JP2003068244A - Extraction electrode block for ion implantation system, and the ion implantation system - Google Patents
Extraction electrode block for ion implantation system, and the ion implantation systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン源で生成さ
れたイオンを引き出すための引出電極系およびイオン注
入装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an extraction electrode system and an ion implantation apparatus for extracting ions generated by an ion source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】イオン注入装置は、イオンビーム発生部
で発生したイオンビームをシリコンウェハに照射してイ
オン注入を行う。一般にイオンビーム発生部は、所望の
元素（分子）をイオン化させるイオン源と、このイオン
源で生成されたイオンを引き出す引出電極とを有してい
る。2. Description of the Related Art An ion implantation apparatus irradiates a silicon wafer with an ion beam generated by an ion beam generator to perform ion implantation. Generally, the ion beam generator has an ion source for ionizing a desired element (molecule) and an extraction electrode for extracting ions generated by this ion source.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
イオン注入装置においては、引出電極によりイオンビー
ムが引き出される際に、イオンビームが所望の方向に対
して曲がってしまい、イオンビームの進行方向がずれる
ことがあった。このため、イオンビームがウェハに到達
するまでの間に、ビームライン上に設けられた電極等に
イオンビームの一部が当たってしまい、その結果イオン
ビームが効率良くウェハに打ち込まれないという不具合
が生じていた。However, in the conventional ion implantation apparatus, when the ion beam is extracted by the extraction electrode, the ion beam bends in a desired direction, and the traveling direction of the ion beam shifts. There was an occasion. Therefore, a part of the ion beam hits the electrodes and the like provided on the beam line before the ion beam reaches the wafer, and as a result, the ion beam cannot be efficiently hit on the wafer. It was happening.
【０００４】本発明の目的は、イオンビームを所望の方
向に引き出すことができるイオン注入装置の引出電極系
およびイオン注入装置を提供することである。It is an object of the present invention to provide an extraction electrode system of an ion implanter and an ion implanter which can extract an ion beam in a desired direction.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を重ねたところ、イオン源によるイオンの生成を促進す
べくイオン源の周囲にはソースマグネットが配置されて
いるが、引出電極によりイオンビームが引き出されると
きに、そのソースマグネットの磁場の影響によってイオ
ンビームが曲げられてしまうことを見出し、本発明を完
成させるに至った。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made extensive studies and found that a source magnet is arranged around the ion source in order to promote the generation of ions by the ion source. It was found that when the ion beam is extracted, the ion beam is bent due to the influence of the magnetic field of the source magnet, and the present invention has been completed.
【０００６】すなわち、本発明は、イオン注入装置のイ
オンビーム発生用チャンバ内に設けられ、イオン源で生
成されたイオンを引き出してイオンビームを発生させる
引出電極を備えた引出電極系であって、引出電極は、イ
オンビームを通すためのスリットを有する電極本体と、
電極本体を囲むように構成されていると共にチャンバに
固定される磁性体製の取付プレートとを有することを特
徴とするものである。That is, the present invention is an extraction electrode system provided with an extraction electrode provided in an ion beam generating chamber of an ion implantation apparatus for extracting ions generated by an ion source to generate an ion beam, The extraction electrode is an electrode body having a slit for passing an ion beam,
And a mounting plate made of a magnetic material that is configured to surround the electrode body and is fixed to the chamber.
【０００７】このように引出電極の取付プレートを磁性
体で形成することにより、ソースマグネットから出る磁
力線は、磁性体である取付プレート側に寄るようになる
ため、イオンビームの通り道であるスリット内への磁場
の浸透が低減される。このため、引出電極によりイオン
ビームが引き出される際に、イオンビームがソースマグ
ネットの磁場の影響をほとんど受けなくなり、イオンビ
ームは所望の方向に引き出されるようになる。これによ
り、イオンビームの進行方向のずれが低減されるため、
イオンビームのロスが抑えられ、イオンビームが効率良
く基板に打ち込まれる。By forming the attachment plate of the extraction electrode with a magnetic material as described above, the magnetic field lines emitted from the source magnet come closer to the attachment plate side, which is a magnetic material, so that it enters the slit which is the path of the ion beam. The penetration of the magnetic field is reduced. Therefore, when the ion beam is extracted by the extraction electrode, the ion beam is hardly affected by the magnetic field of the source magnet, and the ion beam is extracted in a desired direction. This reduces the deviation in the direction of travel of the ion beam,
The loss of the ion beam is suppressed, and the ion beam is efficiently shot into the substrate.
【０００８】好ましくは、取付プレートは、磁性を有す
るステンレス鋼または表面に耐腐食性のコーティングを
施した鉄で形成されている。これにより、耐腐食性に優
れた取付プレートを得ることができる。Preferably, the mounting plate is made of magnetic stainless steel or iron with a corrosion resistant coating on its surface. This makes it possible to obtain a mounting plate having excellent corrosion resistance.
【０００９】また、好ましくは、電極本体は、グラファ
イト、カーボン、タングステンのいずれかで形成されて
いる。これにより、耐熱性の高い電極本体を得ることが
できる。Preferably, the electrode body is made of graphite, carbon or tungsten. This makes it possible to obtain an electrode body having high heat resistance.
【００１０】また、電極本体は、磁性体で形成されてい
てもよい。これにより、イオンビームに対するソースマ
グネットの磁場の影響を更に低減できる。The electrode body may be made of a magnetic material. This can further reduce the influence of the magnetic field of the source magnet on the ion beam.
【００１１】また、本発明は、イオン注入装置のイオン
ビーム発生用チャンバ内に設けられ、イオン源で生成さ
れたイオンを引き出してイオンビームを発生させる引出
電極を備えた引出電極系であって、引出電極は、イオン
ビームを通すためのスリットを有する磁性体製の電極本
体と、電極本体を囲むように構成されていると共にチャ
ンバに固定される取付プレートとを有することを特徴と
するものである。The present invention also relates to an extraction electrode system provided in an ion beam generating chamber of an ion implantation apparatus, and having an extraction electrode for extracting ions generated by an ion source to generate an ion beam, The extraction electrode is characterized by having an electrode body made of a magnetic material having a slit for passing an ion beam, and a mounting plate configured to surround the electrode body and fixed to the chamber. .
【００１２】このように引出電極の電極本体を磁性体で
形成することにより、ソースマグネットから出る磁力線
は、磁性体である電極本体側に寄るようになるため、イ
オンビームの通り道であるスリット内への磁場の浸透が
低減される。このため、引出電極によりイオンビームが
引き出される際に、イオンビームがソースマグネットの
磁場の影響をほとんど受けなくなり、イオンビームは所
望の方向に引き出されるようになる。これにより、イオ
ンビームの進行方向のずれが低減されるため、イオンビ
ームのロスが抑えられ、イオンビームが効率良く基板に
打ち込まれる。By forming the electrode main body of the extraction electrode with a magnetic material in this way, the magnetic field lines emitted from the source magnet come closer to the electrode main body side, which is a magnetic material, so that it enters the slit which is the path of the ion beam. The penetration of the magnetic field is reduced. Therefore, when the ion beam is extracted by the extraction electrode, the ion beam is hardly affected by the magnetic field of the source magnet, and the ion beam is extracted in a desired direction. As a result, the deviation of the traveling direction of the ion beam is reduced, so that the loss of the ion beam is suppressed and the ion beam is efficiently implanted into the substrate.
【００１３】また、好ましくは、引出電極は、互いに対
向配置された主電極および接地電極からなり、主電極お
よび接地電極の各々が電極本体と取付プレートとを有し
ている。これにより、ソースマグネットから出る磁力線
が主電極および接地電極の双方に達した場合であって
も、各電極のスリットを磁力線が避けるように通り、各
スリット内への磁場の浸透が低減される。従って、引出
電極を主電極および接地電極で構成した場合でも、イオ
ンビームを確実に所望の方向に引き出すことができる。Further, preferably, the extraction electrode is composed of a main electrode and a ground electrode which are arranged to face each other, and each of the main electrode and the ground electrode has an electrode body and a mounting plate. As a result, even when the magnetic force lines emitted from the source magnet reach both the main electrode and the ground electrode, the magnetic force lines pass through the slits of each electrode so as to avoid the magnetic field lines from penetrating into each slit. Therefore, even when the extraction electrode is composed of the main electrode and the ground electrode, the ion beam can be reliably extracted in the desired direction.
【００１４】さらに、好ましくは、引出電極のイオン源
側とは反対側に引出電極と対向するように配置され、イ
オン源側に電子が向かうことを抑えるための磁性体製の
電子遮断部材を更に備える。このような電子遮断部材を
有する引出電極系において、ソースマグネットからの磁
力線が遮断部材の配置部位まで達した場合であっても、
磁力線は遮断部材側に寄り、イオンビームの照射経路を
避けるようになり、これによりイオンビームを確実に所
望の方向に引き出すことができる。Further preferably, an electron blocking member made of a magnetic material is disposed on the side of the extraction electrode opposite to the ion source side so as to face the extraction electrode, and further suppresses electrons from moving toward the ion source side. Prepare In the extraction electrode system having such an electron blocking member, even when the magnetic field lines from the source magnet reach the position where the blocking member is arranged,
The magnetic lines of force are closer to the blocking member side so as to avoid the irradiation path of the ion beam, whereby the ion beam can be reliably extracted in the desired direction.
【００１５】例えば、イオン源は水素イオンを生成す
る。この場合には、水素イオンを効率良く基板に打ち込
むことができる。For example, the ion source produces hydrogen ions. In this case, hydrogen ions can be efficiently implanted into the substrate.
【００１６】さらに、本発明は、イオンビーム発生用チ
ャンバ内に配置されたイオン源によりイオンを生成し、
イオンを引出電極により引き出してイオンビームを発生
させ、イオンビームを基板に照射してイオン注入を行う
イオン注入装置であって、引出電極は、イオンビームを
通すためのスリットを有する電極本体と、電極本体を囲
むように構成されていると共にチャンバに固定される磁
性体製の取付プレートとを有することを特徴とするもの
である。Further, according to the present invention, ions are generated by an ion source arranged in an ion beam generating chamber,
An ion implantation apparatus for extracting ions by an extraction electrode to generate an ion beam, irradiating the substrate with the ion beam to perform ion implantation, wherein the extraction electrode includes an electrode body having a slit for passing the ion beam and an electrode. And a mounting plate made of a magnetic material that is configured to surround the main body and is fixed to the chamber.
【００１７】このように取付プレートを磁性体で形成す
ることにより、上述したように、引出電極によりイオン
ビームが引き出される際に、イオンビームがソースマグ
ネットの磁場の影響をほとんど受けなくなり、イオンビ
ームは所望の方向に引き出されるようになる。このた
め、イオンビームが電極材料及び保護部材に当たりにく
くなり、それに伴い、部材の長寿命化、パーティクル汚
染の低減、真空ポンプの長寿命化がもたらされる。By thus forming the mounting plate of a magnetic material, as described above, when the ion beam is extracted by the extraction electrode, the ion beam is hardly affected by the magnetic field of the source magnet, and the ion beam is not generated. It will be pulled out in the desired direction. For this reason, the ion beam is less likely to hit the electrode material and the protection member, which leads to a longer life of the member, a reduction of particle contamination, and a longer life of the vacuum pump.
【００１８】また、本発明は、イオンビーム発生用チャ
ンバ内に配置されたイオン源によりイオンを生成し、イ
オンを引出電極により引き出してイオンビームを発生さ
せ、イオンビームを基板に照射してイオン注入を行うイ
オン注入装置であって、引出電極は、イオンビームを通
すためのスリットを有する磁性体製の電極本体と、電極
本体を囲むように構成されていると共にチャンバに固定
される取付プレートとを有する構成であってもよい。Further, according to the present invention, ions are generated by an ion source arranged in an ion beam generating chamber, the ions are extracted by extraction electrodes to generate an ion beam, and the substrate is irradiated with the ion beam to implant the ions. The extraction electrode comprises an electrode body made of a magnetic material having a slit for passing an ion beam, and an attachment plate that is configured to surround the electrode body and is fixed to the chamber. It may be configured to have.
【００１９】このように電極本体を磁性体で形成するこ
とにより、上述したように、引出電極によりイオンビー
ムが引き出される際に、イオンビームがソースマグネッ
トの磁場の影響をほとんど受けなくなり、イオンビーム
は所望の方向に引き出されるようになる。このため、イ
オンビームが電極材料及び保護部材に当たりにくくな
り、それに伴い、部材の長寿命化、パーティクル汚染の
低減、真空ポンプの長寿命化がもたらされる。By thus forming the electrode body with a magnetic material, as described above, when the ion beam is extracted by the extraction electrode, the ion beam is hardly affected by the magnetic field of the source magnet, and the ion beam is not generated. It will be pulled out in the desired direction. For this reason, the ion beam is less likely to hit the electrode material and the protection member, which leads to a longer life of the member, a reduction of particle contamination, and a longer life of the vacuum pump.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る引出電極系お
よびイオン注入装置の好適な実施形態について図面を参
照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the extraction electrode system and the ion implantation apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】図１は、本発明に係るイオン注入装置の一
実施形態を概略的に示す構成図である。同図において、
イオン注入装置１は、シリコンウェハＷに照射されるイ
オンビームＩＢを発生させるイオンビーム発生部２を有
している。このイオンビーム発生部２の拡大図を図２に
示す。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the ion implantation apparatus according to the present invention. In the figure,
The ion implantation apparatus 1 has an ion beam generator 2 that generates an ion beam IB with which a silicon wafer W is irradiated. An enlarged view of the ion beam generator 2 is shown in FIG.
【００２２】同図において、イオンビーム発生部２はソ
ースチャンバ３を有し、このソースチャンバ３内はター
ボポンプ４により所定の真空度に減圧されている。ソー
スチャンバ３内にはイオン源５が収容されている。この
イオン源５は、ガス供給源（図示せず）から送り込まれ
たドーピングガスを放電させてプラズマ状態を作り出
し、所望の元素（分子）をイオン化させる。イオン源５
の周囲には、プラズマ密度を高めてイオン化を促進させ
るためのソースマグネット６が配置されている。In FIG. 1, the ion beam generator 2 has a source chamber 3, and the inside of the source chamber 3 is decompressed to a predetermined degree of vacuum by a turbo pump 4. An ion source 5 is housed in the source chamber 3. The ion source 5 discharges a doping gas sent from a gas supply source (not shown) to create a plasma state and ionize a desired element (molecule). Ion source 5
A source magnet 6 for increasing the plasma density and promoting ionization is arranged around the.
【００２３】イオン源５の前面側には、イオン源５で生
成されたイオンを引き出すための引出電極系７が配置さ
れている。この引出電極系７は、図２及び図３に示すよ
うに、互いに対向配置された１対の引出電極８，９と、
引出電極９のイオン源５側とは反対側に、引出電極９と
対向するように配置された略リング状の電子遮断部材１
０とを有している。ここで、引出電極８は主電極とし、
引出電極９は接地電極としている。An extraction electrode system 7 for extracting ions generated by the ion source 5 is arranged on the front side of the ion source 5. As shown in FIGS. 2 and 3, the extraction electrode system 7 includes a pair of extraction electrodes 8 and 9 arranged to face each other,
A substantially ring-shaped electron blocking member 1 arranged on the side of the extraction electrode 9 opposite to the ion source 5 side so as to face the extraction electrode 9.
It has 0 and. Here, the extraction electrode 8 is the main electrode,
The extraction electrode 9 is a ground electrode.
【００２４】主電極８は、イオンビームＩＢを通すため
のスリット１２ａを有する電極本体１２と、この電極本
体１２を囲むように構成された円盤状の取付プレート１
３とを有している。電極本体１２にはイオンビームＩＢ
が当たることがあるため、電極本体１２の材質として
は、純度が高くかつ耐熱性を有する材質、例えばグラフ
ァイト、カーボン、タングステン等が好ましく使用され
る。また、取付プレート１３は磁性体で形成されてい
る。磁性体としては、磁性を有するステンレス鋼や、鉄
の表面に耐腐食性のコーティングを施したものを使用す
るのが好ましい。The main electrode 8 has an electrode body 12 having a slit 12a for passing the ion beam IB, and a disc-shaped mounting plate 1 configured to surround the electrode body 12.
3 and 3. The electrode body 12 has an ion beam IB
Therefore, as the material of the electrode body 12, a material having high purity and heat resistance, such as graphite, carbon, or tungsten, is preferably used. The mounting plate 13 is made of a magnetic material. As the magnetic material, it is preferable to use magnetic stainless steel or iron with a corrosion resistant coating on the surface.
【００２５】接地電極９は、イオンビームＩＢを通すた
めのスリット１４ａを有する電極本体１４と、この電極
本体１４を囲むように構成された円盤状の取付プレート
１５とを有している。電極本体１４の材質は電極本体１
２と同じグラファイト等であり、取付プレート１５の材
質は取付プレート１３と同じ磁性体である。The ground electrode 9 has an electrode body 14 having a slit 14a for passing the ion beam IB, and a disc-shaped mounting plate 15 arranged so as to surround the electrode body 14. The material of the electrode body 14 is the electrode body 1.
The same material as that of the mounting plate 15 is graphite, which is the same as that of No. 2, and the same material as that of the mounting plate 13.
【００２６】主電極８の取付プレート１３は、支持部材
１６ａを介してソースチャンバ３に固定されている。ま
た、接地電極９の取付プレート１５は、支持部材１６ｂ
を介してソースチャンバ３に固定されている。支持部材
１６ａ，１６ｂは、例えば電極本体１２，１４と同じグ
ラファイト等で形成されている。The mounting plate 13 of the main electrode 8 is fixed to the source chamber 3 via a supporting member 16a. Further, the mounting plate 15 of the ground electrode 9 has a support member 16b.
It is fixed to the source chamber 3 via. The support members 16a and 16b are made of, for example, the same graphite as that of the electrode bodies 12 and 14.
【００２７】ここで、引出電極８と電子遮断部材１０と
は、ネジ１１ａにより連結されている。また、引出電極
８は、ネジ１１ｂにより支持部材１６ａに固定され、引
出電極９は、ネジ１１ｂにより支持部材１６ｂに固定さ
れている。Here, the extraction electrode 8 and the electron blocking member 10 are connected by a screw 11a. The extraction electrode 8 is fixed to the support member 16a with a screw 11b, and the extraction electrode 9 is fixed to the support member 16b with a screw 11b.
【００２８】なお、スリット１２ａ，１４ａは、同じ径
としても良いし、異なる径としても良く、それはイオン
注入条件等に応じて決定する。また、電極本体１２，１
４の各々に、径の異なるスリットを２つ以上設け、イオ
ンビームＩＢの引き出し位置を切り換えてもよい。The slits 12a and 14a may have the same diameter or different diameters, which are determined according to ion implantation conditions and the like. Also, the electrode bodies 12, 1
It is also possible to provide two or more slits having different diameters in each of 4 and switch the extraction position of the ion beam IB.
【００２９】電子遮断部材１０は、引出電極８，９によ
りイオンビームＩＢが引き出されたときに、負イオンで
ある電子がイオン源５に向かうことを防止するために設
けたものであり、取付プレート１３，１５と同じ磁性体
で形成されている。電子がイオン源５に達すると、その
電子によってＸ線が発生してしまう可能性があるが、電
子遮断部材１０を設けることにより、そのような不具合
を回避できる。なお、上記の電子遮断部材１０は、構造
上などの点から略リング形状としたが、リング形状であ
っても勿論よい。The electron blocking member 10 is provided to prevent electrons, which are negative ions, from moving toward the ion source 5 when the ion beam IB is extracted by the extraction electrodes 8 and 9. It is made of the same magnetic material as 13, 15. When the electrons reach the ion source 5, X-rays may be generated by the electrons, but such a problem can be avoided by providing the electron blocking member 10. Although the electron blocking member 10 has a substantially ring shape in view of its structure, it may have a ring shape.
【００３０】このような構造を有する引出電極系７にお
いて、イオン源５と引出電極（主電極）８との間に所望
の電圧を印加すると、イオンが引き出されると共に加速
され、イオンビームＩＢが形成される。例えば、イオン
源５に＋１０ｋＶ、主電極８に−５ｋＶの電圧（接地電
極９は０ｋＶ）を印加すると、１０ｋｅＶのエネルギー
をもったイオンビームＩＢが引き出される。In the extraction electrode system 7 having such a structure, when a desired voltage is applied between the ion source 5 and the extraction electrode (main electrode) 8, the ions are extracted and accelerated to form the ion beam IB. To be done. For example, when a voltage of +10 kV is applied to the ion source 5 and a voltage of -5 kV is applied to the main electrode 8 (0 kV for the ground electrode 9), an ion beam IB having an energy of 10 keV is extracted.
【００３１】図１に戻り、上記のようなイオンビーム発
生部２で発生したイオンビームＩＢは、質量分析部１
７、質量分解部１８を介してイオン注入部１９に送ら
れ、このイオン注入部１９においてシリコンウェハＷに
イオン注入が行われる。Returning to FIG. 1, the ion beam IB generated by the ion beam generator 2 as described above is stored in the mass spectrometer 1
7. It is sent to the ion implantation part 19 via the mass decomposition part 18, and the silicon wafer W is ion-implanted in this ion implantation part 19.
【００３２】質量分析部１７は分析マグネットを有し、
磁界の強さを調整することで上記イオンビームＩＢから
所望のイオン種のみを取り出す。質量分解部１８は、イ
オンビームＩＢを通すためのスリットをもった複数のプ
レート２０及びシャッタ２１を有し、質量分析部１７か
らのイオンビームＩＢのうち必要とするイオンビームＩ
Ｂのみを通過させる。これらの質量分析部１７及び質量
分解部１８は、ハウジングないしチューブにより囲まれ
ており、その内部はターボポンプ２２により所定の真空
度に減圧されている。The mass spectrometric section 17 has an analysis magnet,
By adjusting the strength of the magnetic field, only desired ion species are extracted from the ion beam IB. The mass resolving unit 18 includes a plurality of plates 20 having slits for passing the ion beam IB and a shutter 21, and the required ion beam I among the ion beams IB from the mass analyzing unit 17 is included.
Pass only B. The mass spectrometric section 17 and the mass decomposing section 18 are surrounded by a housing or a tube, and the inside of the mass spectrometric section 17 and the mass decomposing section 18 is depressurized to a predetermined vacuum degree by a turbo pump 22.
【００３３】イオン注入部１９はターゲットチャンバ２
３を有し、このターゲットチャンバ２３内部は、クライ
オポンプ２４により所定の真空度に減圧されている。タ
ーゲットチャンバ２３内には、イオン注入されるべきウ
ェハＷを支持するためのウェハ支持台２５が配置されて
いる。The ion implanter 19 is the target chamber 2
3, the inside of the target chamber 23 is depressurized to a predetermined vacuum degree by a cryopump 24. A wafer support 25 for supporting the wafer W to be ion-implanted is arranged in the target chamber 23.
【００３４】ウェハ支持台２５は、回転可能かつ揺動可
能に設けられた本体部２６を有し、この本体部２６には
複数本のアーム２７が放射状に設けられ、各アーム２７
の先端には、ウェハＷを保持するためのウェハ保持部２
８が設けられている。また、ターゲットチャンバ２３内
にはプラズマシャワー２９が配置されており、このプラ
ズマシャワー２９によって、ウェハＷにイオンビームＩ
Ｂが入射されたときに、ウェハＷがチャージアップする
のが防止される。The wafer support table 25 has a main body portion 26 that is rotatable and swingable. A plurality of arms 27 are radially provided on the main body portion 26, and each arm 27 is provided.
At the tip of the wafer holding unit 2 for holding the wafer W
8 are provided. Further, a plasma shower 29 is arranged in the target chamber 23, and the plasma shower 29 causes the ion beam I to the wafer W.
The wafer W is prevented from being charged up when B is incident.
【００３５】ターゲットチャンバ２３にはファラデーボ
ックス３０が連結されており、このファラデーボックス
３０内には、イオンビームＩＢを受け止めるためのビー
ムストップ３１が配置されている。ビームストップ３１
は、イオンビームＩＢの照射量をビーム電流値として計
測するイオン検出器（図示せず）を有している。A Faraday box 30 is connected to the target chamber 23, and a beam stop 31 for receiving the ion beam IB is arranged in the Faraday box 30. Beam stop 31
Has an ion detector (not shown) that measures the dose of the ion beam IB as a beam current value.
【００３６】以上のように構成したイオン注入装置１に
よりイオン注入を行う場合、質量分解部１８のシャッタ
２１を閉じた状態で、イオン源５と引出電極８，９との
間に所望の電圧を印加してイオンビームＩＢを発生させ
る。そして、図示しないウェハ搬送ロボットによりウェ
ハＷをウェハ支持台２５の各ウェハ保持部２８に装着す
る。その後、質量分解部１８のシャッタ２１を開き、イ
オンビームＩＢを通過させると共に、図示しないモータ
を回転駆動してウェハ支持台２５を回転・揺動させる。
すると、各ウェハＷにイオンビームＩＢが照射されてイ
オン注入が行われる。When ion implantation is performed by the ion implantation apparatus 1 configured as described above, a desired voltage is applied between the ion source 5 and the extraction electrodes 8 and 9 with the shutter 21 of the mass resolving section 18 closed. It is applied to generate an ion beam IB. Then, the wafer W is mounted on each wafer holder 28 of the wafer support table 25 by a wafer transfer robot (not shown). After that, the shutter 21 of the mass resolving unit 18 is opened to allow the ion beam IB to pass therethrough, and a motor (not shown) is rotationally driven to rotate / swing the wafer support 25.
Then, each wafer W is irradiated with the ion beam IB and ion implantation is performed.
【００３７】ところで、引出電極系７において、引出電
極８，９の取付プレート１３，１５を電極本体１２，１
４と同じグラファイト等で形成した場合には、引出電極
８，９によりイオンビームＩＢが引き出される際に、イ
オンビームＩＢはソースマグネット６の磁場の影響を受
けてしまう。By the way, in the extraction electrode system 7, the attachment plates 13 and 15 of the extraction electrodes 8 and 9 are connected to the electrode bodies 12 and 1, respectively.
When it is made of the same graphite as that of 4, the ion beam IB is affected by the magnetic field of the source magnet 6 when the ion beam IB is extracted by the extraction electrodes 8 and 9.
【００３８】具体的には、図４に示すように、ソースマ
グネット６から出た磁力線が引出電極８，９を通るとき
に、イオンビームＩＢの通り道であるスリット１２ａ，
１４ａ内を磁力線が通過する。このようにスリット１２
ａ，１４ａ内に磁場が浸透することにより、イオンビー
ムＩＢは所望の方向に対して曲げられた状態で引き出さ
れ、イオンビームＩＢの進行方向がずれてしまう。この
ような不具合は、軽元素である水素イオン（Ｈ＋、Ｈ２
＋など）やヘリウムイオン（Ｈｅ＋、Ｈｅ２ ＋など）を
打ち込む場合に、特に顕著に表れる。このようにイオン
ビームＩＢの進行方向のずれが生じると、イオンビーム
ＩＢの一部が質量分解部１８のプレート２０のスリット
を通過せずにプレート２０に当たってしまう可能性があ
る。この場合には、ウェハＷに到達するイオンビームＩ
Ｂがロスし、イオンビームＩＢが効率良くウェハに打ち
込まれなくなる。Specifically, as shown in FIG. 4, when the magnetic force lines emitted from the source magnet 6 pass through the extraction electrodes 8 and 9, the slit 12a, which is the path of the ion beam IB,
Magnetic field lines pass through the inside of 14a. In this way slit 12
When the magnetic field penetrates into the a and 14a, the ion beam IB is extracted while being bent in a desired direction, and the traveling direction of the ion beam IB is deviated. Such a problem is caused by light elements such as hydrogen ions (H + , H 2
(+, Etc.) and helium ions (He + , He 2 +, etc.) are particularly noticeable. When the deviation in the traveling direction of the ion beam IB occurs in this way, a part of the ion beam IB may hit the plate 20 without passing through the slit of the plate 20 of the mass resolving unit 18. In this case, the ion beam I reaching the wafer W is
B is lost, and the ion beam IB is not efficiently bombarded on the wafer.
【００３９】これに対し本実施形態では、引出電極８，
９の取付プレート１３，１５を磁性体で形成したので、
図５に示すように、ソースマグネット６から出た磁力線
が引出電極８，９の電極本体１２，１４を通るときに
は、磁力線は、磁性体である取付プレート１３，１５側
に寄り、スリット１２ａ，１４ａを避けるようになる。
つまり、イオンビームＩＢの通り道であるスリット１２
ａ，１４ａ内には、磁場が浸透しなくなる。また、ソー
スマグネット６からの磁力線が電子遮断部材１０の配置
部位まで達した場合であっても、磁力線は、磁性体であ
る電子遮断部材１０側に寄り、イオンビームＩＢの通り
道を避けるようになる。On the other hand, in this embodiment, the extraction electrodes 8,
Since the mounting plates 13 and 15 of 9 are made of magnetic material,
As shown in FIG. 5, when the magnetic force lines emitted from the source magnet 6 pass through the electrode bodies 12 and 14 of the extraction electrodes 8 and 9, the magnetic force lines shift toward the mounting plates 13 and 15 side, which are magnetic bodies, and the slits 12a and 14a. To avoid.
That is, the slit 12 which is the path of the ion beam IB
The magnetic field does not penetrate into a and 14a. Further, even when the magnetic force line from the source magnet 6 reaches the position where the electron blocking member 10 is arranged, the magnetic force line approaches the electron blocking member 10 side which is a magnetic body and avoids the path of the ion beam IB. .
【００４０】このようにイオンビームＩＢの経路におい
てソースマグネット６の磁場が遮蔽されるので、引出電
極８，９によりイオンビームＩＢが引き出される際に、
イオンビームＩＢがソースマグネット６の磁場の影響を
ほとんど受けることなく、イオンビームＩＢはほぼ所望
の方向に引き出される。従って、引出電極系７からのイ
オンビームＩＢの大部分は、質量分解部１８のプレート
２０に当たらずにプレート２０のスリットを通過するよ
うになる。これにより、イオンビームＩＢのロスが低減
され、ウェハＷに対するイオンビームＩＢの照射量が増
大すると共に、イオンビームＩＢがウェハＷに効率良く
打ち込まれる。その結果として、イオン注入が効果的に
行えるようになる。また、イオンビームＩＢが所望の方
向に引き出されるため、イオンビームＩＢが電極材料及
び保護部材に当たりにくくなり、それに伴い、部材の長
寿命化、パーティクル汚染の低減、真空ポンプの長寿命
化がもたらされる。Since the magnetic field of the source magnet 6 is shielded in the path of the ion beam IB in this way, when the ion beam IB is extracted by the extraction electrodes 8 and 9,
The ion beam IB is extracted in a substantially desired direction with the ion beam IB being hardly affected by the magnetic field of the source magnet 6. Therefore, most of the ion beam IB from the extraction electrode system 7 passes through the slit of the plate 20 without hitting the plate 20 of the mass resolving section 18. Thereby, the loss of the ion beam IB is reduced, the irradiation amount of the ion beam IB on the wafer W is increased, and the ion beam IB is efficiently bombarded on the wafer W. As a result, ion implantation can be effectively performed. Further, since the ion beam IB is extracted in a desired direction, it becomes difficult for the ion beam IB to hit the electrode material and the protective member, which results in a longer life of the member, reduction of particle contamination, and a longer life of the vacuum pump. .
【００４１】図６は、引出電極８，９の取付プレート１
３，１５の材質をグラファイトとした場合と、磁性を有
するステンレス鋼（以下、磁性ステンレス鋼）とした場
合のイオンビーム・プロファイルの比較を示した図であ
る。図６（ａ）は、取付プレート１３，１５の材質をグ
ラファイトとした場合のプロファイルを示し、図６
（ｂ）は、取付プレート１３，１５の材質を磁性ステン
レス鋼とした場合のプロファイルを示している。これら
のビーム・プロファイルは、ビームストップ３１に設け
たイオン検出器（図示せず）により計測して得たもので
ある。このとき、イオン源５のアーク電圧を９０Ｖ、ア
ーク電流を８３６６ｍＡとした。FIG. 6 shows a mounting plate 1 for the extraction electrodes 8 and 9.
It is the figure which showed the comparison of the ion beam profile when the material of 3 and 15 is graphite, and the stainless steel which has magnetism (henceforth magnetic stainless steel). FIG. 6A shows a profile when the material of the mounting plates 13 and 15 is graphite.
(B) shows the profile when the mounting plates 13 and 15 are made of magnetic stainless steel. These beam profiles are obtained by measuring with an ion detector (not shown) provided in the beam stop 31. At this time, the arc voltage of the ion source 5 was 90 V and the arc current was 8366 mA.
【００４２】取付プレート１３，１５がグラファイト製
の場合には、図６（ａ）に示すように、イオンビームの
ビーム量の最大値がイオンビームの中心からずれた位置
にある。これは、ソースマグネット６の磁場の影響によ
り、引出電極８，９においてイオンビームが曲げられた
状態で引き出され、イオンビームがプレート２０等に当
たったためと考えられる。また、この時のビーム電流値
は１７．５ｍＡであった。When the mounting plates 13 and 15 are made of graphite, as shown in FIG. 6A, the maximum value of the beam amount of the ion beam is displaced from the center of the ion beam. It is considered that this is because the influence of the magnetic field of the source magnet 6 causes the ion beam to be extracted in a bent state at the extraction electrodes 8 and 9 and hit the plate 20 or the like. The beam current value at this time was 17.5 mA.
【００４３】一方、取付プレート１３，１５が磁性ステ
ンレス鋼製の場合には、図６（ｂ）に示すように、イオ
ンビームのビーム量の最大値がイオンビームの中心にあ
り、イオンビームの分布が良好になっているのが分か
る。また、この時のビーム電流値は２５ｍＡ以上であ
り、グラファイト製の場合に比べて向上している。On the other hand, when the mounting plates 13 and 15 are made of magnetic stainless steel, the maximum beam amount of the ion beam is at the center of the ion beam and the ion beam distribution is as shown in FIG. 6B. You can see that is getting better. Further, the beam current value at this time is 25 mA or more, which is improved as compared with the case made of graphite.
【００４４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、上記実施形態では、電極本体
１２，１４はグラファイト、カーボン、タングステン等
で形成されているが、電極本体１２，１４を磁性体で形
成することもできる。この場合には、イオンビームに対
するソースマグネット６の磁場の影響を更に低減でき
る。また、取付プレート１３，１５をグラファイト、カ
ーボン、タングステン等で形成し、電極本体１２，１４
を磁性体で形成してもよい。ただしこの場合、取付プレ
ートを磁性体とし、電極本体をグラファイト、カーボ
ン、タングステン等とした構成に比較して、イオンビー
ムの進行方向のずれを低減する効果は小さくなる。The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the electrode bodies 12 and 14 are made of graphite, carbon, tungsten or the like, but the electrode bodies 12 and 14 may be made of a magnetic material. In this case, the influence of the magnetic field of the source magnet 6 on the ion beam can be further reduced. The mounting plates 13 and 15 are made of graphite, carbon, tungsten, etc.
May be formed of a magnetic material. However, in this case, the effect of reducing the deviation in the traveling direction of the ion beam is smaller than that in the configuration in which the mounting plate is made of a magnetic material and the electrode body is made of graphite, carbon, tungsten, or the like.
【００４５】なお、電極本体１２と取付プレート１３、
または電極本体１４と取付プレート１５は、同じ磁性体
で一体的に形成されたものであってもよい。The electrode body 12 and the mounting plate 13,
Alternatively, the electrode body 14 and the mounting plate 15 may be integrally formed of the same magnetic material.
【００４６】また、本発明は、水素のイオン注入に限ら
ず、Ｂ、Ｐ、Ａｓ等のイオン注入にも適用できることは
言うまでもない。Needless to say, the present invention is applicable not only to hydrogen ion implantation but also to B, P, As, etc. ion implantation.
【００４７】また、上記実施形態では、イオンビームＩ
Ｂの走査をウェハ支持台の回転・揺動動作で行うものと
したが、本発明は、特にこれに限らず、イオンビーム自
体を移動させるタイプのイオン注入装置等にも適用可能
である。In the above embodiment, the ion beam I
Although the scanning of B is performed by the rotation / swing operation of the wafer support, the present invention is not limited to this and is also applicable to an ion implanter of a type that moves the ion beam itself.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明によれば、引出電極を、イオンビ
ームを通すためのスリットを有する電極本体と、電極本
体を囲むように構成されていると共にチャンバに固定さ
れる磁性体製の取付プレートとで構成したので、ソース
マグネットの磁場の影響をほとんど受けることなく、イ
オンビームを所望の方向に引き出すことができる。これ
により、イオンビームの損失が抑えられ、基板に対する
イオンビームの照射効率が向上する。According to the present invention, the extraction electrode has an electrode body having a slit for passing an ion beam, and a mounting plate made of a magnetic material which is configured to surround the electrode body and is fixed to the chamber. With this configuration, the ion beam can be extracted in a desired direction with almost no influence of the magnetic field of the source magnet. Thereby, the loss of the ion beam is suppressed and the irradiation efficiency of the ion beam on the substrate is improved.
【００４９】また、本発明によれば、引出電極を、イオ
ンビームを通すためのスリットを有する磁性体製の電極
本体と、電極本体を囲むように構成されていると共にチ
ャンバに固定される取付プレートとで構成したので、ソ
ースマグネットの磁場の影響をほとんど受けることな
く、イオンビームを所望の方向に引き出すことができ
る。これにより、イオンビームの損失が抑えられ、基板
に対するイオンビームの照射効率が向上する。Further, according to the present invention, the extraction electrode has an electrode main body made of a magnetic material having a slit for passing an ion beam, and a mounting plate configured to surround the electrode main body and fixed to the chamber. With this configuration, the ion beam can be extracted in a desired direction with almost no influence of the magnetic field of the source magnet. Thereby, the loss of the ion beam is suppressed and the irradiation efficiency of the ion beam on the substrate is improved.
【図１】本発明に係るイオン注入装置の一実施形態を示
す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an ion implantation apparatus according to the present invention.
【図２】図１に示すイオンビーム発生部の拡大図であ
る。FIG. 2 is an enlarged view of the ion beam generator shown in FIG.
【図３】図２に示す引出電極系の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the extraction electrode system shown in FIG.
【図４】引出電極の取付プレートをグラファイト製とし
た場合にソースマグネットから出た磁力線の経路を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing paths of magnetic force lines emitted from a source magnet when a lead electrode mounting plate is made of graphite.
【図５】引出電極の取付プレートを磁性ステンレス鋼製
とした場合にソースマグネットから出た磁力線の経路を
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing paths of magnetic force lines emitted from the source magnet when the extraction electrode mounting plate is made of magnetic stainless steel.
【図６】引出電極の取付プレートをグラファイト製とし
た場合と磁性ステンレス鋼製とした場合のイオンビーム
・プロファイルの比較を示した図である。FIG. 6 is a view showing a comparison of ion beam profiles when the extraction electrode mounting plate is made of graphite and when it is made of magnetic stainless steel.
１…イオン注入装置、２…イオンビーム発生部、３…ソ
ースチャンバ（イオンビーム発生用チャンバ）、５…イ
オン源、６…ソースマグネット、７…引出電極系、８…
引出電極（主電極）、９…引出電極（接地電極）、１０
…電子遮断部材、１２…電極本体、１２ａ…スリット、
１３…取付プレート、１４…電極本体、１４ａ…スリッ
ト、１５…取付プレート、１９…イオン注入部、ＩＢ…
イオンビーム、Ｗ…ウェハ。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion implanter, 2 ... Ion beam generator, 3 ... Source chamber (ion beam generating chamber), 5 ... Ion source, 6 ... Source magnet, 7 ... Extraction electrode system, 8 ...
Extraction electrode (main electrode), 9 ... Extraction electrode (ground electrode), 10
... Electron blocking member, 12 ... Electrode body, 12a ... Slit,
13 ... Mounting plate, 14 ... Electrode body, 14a ... Slit, 15 ... Mounting plate, 19 ... Ion implantation part, IB ...
Ion beam, W ... Wafer.
フロントページの続き (72)発明者 三浦 龍一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 横川 功 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内 Ｆターム(参考） 5C030 DD10 DE04 DG09 5C034 CC01 Continued front page (72) Inventor Ryuichi Miura 14-3 Shinsen, Narita-shi, Chiba Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Within the corporation (72) Inventor Isao Yokokawa 2-13-1, Isobe, Annaka-shi, Gunma Shinetsuhan Conductor Co., Ltd. Semiconductor Isobe Laboratory F-term (reference) 5C030 DD10 DE04 DG09 5C034 CC01
Claims (10)
ャンバ内に設けられ、イオン源で生成されたイオンを引
き出してイオンビームを発生させる引出電極を備えた引
出電極系であって、 前記引出電極は、前記イオンビームを通すためのスリッ
トを有する電極本体と、前記電極本体を囲むように構成
されていると共に前記チャンバに固定される磁性体製の
取付プレートとを有するイオン注入装置の引出電極系。1. An extraction electrode system provided in an ion beam generation chamber of an ion implantation apparatus, the extraction electrode system including an extraction electrode for extracting ions generated by an ion source to generate an ion beam, wherein the extraction electrode is An extraction electrode system of an ion implantation apparatus having an electrode main body having a slit for passing the ion beam, and a mounting plate made of a magnetic material that is configured to surround the electrode main body and is fixed to the chamber.
ンレス鋼または表面に耐腐食性のコーティングを施した
鉄で形成されている請求項１記載のイオン注入装置の引
出電極系。2. The extraction electrode system for an ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the mounting plate is made of magnetic stainless steel or iron having a corrosion-resistant coating on its surface.
ン、タングステンのいずれかで形成されている請求項１
または２記載のイオン注入装置の引出電極系。3. The electrode body is formed of any one of graphite, carbon and tungsten.
Alternatively, the extraction electrode system of the ion implantation apparatus described in 2.
る請求項１または２記載のイオン注入装置の引出電極
系。4. The extraction electrode system of the ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the electrode body is made of a magnetic material.
ャンバ内に設けられ、イオン源で生成されたイオンを引
き出してイオンビームを発生させる引出電極を備えた引
出電極系であって、 前記引出電極は、前記イオンビームを通すためのスリッ
トを有する磁性体製の電極本体と、前記電極本体を囲む
ように構成されていると共に前記チャンバに固定される
取付プレートとを有するイオン注入装置の引出電極系。5. An extraction electrode system provided with an extraction electrode which is provided in an ion beam generation chamber of an ion implantation apparatus and which extracts ions generated by an ion source to generate an ion beam, wherein the extraction electrode is An extraction electrode system of an ion implantation apparatus, comprising: a magnetic electrode main body having a slit for passing the ion beam; and a mounting plate configured to surround the electrode main body and fixed to the chamber.
主電極および接地電極からなり、前記主電極および前記
接地電極の各々が前記電極本体と前記取付プレートとを
有している請求項１〜５のいずれか一項記載のイオン注
入装置の引出電極系。6. The extraction electrode comprises a main electrode and a ground electrode that are arranged to face each other, and each of the main electrode and the ground electrode has the electrode body and the mounting plate. The extraction electrode system of the ion implantation apparatus according to any one of 5 above.
側に前記引出電極と対向するように配置され、前記イオ
ン源側に電子が向かうことを抑えるための磁性体製の電
子遮断部材を更に備える請求項１〜６のいずれか一項記
載のイオン注入装置の引出電極系。7. An electron blocking member made of a magnetic material is disposed on the side of the extraction electrode opposite to the ion source side so as to face the extraction electrode, and suppresses electrons from moving toward the ion source side. The extraction electrode system of the ion implantation apparatus according to claim 1, further comprising:
求項１〜７のいずれか一項記載のイオン注入装置の引出
電極系。8. The extraction electrode system of the ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the ion source generates hydrogen ions.
れたイオン源によりイオンを生成し、当該イオンを引出
電極により引き出してイオンビームを発生させ、当該イ
オンビームを基板に照射してイオン注入を行うイオン注
入装置であって、 前記引出電極は、前記イオンビームを通すためのスリッ
トを有する電極本体と、前記電極本体を囲むように構成
されていると共に前記チャンバに固定される磁性体製の
取付プレートとを有するイオン注入装置。9. An ion source is arranged in an ion beam generating chamber to generate ions, the extraction electrodes extract the ions to generate an ion beam, and the substrate is irradiated with the ion beam to perform ion implantation. An ion implantation apparatus, wherein the extraction electrode is an electrode main body having a slit for passing the ion beam, and a mounting plate made of a magnetic material that is configured to surround the electrode main body and is fixed to the chamber. And an ion implanter having.
されたイオン源によりイオンを生成し、当該イオンを引
出電極により引き出してイオンビームを発生させ、当該
イオンビームを基板に照射してイオン注入を行うイオン
注入装置であって、 前記引出電極は、前記イオンビームを通すためのスリッ
トを有する磁性体製の電極本体と、前記電極本体を囲む
ように構成されていると共に前記チャンバに固定される
取付プレートとを有するイオン注入装置。10. Ion is generated by an ion source arranged in an ion beam generating chamber, the ion is extracted by an extraction electrode to generate an ion beam, and the substrate is irradiated with the ion beam to perform ion implantation. An ion implanter, wherein the extraction electrode is an electrode body made of a magnetic material having a slit for passing the ion beam, and a mounting plate configured to surround the electrode body and fixed to the chamber. And an ion implanter having.
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|---|---|---|---|
| JP2001258347A JP2003068244A (en) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | Extraction electrode block for ion implantation system, and the ion implantation system |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006004826A (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nec Electronics Corp | Ion beam drawing electrode and ion implanter |
| JP2007042300A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Sharp Corp | Mass separation device, ion beam generating device, function element, manufacturing method of function element, and ion beam generation method |
| JP2008060549A (en) * | 2006-07-18 | 2008-03-13 | Applied Materials Inc | Beam stop for ion implantation apparatus |
| US7402260B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Non-aqueous solvent mixture and non-aqueous electrolytic solution containing such mixture |
| JP2016540360A (en) * | 2013-09-07 | 2016-12-22 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Moving electrode plasma system |
| JP2019502239A (en) * | 2016-01-19 | 2019-01-24 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | Multi-piece electrode opening |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001258347A patent/JP2003068244A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402260B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Non-aqueous solvent mixture and non-aqueous electrolytic solution containing such mixture |
| JP2006004826A (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nec Electronics Corp | Ion beam drawing electrode and ion implanter |
| JP4502191B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ion beam extraction electrode and ion implantation apparatus |
| JP2007042300A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Sharp Corp | Mass separation device, ion beam generating device, function element, manufacturing method of function element, and ion beam generation method |
| JP4627016B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-02-09 | シャープ株式会社 | Mass separator, ion beam generator, functional element, method of manufacturing functional element, and ion beam generating method |
| JP2008060549A (en) * | 2006-07-18 | 2008-03-13 | Applied Materials Inc | Beam stop for ion implantation apparatus |
| JP2016540360A (en) * | 2013-09-07 | 2016-12-22 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Moving electrode plasma system |
| JP2019502239A (en) * | 2016-01-19 | 2019-01-24 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | Multi-piece electrode opening |
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