JPS6329432A - 液体金属イオン源 - Google Patents
液体金属イオン源Info
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、液体金属イオン源に関し、特に長寿命で安定
なイオンビームな発生することの出来るイオン源に関す
る。
なイオンビームな発生することの出来るイオン源に関す
る。
（従来の技術）
高輝度で微少径のイオンビームが得られる液体金属イオ
ン源は、マスクレスイオン注入、イオンビームエツチン
グ、微少面積の薄膜作成等、種々の微細加工技術への利
用が期待されている。
ン源は、マスクレスイオン注入、イオンビームエツチン
グ、微少面積の薄膜作成等、種々の微細加工技術への利
用が期待されている。
液体金属イオン源は、電解研磨法等によって高融点金属
の先端を半径数μｍの針状に成形し、表面を液体金属で
濡らしてエミッタとし、その針状先端に高電界を印加す
ることにより）α体金属をイオン化し、イオンビームを
引き出すものである。
の先端を半径数μｍの針状に成形し、表面を液体金属で
濡らしてエミッタとし、その針状先端に高電界を印加す
ることにより）α体金属をイオン化し、イオンビームを
引き出すものである。
第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、一般的な通電加熱
方法をとる液体金属イオン源の各構成を示したものであ
る。ａは最も単純な構成のヘアピン型イオン源であり、
ヒーターを兼ねる支持部２４に通電加熱して金属を溶融
し、エミッタ２１の針状先端に高電界を印加して溶融金
属２２をイオン化し、イオンビームを引き出すものであ
る。このヘアピン型イオン源の欠点は、溶融金属２２を
小量しか溜められないことである。
方法をとる液体金属イオン源の各構成を示したものであ
る。ａは最も単純な構成のヘアピン型イオン源であり、
ヒーターを兼ねる支持部２４に通電加熱して金属を溶融
し、エミッタ２１の針状先端に高電界を印加して溶融金
属２２をイオン化し、イオンビームを引き出すものであ
る。このヘアピン型イオン源の欠点は、溶融金属２２を
小量しか溜められないことである。
その改良策として、ｂのコイル型イオン源、Ｃのシート
型イオン源が現れている。（符号はａに対応）。金属の
溜め場所であるコイル部またはシート部２３を大きくす
ることによって、多量の溶融金属２２を収容し寿命を長
くすることが出来る。
型イオン源が現れている。（符号はａに対応）。金属の
溜め場所であるコイル部またはシート部２３を大きくす
ることによって、多量の溶融金属２２を収容し寿命を長
くすることが出来る。
しかし、ａ、ｂ、ｃの共通の欠点として、溶融金属２２
が広い面積で外界に露出しているため、露出部から蒸発
した金属が引き出し電極や絶縁碍子等に付着し、汚染や
絶縁破壊を引き起こす難点がある。
が広い面積で外界に露出しているため、露出部から蒸発
した金属が引き出し電極や絶縁碍子等に付着し、汚染や
絶縁破壊を引き起こす難点がある。
この問題解決のため第２図ｄのリザーバ型イオン源が考
えられたく符号はａに対応）。
えられたく符号はａに対応）。
第１図にその詳細を示す。セラミックス製の絶縁碍子１
に、イオン源を固定する２本のコバール製ステム２，２
″を銀ロウ、金属ガラス等で溶着し、そのステム２，２
′に一端をスポット溶接された、＼Ｖ、Ｔａ、ｂｉｏ等
の高融点金属細線からなるヒーター３，３′の曲端には
、前記ヒーター同様の高融点金属材料からなるリザーバ
支持板兼ヒーター４，４′がスポット溶接されている。
に、イオン源を固定する２本のコバール製ステム２，２
″を銀ロウ、金属ガラス等で溶着し、そのステム２，２
′に一端をスポット溶接された、＼Ｖ、Ｔａ、ｂｉｏ等
の高融点金属細線からなるヒーター３，３′の曲端には
、前記ヒーター同様の高融点金属材料からなるリザーバ
支持板兼ヒーター４，４′がスポット溶接されている。
リザーバ支持板兼ヒーター４，４゛はリザーバを巻回し
た上で互いを溶接しである。リザーバ５の底部之こは細
孔６、上部には細孔７が開けられていて、これら細孔を
、先端の半径を１〜１０μｍ、頂角を３０〜６０度に機
械研磨した針状陽極８が貫通している。針状陽極８の上
部の、細孔７から上に突き出た部分は、高融点金属材料
の固定部材９を使って矢張り溶接てステム２に固定され
ている。
た上で互いを溶接しである。リザーバ５の底部之こは細
孔６、上部には細孔７が開けられていて、これら細孔を
、先端の半径を１〜１０μｍ、頂角を３０〜６０度に機
械研磨した針状陽極８が貫通している。針状陽極８の上
部の、細孔７から上に突き出た部分は、高融点金属材料
の固定部材９を使って矢張り溶接てステム２に固定され
ている。
図示しないが、ステム２，２゛には、加速電源の電圧に
フロートした加熱電源が接続されており、ヒーター３・
３ ＋Ｓ リザーバ支持板兼ヒーター４゜４′を加
熱し、リザーバ５内の金属１ｏを溶融させている。また
イオン引き出し電極１１はイオン引き出し電源に接続さ
れ、針状陽極８とイオン引き出し電極１１の間には５〜
１０ｋＶの電圧が印加され、針状陽極８の先端部にイオ
ンが電界放出可能な強電界が形成される。 なお、こ
れらとアース電位の間には、使用目的に応じて、数ｋＶ
〜２００ ｋ Ｖのイオン加速電圧が印加されている。
フロートした加熱電源が接続されており、ヒーター３・
３ ＋Ｓ リザーバ支持板兼ヒーター４゜４′を加
熱し、リザーバ５内の金属１ｏを溶融させている。また
イオン引き出し電極１１はイオン引き出し電源に接続さ
れ、針状陽極８とイオン引き出し電極１１の間には５〜
１０ｋＶの電圧が印加され、針状陽極８の先端部にイオ
ンが電界放出可能な強電界が形成される。 なお、こ
れらとアース電位の間には、使用目的に応じて、数ｋＶ
〜２００ ｋ Ｖのイオン加速電圧が印加されている。
上記のようなリザーバ型液体金属イオン源では、大きい
リザーバを設けることによって、溶融金属を多量に溜め
ることが出来るため長寿命である。
リザーバを設けることによって、溶融金属を多量に溜め
ることが出来るため長寿命である。
かつ、露出部分が少ないため蒸発を抑え、雰囲気の汚染
を防止することが出来る。
を防止することが出来る。
しかし、このリザーバ型）α体金属イオン源にも問題が
残されており、溶融金属に対するリザーバ部の材料の選
択は、イオン源の寿命に強い影響を及はす。材料の選択
で問題になるのは、（１）材料相互の「濡れ」性、及び （２）材料相互の「化学反応」、である。
残されており、溶融金属に対するリザーバ部の材料の選
択は、イオン源の寿命に強い影響を及はす。材料の選択
で問題になるのは、（１）材料相互の「濡れ」性、及び （２）材料相互の「化学反応」、である。
先ず「濡れ」の問題であるが、これを針状陽極８がＷ、
溶融金属がＧａ、リザーバ５がＴａ、リザーバ支持板兼
ヒーター４．４′が＼■、という材料の組み合わせの場
合を例にとって述べると、リザーバ５内のＧａを溶融し
て後、ある程度時間が経つと、液体Ｇａとリザーバ５の
Ｔａとの濡れ性が良いため、細孔６を出たＧａがリザー
バ５の外側の表面を濡らし、その全面を覆い尽くすよう
になる。そして、極めて高温のリザーバ支持板兼ヒータ
ー４．４′にＧａが達すると、液体Ｇａがここで盛んに
蒸発し、雰囲気を害し、イオン源の寿命を短くする。
溶融金属がＧａ、リザーバ５がＴａ、リザーバ支持板兼
ヒーター４．４′が＼■、という材料の組み合わせの場
合を例にとって述べると、リザーバ５内のＧａを溶融し
て後、ある程度時間が経つと、液体Ｇａとリザーバ５の
Ｔａとの濡れ性が良いため、細孔６を出たＧａがリザー
バ５の外側の表面を濡らし、その全面を覆い尽くすよう
になる。そして、極めて高温のリザーバ支持板兼ヒータ
ー４．４′にＧａが達すると、液体Ｇａがここで盛んに
蒸発し、雰囲気を害し、イオン源の寿命を短くする。
この問題の解決のため、例えば、特開昭５８−３８９０
５の発明では、リザーバ支持板兼ヒーター４． ４’に
セラミックス製の塊りＪＯを付けて、Ｇａの濡れの進ｉ
テをそこて食い止めている。し・かじ、この発明の場合
も、リザーバ外測の表面の濡れは依然残されており、根
本的な解決にはなっていない。
５の発明では、リザーバ支持板兼ヒーター４． ４’に
セラミックス製の塊りＪＯを付けて、Ｇａの濡れの進ｉ
テをそこて食い止めている。し・かじ、この発明の場合
も、リザーバ外測の表面の濡れは依然残されており、根
本的な解決にはなっていない。
次ぎに「Ｉヒ学反応」の問題について、活性の強い金属
であるＡ１イオン源にて、針状陽極がＭｏ、溶融金属が
Ａｔ、リザーバがＴａ、リザーバ支持板兼ヒーターが＼
Ｖ、の場合を例（ことって述べると、ＴａとＭｏが容易
にＡ ｌと反応するため、イオンビームにはＡｌのほか
にＴａ、Ｍｏのイオンが不純物として含まれるようにな
る。またこれらの不純物は溶融Ａｌよりも融点かや１高
いため溶融し難く、そのため先端部にその塊りが流れて
来て、イオンビームを不安定にしたり、停止させたりす
る不都合を生む。しかも、Ａｌは、Ｔ ａ ＋ Ｍ
ｏとよく濡れもするため、Ａ ｌはリザーバの外側面を
濡らし、リザーバ支持板兼ヒーターやヒーターにも広が
り、やがてＷと反応してこれを断線させるという決定的
な不都合を生ずる。
であるＡ１イオン源にて、針状陽極がＭｏ、溶融金属が
Ａｔ、リザーバがＴａ、リザーバ支持板兼ヒーターが＼
Ｖ、の場合を例（ことって述べると、ＴａとＭｏが容易
にＡ ｌと反応するため、イオンビームにはＡｌのほか
にＴａ、Ｍｏのイオンが不純物として含まれるようにな
る。またこれらの不純物は溶融Ａｌよりも融点かや１高
いため溶融し難く、そのため先端部にその塊りが流れて
来て、イオンビームを不安定にしたり、停止させたりす
る不都合を生む。しかも、Ａｌは、Ｔ ａ ＋ Ｍ
ｏとよく濡れもするため、Ａ ｌはリザーバの外側面を
濡らし、リザーバ支持板兼ヒーターやヒーターにも広が
り、やがてＷと反応してこれを断線させるという決定的
な不都合を生ずる。
反応性の強い金属としてはＡｔのほかにＢが挙げられ、
例えば特開昭５８−１３７９４１の明細書はＰｔ−８合
金イオン源にリザーバ材料とじてＰｔを用いたものを述
べている。このときは溶融金属にＰｔが「不純物」とし
て混入する気使いはなくなるが、リザーバのｐｔが合金
に微量でも溶は込むと、局部的に溶融金属の組成比が変
わって融点が上昇し、イオンビームを不安定にしたり、
停止させたりする。さらにこの場合も、ｉ８融金属のＢ
とリザーバのｐｔの濡れ性が良いため、溶融金属がリザ
ーバの外側面を濡らし、リザーバ支持板兼ヒーターやヒ
ーターにも広がり、前述の汚染や断線の不都合を生ずる
。 前記の特開昭５８−１３７９４１の発明は、その問
題解決のため、リザーバ支持板兼ヒータ一部にセラミッ
クスコーティングを施しているが、根本的な解決策と成
り得ないことは前述同様である。この方法は手間がかか
るのも問題である。
例えば特開昭５８−１３７９４１の明細書はＰｔ−８合
金イオン源にリザーバ材料とじてＰｔを用いたものを述
べている。このときは溶融金属にＰｔが「不純物」とし
て混入する気使いはなくなるが、リザーバのｐｔが合金
に微量でも溶は込むと、局部的に溶融金属の組成比が変
わって融点が上昇し、イオンビームを不安定にしたり、
停止させたりする。さらにこの場合も、ｉ８融金属のＢ
とリザーバのｐｔの濡れ性が良いため、溶融金属がリザ
ーバの外側面を濡らし、リザーバ支持板兼ヒーターやヒ
ーターにも広がり、前述の汚染や断線の不都合を生ずる
。 前記の特開昭５８−１３７９４１の発明は、その問
題解決のため、リザーバ支持板兼ヒータ一部にセラミッ
クスコーティングを施しているが、根本的な解決策と成
り得ないことは前述同様である。この方法は手間がかか
るのも問題である。
（発明の目的）
本発明は、上記の問題を解決し、長寿命で安定なイオン
ビームな発生することが出来るイオン源の提供を目的と
する。
ビームな発生することが出来るイオン源の提供を目的と
する。
（問題を解決するための手段）
本発明は、イオン化すべき金属を溶融させ保持するリザ
ーバ部と；該リザーバ部から溶融金属が供給される針状
先端部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を形成
するための手段と；を備えた液体金属イオン源において
、 該リザーバ部の材料と該溶融金属の材料が、互いに拡張
溝れを起こさない材料の組み合わせで構成されている液
体金属イオン源によって前記目的を達成したものである
。
ーバ部と；該リザーバ部から溶融金属が供給される針状
先端部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を形成
するための手段と；を備えた液体金属イオン源において
、 該リザーバ部の材料と該溶融金属の材料が、互いに拡張
溝れを起こさない材料の組み合わせで構成されている液
体金属イオン源によって前記目的を達成したものである
。
（実施例）
以下、第１図を実施例として本発明を詳説する。
周知のように、濡れを評価する１つの方法に、溶融金属
とリザーバ材料の接触角θがあり、θが０度の場合が最
も良く濡れる組み合わせとされる。
とリザーバ材料の接触角θがあり、θが０度の場合が最
も良く濡れる組み合わせとされる。
溶融Ａ ｌに対して濡れ難い材ｔトのθの表を、第１表
にまとめてみた。これらのｔ才科ではθはすべて９０度
以上であって、充分に大きい値てあ；八濡れ難いことが
わかる。
にまとめてみた。これらのｔ才科ではθはすべて９０度
以上であって、充分に大きい値てあ；八濡れ難いことが
わかる。
（第１表）
（例１）
第１図の構成のイオン源で針状陽極８之こ＼Ｖ、リザー
バ５に導電性材料のＣ１溶融金属に低融点材料のＧａを
用いた。Ｃは溶融Ｇａと濡れ性が悪く、且反応性も低い
ため、リザーバ５の外側表面は溶融Ｇａで濡れることか
なく、３００時間以上の長時間に亙って安定したイオン
ビームを得ることが出来た。
バ５に導電性材料のＣ１溶融金属に低融点材料のＧａを
用いた。Ｃは溶融Ｇａと濡れ性が悪く、且反応性も低い
ため、リザーバ５の外側表面は溶融Ｇａで濡れることか
なく、３００時間以上の長時間に亙って安定したイオン
ビームを得ることが出来た。
第３図にこの）伐木金属イオン源からのイオンの質量ス
ペクトル図の１例を示す。ＣやＷ等の不純物のピークは
現れていない。
ペクトル図の１例を示す。ＣやＷ等の不純物のピークは
現れていない。
（例２）
前述の（例１）で、リザーバ５のＣを絶縁物の窒化シリ
コン Ｓｉ３Ｎ４て置換した場合も、前記同様の好成績
を得た。窒化シリコンと溶融Ｇａの濡れ性も悪く、反応
性もまた悪いためである。
コン Ｓｉ３Ｎ４て置換した場合も、前記同様の好成績
を得た。窒化シリコンと溶融Ｇａの濡れ性も悪く、反応
性もまた悪いためである。
（例３）
反応性の強い例として、Ａ１を溶融金属とし、針状陽極
８に、高電気抵抗のボロンナイトライド（ＰＢＮ）、’
Ｊｆ−バ５に、ホウ化ジルコニュウム ＺｒＢ２を用い
た。 該材料の反応性は低く且つ濡れ性が悪いため、リ
ザーバの外側表面が溶融Ａｌで濡れることがなく、この
ときも３００時間以上の長期間、安定なイオンビームが
得られた。
８に、高電気抵抗のボロンナイトライド（ＰＢＮ）、’
Ｊｆ−バ５に、ホウ化ジルコニュウム ＺｒＢ２を用い
た。 該材料の反応性は低く且つ濡れ性が悪いため、リ
ザーバの外側表面が溶融Ａｌで濡れることがなく、この
ときも３００時間以上の長期間、安定なイオンビームが
得られた。
第４図にその液体金属イオン源の質量スペクトルの図の
１例を示すが、針状陽極材料やリザーバ部材料の溶出に
よるピークは観測されない。
１例を示すが、針状陽極材料やリザーバ部材料の溶出に
よるピークは観測されない。
、へｌ、Ｇａに対し・では、上記のほか第１表に示す他
のリザーバ部材料で上記同様の好成績を得ている。
のリザーバ部材料で上記同様の好成績を得ている。
上述の実施例では、Ａ１Ｇａを用いて説明し・だが、本
発明の溶融金属は他の材料たとえば、上述のリザーバ材
料と濡れ難い単一金属または合金（例えば、ＡｕＳｉ、
ＮｉＢ等）でも同じである。
発明の溶融金属は他の材料たとえば、上述のリザーバ材
料と濡れ難い単一金属または合金（例えば、ＡｕＳｉ、
ＮｉＢ等）でも同じである。
そしてまた、溶融金属とリザーバの材料の組合わせは、
広く、濡れ性が悪く、反応性の悪いもの全般に適用して
顕著な効果をあられす。
広く、濡れ性が悪く、反応性の悪いもの全般に適用して
顕著な効果をあられす。
なお、反応性と濡れ性の間には非常に強い相関関係があ
り、一般に反応するものの組合わせは、必ず良く濡れる
組合わせになっている。従って、両者を「濡れ」だけで
代表させることか出来る。
り、一般に反応するものの組合わせは、必ず良く濡れる
組合わせになっている。従って、両者を「濡れ」だけで
代表させることか出来る。
好結果が得られる材料の組み合わせを列挙すると、 Ｇ
ａ、 Ｓ ｉ、 Ｐ、Ａｓ、 Ｂｅ、Ｍｇ、
Ｓｅ。
ａ、 Ｓ ｉ、 Ｐ、Ａｓ、 Ｂｅ、Ｍｇ、
Ｓｅ。
Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｚｎの単一金属または合金の溶融金
属に対して、リザーバ部が Ｃ１炭化物、窒化硼素、ま
たは酸化物系、窒化物系、若しくは硼化物系のセラミッ
クスがそれに当り。
属に対して、リザーバ部が Ｃ１炭化物、窒化硼素、ま
たは酸化物系、窒化物系、若しくは硼化物系のセラミッ
クスがそれに当り。
またＢ、Ａｌの単一金属または合金の溶融金属に対して
、リザーバ部を、窒化硼素、または酸化物系、窒化物系
、若しくは硼化物系のセラミックス、て構成する組合わ
せがそれに当たる。
、リザーバ部を、窒化硼素、または酸化物系、窒化物系
、若しくは硼化物系のセラミックス、て構成する組合わ
せがそれに当たる。
（発明の効果）
本発明の液体金属イオン源は、長寿命で安定なイオンビ
ームを発生ずることが出来るイオン源を提供する効果が
ある。
ームを発生ずることが出来るイオン源を提供する効果が
ある。
第１図は、本発明の液体金属イオン源を説明するための
金属イオン源の概略断面図。 第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、従来の種々の液体
金属イオン源の概略断面図。 第３，４図は、本発明の液体金属イオン源のイオンの’
ｄＱスペクトルの図。 １・・・・・・絶縁碍子、 ２，２′・・・・・
・スデム、３．３′・・・・・・ヒーター、４，４゛・
・・・・・リザーバ支持板兼ヒーター、 ５・・
・・・・リリ゛−ハ、６、 ７ ・・・・・・細了し、
８ ・・・・・・ｉ１１人陽１折、１
０・・・・・・溶融金属、 １１・・・・・・陰極
、特許出願人 日型アネルハ（；（二弐会社代理人
弁理士 目上 （ＩＰ次 （ｃＬ、） （ｂ、） Ｊｎ４（／Ｅ窓幻幻 特許庁長官 黒１）明雄 殿 ｉｌ、事
件の表示 昭和６１年特許願第１７１１３９号 ２、発明の名称 液体金属イオン源 ３、補正をする者 事件との間係 特許出暉人 住所 東京都府中市四谷 ５−８−１名称 日電ア
ネルバ株式会社柑ヰ中名学代表者 安１） 進 ４、代理人 住所 東京都府中市四谷 ５−８−１図面の簡単な
説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細書を添付の「全文訂正明細書」のごとく補正
する。 なお、補正ケ所にはアンダーラインを付しである全文訂
正明細書 １９発明の名称 液体金属イオン源 ２、特許請求の範囲 （１）イオン化すべきＵを溶融させ保持するリザーバ部
と；該リザーバ部から溶ｉＩ！Ｉ！ＪＬ！が供給される
針状先端部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を
形成するための手段と；を備えた液体金属イオン源にお
いて、 該リザーバ部の材料と該溶融■の材料が、互いに拡張濡
れを起こさない材料の組み合わせで構成されていること
を特徴とする液体金属イオン源。 （２）前記材料の組み合わせが、 Ｇａ、Ｓｉ。 Ｐ、 Ａｓ、 Ｂｅ、 Ｍｇ、 Ｓｅ、 Ｓｉ
、 Ｓｎ、 Ｇｅ。 ＺｎＬ倉旦二貫に対して、上記リザーバ部が Ｃ１炭１
ヒ物、窒化硼素、または酸化物系、窒化物系。 若しくは硼化物系のセラミックス、で構成されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液体金属イオン
源。 （３）前記材料の組み合わせが、Ｂ、Ａｌ三倉工ｍに対
して、上記リザーバ部が、窒化硼素、または酸化物系、
窒化物系、若しくは硼化物系のセラミックス、で構成さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液体
金属イオン源。 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は、液体金属イオン源に関し、特に長寿命で安定
なイオンビームを発生することの出来るイオン源に関す
る。 （従来の技術） 高輝度で微少径のイオンビームが得られる液体金属イオ
ン源は、マスクレスイオン注入、イオンビームエツチン
グ、微少面積の薄膜作成等、種々の微細加工技術への利
用が期待されている。 液体金属イオン源は、電解研潜法等によって高融点金属
の先端を半径数μｍの針状に成形し、表面を且放二厘で
濡らしてエミッタとし、その針状先端に高電界を印加す
ることにより１敗二厘をイオン化し、イオンビームを引
き出すものである。 第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、一般的な通電加熱
方法をとる液体金属イオン源の各構成を示したものであ
る。ａは最も単純な構成のヘアピン型イオン源であり、
ヒーターを兼ねる支持部２４に通電加熱して立！を溶融
し、エミッタ２１０針状先端に高電界を印加して溶融■
２２をイオン化し、イオンビームを引き出すものである
。このヘアピン型イオン源の欠点は、溶融血厘２２を小
量しか溜められないことである。 その改良策として、ｂのコイル型イオン源、Ｃのシート
型イオン源が現れている。（符号はａに対応）。血Ｉの
溜め場所であるコイル部またはシート部２３を大きくす
ることによって、多量の溶融ゴ２２を収容し寿命を長く
することが出来る。 しかし、ａ＋ｋ）＋Ｃの共通の欠点として、溶融Ｒ１２
２が広い面積で外界に露出しているため、露出部から蒸
発した■が引き出し電極や絶縁碍子等に付着し、汚染や
絶縁破壊を引き起こす難点がある。 この問題解決のため第２図ｄのリザーバ型イオン源が考
えられたく符号はａに対応）。 第１図にその詳細を示す。セラミックス製の絶縁碍子１
に、イオン源を固定する２本のコバール製ステム２，２
”を銀ロウ、金属ガラス等で溶着し、そのステム２，２
′に一端をスポット溶接された、Ｗ、’［’ａ、Ｍｏ等
の高融点金属細線からなるヒーター３，３′の他端には
、前記ヒーター同様の高融点金属材料からなるリザーバ
支持板兼ヒーター４，４′がスポット溶接されている。 リザーバ支持板兼ヒーター４，４′はリザーバを巻回し
た上で互いを溶接しである。リザーバ５の底部には細孔
６、上部には細孔７が間けられていて、これら細孔を、
先端の半径を１〜１０μｍ、頂角を３０〜６０度に機械
研廖した針状陽極８が貫通している。針状陽極８の上部
の、細孔７から上に突き出た部分は、高融点金属材料の
固定部材９を使って矢張り溶接でステム２に固定されて
いる。 図示しないが、ステム２，２′には、加速電源の電圧に
フロートした加熱電源が接続されており、ヒーター３，
３′、リザーバ支持板兼ヒーター４゜４′を加熱し、リ
ザーバＳ内のｕｌ ０を溶融させている。またイオン引
き出し電極１１はイオン引き出し電源に接続され、針状
陽極８とイオン引き出し電極１１の間には５〜１０ｋＶ
の電圧が印加され、針状陽極８の先端部にイオンが電界
放出可能な強電界が形成される。 なお、これらとア
ース電位の間には、使用目的に応じて、数ｋＶ〜２００
ｋＶのイオン加速電圧が印加されている。 上記のようなリザーバ型液体金属イオン源では、太きい
リザーバを設けることによって、溶融嵐亘を多量に溜め
ることが出来るため長寿命である。 かつ、露出部分が少ないため蒸発を抑え、雰囲気の汚染
を防止することが出来る。 しかし、このリザーバ型液体金属イオン源にも問題が残
されており、溶融■に対するリザーバ部の材料の選択は
、イオン源の寿命に強い影響を及ぼす。材料の選択で問
題になるのは、（１）材料相互の「濡れｊ性、及び （２）材料相互の「化学反応」、である。 先ず「濡れ」の問題であるが、これを針状陽極８がＷ、
溶融■がＧａ、リザーバ５がＴａ、リザーバ支持板兼ヒ
ーター４，４′がＷ、という材料の組み合わせの場合を
例にとって述べると、リザーバＳ内のＧａを溶融して後
、ある程度時間が経つと、液体Ｇａとリザーバ５のＴａ
との濡れ性が良いため、細孔６を出たＧａがリザーバ５
の外側の表面を濡らし、その全面を覆い尽くすようにな
る。そして、極めて高温のリザーバ支持板兼ヒーター４
，４′にＧａが達すると、液体Ｇａがここで盛んに蒸発
し、雰囲気を害し、イオン源の寿命を短くする。 この問題の解決のため、例えば、特開昭５８−３８９０
５の発明では、リザーバ支持板兼ヒーター４． ４’に
セラミックス製の塊り４０を付けて、Ｇａの濡れの進行
をそこで食い止めている。しかし、この発明の場合も、
リザーバ外側の表面の濡れは依然残されており、根本的
な解決にはなっていない。 次ぎに「化学反応」の問題について、活性の強いＵであ
るＡｔイオン源にて、針状陽極がＭｏ、溶融■がＡｌ、
リザーバがＴａ、 リザーバ支持板兼ヒーターがＷ、
の場合を例にとって述べると、ＴａとＭｏが容易にＡ１
と反応するため、イオンビームにはＡｌのほかにＴａ、
Ｍｏのイオンが不純物として含まれるようになる。また
これらの不純物は溶融Ａｔよりも融点かや＼高いため溶
融し難く、そのため先端部にその塊りが流れて来て、イ
オンビームを不安定にしたり、停止させたりする不都合
を生む。しかも、Ａｌは、Ｔａ、Ｍｏとよく濡れもする
ため、Ａｌはリザーバの外側面を濡らし、リザーバ支持
板兼ヒーターやヒーターにも広がり、やがてＷと反応し
てこれを断線させるという決定的な不都合を生ずる。 反応性の強い■としてはＡｔのほかにＢが挙げられ、例
えば特開昭５ｉ８−１３７９４１の明細書はＰｔ−８合
金イオン源にリザーバ材料としてｐｔを用いたものを述
べている。このときは溶融■にｐｔが「不純物」として
混入する気使いはなくなるが、リザーバのｐｔが合金に
微量でも溶は込むと、局部的に溶融登１の組成比が変わ
って融点が上昇し、イオンビームを不安定にしたり、停
止させたりする。さらにこの場合も、溶融■のＢとリザ
ーバのｐｔの濡れ性が良いため、溶融血！がリザーバの
外側面を濡らし、リザーバ支持板兼ヒーターやヒーター
にも広がり、前述の汚染や断線の不都合を生ずる。 前
記の特開昭５８−１３７９４１の発明は、その問題解決
のため、リザーバ支持板兼ヒータ一部にセラミックスコ
ーティングを施しているが、根本的な解決策と成り得な
いことは前述同様である。この方法は手間がかかるのも
問題である。 （発明の目的） 本発明は、上記の問題を解決し、長寿命で安定なイオン
ビームを発生することが出来るイオン源の提供を目的と
する。 （問題を解決するための手段） 本発明は、イオン化すべきＲｘを溶融させ保持するリザ
ーバ部と；該リザーバ部から溶融嵐Ｉが供給される針状
先端部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を形成
するための手段ど；を備えた液体金属イオン源において
、 該リザーバ部の材料と該溶融■の材料が、互いに拡張濡
れを起こさない材料の組み合わせで構成されている液体
金属イオン源によって前記目的を達成したものである。 （実施例） 以下、第１図を実施例として本発明を詳説する。 周知のように、濡れを評価する１つの方法に、溶融■と
リザーバ材料の接触角θがあり、θが０度の場合が最も
良く濡れる組み合わせとされる。 溶融Ａ１に対して濡れ難い材料のθの表を、第１表にま
とめてみた。これらの材料ではθはすべて９０度以上で
あって、充分に大きい値であり、）需れ難いことがわか
る。 （第１表） （例１） 第１図の構成のイオン源で針状陽極８にＷ、リザーバ５
に導電性材料のＣ１溶融笠！に低融点材料のＧａを用い
た。Ｃは溶融Ｇａと濡れ性が悪く、且反応性も低いため
、リザーバ５の外側表面は溶融Ｇａで濡れることがなく
、３００時間以上の長時間に亙って安定したイオンビー
ムを得ることが出来た。 第３図にこの液体金属イオン源からのイオンの質量スペ
クトル図の１例を示す。ＣやＷ等の不純物のピークは現
れていない。 （例２） 前述の（例１）で、リザーバ５のＣを絶縁物の窒化シリ
コン Ｓｉ３Ｎ４で置換した場合も、前記同様の好成績
を得た。窒化シリコンと溶融Ｇａの濡れ性も悪く、反応
性もまた悪いためである。 （例３） 反応性の強い例として、Ａｌを溶融■とし、針状陽極８
に、高電気抵抗のボロンナイトライド（ＰＢＮ）、’）
Ｖ−バ５に、ホウ化ジルコニュウム ＺｒＢ２を用いた
。 該材料の反応性は低く且つ濡れ性が悪いため、リザ
ーバの外側表面が溶融Ａｔで濡れることがなく、このと
きも３００時間以上の長期間、安定なイオンビームが得
られた。 第４図にその液体金属イオン源の質量スペクトルの図の
１例を示すが、針状陽極材料やリザーバ部材料の溶出に
よるピークは観測されない。 Ａｔ、Ｇａに対しては、上記のほか第１表に示す他のリ
ザーバ部材料で上記同様の好成績を得ている。 上述の実施例では、Ａ１、Ｇａを用いて説明したが、本
発明の溶融生！は他の材料たとえば、上述のリザーバ材
料と濡れ難い笠Ｉ（例えば、ＡｕＳｉ、ＮｉＢ等）でも
同じである。 そしてまた、溶融曳！とリザーバの材
料の組合わせは、広く、濡れ性が悪く、反応性の悪いも
の全般に適用して顕著な効果をあられす。 なお、反応性と濡れ性の間には非常に強い相関関係があ
り、一般に反応するものの組合わせは、必ず良く濡れる
組合わせになっている。従って、両者を「濡れ」だけで
代表させることが出来る。 好結果が得られる材料の組み合わせを列挙すると、Ｇａ
、 Ｓｉ、 Ｐ、Ａｓ、 Ｂｅ、Ｍｇ、 Ｓｅ
。 Ｓ ｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｚｎ ” ””扛亘に対して、
リザーバ部が Ｃ１炭化物、窒化硼素、または酸化物系
、窒化物系、若しくは硼化物系のセラミックスがそれに
当り。 またＢ、Ａｔ支１血亙亘遺Ｉに対して、リザーバ部を、
窒化硼素、または酸化物系、窒化物系。 若しくは硼化物系のセラミックス、で構成する組合わせ
がそれに当たる。 （発明の効果） 本発明の液体金属イオン源は、長寿命で安定なイオンビ
ームを発生することが出来るイオン源を提供する効果が
ある。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、本発明の液体金属イオン源を説明するための
金属イオン源の概略断面図。 第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、従来の種々の液体
金属イオン源の概略断面図。 第３，４図は、本発明の液体金属イオン源のイオンの質
量スペクトルの図。
金属イオン源の概略断面図。 第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、従来の種々の液体
金属イオン源の概略断面図。 第３，４図は、本発明の液体金属イオン源のイオンの’
ｄＱスペクトルの図。 １・・・・・・絶縁碍子、 ２，２′・・・・・
・スデム、３．３′・・・・・・ヒーター、４，４゛・
・・・・・リザーバ支持板兼ヒーター、 ５・・
・・・・リリ゛−ハ、６、 ７ ・・・・・・細了し、
８ ・・・・・・ｉ１１人陽１折、１
０・・・・・・溶融金属、 １１・・・・・・陰極
、特許出願人 日型アネルハ（；（二弐会社代理人
弁理士 目上 （ＩＰ次 （ｃＬ、） （ｂ、） Ｊｎ４（／Ｅ窓幻幻 特許庁長官 黒１）明雄 殿 ｉｌ、事
件の表示 昭和６１年特許願第１７１１３９号 ２、発明の名称 液体金属イオン源 ３、補正をする者 事件との間係 特許出暉人 住所 東京都府中市四谷 ５−８−１名称 日電ア
ネルバ株式会社柑ヰ中名学代表者 安１） 進 ４、代理人 住所 東京都府中市四谷 ５−８−１図面の簡単な
説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細書を添付の「全文訂正明細書」のごとく補正
する。 なお、補正ケ所にはアンダーラインを付しである全文訂
正明細書 １９発明の名称 液体金属イオン源 ２、特許請求の範囲 （１）イオン化すべきＵを溶融させ保持するリザーバ部
と；該リザーバ部から溶ｉＩ！Ｉ！ＪＬ！が供給される
針状先端部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を
形成するための手段と；を備えた液体金属イオン源にお
いて、 該リザーバ部の材料と該溶融■の材料が、互いに拡張濡
れを起こさない材料の組み合わせで構成されていること
を特徴とする液体金属イオン源。 （２）前記材料の組み合わせが、 Ｇａ、Ｓｉ。 Ｐ、 Ａｓ、 Ｂｅ、 Ｍｇ、 Ｓｅ、 Ｓｉ
、 Ｓｎ、 Ｇｅ。 ＺｎＬ倉旦二貫に対して、上記リザーバ部が Ｃ１炭１
ヒ物、窒化硼素、または酸化物系、窒化物系。 若しくは硼化物系のセラミックス、で構成されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液体金属イオン
源。 （３）前記材料の組み合わせが、Ｂ、Ａｌ三倉工ｍに対
して、上記リザーバ部が、窒化硼素、または酸化物系、
窒化物系、若しくは硼化物系のセラミックス、で構成さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液体
金属イオン源。 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は、液体金属イオン源に関し、特に長寿命で安定
なイオンビームを発生することの出来るイオン源に関す
る。 （従来の技術） 高輝度で微少径のイオンビームが得られる液体金属イオ
ン源は、マスクレスイオン注入、イオンビームエツチン
グ、微少面積の薄膜作成等、種々の微細加工技術への利
用が期待されている。 液体金属イオン源は、電解研潜法等によって高融点金属
の先端を半径数μｍの針状に成形し、表面を且放二厘で
濡らしてエミッタとし、その針状先端に高電界を印加す
ることにより１敗二厘をイオン化し、イオンビームを引
き出すものである。 第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、一般的な通電加熱
方法をとる液体金属イオン源の各構成を示したものであ
る。ａは最も単純な構成のヘアピン型イオン源であり、
ヒーターを兼ねる支持部２４に通電加熱して立！を溶融
し、エミッタ２１０針状先端に高電界を印加して溶融■
２２をイオン化し、イオンビームを引き出すものである
。このヘアピン型イオン源の欠点は、溶融血厘２２を小
量しか溜められないことである。 その改良策として、ｂのコイル型イオン源、Ｃのシート
型イオン源が現れている。（符号はａに対応）。血Ｉの
溜め場所であるコイル部またはシート部２３を大きくす
ることによって、多量の溶融ゴ２２を収容し寿命を長く
することが出来る。 しかし、ａ＋ｋ）＋Ｃの共通の欠点として、溶融Ｒ１２
２が広い面積で外界に露出しているため、露出部から蒸
発した■が引き出し電極や絶縁碍子等に付着し、汚染や
絶縁破壊を引き起こす難点がある。 この問題解決のため第２図ｄのリザーバ型イオン源が考
えられたく符号はａに対応）。 第１図にその詳細を示す。セラミックス製の絶縁碍子１
に、イオン源を固定する２本のコバール製ステム２，２
”を銀ロウ、金属ガラス等で溶着し、そのステム２，２
′に一端をスポット溶接された、Ｗ、’［’ａ、Ｍｏ等
の高融点金属細線からなるヒーター３，３′の他端には
、前記ヒーター同様の高融点金属材料からなるリザーバ
支持板兼ヒーター４，４′がスポット溶接されている。 リザーバ支持板兼ヒーター４，４′はリザーバを巻回し
た上で互いを溶接しである。リザーバ５の底部には細孔
６、上部には細孔７が間けられていて、これら細孔を、
先端の半径を１〜１０μｍ、頂角を３０〜６０度に機械
研廖した針状陽極８が貫通している。針状陽極８の上部
の、細孔７から上に突き出た部分は、高融点金属材料の
固定部材９を使って矢張り溶接でステム２に固定されて
いる。 図示しないが、ステム２，２′には、加速電源の電圧に
フロートした加熱電源が接続されており、ヒーター３，
３′、リザーバ支持板兼ヒーター４゜４′を加熱し、リ
ザーバＳ内のｕｌ ０を溶融させている。またイオン引
き出し電極１１はイオン引き出し電源に接続され、針状
陽極８とイオン引き出し電極１１の間には５〜１０ｋＶ
の電圧が印加され、針状陽極８の先端部にイオンが電界
放出可能な強電界が形成される。 なお、これらとア
ース電位の間には、使用目的に応じて、数ｋＶ〜２００
ｋＶのイオン加速電圧が印加されている。 上記のようなリザーバ型液体金属イオン源では、太きい
リザーバを設けることによって、溶融嵐亘を多量に溜め
ることが出来るため長寿命である。 かつ、露出部分が少ないため蒸発を抑え、雰囲気の汚染
を防止することが出来る。 しかし、このリザーバ型液体金属イオン源にも問題が残
されており、溶融■に対するリザーバ部の材料の選択は
、イオン源の寿命に強い影響を及ぼす。材料の選択で問
題になるのは、（１）材料相互の「濡れｊ性、及び （２）材料相互の「化学反応」、である。 先ず「濡れ」の問題であるが、これを針状陽極８がＷ、
溶融■がＧａ、リザーバ５がＴａ、リザーバ支持板兼ヒ
ーター４，４′がＷ、という材料の組み合わせの場合を
例にとって述べると、リザーバＳ内のＧａを溶融して後
、ある程度時間が経つと、液体Ｇａとリザーバ５のＴａ
との濡れ性が良いため、細孔６を出たＧａがリザーバ５
の外側の表面を濡らし、その全面を覆い尽くすようにな
る。そして、極めて高温のリザーバ支持板兼ヒーター４
，４′にＧａが達すると、液体Ｇａがここで盛んに蒸発
し、雰囲気を害し、イオン源の寿命を短くする。 この問題の解決のため、例えば、特開昭５８−３８９０
５の発明では、リザーバ支持板兼ヒーター４． ４’に
セラミックス製の塊り４０を付けて、Ｇａの濡れの進行
をそこで食い止めている。しかし、この発明の場合も、
リザーバ外側の表面の濡れは依然残されており、根本的
な解決にはなっていない。 次ぎに「化学反応」の問題について、活性の強いＵであ
るＡｔイオン源にて、針状陽極がＭｏ、溶融■がＡｌ、
リザーバがＴａ、 リザーバ支持板兼ヒーターがＷ、
の場合を例にとって述べると、ＴａとＭｏが容易にＡ１
と反応するため、イオンビームにはＡｌのほかにＴａ、
Ｍｏのイオンが不純物として含まれるようになる。また
これらの不純物は溶融Ａｔよりも融点かや＼高いため溶
融し難く、そのため先端部にその塊りが流れて来て、イ
オンビームを不安定にしたり、停止させたりする不都合
を生む。しかも、Ａｌは、Ｔａ、Ｍｏとよく濡れもする
ため、Ａｌはリザーバの外側面を濡らし、リザーバ支持
板兼ヒーターやヒーターにも広がり、やがてＷと反応し
てこれを断線させるという決定的な不都合を生ずる。 反応性の強い■としてはＡｔのほかにＢが挙げられ、例
えば特開昭５ｉ８−１３７９４１の明細書はＰｔ−８合
金イオン源にリザーバ材料としてｐｔを用いたものを述
べている。このときは溶融■にｐｔが「不純物」として
混入する気使いはなくなるが、リザーバのｐｔが合金に
微量でも溶は込むと、局部的に溶融登１の組成比が変わ
って融点が上昇し、イオンビームを不安定にしたり、停
止させたりする。さらにこの場合も、溶融■のＢとリザ
ーバのｐｔの濡れ性が良いため、溶融血！がリザーバの
外側面を濡らし、リザーバ支持板兼ヒーターやヒーター
にも広がり、前述の汚染や断線の不都合を生ずる。 前
記の特開昭５８−１３７９４１の発明は、その問題解決
のため、リザーバ支持板兼ヒータ一部にセラミックスコ
ーティングを施しているが、根本的な解決策と成り得な
いことは前述同様である。この方法は手間がかかるのも
問題である。 （発明の目的） 本発明は、上記の問題を解決し、長寿命で安定なイオン
ビームを発生することが出来るイオン源の提供を目的と
する。 （問題を解決するための手段） 本発明は、イオン化すべきＲｘを溶融させ保持するリザ
ーバ部と；該リザーバ部から溶融嵐Ｉが供給される針状
先端部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を形成
するための手段ど；を備えた液体金属イオン源において
、 該リザーバ部の材料と該溶融■の材料が、互いに拡張濡
れを起こさない材料の組み合わせで構成されている液体
金属イオン源によって前記目的を達成したものである。 （実施例） 以下、第１図を実施例として本発明を詳説する。 周知のように、濡れを評価する１つの方法に、溶融■と
リザーバ材料の接触角θがあり、θが０度の場合が最も
良く濡れる組み合わせとされる。 溶融Ａ１に対して濡れ難い材料のθの表を、第１表にま
とめてみた。これらの材料ではθはすべて９０度以上で
あって、充分に大きい値であり、）需れ難いことがわか
る。 （第１表） （例１） 第１図の構成のイオン源で針状陽極８にＷ、リザーバ５
に導電性材料のＣ１溶融笠！に低融点材料のＧａを用い
た。Ｃは溶融Ｇａと濡れ性が悪く、且反応性も低いため
、リザーバ５の外側表面は溶融Ｇａで濡れることがなく
、３００時間以上の長時間に亙って安定したイオンビー
ムを得ることが出来た。 第３図にこの液体金属イオン源からのイオンの質量スペ
クトル図の１例を示す。ＣやＷ等の不純物のピークは現
れていない。 （例２） 前述の（例１）で、リザーバ５のＣを絶縁物の窒化シリ
コン Ｓｉ３Ｎ４で置換した場合も、前記同様の好成績
を得た。窒化シリコンと溶融Ｇａの濡れ性も悪く、反応
性もまた悪いためである。 （例３） 反応性の強い例として、Ａｌを溶融■とし、針状陽極８
に、高電気抵抗のボロンナイトライド（ＰＢＮ）、’）
Ｖ−バ５に、ホウ化ジルコニュウム ＺｒＢ２を用いた
。 該材料の反応性は低く且つ濡れ性が悪いため、リザ
ーバの外側表面が溶融Ａｔで濡れることがなく、このと
きも３００時間以上の長期間、安定なイオンビームが得
られた。 第４図にその液体金属イオン源の質量スペクトルの図の
１例を示すが、針状陽極材料やリザーバ部材料の溶出に
よるピークは観測されない。 Ａｔ、Ｇａに対しては、上記のほか第１表に示す他のリ
ザーバ部材料で上記同様の好成績を得ている。 上述の実施例では、Ａ１、Ｇａを用いて説明したが、本
発明の溶融生！は他の材料たとえば、上述のリザーバ材
料と濡れ難い笠Ｉ（例えば、ＡｕＳｉ、ＮｉＢ等）でも
同じである。 そしてまた、溶融曳！とリザーバの材
料の組合わせは、広く、濡れ性が悪く、反応性の悪いも
の全般に適用して顕著な効果をあられす。 なお、反応性と濡れ性の間には非常に強い相関関係があ
り、一般に反応するものの組合わせは、必ず良く濡れる
組合わせになっている。従って、両者を「濡れ」だけで
代表させることが出来る。 好結果が得られる材料の組み合わせを列挙すると、Ｇａ
、 Ｓｉ、 Ｐ、Ａｓ、 Ｂｅ、Ｍｇ、 Ｓｅ
。 Ｓ ｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｚｎ ” ””扛亘に対して、
リザーバ部が Ｃ１炭化物、窒化硼素、または酸化物系
、窒化物系、若しくは硼化物系のセラミックスがそれに
当り。 またＢ、Ａｔ支１血亙亘遺Ｉに対して、リザーバ部を、
窒化硼素、または酸化物系、窒化物系。 若しくは硼化物系のセラミックス、で構成する組合わせ
がそれに当たる。 （発明の効果） 本発明の液体金属イオン源は、長寿命で安定なイオンビ
ームを発生することが出来るイオン源を提供する効果が
ある。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、本発明の液体金属イオン源を説明するための
金属イオン源の概略断面図。 第２図ａ、 ｂ、 ｃ、 ｄは、従来の種々の液体
金属イオン源の概略断面図。 第３，４図は、本発明の液体金属イオン源のイオンの質
量スペクトルの図。
Claims (3)
- （１）イオン化すべき金属を溶融させ保持するリザーバ
部と；該リザーバ部から溶融金属が供給される針状先端
部を持つ針状陽極と；該針状先端部に強電界を形成する
ための手段と；を備えた液体金属イオン源において、 該リザーバ部の材料と該溶融金属の材料が、互いに拡張
濡れを起こさない材料の組み合わせで構成されているこ
とを特徴とする液体金属イオン源。 - （２）前記材料の組み合わせが、Ｇａ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ
、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｚｎの単一金
属または合金の溶融金属に対して、上記リザーバ部がＣ
、炭化物、窒化硼素、または酸化物系、窒化物系、若し
くは硼化物系のセラミックス、で構成されたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の液体金属イオン源。 - （３）前記材料の組み合わせが、Ｂ、Ａｌの単一金属ま
たは合金の溶融金属に対して、上記リザーバ部が、窒化
硼素、または酸化物系、窒化物系、若しくは硼化物系の
セラミックス、で構成されたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の液体金属イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113986A JPS6329432A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 液体金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113986A JPS6329432A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 液体金属イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329432A true JPS6329432A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15917707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17113986A Pending JPS6329432A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 液体金属イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108237A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 液体金属イオン源 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838905A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子用色分解フイルタ |
| JPS60249234A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 液体イオン源 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP17113986A patent/JPS6329432A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838905A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子用色分解フイルタ |
| JPS60249234A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 液体イオン源 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108237A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 液体金属イオン源 |
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