JPS6329742Y2 - - Google Patents

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JPS6329742Y2
JPS6329742Y2 JP1984135241U JP13524184U JPS6329742Y2 JP S6329742 Y2 JPS6329742 Y2 JP S6329742Y2 JP 1984135241 U JP1984135241 U JP 1984135241U JP 13524184 U JP13524184 U JP 13524184U JP S6329742 Y2 JPS6329742 Y2 JP S6329742Y2
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JP
Japan
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graphite
heating element
piece
temperature
graphite heating
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JP1984135241U
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JPS6150775U (ja
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、チヨクラルスキー法によるシリコン
単結晶を成長させる回転引上げ装置に使用する黒
鉛発熱体の構造に関する。
従来の技術 一般に、チヨクラルスキー法によるシリコン単
結晶引上げ装置は原料となるシリコン多結晶を装
填して溶融するための石英ルツボとこの石英ルツ
ボを内装し保護するための黒鉛ルツボおよびこれ
らを包囲する黒鉛発熱体から構成されている。
シリコン単結晶は、黒鉛発熱体に通電して発生
するジユール熱により石英ルツボ内に装填したシ
リコン多結晶を溶融させ、この融液からシリコン
種子結晶に単結晶を成長させてこれをゆつくりと
回転させながら引上げる方法で生産されている。
近時、直径が5インチ〜6インチで長さが1m
程度の大型のシリコン単結晶の生産が行なわれる
ようになり、それにともなつて装置全体が大型化
されてきている。したがつて、石英ルツボ内に装
填するシリコン多結晶も多量となり、大容量の融
液を管理された溶融状態に維持することが必要と
なつてきた。
一般に、シリコン多結晶の溶融時には約1470℃
に、またシリコン単結晶を析出、引上げ時には約
1420℃の高温に加熱される。そのため、通常黒鉛
発熱体は上下方向にスリツトを設けて電気抵抗を
大きくし、発熱量を増大させる方法が採られる。
更に、温度を調節するために黒鉛発熱体の肉厚を
部分的に薄くしたり、小孔を穿つなどの手法も採
られている。しかしながら、このような高温かつ
多量の融液を均一温度に維持調節することは困難
であり、例えば融液表層部の温度は内部や底部に
比べて低温となり易い傾向にある。
したがつて、融液の温度や結晶成長時の固液界
面の温度を適正に保持し、さらに温度分布を調節
する必要がある場合には黒鉛発熱体を一旦取外し
て機械加工をして調整するかまたは発熱体全体を
取替えなければならない事態が生ずる。その結
果、円滑な操業が阻害されるばかりでなく、黒鉛
発熱体の寿命が減少するなどの欠点がある。
考案が解決しようとする問題点 本考案は、上記問題点を解消し、温度調節を迅
速かつ容易に行ない得る黒鉛発熱体を提供するこ
とを目的とするものである。
問題を解決するための手段・作用 本考案は、黒鉛発熱体の電気抵抗を部分的に容
易に調整可能とするものである。すなわち、黒鉛
発熱体の外周面に複数本の切り溝を設け、該切り
溝の一部または全部に黒鉛片を嵌脱して成ること
を構成的特徴とするものである。
以下、本考案を図示の実施例に基づいて説明す
る。
第1図は、本考案に係る黒鉛発熱体1を示す斜
視図である。第1図において、2は発熱体1の側
面縦方向に設けられたスリツトであり、発熱体は
スリツト2によつて区画された各部を流れる電流
4によつて発熱する。3は発熱体外周面に穿設さ
れた切り溝である。切り溝3の大きさ、数、位置
などは目的に応じて適宜設定されるがその深さは
発熱体肉厚の1/3〜1/2が好ましく、また作業性の
面から縦方向に設けることが望ましい。
第2図は、切り溝3に嵌脱可能に埋込む黒鉛片
5の一例を示したものであり、Aは正面図、Bは
側面図である。黒鉛片5は切り溝3に嵌着できる
形状であれば種々の形状のものを使用することが
できる。例えば第2図は黒鉛片の厚みが漸減する
場合を例示したが、厚みが一定のもの、中央部が
厚くふくらんでいるもの(三ケ月状)など目的に
応じて使い分けることができる。
本考案の黒鉛発熱体は上記構成に基づき、切り
溝に黒鉛片を嵌着しない場合は電流通路における
断面積が減少するために電気抵抗が増大して大き
なジユール熱が発生する。また、黒鉛片を嵌着し
た場合には電流通路における断面積は黒鉛片の断
面形状に従つて変化させることができ、その結果
発熱量の微妙な調節が可能となる。例えば発熱体
の上部における発熱量を増大させる場合には、切
り溝の下部のみに黒鉛片を嵌着するか、または下
部に比べて上部の厚さが薄い黒鉛片を嵌着するこ
とにより容易に温度調節が可能となる。
考案の効果 本考案は上記構成および作用に基づき、黒鉛発
熱体の発熱量を迅速かつ容易に調節、変更するこ
とができる。したがつて、石英ルツボ内の融液温
度を均一に保持し、また融液の温度分布の調節も
容易に行なうことができるために結晶成長の乱れ
を防止することができる。さらに作業能率や耐用
寿命の向上にも寄与する効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の黒鉛発熱体を例示した斜視
図、第2図は黒鉛片の形状の一実施態様を示す正
面図Aおよび側面図Bである。 1……黒鉛発熱体、2……スリツト、3……切
り溝、5……黒鉛片。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 外周面に複数本の切り溝3を設け、該切り溝の
    一部または全部に黒鉛片5を嵌脱して成ることを
    特徴とするシリコン単結晶引上げ用黒鉛発熱体。
JP1984135241U 1984-09-07 1984-09-07 Expired JPS6329742Y2 (ja)

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JP1984135241U JPS6329742Y2 (ja) 1984-09-07 1984-09-07

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JPS6150775U JPS6150775U (ja) 1986-04-05
JPS6329742Y2 true JPS6329742Y2 (ja) 1988-08-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1090168B1 (en) * 1998-06-26 2002-09-11 MEMC Electronic Materials, Inc. Electrical resistance heater for crystal growing apparatus and its method of use
JP2014062004A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Ibiden Co Ltd 黒鉛ヒーター

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5167536A (ja) * 1974-12-09 1976-06-11 Japan Radio Co Ltd Itajohiitaa

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5167536A (ja) * 1974-12-09 1976-06-11 Japan Radio Co Ltd Itajohiitaa

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JPS6150775U (ja) 1986-04-05

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