JPS6328859A - 蒸着装置 - Google Patents

蒸着装置

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Publication number
JPS6328859A
JPS6328859A JP17334086A JP17334086A JPS6328859A JP S6328859 A JPS6328859 A JP S6328859A JP 17334086 A JP17334086 A JP 17334086A JP 17334086 A JP17334086 A JP 17334086A JP S6328859 A JPS6328859 A JP S6328859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
substrate
vapor
face
deposited film
Prior art date
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Pending
Application number
JP17334086A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Kagawa
仁志 香川
Akira Hattori
亮 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP17334086A priority Critical patent/JPS6328859A/ja
Publication of JPS6328859A publication Critical patent/JPS6328859A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば半導体レーザの端面保護膜形成に用
いられる蒸着装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は例えば半導体レーザ端面保!!!膜形成時に用
いられる治具の一例を示す図で、ウェハを短冊状にヘキ
開した半導体レーザ(以下LDバーと称す)7をヘキ開
面を揃えて並べる。
第3図は従来の蒸着装置を示す図である。この装置内に
固定された基板載置部3に上記ホルダー治具6本体をセ
ットし、LDバー7ヘキ開端面に蒸着物ルツボ4内の蒸
着物を高真空中で蒸着せしめる方法が従来技術として利
用されていた。
次にLDバー7の他方の端面に保護膜を蒸着させる場合
には、真空室チャンバー5を一度大気圧に開放し、LD
バーホルダー治具6本体を取り出し、反転させて再び基
frIi載置部3にセットし、更に真空室チャンバー5
を真空状態にさせ、蒸着を行う。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の蒸着装置は以上のように構成されているので、1
回の蒸着操作では片方の端面のみに保護膜が形成され、
もう一方の端面に保護膜を蒸着するには、高真空状態を
一度開放する必要があり、再び真空室を高真空状態にす
るのに時間がかかり、又ホルダー治具本体を反転する作
業が必要である為、手間が掛かり、LDバ一端面を大気
中のゴミ。
ガス等で汚染させる等の問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、被蒸着基板であるLDバーの両端面に一度の真
空引操作で蒸着膜を形成させる事の出来る蒸着装置を得
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る蒸着装置は、基板載置部が蒸着物をセッ
トするルツボに対して反転するようにしたものである。
〔作用〕
この発明における蒸着装置は、基板戴置部を蒸着源に対
して反転させる機構を有することにより、被蒸着基板の
両面に一度の真空引操作で蒸着膜を形成する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、lは基板載置部反転装置で、2は基板!!
載置部を支えそれ自体が回転するプラネタリである。4
は蒸着物を入れる蒸着物ルツボであり、5は真空室チャ
ンバーである。
次に動作について説明する。第1図において、基板載置
部3に、第2図<a)に示すLDバーホルダー治具6を
、第2図(blに示すB面或いは0面のどちらか一方が
、蒸着物質飛翔方向に対して垂直に面するように載置し
、真空室チャンバー5内を高真空状態(10−’ To
rr程度)に保持し、蒸着物ルツボ4内の蒸着物を蒸発
させ、被蒸着基板である第2図(b)に示すLDバー7
端面のB面或いは0面に蒸着膜を形成させる。次に基板
載置部反転装置lを動作させミ基板載置部3を図に示し
た矢印のように蒸着物質飛翔方向に対し垂直、かつプラ
ネタリ2の回転中心と基板載置部3とを結ぶ方向に対し
垂直となる方向を軸として回転させ、先に蒸着膜を形成
させた面とは反対側の面を蒸着物質飛翔方向に対して垂
直に面する−ようにする。ここで基板載置部及転装W1
の動作を停止させ、再び上記の如く、蒸着膜を形成させ
る。
なお、上記実施例では基板載置部3とその反転装置1と
を、プラネタリに対し垂直な軸で接続する場合を示した
が、これは第4図に示すように、プラネタリに対し平行
な軸で接続し、それを回転軸として基板載置部3が回転
するようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る蒸着装置によれば被蒸着
基板載置部を蒸着源に対し反転させるような機構を有す
るので、−度の真空引操作で被蒸着基板の両面に蒸着膜
が形成でき、またそれにより被蒸着基板を途中で大気中
に一度とり出す必要がなくなる為、従来よりも、蒸着時
間を短縮し、不良の発生率を低減する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による蒸着装置を示す断面
側面図、第2図は例えば半導体レーザの端面保護膜形成
時に使用される治具の一例を示す図、第3図は従来の蒸
着装置を示す断面側面図、第4図はこの発明の他の実施
例による蒸着装置を示す図である。 1は基vi、載置部反転装置、2はプラネタリ、3は基
板載置部、4は蒸着物質を入れる蒸着物ルツボ、5は真
空室チャンバー、6はホルダー治具、7は被蒸着基板で
あるLDバーである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 2ニア°、7zクグ 3:l奈#If 4:、函−##$7.力。 5:fifZチPン//− 第2図 (a)           (b) Δ 第3図 第4図 1:μ剃I刃酷σ 2:フ゛うjタグ 3:J&#7F 4:蒸IA勿クンj゛

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高真空中で蒸着膜を形成する蒸着装置において、 被蒸着基板を載置する基板載置部を反転させる基板載置
    部反転装置を備えたことを特徴とする蒸着装置。
JP17334086A 1986-07-22 1986-07-22 蒸着装置 Pending JPS6328859A (ja)

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JP17334086A JPS6328859A (ja) 1986-07-22 1986-07-22 蒸着装置

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JP17334086A JPS6328859A (ja) 1986-07-22 1986-07-22 蒸着装置

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JPS6328859A true JPS6328859A (ja) 1988-02-06

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ID=15958608

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0806494A1 (en) * 1996-05-09 1997-11-12 Lucent Technologies Inc. Method and fixture for laser bar facet coating
US6869483B2 (en) * 1998-03-21 2005-03-22 Joachim Sacher Coating process and apparatus
US11247227B2 (en) 2015-06-17 2022-02-15 Master Dynamic Limited Apparatus, device and process for coating of articles

Cited By (5)

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