JPS6329230Y2 - - Google Patents
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- JPS6329230Y2 JPS6329230Y2 JP7967482U JP7967482U JPS6329230Y2 JP S6329230 Y2 JPS6329230 Y2 JP S6329230Y2 JP 7967482 U JP7967482 U JP 7967482U JP 7967482 U JP7967482 U JP 7967482U JP S6329230 Y2 JPS6329230 Y2 JP S6329230Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、走査型電子顕微鏡等に供される試
料に蒸着を施す蒸着装置に関する。[Detailed Description of the Invention] This invention relates to a vapor deposition apparatus that performs vapor deposition on a sample to be subjected to a scanning electron microscope or the like.
一般に、走査型電子顕微鏡やエレクトロン・プ
ローブ・マイクロアナライザー等で試料を分析す
る場合、この分析試料は、
(1) 導電性をもたせる
(2) ２次電子の発生効率をよくする
(3) 微細構造のコントラスを上げるためのシヤド
ーイング
(4) 電子線照射とそれによる熱からの保護
などの目的で種々の物質（Be，Ｃ，Al，Cr，
Pd，Au，Ptなど）によつて蒸着される場合があ
る。 In general, when analyzing a sample using a scanning electron microscope, electron probe microanalyzer, etc., the analysis sample must have (1) electrical conductivity, (2) improved secondary electron generation efficiency, and (3) fine structure. Shadowing to increase the contrast (4) Various materials (Be, C, Al, Cr,
Pd, Au, Pt, etc.) may be deposited.
この蒸着装置には、従来、不活性ガス（例えば
アルゴンガス）を封入した容器内に陽電極と陰電
極とを設け、この陰電極に試料を設けると共に、
この試料に対峙して蒸着物質を設けて構成され、
この両電極間に電圧をかける一方、蒸着物質を加
熱すると、アルゴンがイオン化されてその陽イオ
ンが陰電極に向つて移動して衝突すると同時に、
蒸着物質が原子状態で飛び出し、前記陽イオンと
共に移動し、試料に照射されるようになつてい
る。 Conventionally, this vapor deposition apparatus is provided with a positive electrode and a negative electrode in a container filled with an inert gas (for example, argon gas), and a sample is provided on the negative electrode.
It is configured by providing a vapor deposited substance facing this sample,
When a voltage is applied between these two electrodes and the vapor deposition material is heated, the argon is ionized and the positive ions move toward the negative electrode and collide with each other.
The vapor-deposited substance flies out in an atomic state, moves together with the positive ions, and is irradiated onto the sample.
この蒸着装置において、アルゴンの陽イオンは
移動中にイオン化されていないアルゴン原子に衝
突して散乱し、試料に達することになる。従つ
て、試料の表面が微細な凹凸状になつていても、
蒸着物質は種々の方向より試料に照射されること
になり、凸部のみに付着することがなく、所謂回
り込みが良くなるように構成されている。 In this vapor deposition apparatus, argon cations collide with non-ionized argon atoms during movement, are scattered, and reach the sample. Therefore, even if the surface of the sample is minutely uneven,
The evaporation material is irradiated onto the sample from various directions, and is configured to prevent it from adhering only to the convex portions, and to improve the so-called wraparound.
しかしながら、上述のようにアルゴンの陽イオ
ンがイオン化されていないアルゴン原子に衝突し
て散乱するのみでは蒸着物質を試料表面に完全に
付着させることができない場合があつた。そこ
で、さらに回り込みの良い新たな蒸着装置の出現
が望まれている。 However, as described above, there have been cases in which it has not been possible to completely adhere the vapor deposited substance to the sample surface simply by the argon cations colliding with non-ionized argon atoms and scattering. Therefore, there is a desire for the emergence of a new vapor deposition apparatus with even better wraparound.
この考案は、かかる点に鑑みてなされたもの
で、試料の近傍に回転磁界発生手段を設け、この
回転磁界によつて蒸着物質を任意の方向に偏向さ
せることにより、蒸着物質が試料の表面全体に亘
つて完全に付着されるようにした蒸着装置を提供
するものである。 This idea was made in view of this point, and by providing a rotating magnetic field generating means near the sample and deflecting the vapor deposited material in an arbitrary direction by this rotating magnetic field, the vapor deposited material spreads over the entire surface of the sample. The purpose of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus that allows complete deposition over the entire range.
以下、図面に示す実施例に基づいてこの考案を
詳細に説明する。 This invention will be described in detail below based on embodiments shown in the drawings.
第１図に示すように、１は蒸着装置であつて、
走査型電子顕微鏡やエレクトロン・プローブ・マ
イクロアナライザー等で分析される試料２に蒸着
物質３を蒸着するものである。 As shown in FIG. 1, 1 is a vapor deposition apparatus,
A deposition substance 3 is deposited on a sample 2 to be analyzed using a scanning electron microscope, an electron probe microanalyzer, or the like.
４は蒸着装置１の容器であつて、例えばガラス
製で形成されており、図示しないが、真空ポンプ
に接続され、真空可能に構成されている。 Reference numeral 4 denotes a container of the vapor deposition apparatus 1, which is made of glass, for example, and is connected to a vacuum pump (not shown) so that it can be evacuated.
この容器４の内部には、陽極と陰極とよりなる
一対の電極５ａ及び５ｂ、試料２及び蒸着物質３
が設けられている。この両電極５ａ，５ｂは上下
方向に相対面して設けられ、陽電極５ａが上部に
陰電極５ｂが下部に位置し、電源６及びスイツチ
７を介して接続され、両電極５ａ，５ｂ間に数百
ボルト乃至３キロボルトの電圧が作用するように
なつている。そして陰電極５ｂ上に試料２が載置
されている。 Inside this container 4, there are a pair of electrodes 5a and 5b consisting of an anode and a cathode, a sample 2, and a vapor deposition material 3.
is provided. Both electrodes 5a and 5b are provided facing each other in the vertical direction, with the positive electrode 5a located at the top and the negative electrode 5b located at the bottom, connected via a power source 6 and a switch 7, and between the two electrodes 5a and 5b. Voltages ranging from several hundred volts to 3 kilovolts are applied. The sample 2 is placed on the negative electrode 5b.
蒸着物質３は、試料２と対向する位置に設けら
れたヒータ（巻線）８に巻回されている。このヒ
ータ８は電源９及びスイツチ１０に接続されてお
り、蒸着物質３を加熱して溶かし、原子状態で容
器４内に飛ばすように構成されている。 The vapor deposition substance 3 is wound around a heater (winding wire) 8 provided at a position facing the sample 2 . This heater 8 is connected to a power source 9 and a switch 10, and is configured to heat and melt the vapor deposition material 3 and spray it in an atomic state into the container 4.
また、容器４には、アルゴンガス（不活性ガ
ス）を導入するパイプ１１が接続されており、パ
イプ１１のノズル１１ａが容器４内に臨み、容器
４内にアルゴンガスが封入されるようになつてい
る。このアルゴンガスは約10-3Torr封入され、
両電極５ａ，５ｂ間に電圧が作用すると、アルゴ
ン原子Arがイオン化され、陽イオンAr+が陰電
極５ｂに向つて移動することになる。 Further, a pipe 11 for introducing argon gas (inert gas) is connected to the container 4, and a nozzle 11a of the pipe 11 faces into the container 4, so that argon gas is sealed in the container 4. ing. This argon gas is sealed at approximately 10 -3 Torr,
When a voltage is applied between both electrodes 5a and 5b, argon atoms Ar are ionized, and positive ions Ar + move toward negative electrode 5b.
更にまた、前記陰電極５ｂには回転磁界発生手
段１２が試料２の近傍に設けられている。この回
転磁界発生手段１２は、試料２の外方において周
回状に固定子１２ａが設けられ、この固定子１２
ａが多極多相巻線に構成されて回転磁界を生じる
ようになつている。この回転磁界の作用によつて
アルゴンの陽イオンAr+はフレミングの左手の法
則に基づいて力を受けて偏向することになつてい
る。尚、上記回転磁界の回転数には、
ｎ＝120／Ｐ
である（：電源周波数、Ｐ：極数）。 Furthermore, a rotating magnetic field generating means 12 is provided near the sample 2 on the negative electrode 5b. This rotating magnetic field generating means 12 has a stator 12a provided in a circumferential manner outside the sample 2, and this stator 12a.
A is configured as a multi-pole multi-phase winding to generate a rotating magnetic field. Due to the action of this rotating magnetic field, the argon cations Ar + are deflected by a force based on Fleming's left-hand rule. The rotational speed of the rotating magnetic field is n=120/P (: power supply frequency, P: number of poles).
次に、蒸着作用について説明する。Next, the vapor deposition action will be described.
先ず、容器４内の真空度を落すと共に、ノズル
１１ａよりアルゴンガスを容器４内に導入する。
続いて、スイツチ７を投入して両電極５ａ，５ｂ
間に電圧をかける。この際、試料２側の電極５ｂ
を陰極とすると、グロー放電が生じ、アルゴン原
子Arがイオン化され、その陽イオンAr+が陰電
極５ｂに衝突し、試料２に当ることになる。 First, the degree of vacuum in the container 4 is lowered, and argon gas is introduced into the container 4 through the nozzle 11a.
Then, switch 7 is turned on to connect both electrodes 5a and 5b.
Apply voltage between them. At this time, the electrode 5b on the sample 2 side
When is used as a cathode, a glow discharge occurs, argon atoms Ar are ionized, and the positive ions Ar + collide with the cathode 5b and hit the sample 2.
一方、電極５ａ，５ｂ間に電圧をかけると共
に、スイツチ１０を投入し、ヒータ８を加熱させ
る。この加熱によつて蒸着物質３が蒸発し、原子
状態で容器４内に飛び外すことになる。この蒸着
物質３は前記アルゴンの陽イオンAr+の流れと共
に陰電極５ｂに移動し、試料２に照射されること
になる。 On the other hand, a voltage is applied between the electrodes 5a and 5b, and the switch 10 is turned on to heat the heater 8. This heating evaporates the vapor deposition substance 3 and causes it to fly into the container 4 in an atomic state. This vapor deposited substance 3 moves to the negative electrode 5b along with the flow of the argon cation Ar + and is irradiated onto the sample 2 .
この移動途中において、陽イオンAr+はイオン
化されていないアルゴン原子Arに衝突し、散乱
することになるので、蒸着物質３は試料２に種々
の方向より照射されることになる。 During this movement, the positive ions Ar + collide with non-ionized argon atoms Ar and are scattered, so that the sample 2 is irradiated with the vapor deposition material 3 from various directions.
次に、この蒸着物質３を試料２の表面細部にま
でより完全に照射させるために回転磁界発生手段
１２を作動させる。この回転磁界発生手段１２を
作用させると、第２図−ａ，ｂ，ｃ，ｄに示す
ように、Ｓ−Ｎ極が時間と共に回転移動すること
になる。この移動に伴つて第２図に示すよう
に、アルゴンの陽イオンAr+はフレミングの左手
の法則に従つて偏向され蒸着物質３も偏向を受け
て試料２に照射される。つまり、蒸着物質３は、
第２図ａにおいて矢符Ａ方向に、ｂにおいて矢符
Ｂ方向に、ｃにおいて矢符Ｃ方向に、ｄにおいて
矢符Ｄ方向にそれぞれ偏向され、試料２に任意の
方向から全体に亘つて照射されることになる。 Next, the rotating magnetic field generating means 12 is activated in order to more completely irradiate the deposited substance 3 to the details of the surface of the sample 2. When this rotating magnetic field generating means 12 is activated, the S-N pole rotates over time as shown in FIGS. 2-a, b, c, and d. As shown in FIG. 2, along with this movement, the argon cations Ar + are deflected according to Fleming's left-hand rule, and the vapor deposition material 3 is also deflected and irradiated onto the sample 2 . In other words, the vapor deposition substance 3 is
The beam is deflected in the direction of arrow A in a of FIG. will be done.
尚、この実施例において、回転磁界発生手段１
２は周回方向の固定子１２ａで構成したが、これ
に限定されるものではなく、また、不活性ガスも
アルゴンガスに限定されるものではない。更に、
蒸着物質３はヒータ８の近傍に設けるようにして
もよい。 In this embodiment, the rotating magnetic field generating means 1
2 is constituted by the stator 12a in the circumferential direction, but the invention is not limited to this, and the inert gas is not limited to argon gas either. Furthermore,
The vapor deposition substance 3 may be provided near the heater 8.
更にまた、この考案は、イオンスパツタリング
装置にも適用することができ、つまり、陽極に試
料と回転磁界発生手段を設け、陰極に設けられた
蒸着物質にグロー放電を利用してアルゴンの陽イ
オンAr+を衝突させ、その蒸着物質を飛ばして試
料に照射させるように構成すると、陽イオンAr+
を回転させることができる。 Furthermore, this invention can also be applied to an ion sputtering device, in other words, the anode is provided with a sample and a rotating magnetic field generating means, and the vapor deposited material provided on the cathode is irradiated with argon using glow discharge. By colliding Ar + ions and irradiating the sample with the evaporated material flying off, the cation Ar +
can be rotated.
また、この考案は、イオンガンやグロー放電に
よる試料のエツチングにも適用することができ、
つまり、試料の近傍に回転磁界発生手段を設ける
ことにより、試料表面全体に亘つて平均的なイオ
ンエツチングを行うことができる。 This invention can also be applied to sample etching using an ion gun or glow discharge.
That is, by providing the rotating magnetic field generating means near the sample, it is possible to perform ion etching evenly over the entire surface of the sample.
以上のようにこの考案によれば、陽極と陰極と
よりなる一対の電極の一方に試料を設けると共
に、この試料と対向位置に蒸着物質を設け、さら
に試料の近傍に回転磁界発生手段を設け、この回
転磁界発生手段により生じる回転磁界でもつて蒸
着物質が偏向して試料に照射されるようにしたた
めに、蒸着物質が試料表面に任意の方向から全体
に亘つて照射されるので、試料表面の凹凸部の細
部にまで確実に蒸着物質が付着し、所謂回り込み
がより良好となる。 As described above, according to this invention, a sample is provided on one of a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, a vapor deposition substance is provided at a position facing the sample, and a rotating magnetic field generating means is provided near the sample. Because the rotating magnetic field generated by this rotating magnetic field generating means deflects the vapor deposited material and irradiates the sample, the vapor deposited material is irradiated over the entire surface of the sample from any direction. The vapor deposition substance is reliably attached to even the smallest details, and the so-called wrapping becomes better.
更に、従来、回り込みをよくするために試料を
回転傾斜させていたジンバル機構が不要となり、
構造が簡略化される。 Furthermore, the gimbal mechanism that traditionally rotates and tilts the sample to improve wraparound is no longer necessary.
The structure is simplified.
また、試料ではなくイオンを偏向させるので、
高速回転を容易に行えるので、蒸着作業を迅速に
行うことができる。 Also, since the ions are deflected rather than the sample,
Since high-speed rotation can be easily performed, vapor deposition work can be performed quickly.
図面はこの考案の一実施例を示すものであり、
第１図は蒸着装置の概略構成図、第２図，−
ａ，ｂ，ｃ，ｄは回転磁界発生手段の作動状態図
及びイオンの偏向を示す説明図である。
１：蒸着装置、２：試料、３：蒸着物質、４：
容器、５ａ，５ｂ：電極、６，９：電源、７，１
０：スイツチ、８：ヒータ、１１：パイプ、１１
ａ：ノズル、１２：回転磁界発生手段、１２ａ：
固定子。
The drawing shows an example of this invention.
Figure 1 is a schematic configuration diagram of the vapor deposition apparatus, Figure 2, -
a, b, c, and d are explanatory diagrams showing operating state diagrams of the rotating magnetic field generating means and deflection of ions; 1: Vapor deposition device, 2: Sample, 3: Vapor deposition substance, 4:
Container, 5a, 5b: Electrode, 6, 9: Power supply, 7, 1
0: Switch, 8: Heater, 11: Pipe, 11
a: nozzle, 12: rotating magnetic field generating means, 12a:
stator.
Claims (1)
この両電極の何れか一方に試料が設けられると共
に、この試料と対向位置に蒸着物質が設けられ、
さらに前記試料の近傍に回転磁界発生手段が設け
られ、この回転磁界発生手段の回転磁界によつて
前記蒸着物質が偏向を受けて試料に照射されるこ
とを特徴とする蒸着装置。 A pair of electrodes consisting of an anode and a cathode are provided,
A sample is provided on either one of these electrodes, and a vapor deposition substance is provided at a position facing the sample,
The vapor deposition apparatus further comprises a rotating magnetic field generating means provided near the sample, and the vapor deposition substance is deflected by the rotating magnetic field of the rotating magnetic field generating means and irradiated onto the sample.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7967482U JPS58182140U (en) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | Vapor deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7967482U JPS58182140U (en) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | Vapor deposition equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182140U JPS58182140U (en) | 1983-12-05 |
| JPS6329230Y2 true JPS6329230Y2 (en) | 1988-08-05 |
Family
ID=30088852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7967482U Granted JPS58182140U (en) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | Vapor deposition equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182140U (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216425A (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsui Chemical Analysis & Consulting Service Inc | Foreign matter analytical sample, and foreign matter analytical method |
-
1982
- 1982-05-29 JP JP7967482U patent/JPS58182140U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58182140U (en) | 1983-12-05 |
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