する。
すなわち、本実施例における電界発光素子１０は、素子
本体１１と、これを挟み込んで封止する２枚の樹脂外被
１２．１２とから構成されている。そして、この素子本
体１１は背面電極１３と透明電極１４とを備え、これら
の両電極１３．１４間には絶縁層１５と発光層１６とが
設けられている。
本体１１と、これを挟み込んで封止する２枚の樹脂外被
１２．１２とから構成されている。そして、この素子本
体１１は背面電極１３と透明電極１４とを備え、これら
の両電極１３．１４間には絶縁層１５と発光層１６とが
設けられている。
背面電極１３は所定厚みのアルミニウム箔によって、例
えば、矩形状に形成され、この背面電極１３の一端部に
接続されたリード線（図示していない）は樹脂外被１２
．１２の接合界面から外部に引き出されている。なお、
この背面電極１３はアルミニウムからなるものに限定さ
れず、例えば、二、ケルなど他の導電性のよい金属から
なるものであってもよい。
えば、矩形状に形成され、この背面電極１３の一端部に
接続されたリード線（図示していない）は樹脂外被１２
．１２の接合界面から外部に引き出されている。なお、
この背面電極１３はアルミニウムからなるものに限定さ
れず、例えば、二、ケルなど他の導電性のよい金属から
なるものであってもよい。
絶縁層１５は、例えば、１９０℃で溶融状態をとらない
シアノエチルセルロースを第１バインダとして高誘電率
を有するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｌ）粉末を分散
させた材料からなり、はぼ２５μＭの厚みで前記背面電
極１３の上に印刷および乾燥によって形成されている。
シアノエチルセルロースを第１バインダとして高誘電率
を有するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｌ）粉末を分散
させた材料からなり、はぼ２５μＭの厚みで前記背面電
極１３の上に印刷および乾燥によって形成されている。
また、発光層１６は、前記シアノエチルセルロースより
も低い１９０℃の溶融温度を有するシアノエチルプルラ
ンを第２バインダとするものであって、このシアノエチ
ルプルランに螢光体としての硫化亜鉛（ＺｎＳ ）粉末
を分散させた材料からなり、前記絶縁層１５上にほぼ６
０μｍの厚みで印刷および乾燥によって形成されている
。
も低い１９０℃の溶融温度を有するシアノエチルプルラ
ンを第２バインダとするものであって、このシアノエチ
ルプルランに螢光体としての硫化亜鉛（ＺｎＳ ）粉末
を分散させた材料からなり、前記絶縁層１５上にほぼ６
０μｍの厚みで印刷および乾燥によって形成されている
。
透明電極１４は前記背面電極１３と同形状に形成された
耐熱性を有するポリエステルフィルムなどの透明プラス
千ツクフィルム１８からなり、その内面（図では、下側
）にはインジウム・錫酸化物（１Ｔｏ）からなる透明電
極層１９が蒸着もしくはスパッタリングによって被着さ
れている。なお、この透明電極１４の一端部にもリード
′５ｉＡ（図示していない）が接続され、このリード線
は樹脂外被１２．１２の接合界面から外部に引き出され
ている。そして、この透明電極１４は、第２バインダの
溶融温度と同じ１９０℃の加熱による熱圧着で前記発光
層１６と接合されている。
耐熱性を有するポリエステルフィルムなどの透明プラス
千ツクフィルム１８からなり、その内面（図では、下側
）にはインジウム・錫酸化物（１Ｔｏ）からなる透明電
極層１９が蒸着もしくはスパッタリングによって被着さ
れている。なお、この透明電極１４の一端部にもリード
′５ｉＡ（図示していない）が接続され、このリード線
は樹脂外被１２．１２の接合界面から外部に引き出され
ている。そして、この透明電極１４は、第２バインダの
溶融温度と同じ１９０℃の加熱による熱圧着で前記発光
層１６と接合されている。
なお、第１バインダおよび第２バインダとしては上記の
シアノエチルセルロースおよびシアノエチルプルランに
限定されるものではなく、他のシアノエチル系バインダ
をはじめ、その他のバインダであってもよい。また、こ
れらのン容融点度および印刷厚みについても、上記の数
値に限定されるものではなく、所要の条件によって任意
に選択されるものである。
シアノエチルセルロースおよびシアノエチルプルランに
限定されるものではなく、他のシアノエチル系バインダ
をはじめ、その他のバインダであってもよい。また、こ
れらのン容融点度および印刷厚みについても、上記の数
値に限定されるものではなく、所要の条件によって任意
に選択されるものである。
以上説明したように、本実施例の電界発光素子１０にお
いては、絶縁層１５を構成する第１バインダとしてシア
ンエチルセルロースを用いるとともに、発光層１６を構
成する第２バインダとしてシアノエチルプルランを用い
ているので、第１バインダの溶融温度の方が第２バイン
ダの溶融温度１９０℃よりも高く設定されている。した
がって、透明電極１４を発光層１６に１９０℃の加熱温
度で熱圧着しても、絶縁層１５のバインダが溶融するこ
とはなく、この絶縁層１５に発光Ｊｌｌｉｊ１６中の硫
化亜鉛（ＺｎＳ ）、すなわち、螢光体粒子１７．・・
・が侵入したり、突き抜けたりすることはない。
いては、絶縁層１５を構成する第１バインダとしてシア
ンエチルセルロースを用いるとともに、発光層１６を構
成する第２バインダとしてシアノエチルプルランを用い
ているので、第１バインダの溶融温度の方が第２バイン
ダの溶融温度１９０℃よりも高く設定されている。した
がって、透明電極１４を発光層１６に１９０℃の加熱温
度で熱圧着しても、絶縁層１５のバインダが溶融するこ
とはなく、この絶縁層１５に発光Ｊｌｌｉｊ１６中の硫
化亜鉛（ＺｎＳ ）、すなわち、螢光体粒子１７．・・
・が侵入したり、突き抜けたりすることはない。
ところで、以上の説明においては、背面電極１３をヘー
スとして絶縁層１５および発光Ｎ１６を形成し、透明電
極１４を熱圧着するものとして説明したが、これとは逆
に、透明電極１４をヘースとして発光層１６および絶縁
層１５を順次形成したのち、背面電極１３を熱圧着して
もよいことはいうまでもない、この場合には、絶縁層１
５を構成する第１バインダよりも発光層１６を構成する
第２バインダの方を高い溶融温度に設定し、第１バイン
ダの溶融温度に見合う温度に加熱することによって背面
電極１３を絶縁層１５に熱圧着すれば、余光１１１６の
バインダが溶融することはない。そのため、発光層１６
中の螢光体粒子１７．・・・が移動することはなく、こ
れらが絶縁層１５に侵入することはない。
スとして絶縁層１５および発光Ｎ１６を形成し、透明電
極１４を熱圧着するものとして説明したが、これとは逆
に、透明電極１４をヘースとして発光層１６および絶縁
層１５を順次形成したのち、背面電極１３を熱圧着して
もよいことはいうまでもない、この場合には、絶縁層１
５を構成する第１バインダよりも発光層１６を構成する
第２バインダの方を高い溶融温度に設定し、第１バイン
ダの溶融温度に見合う温度に加熱することによって背面
電極１３を絶縁層１５に熱圧着すれば、余光１１１６の
バインダが溶融することはない。そのため、発光層１６
中の螢光体粒子１７．・・・が移動することはなく、こ
れらが絶縁層１５に侵入することはない。
さらに、本発明の発明者らの行った実験によれば、従来
例の電界発光素子ｌＯにおいては短絡を防止するために
５０μｍ以上の絶！ｉ層１５の厚みが必要であったにも
かかわらず、本実施例の電界発光素子１０においては、
その厚みが２５μｍ程変でδ１ても短絡が発生すること
はないという結果が得られた。
例の電界発光素子ｌＯにおいては短絡を防止するために
５０μｍ以上の絶！ｉ層１５の厚みが必要であったにも
かかわらず、本実施例の電界発光素子１０においては、
その厚みが２５μｍ程変でδ１ても短絡が発生すること
はないという結果が得られた。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明の電界発光素子においては
、その素子本体の絶縁層を構成する第１バインダおよび
発光層を構成する第２バインダそれぞれの溶融温度を互
いに異なる温度、すなわち、いずれか一方のバインダの
溶融温度を他方のそれよりも高い温度に設定している。
、その素子本体の絶縁層を構成する第１バインダおよび
発光層を構成する第２バインダそれぞれの溶融温度を互
いに異なる温度、すなわち、いずれか一方のバインダの
溶融温度を他方のそれよりも高い温度に設定している。
したがって、他方のバインダの低い溶融温度に見合う温
度で加熱することによって電極を熱圧着しても、溶融温
度の高い方のバインダが溶融することはない。
度で加熱することによって電極を熱圧着しても、溶融温
度の高い方のバインダが溶融することはない。
そのため、従来例のように、発光層中の螢光体粒子が絶
縁層に侵入したり、これを突き抜けて背面電極にまで到
達したりすることがな（、電圧印加時に短絡するという
ような問題が引き起こすことがなくなるとともに、その
信頼性の向上を図ることができる。
縁層に侵入したり、これを突き抜けて背面電極にまで到
達したりすることがな（、電圧印加時に短絡するという
ような問題が引き起こすことがなくなるとともに、その
信頼性の向上を図ることができる。
また、このことにより、素子本体の絶縁層を厚くする必
要もないので、これに伴う不都合、すなわち、絶縁層に
配分される電圧骨が大きくなって発光層に印加される電
界強度が弱くなることはない。そのため、電界発光素子
の発光林度や耐圧性の低下を防止することができるばか
りか、これらの向上を図ることができる。
要もないので、これに伴う不都合、すなわち、絶縁層に
配分される電圧骨が大きくなって発光層に印加される電
界強度が弱くなることはない。そのため、電界発光素子
の発光林度や耐圧性の低下を防止することができるばか
りか、これらの向上を図ることができる。
第１図は、本発明の実施例および従来例を示す断面図で
ある。 １０・・・電界発光素子、 １１・・・素子本体、 １３・・・背面電極、 １４・・・透明電極、 １５・・・絶縁層、 １６・・・発光層、 １７・・・螢光体粒子。
ある。 １０・・・電界発光素子、 １１・・・素子本体、 １３・・・背面電極、 １４・・・透明電極、 １５・・・絶縁層、 １６・・・発光層、 １７・・・螢光体粒子。
Claims (1)
- （１）一対の電極間に、絶縁体粉末を分散した第１バイ
ンダからなる絶縁層と、螢光体粉末を分散した第２バイ
ンダからなる発光層とを積層してなる素子本体を備えた
分散型電界発光素子において、前記第１バインダおよび
第２バインダそれぞれの溶融温度を、互いに異なる温度
に設定したことを特徴とする分散型電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62136592A JPS63301487A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 分散型電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62136592A JPS63301487A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 分散型電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301487A true JPS63301487A (ja) | 1988-12-08 |
Family
ID=15178895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62136592A Pending JPS63301487A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 分散型電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63301487A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02197080A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Toshiba Corp | 分散型ｅｌ素子 |
| JPH04220996A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-11 | Stanley Electric Co Ltd | Ｅｌ素子 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62136592A patent/JPS63301487A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02197080A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Toshiba Corp | 分散型ｅｌ素子 |
| JPH04220996A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-11 | Stanley Electric Co Ltd | Ｅｌ素子 |
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