JPS63291328A - メンブレン式タッチパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■咀Ω技術公盟 本発明は、コンピューターの入力装置等に使用されるメ
ンブレン式タッチパネルに関する。

−の・・部やＪＩｆ　　　こ　の。占 メンブレン式タッチパネルには、マトリックス型とアナ
ログ型とがある。マトリックス型のメンブレン式タッチ
パネルでは、透明絶縁基材上の透明電極を短冊状にエツ
チング加工したものを二枚用い、これらの間にスペーサ
ーを介在させ、前記透明電極を縦と横に交差させて対向
させている。

また、アナログ型のメンブレン式タッチパネルでは、透
明電極を、短冊状にエツチング加］二せずに、透明電極
の両端に銀ペースト等で電極を設け、これら透明電極間
にスペーサーを介在して縦横に対向させて、アナログ／
デジタル（Ａ／Ｄ　）変換器で位置座標を検出するよう
にしている。マトリックス型は、短冊の幅によって位置
検出分解能が左右されるため、文字・図形入力用に適さ
ず、もっばらタッチスイッチ的に使用される。これに対
して、アナログ型は、Ａ／Ｄ変換器の能力により、高分
解能が期待できるため、文字・図形入力の主流になって
いる。

ところが、この様なアナ１７グ型のメンブレン式タッチ
パネルは、入力時に加えられる圧力、あるいは透明電極
の接触時に生じるアークによって、透明電極が傷付いた
り、剥がれたり、あるいは透明電極の表面抵抗が悪くな
って、電極としての機能が保てなくなる。また透明電極
間に、絶縁体であるスペーサーを介在させているため、
スペーサ一部分での入力が出来ず、分解能が制限され、
高精細な文字、あるいは図形の入力は、不可能であった
。更に透明絶縁基材のたわみが発生したり、誤ってメン
ブレン式タッチパネルに触れた際（誤入力）スペーサー
によって保たれる間隙がなくなり、透明電極同士が接触
して誤動作を起こすこともあった。

１哩例■約 本発明は、上記の様な従来技術に伴う問題点を解決する
ものであって、高精細な文字、あるいは図形の入力を可
能とする、誤動作を防止したメンブレン式タッチパネル
の提供を目的としている。

■肌の見！ 本発明に係るメンブレン式タッチパネルは、所定の間隙
で略平行に配置された透明絶縁基材における対向する表
面にそれぞれ形成された透明電極膜のうちの少なくとも
一方の透明電極膜の表面に透明導電性保護膜を形成した
ことを特徴としている。このため、本発明に係るメンブ
レン式タッチパネルにあっては、透明導電性保護膜がス
ペーサー機能を果すため、従来必要としていたスペーサ
を必ずしも介在させることなく、誤入力による誤動作を
有効に防止することが可能になる。また、この透明導電
性保護膜が適度な機械的強度と導電性とを有するため、
透明電極膜の機械的保護を図り、高精細な文字、あるい
は図形の入力を可能としている。

発朋！ばｕＭ団証明 以下、本発明に係るメンブレン式タッチパネルについて
、図面を参照して具体的に説明する。

本発明に係るメンブレン式タッチパネルは、第１図に示
すように、平面状のプラスチックあるいは硝を等から成
る透明絶縁基材１および６の片側表面上に、それぞれ透
明電極膜２および５、透明導電性保護膜３および４を前
記順序で有する。そして、透明導電性保護膜３，４相互
が所定の間隙を持つように、透明絶縁基材１，６を平行
に配置してメンブレン式タッチパネル７を構成する。な
お、第１図に示す実施例では、双方の透明電極膜５の表
面に透明導電性保護膜３，４をそれぞれ形成したが、本
発明はこれに限らず、いずれか一方の透明導電性保護膜
を省略することもできる。

メンブレン式タッチパネル７では、第２図（座標読取り
原理図の一例）に示すように、上側の透明電極膜５によ
り押圧位置Ａ点のＸ座標を、下側の透明電極膜２により
Ｘ座標を読取る。押圧位置Ａ点で上下の透明電極膜２，
５が接合すると、定電流電源８により供給された電流１
０は、■×と（Ｉｏ−ＩＸ　）とに分配されて上側の透
明型ｉ膜５を流れ、Ａ点で下側に移る。さらに下側で、
電流ＩＯはＩＶとｌｏ−ＩＶに分配された後、下側の透
明電極膜２を流れて回路を形成する。このとき電流Ｉｘ
とＩＶを検出すれば、Ａ点の座標は（ＬＸ　　−Ｉｘ／
Ｉｏ　、ＬＭ　−Ｉｙ／Ｉｏ　＞（但し、ＬＸ　、ＬＭ
はそれぞれ透明電極膜のｘ、ｙ方向長さ）で表せる。

したがって、このメンブレン式タッチパネルの検出電流
Ｉｘ、Ｉｙをコンピューター等の入力部に入力すること
で、このメンブレン式タッチパネルをコンピューター等
の入力装置として用いることができる。

本発明で用いられる透明絶縁基材１および６の材質とし
ては、プラスチック製、あるいは硝子製等が使用できる
が、対抗する２枚の透明絶縁基材１．６のうち少なくと
もいずれか一方は、プラスチック製、更に好ましくはプ
ラスチックフィルムを使用する。これは、メンブレン式
タッチパネルに、可撓性を持たせるためである。透明絶
縁基材１．６は、透明であることが好ましいが、場合に
よっては着色したもの、あるいは不透明のものを用いる
こともできる。

次に、前記各透明絶縁基材１，６の片側表面上にそれぞ
れ形成される透明電極膜２および５自身の性質等につい
て説明する。これら透明電極膜２゜５は、透明であるこ
とが好ましい。透明電極膜２および５の表面抵抗は１０
〜１００ｏΩ／口であり、かつ全光線透過率が６５％以
上、さらに好ましくは、表面抵抗が１０〜５００Ω／口
であり、かつ全光線透過率が７０％以上であることが望
ましい。表面抵抗が１０００Ω／口を越えると、表面抵
抗が高くなり、電源の電圧が大きくなりすぎるため好ま
しくない。また全光線透過率が、６５％未満であると、
透明性が悪くなるため好ましくない。この様な透明電極
膜は、蒸着法・スパッタリング法・ＣＶＤ法等の気相法
により、前記透明絶縁基材１および６の片側表面上に、
導電性酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）、あるいは導電性
酸化錫膜（ＮＥＳＡ膜）等を被着することによって、得
ることができる。また後述の透明導電性保護膜と同じ様
に、導電性酸化インジウム粉末を、特定のバインダー樹
脂中に分散さぜな被膜を被着することにより形成しても
良い。

透明導電性保護膜３および４は、その膜厚が０．５〜３
０μｍであれば良いが、透明導電性保護膜の防蝕性・膜
強度をさらに高めるには、１〜３０μｍであることが好
ましい。透明導電性保護膜の膜厚が、０．５μｍ未満で
は、透明導電性保護膜の強度が弱くなるため好ましくな
く、一方、３０μｍを越えると、透明導電性保護膜の透
明性が悪くなり、メンブレン式タッチパネルの透明性を
低下させるため好ましくない。また透明導電性保護膜３
．４自体の体積抵抗値としては、１０２〜１０６Ω・ｌ
であることが好ましい。透明導電性保護膜自体の体積抵
抗値が１０６Ω・αを越えると、厚さ方向に電流が流れ
にくくなり、下層の透明電極膜２，５が電極としての機
能を損い、指等の押圧によっても透明電極膜相互が導通
ぜず、メンブレン式タッチパネルとして使用できなくな
るなめ、好ましくない。また、１０２Ω・１未満では、
透明絶縁基材のたわみや誤入力により、平行に配置され
た透明電極膜相互が透明導電性保護膜を介して容易に導
通するため、誤動作を防止できない。

従って、透明絶縁基板１および６の片側表面上に透明電
極膜２および５と透明導電性保護膜３および４とが順次
形成され、透明導電性保護膜３゜４相互が平行に対向す
るように配置された本発明のメンブレン式タッチパネル
７は、その接触抵抗が、無加圧（二枚が単に接触した）
時には５にΩ以上であるが２０ｇ以上の加圧した時に５
にΩ未満になる。このため誤入力が防止できる。

本発明に係る透明電極膜２および５は、（ｂ）キャリア
ー移動速度が１０’ｔ／Ｖ・ｓｅｃ以上であるバインダ
ー樹脂（以下、［透明電極膜用バインダー樹脂」という
）中に、（ａ）導電性酸化インジウム粉末が、分散され
た透明電極膜用塗料を透明絶縁板１および６の片側表面
上に塗布することにより形成することができる。

また本発明に係る透明導電性保護膜３および４は、（Ｃ
）導電性酸化物粉末が、（ｄ）透明導電性保護膜用バイ
ンダー樹脂中に分散された透明導電性保護膜用塗料を用
いて、透明電極膜２および５上に塗布形成することがで
きる。

この際に用いられる透明電極膜用塗料中の導電性インジ
ウム粉末、および透明導電性保護膜用塗料中の導電性酸
化物粉末は、酸化インジウムに、Ｓｎ　、Ｆ、ＣＩ等の
元素を、一種または二種以上ドープした導電性酸化イン
ジウム粉末、あるいは酸化錫に、Ｓｂ、Ｆ、ＣＩ、ｌ）
等の元素を、一種または二社以上ドープした導電性酸化
錫粉末が用いられる。さらに前記専電性酸化インジウム
粉末と、導電性酸化錫粉末とを、混合して使用すること
もできる。そしてそれら尋電性酸化インジウム゛粉末、
あるいは導電性酸化錫粉末の、塗料中の平均粒子径は、
０．０１〜０．６μｍ、好ましくは０．０１〜０．５μ
ｍの範囲にあり、さらに０．８μｍ以上の粗大粒子が、
少量しか含まれていないものが良い。これらの粉末の製
造方法は、特に限定しないが、好ましくは、本出願人が
先に出願した、特願昭６２−５１００８号公報によって
得られる導電性微粉末が良い。

これらの導電性酸化インジウム粉末および導電性酸化物
粉末の調製方法について説明すると、これらの導電性微
粉末は、スズ化合物またはインジウム化合物の水溶液を
、８〜１２のｐＨ条件下に保持して液中の化合物を徐々
に加水分解することにより、金属酸化物、含水酸化物あ
るいは金属水酸化物のコロイド粒子を含有するゾルを生
成させ、次いでこのゾルを乾燥、焼成した後粉砕して得
られる。

出発原料としては、水溶性で、しかもｐ１１８〜１２の
範囲で加水分解可能な、スズ化合物、またはインジウム
化合物が使用され、具体的には、スズ酸カリウム、スズ
酸ナトリウムなどのスズ化合物あるいは硝酸インジウム
、硫酸インジウムなどのインジウム化合物が使用可能で
ある。

スズ化合物またはインジウム化合物の水溶液（以下、原
料液ということがある〉に含まれる金属種がスズまたは
インジウムのいずれか一社である場合、得られる導電性
微粉末は、それぞれ酸化錫または酸化インジウムで構成
されるが、原料液に少量の異種元素を溶存させることで
、異種元素がドープされた導電性微粉末を得ることがで
きる。

たとえばスズ化合物を含有する原料液に、少量の吐酒石
（酒石酸アンチモニルカリウム）または弗化アンモニウ
ムを溶解させておくことにより、酸化錫にアンチモンま
たは弗素がドープされた導電性微粉末を得ることができ
、またインジウム化合物を含有する原料液に、少量のス
ズ化合物を溶解させることにより、酸化インジウムにス
ズがドープされた導電性微粉末を得ることができる。

異種元素がドープされた導電性微粉末は、また、次のよ
うな方法でも製造することができる。すなわち、原料液
にスズ化合物を使用し、液中のスズ化合物を、上記のｌ
）１条件下に、徐々に加水分解することによってゾルを
生成させ、このゾルからコロイド粒子を回収し、次いで
アンチモン化合物、リン化合物あるいは弗素化合物の、
少なくとも一社の水溶液を、前記のコロイド粒子に含浸
させ、しかる後に、この粒子を、乾燥して焼成する方法
により、スズ化合物にアンチモン、リン、弗素などがド
ープされた導電性微粉末を製造することができる。また
、原料液にインジウム化合物の水溶液を使用し、上記と
同様にしてゾルを生成させ、このゾルからコロイド粒子
を回収した後、スズ化合物、および（または）弗素化合
物の水溶液を、このコロイド粒子に含浸させ、次いで、
この粒子を乾燥して、焼成する方法により、インジウ！
、化合物に、スズおよび（または）弗素がドープした導
電性微粉末を、製造することができる。原料液がスズ化
合物である場合でも、またインジウム化合物である場合
でも、ゾルを生成させる過程で、副生塩が生成されると
、コロイド粒子が凝集し易くなるばかりでなく、最終的
に得られる導電性微粉末の比抵抗が、副生塩の夾雑によ
って上昇するので、副生塩の生成が予想される場合には
、ゾルから回収したコロイド粒子に、金５化合物水溶液
を、含浸させるに先立って、コロイド粒子から副生塩を
、除去しておくことが好ましい。

原料液に含まれる、スズ化合物またはインジウム化合物
の濃度は、任意に選ぶことができるが、−ｆｆｉに、０
．５〜３０重量％の範囲にあることが好ましい。

上記の原料液に含まれるスズ化合物またはインジウム化
合物を、ドーパントとなる異種元素の化合物が共存して
いる場合には異稚元素化合物とともに、Ｉ）８８〜１２
の条件下で加水分解し、加水分解反応が生起している間
、反応系のｐＨを常に８〜１２の範囲に保持しなければ
ならない。反応系のｐＨがＩ）Ｈ８未満であると、ｐ］
１８に近くても、得られる導電性微粒子の粒度分布がブ
ロードになり、ｌ）Ｈ値がさらに低下すると加水分解で
生成した金属酸化物、含水酸化物あるいは金属水酸化物
は、沈澱として沈降してしまい、これをコロイド粒子と
して液中に分散させることができず、従ってゾルを調製
することができないため好ましくない。一方、反応系の
ＤＨが１２を越えると、ゾルの調製は不可能でないもの
の、ゾルから炉別したコロイド粒子を洗浄する際に、ア
ルカリ分を十分に除去することができないため、最終的
に得られる微粉末の導電性が悪化する。従って、上記の
加水分解反応を遂行させるに際しては、ｐ１１８〜１２
の水に収めた反応器を用意し、原料液がアルカリ性の場
合は、これと酸性液を、反応器内のｐＨが、所定の範囲
から逸脱しない供給速度で、反応器に注加することが好
ましく、原料液が酸性の場合は、これとアルカリ性液を
、上と同様にして反応器内に注加することが好ましい。

反応器内に生成されるゾル液の固形分濃度については、
特に制限はないが、−１Ｒに濃度が高くなるに従って生
成するコロイド粒子の粒度分布がブロードになる傾向が
ある。加水分解の反応温度は通常３０〜９０℃の範囲で
任意に選ぶことができる。上記のｐＨ条件で原料液を、
好ましくは、徐々に加水分解することによって、スズま
たはインジウムの金属酸化物、含水酸化物あるいは金属
水酸化物からなるコロイド粒子が生成され、この粒子を
分散質とするゾル液が調製される。この場合、原料液に
ドーパントが共存していれば、ドーパントを含むコロイ
ド粒子が、得られることは勿論である。

加水分解によって得られるコロイド粒子の平均粒径は、
０．０５〜０．３μｍ、好ましくは０．０７〜０．２μ
ｍの範囲にあり、粒度分布は、通常全粒子の８０％以上
が平均粒径の０．５倍〜１．５倍の範囲にある。コロイ
ド粒子の平均粒径および粒度分布は、加水分解反応系に
供給する原料液の濃度あるいは供給速度をコントロール
することによって制御でき、原料液の濃度は低い方が、
粒度分布がシャープになる。また、原料液の供給速度は
遅い方が、コロイド粒子を大きく成長することができる
。

ゾル液調製後は、このゾル液をｒ過してコロイド粒子を
回収し、このコロイド粒子を洗浄することによって、粒
子に付着する副生塩その他を除去した後、乾燻し、さら
に焼成した後粉砕することによって、導電性微粉末を得
ることができる。ゾル液から炉別された粒子は、焼成工
程である程度焼結するため、粉末の平均粒径は２０〜５
０　メＬｍ程度になり、この粉末の比表面積は５０ｒｔ
ｆ／ｇ以下となる。

これに対して、従来公知の沈澱生成工程を経て製造され
る粉末の比表面積は、７０〜１００ｒｒｒ／ｇとなる。

このことは本発明で得られる微粉末の方が、従来の微粉
末よりも大きい一次粒子で構成されていることを物語っ
ている。このようにして得られる微粉末は、また、粉砕
により容易にその焼結状態を解き放つことができ、通常
の粉砕手段によって塗料中での平均粒子が０．６μｍ以
下の導電性微粉末を得ることができる。そして、こうし
て得られる微粉末には、たとえば０．８μｍ以上の粗大
粒子は少量しか含まれていない。

なお、導電性微粒子の粉砕は、バインダー樹脂などの他
の成分との混合前に行なってもよく、またバインダー樹
脂などの他の成分との混合後に行なってもよい。導電性
微粒子の粉砕は、従来公知の粉砕方法によって行なうこ
とができ、たとえばアトライター、サンドミル、ボール
ミル、三本ロールなどの機器が利用できる。

本発明の透明電極膜用塗料で用いられる（ｂ）透明電極
用バインダー樹脂としては、キャリアー移動速度が１０
１０−８ａ／■・ｓｅｃ以上である樹脂が用いられ、具
体的には、ポリピロール、ポリアセタール、ポリピリジ
ン等の導電性樹脂、あるいはポリカルバゾール、ジフェ
ニルアミノスチレン等の光導電性樹脂が使用できる。さ
らに前記導電性樹脂、光導電性樹脂に、ヨウ素、２，４
．７−）リニトロクルオレノン、テトラシアノエチレン
、クロラニル、７，７，８．８−テトラシアノキノジメ
タン、ニトロ化合物、酸無水物、ハロゲン化物のルイス
酸等をドーピングした樹脂を使用しても良い。キャリア
ー移動速度が１Ｏ−８ｃｌＱ２／Ｖ−５ｅＣ未満である
と、得られる電極膜の抵抗が高くなりすぎて透明電極膜
２，５としての機能を保てないため好ましくない。

本発明では、さらに紫外線硬化性バインダー樹脂、熱り
塑性バインダー樹脂、熱硬化性バインダー樹脂のうちか
ら選ばれる一社以上の樹脂を前記キャリアー移動速度が
１０−８ｃｘ２／　Ｖ　−Ｓｅｃ以上であるバインダー
樹脂と混合すると、透明電極膜用塗料の塗工性を向上さ
せたり、得られる透明電極膜２．５と透明絶縁基材１，
６との密着性や、膜の透明性を向上させることができる
。この紫外線硬化性バインダー樹脂、熱可塑性バインダ
ー樹脂、熱硬化性バインダー樹脂としては、具体的には
、たとえば、メタクリル樹脂等のアクリル系樹脂、ポリ
アセチレン系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂等のアミ
ノ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリ
アミドイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテ
ル系樹脂、アルキッド樹脂等のポリエステル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、塩素化ポリエーテル樹脂等の塩素化物系
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等のポリ
オレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコー
ン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ＡＢＳ系樹脂、ポリア
ミンスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポ
リフェニレンスルフォン樹脂等のポリスルフォン系樹脂
、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルカルバゾー
ル樹脂、ブチラール樹脂等のビニル系樹脂、フッ素系樹
脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂、ポリピロール系樹
脂、ボリファラフェニレン系樹脂、紫外線硬化樹脂ある
いはセルロース誘導体などが用いられる。

また、上記の混合物、あるいは上記樹脂の共重合体等の
、一種または二社以上組合わせて使用できる。

また、キャリアー移動速度が１０１０−８ａ／■・ｓｅ
ｃ以上であるバインダー樹脂と、紫外線硬化性バインダ
ー樹脂、熱可塑性バインダー樹脂、熱硬化性バインダー
樹脂との混合割合は、得られるバインダー樹脂混合物の
キャリアー移動速度が、１０−８ｃｍ２／■・ｓｅｃ以
上に保持されるようにすることが好ましい。もし得られ
るバインダー樹脂混合物のキャリアー移動速度が１０−
８■２／■・ｓｅｃ未満であると、抵抗が高くなりすぎ
て、電極膜としての機能を保てないため好ましくない。

バインダー樹脂のキャリアー移動速度とは、バインダー
樹脂に電界をかけた場合に、樹脂中で電子または正孔が
動く速度を意味している。

このようなバインダー樹脂のキャリアー移動速度は、以
下のようにして測定される。

距離ρの電極間に厚ざｐのバインダー樹脂を設ける。次
に試料に光を照射して試料内の電子を励起させ、正極側
に電子を移動させる。この際、光を照射した時刻ｔ。と
、正極に電子が到達した時刻ｔ１との差を測定機により
検出する。ここでキャリアー移動関数υ（Ｅ）は次式で
表わされる。

１ｌ−１ｏ　　μＥ　　　μＶ （式中μはキャリアー移動速度であり、Ｅは電界で必り
Ｖは電圧である。） （ａ）導電性酸化インジウム粉末と、（ｂ）透明電極膜
用バインダー樹脂との混合割合いは、両者の全体重量に
対して（ａ）導電性酸化インジウム粉末が７０〜９５重
量％が好ましい。（ａ）導電性酸化インジウム粉末が７
−０重量％未満では、得られる塗膜の導電性が悪くなり
、一方、９５重量％を越えると塗膜と透明絶縁基材との
密着性および得られる塗膜の透明性が悪くなるため好ま
しくない。

また本発明の透明導電性保護膜用塗料で用いられる（ｄ
）透明導電性保護膜用バインダー樹脂は、たとえば、メ
タクリル樹脂等のアクリル系樹脂、ユリア樹脂、メラミ
ン樹脂等のアミノ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アルキ
ッド樹脂等のポリエステル系樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コーン系樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニル
カルバゾール樹脂、ブチラール樹脂等のビニル系樹脂、
フッ素系樹脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂、紫外線
硬化樹脂あるいはセルロース誘導体等が用いられる。ま
た上記樹脂の混合物はあるいは上記樹脂の共重合体等を
一種または二社以上組合わせて使用できる。

（Ｃ）導電性微粉末と（ｄ）バインダー樹脂との混合割
合は、両者の全体重量に対して（Ｃ）導電性微粉末が４
０〜９５重１％、好ましくは６０〜９０重量％、さらに
好ましくは７０〜８５重量％であることが望ましい。（
Ｃ）導電性微粒子が４０重量％未満では、得られる塗膜
の導電性が悪くなり、一方、９５重量％を越えると、塗
膜と基材との密着性及び得られる塗膜の透明性が悪くな
るため好ましくない。

本発明で用いられる透明電極膜用塗料あるいは透明導電
性保護膜用塗料は、前記の各成分が溶剤中に溶解あるい
は分散されているが、この溶剤としては、バインダー樹
脂を溶解または希釈しうるちのであれば用いることがで
きる。具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロ
パツール、ｉ−プロパツール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブ
タノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール
等のアルコール類、アセトン、シクロヘキサノン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ホロン、イ
ソホロン等のケトン類、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、カ
ルピトール、メチルカルピトール、ブチルカルピトール
、ジオキサン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブ
チル等のエステル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の石
油ナフサ類、トルエン、キシレン、メシチレン、ソルベ
ントナフサ等のペンゾール類、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンおよびその誘導体等が単独あるいは組合わせて用い
られる。このような有機溶剤は、所望の膜厚および導電
性塗料を基材上に塗布しうるような粘度となる量で用い
られる。また水溶性バインダー樹脂を用いた場合には、
溶剤として水を用いることもできる。

透明電極膜用塗料あるいは透明導電性保護膜用塗料を製
造する際に、前記＠粉末及びバインダー樹脂に加えて、
導電性微粉末の分散性を向上させて粒子同士の再″ａ集
を防止するため、界面活性剤あるいはカップリング剤を
導電性塗料中に添加することもできる。界面活性剤とし
てはアニオン系、ノニオン系、カチオン系等のものを広
く用いることができ、またカップリング剤としては、シ
ラン系、チタン系、アルミニウム系、ジルコニウム系、
マグネシウム系のものが使用できる。

本発明に係る透明型ｉ膜用塗料あるいは透明導電性保護
膜用塗料を製造するには、上記のような微粉末およびバ
インダー樹脂等を溶剤に加えて、次いでバインダー樹脂
中に均一分散させるが、微粉末およびバインダー樹脂と
の混練時に、上述のように微粉末の粉砕を同時に行って
もよい。

このようにして得られる透明型ｉ膜用塗料あるいは透明
導電性保護膜用塗料は、従来公知の塗工法例えばスピン
ナー法・バーコード法・ディップ法・タイヤバー法・エ
アーナイフ法あるいはグラビア・スクリーン・ロールコ
ータ−等の印刷法によって、塗工され、次いで乾燥する
ことにより、各透明絶縁基材１，６の片側表面上にそれ
ぞれ透明電極膜２，５および透明導電性保護膜３，４を
形成する。

このようなメンブレン式タッチパネル７は、透明絶縁基
材１，６上に導電性酸化インジウム粉末と電極用バイン
ダー樹脂を溶剤に分散させてなる電極用塗料を塗布して
形成されてなる透明電極膜２．５の上に、導電性酸化物
粉末と導電性保護膜用バインダー樹脂を溶剤に分散させ
てなる導電性保護膜用塗料を塗布して形成してなる透明
導電性保護膜３，４を有するため、酸、アルカリに対す
る防蝕性が良く、空気中に放置しても酸化されないので
電気抵抗の経時変化がなく、また温度湿度の変化にも電
気抵抗が影響されない。さらにこのようなメンブレン式
タッチパネルは機械的強度が極めて優れているため、入
力ペンで直接書き込む透明デジタイザーの電極入力面や
テレライティングターミナルの描画入力用透明パッドに
使用かり能になる。また透明電極膜及び透明導電性保護
膜は、塗工法によって形成できるため安価であり、連続
生産も可能である。

さらにまた、このようなメンブレン式タッチパネル７に
おける対抗する透明電極膜２，５の対抗する面に透明導
電性保護膜３，４を設けているため、この保護膜３．４
がスペーサ機能を果し、誤入力による透明電極膜２，５
相互の導通を有効に防止することが可能になる。なお、
透明導電性保護膜は必ずしも双方の透明電極膜２．５に
形成するゼ要はなく、いずれか一方の容重性保護膜は省
略することもできる。

光所百勿只 以上説明してきたように、本発明に係るメンブレン式タ
ッチパネルは、略平行に配置された透明絶縁基材の対向
する表面上にそれぞれ形成された透明電極膜のうち一方
の面、あるいは双方の面に導電性酸化物粒子が分散した
透明導電性保護膜を設けているので、前記保護膜が透明
電極股間のスペーサー＠能を持つと共に、透明電極膜の
機械的保護を図り、高精細な文字、あるいは図形の入力
を可能とし、更に誤動作を防止することができる。

以下、より具体的な実施例に基づき本発明を説明するが
、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

火施刊 メンブレン式タッチパネルを形成するため、以下に示す
基板Ａ〜Ｅを製造した。

［基板Ａ］ ５重量％の酸化錫粉末を含む酸化インジウム粉末をタブ
レット状に成型した後、２ｋｗの電子銃を用い、ＰＥＴ
　（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、フィ
ルム温度を１００℃、酸素分圧を３　Ｘ　１０−４Ｔｏ
ｒｒ　、蒸着進境を３人／ｓｅｃで透明電極膜を被着さ
せた。

［基板Ｂ］ 硝子板を用い、板温度を４００℃とした以外は基板Ａと
同様に透明電極を被着しな。

［基板Ｃ］ 弗素をドープした導電性酸化インジウム粉末（触媒化成
工業（株）製、商品名　ＥＬＣＯＭＴＬ−１３０＞１５
０ｇとポリエステル樹脂（東洋紡績製、商品名バイロン
）４２ｇをイソホロン４４８ｇ中に加えて混合し、サン
ドミルで２時間粉砕して透明導電性保護膜用塗料を得た
。この塗料を基板Ａ上にスピンナーを用い５００ｒ、ｐ
、ｍ、で塗布した後、１２０℃１０分間乾燥させて透明
導電性保護膜を形成した。

［基板Ｄ］ アンチモンをドープした導電性酸化錫粉末（触媒化成工
業（株）製、商品名　ＥＬＣＯＭ　　’１”Ｌ−３０）
１５０ｇとポリエステル樹脂（東洋紡績製、商品名バイ
ロン）８８ｇとメチルエチルケトン／トルエン（重量比
１／１）５６０ｇを用い、スピンナー回転速度を１００
　Ｏｒ、Ｄ、ｍ、とした以外は基板Ｃと同様にして基板
Ａ上に透明導電性保護膜を形成した。

［基板Ｅ］ 弗素をドープした導電性酸化インジウム粉末（触媒化成
工業（株）製、商品名　Ｅ　Ｌ　ＣＯＭ’Ｉ’Ｌ−１３
０）１５０ｇと紫外線硬化樹脂（亜南香料製、商品名ツ
ビコール、キャリア移動速度：１０−６．−Ｊ／Ｖ・５
ｅｃ）３７．５ｇをシクロへキサノン２００　、　ｒ４
−ｒ４こ加えて混合し、サンドミルで２時間粉砕して透
明電極用塗料を得た。この塗料をｐ　Ｅ”ｒフィルム上
にスピンナーを用い３００ｒ、　ｐ、　ｍ、で塗布した
後、紫外線で硬化して透明電極を形成させた。次いでア
ンチモンをドープした導電性酸化錫粉末（触媒化成工業
（株）製、商品名ＥＬＣＯＭ　　ＴＬ−３０）１５０ｇ
と紫外線硬化樹脂（大へ化学製、商品名ＤＨ−７００）
６５ｇと酢酸ｎ−ブチル５００ｇ中に加えて混合し、サ
ンドミルで２時間粉砕して透明導電性保護膜用塗料を得
た。この塗料を前記透明電極上にスピンナーを用い５０
０　ｒ、ｐ、ｍ、で塗布した後、紫外線で硬化させて透
明導電性保護膜を形成した。

以上のようにして得られたタッチパネル用基板の■透明
性（全光線透過率：Ｔｔ、ヘーズ：■］）をヘーズコン
ピューター（スガ試＠機製）で、０表面抵抗（Ｒ３）を
電極セル（ＹＨＰ製）で、および■膜厚を測定し、表１
に結果を示した。

次に、この様にして得られたタッチパネル用基板を、表
２の様に組合せ、第１図の様なメンブレン式タッチパネ
ルを得た。得られたメンブレン式タッチパネルについて
下記の評価を行った。

■全光線透過率Ｔ（をヘーズコンピューターで測定した
。

■入力テスト：第３図示すように、メンブレン式タッチ
パネル７を処理部１５及び表示部１６に接続し、文字ま
たは図形をメンブレン式タッチパネル７に書込み、表示
部１６の入力状況を評価した。

■誤動作テスト＝１ｇまたは５０ｇの荷重をがけな鉛筆
をメンブレン式タッチパネル上に置き、第４図の様にし
て抵抗を測定した。

なお、第４図中、符号「１０」は銀ペースト電極、「１
１」は定電流電源、「１２」は電流Ｓ１、「１３」は電
圧計である。

■摺動テスト：１５０ｇの加重をかけた鉛筆を５個幅で
摺動させ、線切れ等の入力不能にいたるまでの往復回数
を評価した。

結果を表２に示す。

ムー１ １λ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るメンブレン式タッチパネルの要部
断面図、第２図はメンブレン式タッチパネルの原理図、
第３図は本発明に係るメンブレン式タッチパネルの使用
状態を示す概略図、第４図は同メンブレン式タッチパネ
ルの斜視図である。 １６・・・透明絶縁基材　　２，５・・・透明電極膜３
．４・・・透明導電性保護膜 ７・・・メンブレン式タッチパネル 代理人　　弁理士　　銘木　俊一部 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３　　図 ７メンプレイ民タツチパネル 勾　　　　　　　タ 手続補正書（自発） 昭和６２年９月１日 昭和６２年　特　許　願　第１２５，５２１月２、発明
の名称 メンブレン式タッチパネル 名　称　　触媒化成工業株式会社 ６、補正の内容 υ（Ｅ）−＝−一− １１−１８μＥ　　　μＶ したがってμ＝ （ｊｌ　　ｊｏ）Ｖ　　　Ｊ を下記の如く訂正する。 ［Ｉ　　　　　Ｉ　　　　ｐ２ したがって　μ−□ （ｔｌ−ｔｏ）Ｖ　　Ｊ 手続補正用 昭和６３年　１月１２日 特許庁長官　　小　川　邦　夫　　殿　ｉ、］１、事イ
１の表示 昭和６２年　特　許　願　第１２５．５２１号２、発明
の名称 メンブレン式タッチパネル 図面第４図 ７、補正の内容 第４図を別紙のとおり補正する。 １３１　　’ｊ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）所定の間隙で略平行に配置された透明絶縁基材にお
   ける対向する表面にそれぞれ形成された透明電極膜のう
   ちの少なくとも一方の透明電極膜の表面に透明導電性保
   護膜を形成したことを特徴とするメンブレン式タッチパ
   ネル。 ２）前記導電性保護膜は、樹脂中に導電性酸化物粒子を
   分散させてなる膜体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載のメンブレン式タッチパネル。 ３）前記導電性保護膜は、紫外線硬化性バインダー樹脂
   および（または）熱硬化性バインダー樹脂中に、導電性
   酸化物粉末が４０〜９５重量％分散させてなる膜厚１〜
   ３０μｍの膜体であることを特徴とする特許請求の範囲
   第２項に記載のメンブレン式タッチパネル。