JPS63299327A - プラズマド−ピング方法 - Google Patents
プラズマド−ピング方法Info
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- JPS63299327A JPS63299327A JP13523487A JP13523487A JPS63299327A JP S63299327 A JPS63299327 A JP S63299327A JP 13523487 A JP13523487 A JP 13523487A JP 13523487 A JP13523487 A JP 13523487A JP S63299327 A JPS63299327 A JP S63299327A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100096650 Mus musculus Srms gene Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造プロセスにおける不純物の
プラズマドーピング方法に関するものである。
プラズマドーピング方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置の製造プロセスにおいて、Ｓｉ基板へ
の不純物ドーピングに関しては、イオン注入法が一般に
用いられている。これはイオンを加速して被処理物に衝
突させ、被処理物表面付近に浸入させることにより、被
処理物の物性を制御するものである。
の不純物ドーピングに関しては、イオン注入法が一般に
用いられている。これはイオンを加速して被処理物に衝
突させ、被処理物表面付近に浸入させることにより、被
処理物の物性を制御するものである。
しかしながらイオン注入法では、イオンの被処理物への
入射が垂直であるため、被処理物の表面形状が垂直に近
いものでは、その側面への注入は、被処理物に角度を持
たせて行なっているため、非常に作業能率が悪く、かつ
形状によってはイオンの浸入が不可能な場合も発生する
。
入射が垂直であるため、被処理物の表面形状が垂直に近
いものでは、その側面への注入は、被処理物に角度を持
たせて行なっているため、非常に作業能率が悪く、かつ
形状によってはイオンの浸入が不可能な場合も発生する
。
このため最近では、高周波放電を利用した不純物ドーピ
ング方法（特開昭５６−１３８９２１号公報参照）が用
いられているが、高周波放電では被処理物表面のイオン
電流が測定出来ないため、不純物の濃度を正確に測定す
ることが出来ないという問題点を有していた。
ング方法（特開昭５６−１３８９２１号公報参照）が用
いられているが、高周波放電では被処理物表面のイオン
電流が測定出来ないため、不純物の濃度を正確に測定す
ることが出来ないという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、被処理物がいかなる形状の
場合でも不純物のドーピングが可能であり、その不純物
濃度を正確に制御出来るプラズマドーピング方法を提供
するものである。
場合でも不純物のドーピングが可能であり、その不純物
濃度を正確に制御出来るプラズマドーピング方法を提供
するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のプラズマドーピン
グ方法は、真空チャンバー内に被処理物全配置し、不純
物を含むガスを導入し、高周波放電を利用するプラズマ
ドーピング方法において１不純物濃度を放電中の高周波
電流を測定することにより制御するものである。
グ方法は、真空チャンバー内に被処理物全配置し、不純
物を含むガスを導入し、高周波放電を利用するプラズマ
ドーピング方法において１不純物濃度を放電中の高周波
電流を測定することにより制御するものである。
作用
本発明は上記した方法により、いままで測定出来なかっ
た高周波放電中の被処理物への不純物濃度の測定を、前
記不純物濃度と比例関係にある高周波電流の電流値を監
視することで、正確に行なうものである。
た高周波放電中の被処理物への不純物濃度の測定を、前
記不純物濃度と比例関係にある高周波電流の電流値を監
視することで、正確に行なうものである。
実施例
以下本発明の実施例のプラズマドーピング方法について
、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の一実
施例におけるプラズマドーピング方法に使用した装置を
示すものである。１は真空チャンバー、２は上部電極、
３は下部電極、４は被処理物のＳｉ基板である。不純物
を含むガスはガス導入口５より導入し、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電源８を用いて、真空チャンバー１内で放電
を起こし、放電時の高周波電流を、高周波変流器γを介
して電流計９で測定するものである。なお６はガス排気
口である。
、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の一実
施例におけるプラズマドーピング方法に使用した装置を
示すものである。１は真空チャンバー、２は上部電極、
３は下部電極、４は被処理物のＳｉ基板である。不純物
を含むガスはガス導入口５より導入し、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電源８を用いて、真空チャンバー１内で放電
を起こし、放電時の高周波電流を、高周波変流器γを介
して電流計９で測定するものである。なお６はガス排気
口である。
以上のように構成されたプラズマドーピング装置につい
て、以下その動作を説明する。
て、以下その動作を説明する。
真空チャンバー１内に不純物を含むガスとしてＢ２Ｈ６
（Ｈｅ希釈９５％）を８５ ｃｃｍ導入し、圧力（＋″
Ｉ Ｘ Ｉ Ｃｆ−５Ｔｏｒｒとした。次に高周波電源
８より高周波を下部電極に印加し、高周波電流を５Ａ。
（Ｈｅ希釈９５％）を８５ ｃｃｍ導入し、圧力（＋″
Ｉ Ｘ Ｉ Ｃｆ−５Ｔｏｒｒとした。次に高周波電源
８より高周波を下部電極に印加し、高周波電流を５Ａ。
１０Ａ、１５人となるように高周波電力を変化させ、そ
れぞれ１００秒間放電させた。第２図に放電後のＳｉ基
板表面付近のボロン原子のＳｒＭＳ分析結果を示す。表
面付近のボロンの濃度は高周波電流が６人の時、１．５
Ｘ１０”、 １０人の時３．０Ｘ１０２１．１６人の時
４．５ Ｘ １０２１と比例関係にあることがわかった
。また同様の条件下で高周波電流５人、３０ｏ秒のもの
と、高周波電流１５Ａ、１００秒のものでは、不純物濃
度が４．４Ｘ１０”と４．５Ｘ１０”であり、はぼ同一
濃度であることがわかった。また同様の条件下で開口幅
０．６μｍ１深さ５μｍの８１の深溝に高周波電流１５
人、１００秒のプラズマドーピングを行ない、９００℃
３０分の熱処理後、表面にプラズマＣｖＤ法で６００人
の５ｉ０２膜を堆積させ、その後、ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ
２０液を使用し、ドーピングされた部分をウェットエッ
チし、断面を５１Ｍ観察したところ、ドーピングされた
部分は溝にそって均一であることがわかった。
れぞれ１００秒間放電させた。第２図に放電後のＳｉ基
板表面付近のボロン原子のＳｒＭＳ分析結果を示す。表
面付近のボロンの濃度は高周波電流が６人の時、１．５
Ｘ１０”、 １０人の時３．０Ｘ１０２１．１６人の時
４．５ Ｘ １０２１と比例関係にあることがわかった
。また同様の条件下で高周波電流５人、３０ｏ秒のもの
と、高周波電流１５Ａ、１００秒のものでは、不純物濃
度が４．４Ｘ１０”と４．５Ｘ１０”であり、はぼ同一
濃度であることがわかった。また同様の条件下で開口幅
０．６μｍ１深さ５μｍの８１の深溝に高周波電流１５
人、１００秒のプラズマドーピングを行ない、９００℃
３０分の熱処理後、表面にプラズマＣｖＤ法で６００人
の５ｉ０２膜を堆積させ、その後、ＨＦ＋ＨＮＯ３＋Ｈ
２０液を使用し、ドーピングされた部分をウェットエッ
チし、断面を５１Ｍ観察したところ、ドーピングされた
部分は溝にそって均一であることがわかった。
以上のように本実施例によれば、高周波放電を利用する
プラズマドーピングでは、高周波電流はドーピングされ
たボロン濃度と比例関係にあることがわかった。よって
不純物の濃度を正確に制御することが出来る。
プラズマドーピングでは、高周波電流はドーピングされ
たボロン濃度と比例関係にあることがわかった。よって
不純物の濃度を正確に制御することが出来る。
なお実施例においては高周波放電としたが、高周波放電
とＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電を組み合わせ
ても同様の結果が与えられた。
とＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電を組み合わせ
ても同様の結果が与えられた。
発明の効果
以上のように本発明は、ｐ−空チャンバー内に被処理物
を配置し、不純物を含むガスを導入し、高周波放電を利
用するプラズマドーピング方法におてハて、放電中の高
周波電流を測定することで、不純物の被処理物へのドー
ピングの濃度を正確に制御することが出来るため、用途
に応じたドーピングが極めて簡単に行なえる。またプラ
ズマを使用するため、イオン注入法では不可能であった
部分へのドーピングも可能となる。
を配置し、不純物を含むガスを導入し、高周波放電を利
用するプラズマドーピング方法におてハて、放電中の高
周波電流を測定することで、不純物の被処理物へのドー
ピングの濃度を正確に制御することが出来るため、用途
に応じたドーピングが極めて簡単に行なえる。またプラ
ズマを使用するため、イオン注入法では不可能であった
部分へのドーピングも可能となる。
第１図は本発明の一実施例に使用したプラズマドーピン
グ装置の概略断面図、第２図は本発明の実施例における
Ｓ ＩＭＳ分析結果を示すグラフである。 １・・・・・・真空チャンバー、２・・・・・・上部電
極、３・・・・・・下部電極、５・・・・・・ガス導入
口、６・・・・・・ガス排気口、７・・・・・・高周波
変流器、８・・・・・・高周波電源、９・・・・・・電
流計。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一其・む、ヵ、− ２−、ｌ：却＃Ｃ棧 Ｃｏ−コ“ス羽士気ロ アー 馬脂ヌ勤株 ８−−− １／ ノ１ンｉ ｑ゛−ｑヒ−／にｊヤ 第２図 ５ちミで 方向 （Ａ）
グ装置の概略断面図、第２図は本発明の実施例における
Ｓ ＩＭＳ分析結果を示すグラフである。 １・・・・・・真空チャンバー、２・・・・・・上部電
極、３・・・・・・下部電極、５・・・・・・ガス導入
口、６・・・・・・ガス排気口、７・・・・・・高周波
変流器、８・・・・・・高周波電源、９・・・・・・電
流計。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一其・む、ヵ、− ２−、ｌ：却＃Ｃ棧 Ｃｏ−コ“ス羽士気ロ アー 馬脂ヌ勤株 ８−−− １／ ノ１ンｉ ｑ゛−ｑヒ−／にｊヤ 第２図 ５ちミで 方向 （Ａ）
Claims (1)
- 真空チャンバー内に被処理物を配置し、不純物を含むガ
スを導入し、高周波放電を利用してドーピングを行うに
際し、放電中の高周波電流を測定して不純物の濃度を制
御することを特徴とするプラズマドーピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135234A JP2718926B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | プラズマドーピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135234A JP2718926B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | プラズマドーピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299327A true JPS63299327A (ja) | 1988-12-06 |
| JP2718926B2 JP2718926B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=15146946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135234A Expired - Lifetime JP2718926B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | プラズマドーピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2718926B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270250A (en) * | 1991-10-08 | 1993-12-14 | M. Setek Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor substrate having very shallow impurity diffusion layer |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI312645B (en) * | 2002-07-11 | 2009-07-21 | Panasonic Corporatio | Method and apparatus for plasma doping |
| US20090233383A1 (en) | 2005-02-23 | 2009-09-17 | Tomohiro Okumura | Plasma Doping Method and Apparatus |
| WO2006107044A1 (ja) | 2005-04-04 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマ処理方法及び装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138921A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Method of formation for impurity introduction layer |
| JPS61136224A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板の片面への不純物導入方法 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135234A patent/JP2718926B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138921A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Method of formation for impurity introduction layer |
| JPS61136224A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板の片面への不純物導入方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270250A (en) * | 1991-10-08 | 1993-12-14 | M. Setek Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor substrate having very shallow impurity diffusion layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2718926B2 (ja) | 1998-02-25 |
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