JPS63287565A - 半導体用シリコンの破砕方法 - Google Patents
半導体用シリコンの破砕方法Info
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- JPS63287565A JPS63287565A JP12031887A JP12031887A JPS63287565A JP S63287565 A JPS63287565 A JP S63287565A JP 12031887 A JP12031887 A JP 12031887A JP 12031887 A JP12031887 A JP 12031887A JP S63287565 A JPS63287565 A JP S63287565A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体用多結晶シリコンの破砕方法に関し、
詳しくは、引き上げ法による単結晶製造の材料として用
いられる高純度多結晶シリコンを短時間で最適な大きさ
に汚染なく破砕する方法に関する。
詳しくは、引き上げ法による単結晶製造の材料として用
いられる高純度多結晶シリコンを短時間で最適な大きさ
に汚染なく破砕する方法に関する。
［従来の技術］
半導体産業において、たとえばシリコン塊をルツボにて
溶解させ、種結晶の先端をシリコン液面につけ回転させ
ながら引き上げて単結晶を製造する場合、ここで使われ
るシリコン塊は高純度で製造された多結晶シリコンを用
い、塊の大きさは通常こぶし大に破砕されたもので、こ
れを引き上げ用ルツボに装填の後、溶融、引き上げを行
なっている。
溶解させ、種結晶の先端をシリコン液面につけ回転させ
ながら引き上げて単結晶を製造する場合、ここで使われ
るシリコン塊は高純度で製造された多結晶シリコンを用
い、塊の大きさは通常こぶし大に破砕されたもので、こ
れを引き上げ用ルツボに装填の後、溶融、引き上げを行
なっている。
半導体用多結晶シリコンのこのような破砕には多結晶シ
リコンをダイヤモンドブレードのごときもので、所定の
大きさに切断する方法。ハンマーのようなりので打ち砕
く方法、クラッシャー、たとえばショークラッシャーで
破砕する方法、一旦、外熱炉によって高温に熱し、水中
に落下させ急冷による衝撃によって破砕する方法０等が
採用されていたが、これらはシリコン以外のものとの接
触による汚染、或いは高温によるシリコンの酸化汚染が
避けられないため破砕されたシリコン表面の汚染を薬品
、たとえば、硝酸と弗酸の混合液により除去する必要が
あった。
リコンをダイヤモンドブレードのごときもので、所定の
大きさに切断する方法。ハンマーのようなりので打ち砕
く方法、クラッシャー、たとえばショークラッシャーで
破砕する方法、一旦、外熱炉によって高温に熱し、水中
に落下させ急冷による衝撃によって破砕する方法０等が
採用されていたが、これらはシリコン以外のものとの接
触による汚染、或いは高温によるシリコンの酸化汚染が
避けられないため破砕されたシリコン表面の汚染を薬品
、たとえば、硝酸と弗酸の混合液により除去する必要が
あった。
［発明が解決しようとする問題点コ
特開昭６０−３３２１０に示された方法は、マイクロ波
により多結晶シリコンな誘電加熱して破砕するもので器
物や装置との接触による汚染をなくすことを可能にした
が、この方法では比較的大きな出力が必要な上、破砕す
る時間が長くシリコ・ンが７００℃前後もの高温になり
雰囲気からの汚染や酸化を受けやすいという欠点がなお
残っている。
により多結晶シリコンな誘電加熱して破砕するもので器
物や装置との接触による汚染をなくすことを可能にした
が、この方法では比較的大きな出力が必要な上、破砕す
る時間が長くシリコ・ンが７００℃前後もの高温になり
雰囲気からの汚染や酸化を受けやすいという欠点がなお
残っている。
また、破砕片の温度冷却のために、たとえば水槽を設け
たり、破砕促進のための多結晶シリコンへの水の噴霧装
置を取り付けたりして装置が大型化、複雑化せざるを得
なかった。
たり、破砕促進のための多結晶シリコンへの水の噴霧装
置を取り付けたりして装置が大型化、複雑化せざるを得
なかった。
［問題点を解決するための手段１
本発明は前記のごときダイヤモンドブレードによる切断
や、ショークラッシャーでの破砕等による器物や装置か
らの汚染の問題、従来のマイクロ波による破砕法の前記
の欠点等を解決すべくなされたものである。
や、ショークラッシャーでの破砕等による器物や装置か
らの汚染の問題、従来のマイクロ波による破砕法の前記
の欠点等を解決すべくなされたものである。
マイクロ波を照射して多結晶シリコンを破砕する方法に
おいて、マイクロ波の電界を導体よりなるオーブン中に
閉じ込め、電界の強い所を多結晶シリコン内部の局部に
集中させ、部分的に急激に誘電加熱することにより破砕
するもので、オープンが、空調共振器として働く欅に、
その形状、寸法を共振条件に合わせることでオーブン内
部に定在波を発生させ、部分的に電界の強い所（以下、
電界の腹という）をつくりこの作用により破砕を行う。
おいて、マイクロ波の電界を導体よりなるオーブン中に
閉じ込め、電界の強い所を多結晶シリコン内部の局部に
集中させ、部分的に急激に誘電加熱することにより破砕
するもので、オープンが、空調共振器として働く欅に、
その形状、寸法を共振条件に合わせることでオーブン内
部に定在波を発生させ、部分的に電界の強い所（以下、
電界の腹という）をつくりこの作用により破砕を行う。
たとえば、マイクロ波の周波数λ−１２ｃｍ、円筒型空
胴部分の直径Ｄ−３０Ｃ１１，円筒型空胴部分の長さ方
向の波数Ｓ ” ４ 、 Ｔ Ｅｅｌモードの定在波が
たっているとして、 させるための円筒型空胴部分の長さｌは、次式を用いて
、 （１−２７，４８ｅｌｌを得る。
胴部分の直径Ｄ−３０Ｃ１１，円筒型空胴部分の長さ方
向の波数Ｓ ” ４ 、 Ｔ Ｅｅｌモードの定在波が
たっているとして、 させるための円筒型空胴部分の長さｌは、次式を用いて
、 （１−２７，４８ｅｌｌを得る。
すなわち、周波数を１２ｃｍ、円筒型空胴部分の直径３
０Ｃ１、波数を４と定めた場合、共振を起こさせる条件
として、円筒型空胴部分の長さを２７．４８１に調節す
る。
０Ｃ１、波数を４と定めた場合、共振を起こさせる条件
として、円筒型空胴部分の長さを２７．４８１に調節す
る。
定在波の発生そのものは、従来より知られているもので
あるが、シリコン塊がオープン中で、大きく場所を占有
しても、若干、電界の腹の立置が変わる程度でその働き
が、大きく変化しない事が本発明によって見出された。
あるが、シリコン塊がオープン中で、大きく場所を占有
しても、若干、電界の腹の立置が変わる程度でその働き
が、大きく変化しない事が本発明によって見出された。
本発明における好ましい実施態様としては、多晴品シリ
コンを配置する共振器底の部分の形状が、より強い電界
の腹を作るために半球面状とすること、さらに、電界の
腹を最大に調節するために、底の半球面状の部分を可動
にし、多結晶シリコンがマイクロ波のより強い電界の腹
の位置に常時、曝されるべく調整できることを特徴とす
る。ちなみに、底の部分が半球面状ではなく、通常の共
振器の底の部分の様に平たい板の場合、反射波が大きく
なり、電界の腹を半球面状程最大に調節するのは困難で
あった。
コンを配置する共振器底の部分の形状が、より強い電界
の腹を作るために半球面状とすること、さらに、電界の
腹を最大に調節するために、底の半球面状の部分を可動
にし、多結晶シリコンがマイクロ波のより強い電界の腹
の位置に常時、曝されるべく調整できることを特徴とす
る。ちなみに、底の部分が半球面状ではなく、通常の共
振器の底の部分の様に平たい板の場合、反射波が大きく
なり、電界の腹を半球面状程最大に調節するのは困難で
あった。
［作用］
マイクロ波の誘電加熱を利用した破砕においては、加熱
時間の短縮を図るためにはシリコン内部を部分的に、急
激に誘電加熱することが重要である。すなわち、短時間
に局部的温度上昇が起れば、その部分と他の部分の膨張
度の差により、強度限界を越えたところで破砕が起る０
本発明によれば、オーブンの構造を共振器とすることに
よりオーブン内部で定在波が立ち５部分的に電界の腹が
生ずる。この電界の腹の位置は、共振器内の共振波長の
ほぼ、１／２ごとにあられれる。オーブンの形状は方形
でも円筒でも良い。さらに、オーブンの底の部分にあた
る形状が半球面状であること、すなわち、多結晶シリコ
ンの周囲を半球面状の板で囲むことによって一層、その
効果が高まることが、実験によって確かめられた。
時間の短縮を図るためにはシリコン内部を部分的に、急
激に誘電加熱することが重要である。すなわち、短時間
に局部的温度上昇が起れば、その部分と他の部分の膨張
度の差により、強度限界を越えたところで破砕が起る０
本発明によれば、オーブンの構造を共振器とすることに
よりオーブン内部で定在波が立ち５部分的に電界の腹が
生ずる。この電界の腹の位置は、共振器内の共振波長の
ほぼ、１／２ごとにあられれる。オーブンの形状は方形
でも円筒でも良い。さらに、オーブンの底の部分にあた
る形状が半球面状であること、すなわち、多結晶シリコ
ンの周囲を半球面状の板で囲むことによって一層、その
効果が高まることが、実験によって確かめられた。
シリコンにマイクロ波を照射すると、シリコン中に入っ
たマイクロ波の進行速度は落ち、波長が変化する１周波
数２．４５ＧＨｚを使用した場合、波長は約３〜４ｃｍ
となるため必然的に電界の強い領域は小さくなる。従っ
て加熱される大きさは小さくなり温度勾配が急になり破
砕に適した条件となる。
たマイクロ波の進行速度は落ち、波長が変化する１周波
数２．４５ＧＨｚを使用した場合、波長は約３〜４ｃｍ
となるため必然的に電界の強い領域は小さくなる。従っ
て加熱される大きさは小さくなり温度勾配が急になり破
砕に適した条件となる。
本発明は、オーブンを空胴共振器とし、オーブンの底も
また半球面状としてシリコン内部を部分的に急激に誘電
加熱する効果を高めることによリマイクロ波の作用を衛
効に利用している。
また半球面状としてシリコン内部を部分的に急激に誘電
加熱する効果を高めることによリマイクロ波の作用を衛
効に利用している。
以下、実施例を挙げながら、本発明をさらに詳述する。
［実施例１コ
直径８０ｍｍ、長さ６０ｍｍの多結晶シリコンの表面か
ら中心に向かって長手方向にＩｏｆＩＩ所の穴をｕＨけ
、それぞれの穴に熱電対（ＰＲ１３％）を差し込み、こ
れを第２図に示した従来の装置にセットした。この装置
のオーブンの形状、寸法は、特に共振条件に合っている
ものではなく、さらに、第２図に示したごとく、半球面
状の板も備えていない装置である。
ら中心に向かって長手方向にＩｏｆＩＩ所の穴をｕＨけ
、それぞれの穴に熱電対（ＰＲ１３％）を差し込み、こ
れを第２図に示した従来の装置にセットした。この装置
のオーブンの形状、寸法は、特に共振条件に合っている
ものではなく、さらに、第２図に示したごとく、半球面
状の板も備えていない装置である。
出力０．５ｋｗ、 ＪＲ波数２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を発振させた。その時の多結晶シリコン中の温度を測
定した。その結果、どの部分の温度も４５０’Ｃ前後で
局部加熱は起こらなかった。
波を発振させた。その時の多結晶シリコン中の温度を測
定した。その結果、どの部分の温度も４５０’Ｃ前後で
局部加熱は起こらなかった。
［実施例２］
直径８０１ｍ、長さ６０ｍの多結晶シリコンの表面から
中心に向かって長手方向に１０箇所の穴を開け、それぞ
れの穴に熱電対（トＲ１３％）を差し込み、直径３８０
圓、長さ２４０閣の円筒空胴共振器形オーブンを備えた
第１図に示したマイクロ波破砕装置にセットした。但し
、このオーブンの底の部分は半径１５０園の半球面状を
有している。出力０．５ｋｗ、周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を電磁ホーン５より３０秒間、発振させ、多
結晶シリコン６中の温度を測定した。
中心に向かって長手方向に１０箇所の穴を開け、それぞ
れの穴に熱電対（トＲ１３％）を差し込み、直径３８０
圓、長さ２４０閣の円筒空胴共振器形オーブンを備えた
第１図に示したマイクロ波破砕装置にセットした。但し
、このオーブンの底の部分は半径１５０園の半球面状を
有している。出力０．５ｋｗ、周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を電磁ホーン５より３０秒間、発振させ、多
結晶シリコン６中の温度を測定した。
その結果、測定した１０箇所のうち、試料の先端から４
番目の温度が、６９０℃と最も高く、他の部分の温度は
、１２０℃前後であった。
番目の温度が、６９０℃と最も高く、他の部分の温度は
、１２０℃前後であった。
また、第１図における、半球面状底板７を取り払い、底
が平たい通常の共振器でも、同様に温度を測定した。そ
の場合は、測定した１０箇所のうち。
が平たい通常の共振器でも、同様に温度を測定した。そ
の場合は、測定した１０箇所のうち。
試料の先端から４番目の温度が、４００℃と最も高く、
他の部分の温度は８０℃前後と、平均すると底が半球面
状の形をしたものより温度の上昇率は低かった。
他の部分の温度は８０℃前後と、平均すると底が半球面
状の形をしたものより温度の上昇率は低かった。
［実施例３］
直径８０鴫、長さ６０ＩＩＩＩ１１の多結晶シリコンの
表面から中心に向かって長手方向に１０箇所の穴を開け
、それぞれの穴に熱電対（ＰＲ１３％）を差し込み、２
４０ Ｘ ２５０ Ｘ ２４０ｍｍの方形空胴共振器形
オーブンを備えたマイクロ波破砕装置にセットした。但
し。
表面から中心に向かって長手方向に１０箇所の穴を開け
、それぞれの穴に熱電対（ＰＲ１３％）を差し込み、２
４０ Ｘ ２５０ Ｘ ２４０ｍｍの方形空胴共振器形
オーブンを備えたマイクロ波破砕装置にセットした。但
し。
このオーブンの底の部分は半径１５０Ｍの半球面状を有
している。出力０．５ｋｗ周波数２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を電磁ホーン５より発振させ、多結晶シリコン６
中の温度を測定した。その結果、測定した１ＯｆｌＩ所
のうち、試料の先端から５番目の温度が、６５０℃と最
も高く、他の部分の温度は９５℃前後であった。
している。出力０．５ｋｗ周波数２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を電磁ホーン５より発振させ、多結晶シリコン６
中の温度を測定した。その結果、測定した１ＯｆｌＩ所
のうち、試料の先端から５番目の温度が、６５０℃と最
も高く、他の部分の温度は９５℃前後であった。
また、半球面状底板７を取り払い、底が平たい通常の共
振器でも、同様に温度を測定した。その場合は測定した
１０ｉ１所のうち、試料の先端から５番目の温度が、４
２０’Ｃと最も高く、他の部分の温度は７０℃前後と、
平均すると底が半球面状の形をしたものより温度の上昇
率は低かった。
振器でも、同様に温度を測定した。その場合は測定した
１０ｉ１所のうち、試料の先端から５番目の温度が、４
２０’Ｃと最も高く、他の部分の温度は７０℃前後と、
平均すると底が半球面状の形をしたものより温度の上昇
率は低かった。
しかし、実施例１．２．及び実施例３の結果がらオーブ
ンの形状、寸法を共振器としたことにより、局部的な加
熱が可能であることが明確になった。さらに、底の部分
を半球面状にしたことで、その効果が一層、強められた
ことが、明らかになった。
ンの形状、寸法を共振器としたことにより、局部的な加
熱が可能であることが明確になった。さらに、底の部分
を半球面状にしたことで、その効果が一層、強められた
ことが、明らかになった。
［実施例４コ
実施例１と同様に第２図に示した従来の破砕装置を用い
て、オーブン中に直径８０閣、長さ２００鵬の多結晶シ
リコンをセットし、出力１０ｋｗ、周波数２．４５Ｇｌ
（ｚのマイクロ波を発振させた。破砕には６０秒を要し
た。破砕シリコン片の表面温度は、破砕直後で６２５℃
であった。
て、オーブン中に直径８０閣、長さ２００鵬の多結晶シ
リコンをセットし、出力１０ｋｗ、周波数２．４５Ｇｌ
（ｚのマイクロ波を発振させた。破砕には６０秒を要し
た。破砕シリコン片の表面温度は、破砕直後で６２５℃
であった。
［実施例５コ
円筒空胴共振器形オーブンを備えた第１図の破砕装置を
用いた。但し、オーブンの底の部分は半径１５０ｍａ＋
の半球面状を有している。直径８０ｍｍ、長さ２００ｍ
の多結晶シリコン６をセットし、出力１０ｋｗ、周波数
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を電磁ホーン５より発振さ
せた。僅か、３秒で先端４ａｎ程が破砕され、続いて、
破砕残を順次、共振波長の１／４の長さ以上送りだして
破砕し、長さ２００Ｍの多結晶シリコンを僅か３０秒で
全て破砕した。破砕片１１の大きさは、１０〜７０−で
、単結晶素材として適した大きさであった。また、破砕
片の集中加熱された部分は、その部分が狭いこともあっ
て、破砕直後であっても１００℃であった。さらに、そ
の他の表面温度は、破砕直後で５５℃であった。
用いた。但し、オーブンの底の部分は半径１５０ｍａ＋
の半球面状を有している。直径８０ｍｍ、長さ２００ｍ
の多結晶シリコン６をセットし、出力１０ｋｗ、周波数
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を電磁ホーン５より発振さ
せた。僅か、３秒で先端４ａｎ程が破砕され、続いて、
破砕残を順次、共振波長の１／４の長さ以上送りだして
破砕し、長さ２００Ｍの多結晶シリコンを僅か３０秒で
全て破砕した。破砕片１１の大きさは、１０〜７０−で
、単結晶素材として適した大きさであった。また、破砕
片の集中加熱された部分は、その部分が狭いこともあっ
て、破砕直後であっても１００℃であった。さらに、そ
の他の表面温度は、破砕直後で５５℃であった。
［実施例６コ
方形空胴共振器形オーブンを備えた破砕装置を用いた。
但し、オーブンの底の部分は外径３００Ｍの放物面状を
有している。直径８０■、長さ２００Ｍの多結晶シリコ
ンをセットし、出力１０ｋｗ、周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を電磁ホーンより発振させた。僅か、３秒で
先端４０關程が破砕され、続いて。
有している。直径８０■、長さ２００Ｍの多結晶シリコ
ンをセットし、出力１０ｋｗ、周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を電磁ホーンより発振させた。僅か、３秒で
先端４０關程が破砕され、続いて。
破砕残を順次、共振波長の１／４の長さ以上送りだして
破砕し、長さ２００ｍの多結晶シリコンを僅か３０秒で
全て破砕した。破砕片の大きさは、１０〜７０−で、単
結晶素材として適した大きさであった。
破砕し、長さ２００ｍの多結晶シリコンを僅か３０秒で
全て破砕した。破砕片の大きさは、１０〜７０−で、単
結晶素材として適した大きさであった。
また、破砕片の集中加熱された部分は、その部分が狭い
二ともあって、破砕直後であっても１１０℃であった。
二ともあって、破砕直後であっても１１０℃であった。
さらに、その他の破砕片の表面温度は、破砕直後で６０
℃であった。これにより、オーブンは円筒でも方形でも
よいことがわかった。
℃であった。これにより、オーブンは円筒でも方形でも
よいことがわかった。
［実施例７］
第１図の装置を用い、オーブン中に入れた多結晶シリコ
ンの形、大きさによって多少ずれる電界の腹の位置を調
整可能とするため、オーブンの半球面状底板を動かせる
ようにして破砕を試た。
ンの形、大きさによって多少ずれる電界の腹の位置を調
整可能とするため、オーブンの半球面状底板を動かせる
ようにして破砕を試た。
直径８０ＩＩＩＩ１１、長さ２００ｍｍの多結晶シリコ
ン６をセットし、出力１０ｋｗ、周波数２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波を電磁ホーン５より発振させた。僅か、３
秒で先端４ａｎ程が破砕されたが、破砕残の先端が鋭く
尖った形をしていたため電界の腹の位置が、わずかにず
れて、反射波が、わずかに大きくなった。そこで、半球
面状底板７をずらせたところ反射波が減少し、破砕が起
こった。この様にして繰り返し破砕が行なわれ、長さ２
００ｍ＋ａの多結晶シリコンは、１分足らずで全て破砕
された。この様に半球面状底板を可動にすることによっ
て、破砕後の割れかたによらず、破砕が行なわれること
が可能となった。 この時の最初の破砕は、音から判断
して、出力が５．３ｋｗの程度の時に起こった。また、
２回目以降の破砕は、６．２ｋｗ程度で起こったことが
電力計の読みから確認された。
ン６をセットし、出力１０ｋｗ、周波数２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波を電磁ホーン５より発振させた。僅か、３
秒で先端４ａｎ程が破砕されたが、破砕残の先端が鋭く
尖った形をしていたため電界の腹の位置が、わずかにず
れて、反射波が、わずかに大きくなった。そこで、半球
面状底板７をずらせたところ反射波が減少し、破砕が起
こった。この様にして繰り返し破砕が行なわれ、長さ２
００ｍ＋ａの多結晶シリコンは、１分足らずで全て破砕
された。この様に半球面状底板を可動にすることによっ
て、破砕後の割れかたによらず、破砕が行なわれること
が可能となった。 この時の最初の破砕は、音から判断
して、出力が５．３ｋｗの程度の時に起こった。また、
２回目以降の破砕は、６．２ｋｗ程度で起こったことが
電力計の読みから確認された。
本発明の一実施例である実施例５，６、及び実施例７に
おける破砕は、従来法によるものと異なり、電界の集中
する部分を中心にして起こることも確認された。
おける破砕は、従来法によるものと異なり、電界の集中
する部分を中心にして起こることも確認された。
さらに、実施例５．６、及び実施例７により得られる破
砕シリコン片の表面は、雰囲気からの酸化、汚染が殆ど
無い事も確認された。
砕シリコン片の表面は、雰囲気からの酸化、汚染が殆ど
無い事も確認された。
尚、以上の各実施例では、装置としていずれもバッチ式
のものを用いたが、本発明を実施する場合、効率の面か
らは多結晶シリコンの先端が常にマイクロ波の電界強度
の高い位置に曝されるよう、連続フィード式、間欠フィ
ード式のものを採用することが望ましい６ ［発明の効果］ 本発明によれば、オーブンとして底が半球面状をした板
を持った空胴共振器を用いるため多結晶シリコン内部の
局部が急激に誘電加熱され、その熱応力により数秒で瞬
時に、破砕されるから、生産性が大巾に向上する。
のものを用いたが、本発明を実施する場合、効率の面か
らは多結晶シリコンの先端が常にマイクロ波の電界強度
の高い位置に曝されるよう、連続フィード式、間欠フィ
ード式のものを採用することが望ましい６ ［発明の効果］ 本発明によれば、オーブンとして底が半球面状をした板
を持った空胴共振器を用いるため多結晶シリコン内部の
局部が急激に誘電加熱され、その熱応力により数秒で瞬
時に、破砕されるから、生産性が大巾に向上する。
しかも、破砕片の表面温度は、従来法による７００℃前
後といった高温に較べ、大部分が５０〜６０℃程度と低
く雰囲気からの酸化、汚染が無くなる。
後といった高温に較べ、大部分が５０〜６０℃程度と低
く雰囲気からの酸化、汚染が無くなる。
さらに、その装置においても、従来、設けていた破砕片
冷却のための貯水槽や、破砕促進のための多結晶シリコ
ンへの水噴霧装置も不要となるなど、装置構造へ及ぼす
効果も大きい。さらに、従来法に較べ、マイクロ波の出
力を低くできるから、省エネルギーにも貢献する。
冷却のための貯水槽や、破砕促進のための多結晶シリコ
ンへの水噴霧装置も不要となるなど、装置構造へ及ぼす
効果も大きい。さらに、従来法に較べ、マイクロ波の出
力を低くできるから、省エネルギーにも貢献する。
第１図は、本発明の一実施態様に適用される半導体用シ
リコン破砕装置の概略図。 第２図は、従来法に適用される半導体用シリコン破砕装
置の概略図。 １・・・・発振機 ２・・・・方向性結合器 ３・・・・整合器 ４・・・・制御機 ５・・・・電磁ホーン ６・・・・多結晶シリコン ７・・・・半球面状底板 ８・・・・半球面状底板可動装置 ９・・・・空胴共振器形オーブン ９°・・・・オーブン １０・・・・試料送り装置 １１・・・・破砕シリコン片 １２・・・・貯槽 特許出願人 小松電子金属株式会社 １： 発振機 ２： 方向性結合器 ３： 整合器４・
制御機 ５・ 電磁ホーン ６： 多結晶シリコン
７： 半球面状底板 ８： 半球面状底板可動装置 ９： 空胴共振器形オーブン ｌＯ： 試料送り装置 １１： 破砕シリコン片 １２： 貯槽 第１図 １： 発振機 ２二 方向性結合器 ３ ： 整合器４
： 制御機 ６ 多結晶シリコン９′： オーブン１０
： 試料送り装置 １１：＠砕シリコン片 １２：Ｊｊｊ’槽 第２図
リコン破砕装置の概略図。 第２図は、従来法に適用される半導体用シリコン破砕装
置の概略図。 １・・・・発振機 ２・・・・方向性結合器 ３・・・・整合器 ４・・・・制御機 ５・・・・電磁ホーン ６・・・・多結晶シリコン ７・・・・半球面状底板 ８・・・・半球面状底板可動装置 ９・・・・空胴共振器形オーブン ９°・・・・オーブン １０・・・・試料送り装置 １１・・・・破砕シリコン片 １２・・・・貯槽 特許出願人 小松電子金属株式会社 １： 発振機 ２： 方向性結合器 ３： 整合器４・
制御機 ５・ 電磁ホーン ６： 多結晶シリコン
７： 半球面状底板 ８： 半球面状底板可動装置 ９： 空胴共振器形オーブン ｌＯ： 試料送り装置 １１： 破砕シリコン片 １２： 貯槽 第１図 １： 発振機 ２二 方向性結合器 ３ ： 整合器４
： 制御機 ６ 多結晶シリコン９′： オーブン１０
： 試料送り装置 １１：＠砕シリコン片 １２：Ｊｊｊ’槽 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波による多結晶シリコンの誘電加熱破砕方
法において、使用するマイクロ波用オーブンに空胴共振
器を用いることを特徴とする半導体用シリコンの破砕方
法。 ２、該マイクロ波用オーブンの底の部分が半球面状を有
していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
マイクロ波による半導体用シリコンの破砕方法。 ３、該半球面状のオーブンの底の部分をオーブン中で可
動とすることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
マイクロ波による半導体用シリコンの破砕方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12031887A JPS63287565A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体用シリコンの破砕方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12031887A JPS63287565A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体用シリコンの破砕方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287565A true JPS63287565A (ja) | 1988-11-24 |
| JPH0239941B2 JPH0239941B2 (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=14783276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12031887A Granted JPS63287565A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体用シリコンの破砕方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63287565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0761808A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Koujiyundo Silicon Kk | 多結晶シリコンの破砕方法 |
| JP2004091321A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-25 | Hemlock Semiconductor Corp | シリコン処理効率の改善方法及び装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5148688A (en) * | 1974-09-12 | 1976-04-26 | Lilly Co Eli | Sefuazorinno seiho |
| JPS5237228A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-23 | Eaton Corp | Relief valve apparatus |
| JPS6033210A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体用シリコンの破砕方法 |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP12031887A patent/JPS63287565A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5148688A (en) * | 1974-09-12 | 1976-04-26 | Lilly Co Eli | Sefuazorinno seiho |
| JPS5237228A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-23 | Eaton Corp | Relief valve apparatus |
| JPS6033210A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体用シリコンの破砕方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0761808A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Koujiyundo Silicon Kk | 多結晶シリコンの破砕方法 |
| JP2004091321A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-25 | Hemlock Semiconductor Corp | シリコン処理効率の改善方法及び装置 |
| US6874713B2 (en) | 2002-08-22 | 2005-04-05 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for improving silicon processing efficiency |
| JP2010189274A (ja) * | 2002-08-22 | 2010-09-02 | Hemlock Semiconductor Corp | シリコン片混合物を少なくとも２つのサイズ分布に区分する方法、システム及び分級機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239941B2 (ja) | 1990-09-07 |
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