JPS63282162A - Silicon carbide type sintered body and electrical-discharge machined body thereof - Google Patents
Silicon carbide type sintered body and electrical-discharge machined body thereofInfo
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 42
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 abstract description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 8
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000012258 stirred mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000009763 wire-cut EDM Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（１）−発明の目的
［産業上の利用分野］
本発明は、炭化珪素質焼結体およびその放電加工体に関
し、特に電気比抵抗が低下されることにより放電加工か
容易とされた炭化珪素質焼結体およびその放電加工体に
関するものである。Detailed Description of the Invention (1) - Purpose of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a silicon carbide sintered body and an electric discharge machined body thereof, and particularly relates to a silicon carbide sintered body and an electric discharge machined body by reducing electrical resistivity. The present invention relates to a silicon carbide sintered body and an electric discharge machined body thereof that can be easily processed.
［従来の技術］
従来この種の炭化珪素質焼結体としては、電気比抵抗が
１０３〜１０４ΩＣ■であるものが提案されており、そ
の高強度あるいは高耐熱性などの特性から機械部品など
の材料として利用されていた。[Prior art] As this type of silicon carbide sintered body, one with an electrical resistivity of 103 to 104 ΩC has been proposed, and its high strength and high heat resistance make it suitable for use in mechanical parts, etc. It was used as a material.
［解決すべき問題点］
しかしながら従来の炭化珪素質焼結体は、電気比抵抗が
１０３〜１０’Ω（ｊであったので、放電加工できず、
機械研磨などによって加工する必要があって、深度の大
きな亀裂などを十分に除去するためには長時間にわたり
加工しなければならず、加工能率を改善し得ない欠点を
有していた。このため炭化珪素質焼結体の放電加工体は
、実質的に提供されていなかった。[Problems to be solved] However, conventional silicon carbide sintered bodies have an electrical resistivity of 103 to 10'Ω (j), so they cannot be subjected to electrical discharge machining.
It is necessary to process by mechanical polishing or the like, and in order to sufficiently remove deep cracks, etc., the process must be carried out for a long time, which has the disadvantage that processing efficiency cannot be improved. For this reason, electrical discharge machined bodies made of silicon carbide sintered bodies have not been substantially provided.
そこで本発明は、この欠点を除去し、電気比抵抗を低下
せしめることにより放電加工を容易とされた炭化珪素質
焼結体およびその放電加工体を提供せんとするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to eliminate this drawback and provide a silicon carbide sintered body that can be easily subjected to electric discharge machining by lowering the electrical resistivity and an electric discharge machined body thereof.
（２）発明の構成
［問題点の解決手段］
そのために本錦明により提供される解決手段は、「炭化
珪素粉末に対して１〜３０重量％の酸化アルミニウムと
３〜２５重量％の珪化クロムとが添加されており、不活
性ガス雰囲気下で１７００〜２０００′℃の温度により
焼結されてなることを特徴とする炭化珪素質焼結体」で
ある。(2) Structure of the invention [Means for solving the problem] To this end, the solution provided by Honkinmei consists of ``1 to 30% by weight of aluminum oxide and 3 to 25% by weight of chromium silicide based on silicon carbide powder. and sintered at a temperature of 1,700 to 2,000'C in an inert gas atmosphere.
また本発明により提供される他の解決手段は、「炭化珪
素粉末に対して１〜３０重量％の酸化アルミニウムと３
〜２５重量％の珪化クロムとが添加されており、不活性
ガス雰囲気下で１７００〜２０００℃の温度により焼結
され、放電加工によって加工されてなることを特徴とす
る炭化珪素質焼結体の放電加工体」である。Another solution provided by the present invention is that ``1 to 30% by weight of aluminum oxide and 3% by weight based on silicon carbide powder.
~25% by weight of chromium silicide is added, sintered at a temperature of 1700 to 2000°C in an inert gas atmosphere, and processed by electric discharge machining. electrical discharge machined body.
［作用］
本発明にかかる炭化珪素質焼結体は、炭化珪素粉末に対
し酸化アルミニウムと珪化クロムとが添加されており、
不活性ガス雰囲気下で１７００〜２０００°Ｃの温度に
より焼結されてなるのて、（ｉ）電気比抵抗を低減する
作用をなし、ひいては放電加工を容易とする作用をなし
ており、（ｉｉ）高靭性とする作用をなしている。[Function] The silicon carbide sintered body according to the present invention has aluminum oxide and chromium silicide added to silicon carbide powder,
Since it is sintered at a temperature of 1,700 to 2,000°C in an inert gas atmosphere, it (i) has the effect of reducing electrical resistivity, and thus facilitates electrical discharge machining, and (ii) ) It has the effect of providing high toughness.
また本発明にかかる炭化珪素質焼結体の放電加工体は、
炭化珪素粉末に対し酸化アルミニウムと珪化クロムとが
添加されており、不活性ガス雰囲気下で１７００〜２０
００℃の温度上より焼結され、加えて放電加工によって
加工されてなるのて、（ｉ）深度の大きな亀裂などを十
分に除去する作用をなし、（ｉｉ）高強度および高靭性
を確保する作用をなしている。Further, the electrical discharge machined body of the silicon carbide sintered body according to the present invention is
Aluminum oxide and chromium silicide are added to silicon carbide powder, and the
Since it is sintered at a temperature of 00°C and further processed by electric discharge machining, it (i) has the effect of sufficiently removing deep cracks, etc., and (ii) ensures high strength and high toughness. It is working.
［実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。[Example] Next, examples of the present invention will be described.
工Ｘ隻輿１よ
平均粒径０．ＳＢｍの炭化珪素粉末７６ｇは、平均粒径
０．５ＪＬｍの酸化アルミニウム粉末ｌｏｇと平均粒径
１Ｇｇｍの珪化クロム１０ｇとが添加されたのち、更に
アセトンに溶解された炭化度５０重量％のフェノールレ
ジン８ｇが添加され、ボットミル中で２０時間にわたっ
て攪拌混合された。The average particle size is 0. To 76 g of SBm silicon carbide powder, log aluminum oxide powder with an average particle size of 0.5 JLm and 10 g of chromium silicide with an average particle size of 1 Ggm were added, and then 8 g of phenol resin with a degree of carbonization of 50% by weight dissolved in acetone was added. was added and stirred and mixed in a bot mill for 20 hours.
次いで攪拌混合物は、乾燥により溶媒が除去され、造粒
された。The stirred mixture was then dried to remove the solvent and granulated.
造粒混合物は、５ｍｍＸ５ｍ■Ｘ ６０ｍ■の金型プレ
スおよびラバープレスによって成型された。成型体は、
グラファイト容器に収容されアルゴン雰囲気下において
１９００℃の温度で焼結された。The granulated mixture was molded using a 5 mm x 5 m x 60 m die press and a rubber press. The molded body is
It was housed in a graphite container and sintered at a temperature of 1900° C. under an argon atmosphere.
焼結体は、密度、電気比抵抗および曲げ強さく室温下に
おける３点曲げの強さ）について測定された。その測定
結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature). The measurement results are shown in Table 1.
（実施例２）
平均粒径０．５ｇｍの炭化珪素粉末７４ｇは、平均粒径
０．Ｓｇｍの酸化アルミニウム粉末１０ｇと平均粒径４
ｇｍの窒化アルミニウム２ｇと平均粒径１０ｇｍの珪化
クロム１０ｇとが添加されたのち、更にアセトンに溶解
された炭化度５０重量％のフェノールレジン８ｇが添加
され、ボットミル中で２０時間にわたって攪拌混合され
た。(Example 2) 74 g of silicon carbide powder with an average particle size of 0.5 gm has an average particle size of 0.5 gm. Sgm aluminum oxide powder 10g and average particle size 4
After adding 2 g of aluminum nitride of gm and 10 g of chromium silicide with an average particle size of 10 gm, 8 g of phenol resin with a degree of carbonization of 50% by weight dissolved in acetone was added, and the mixture was stirred and mixed in a bot mill for 20 hours. .
次いて攪拌混合物は、乾燥により溶媒が除去され、造粒
された。The stirred mixture was then dried to remove the solvent and granulated.
造粒混合物は、５■■Ｘ ５ ｓ＋ｍＸ ５０ｍ■の金
型プレスおよびラバープレスによって成型された。成型
体は、グラファイト容器に収容されアルゴン雰囲気下に
おいて１９００℃の温度で焼結された。The granulated mixture was molded using a 5×5 s+m×50 m die press and a rubber press. The molded body was placed in a graphite container and sintered at a temperature of 1900° C. under an argon atmosphere.
焼結体は、密度、電気比抵抗および曲げ強さく室温下に
おける３点曲げの強さ）について測定された。その測定
結果は、第１表のとおりである。また焼結体は、ＭＩ法
によって破壊靭性を測定したところ、５．６ ＭＰａ
−ｍ””の高い値が得られた。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature). The measurement results are shown in Table 1. Furthermore, when the fracture toughness of the sintered body was measured by the MI method, it was 5.6 MPa.
A high value of -m'' was obtained.
（実施例３）
平均粒径０．５７ｚｍの炭化珪素粉末８０ｇは、平均粒
径０．５４ｍの酸化アルミニウム粉末１０ｇと平均粒径
１０ｇｍの珪化クロム１０ｇとが添加されたのち、更に
アセトンに溶解された酢酸ビニル４ｇが添加され、ボッ
トミル中で２０時間にわたって攪拌混合された。(Example 3) 80 g of silicon carbide powder with an average particle size of 0.57 zm was added with 10 g of aluminum oxide powder with an average particle size of 0.54 m and 10 g of chromium silicide with an average particle size of 10 gm, and then further dissolved in acetone. 4 grams of vinyl acetate were added and mixed with stirring in a bot mill for 20 hours.
次いで攪拌混合物は、乾燥により溶媒が除去され、造粒
された。The stirred mixture was then dried to remove the solvent and granulated.
造粒混合物は、５謹■×５會會×６０１朧の金型プレス
およびラバープレスによって成型された。成型体は、グ
ラファイト容器に収容されアルゴン雰囲気下において１
９００℃の温度で焼結された。The granulated mixture was molded using a 5cm × 5mm × 601mm mold press and a rubber press. The molded body was placed in a graphite container and heated for 1 hour under an argon atmosphere.
Sintered at a temperature of 900°C.
焼結体は、密度、電気比抵抗および曲げ強さく室温下に
おける３点曲げの強さ）について測定された。その測定
結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature). The measurement results are shown in Table 1.
（実施例４）
平均粒径０．５ｇｍの炭化珪素粉末７４ｇは、平均粒径
４ｇｍの窒化アルミニウム２ｇと平均粒径１０ｐ、ｍの
珪化クロム５ｇとが添加されたのち、更にアセトンに溶
解された炭化度５０重量％のフェノールレジン８ｇか添
加され、アルミナ製のボットミルすなわちアルミナ製の
ボットおよびボールを用いて１００時間にわたって攪拌
混合された。(Example 4) 74 g of silicon carbide powder with an average particle size of 0.5 gm was further dissolved in acetone after adding 2 g of aluminum nitride with an average particle size of 4 gm and 5 g of chromium silicide with an average particle size of 10 p.m. 8 g of phenol resin with a degree of carbonization of 50% by weight was added and mixed with stirring for 100 hours using an alumina bot mill, that is, an alumina bot and bowl.
次いて攪拌混合物は、乾燥により溶媒か除去され、造粒
された。造粒混合物には、約１０重量％の酸化アルミニ
ウムかアルミナ製のボットミルから混入されていた。The stirred mixture was then dried to remove the solvent and granulated. Approximately 10% by weight of aluminum oxide or alumina was incorporated into the granulation mixture from a bot mill.
造粒混合物は、５■■Ｘ５ｍｍＸ６０■■の金型ブレス
およびラバープレスによって成型された。成型体は、グ
ラファイト容器に収容されアルゴン雰囲気下において１
９００℃の温度て焼結された。The granulated mixture was molded using a 5 x 5 mm x 60 x mold press and a rubber press. The molded body was placed in a graphite container and heated for 1 hour under an argon atmosphere.
It was sintered at a temperature of 900°C.
焼結体は、密度、電気比抵抗および曲げ強さく室温下に
おける３点曲げの強さ）について測定された。その測定
結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature). The measurement results are shown in Table 1.
（実施例５）
焼結温度が１９５０℃とされたことを除き、実施例４が
反復された。Example 5 Example 4 was repeated except that the sintering temperature was 1950°C.
焼結体は、実施例４と同様に密度、電気比抵抗および曲
げ強さく室温下における３点曲げの強さ）について測定
された。その測定結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature) in the same manner as in Example 4. The measurement results are shown in Table 1.
（実施例６）
平均粒径０．ＳＢｍの炭化珪素粉末８０ｇは、平均粒径
１０ｇｍの珪化クロム１０ｇとが添加されたのち、更に
アセトンに溶解された炭化度５０重量％のフェノールレ
ジン４ｇが添加され、アルミナ製のボットミルすなわち
アルミナ製のボットおよびボールを用いて１００時間に
わたって攪拌混合された。(Example 6) Average particle size 0. To 80 g of SBm silicon carbide powder, 10 g of chromium silicide with an average particle size of 10 gm was added, and then 4 g of phenol resin with a degree of carbonization of 50% by weight dissolved in acetone was added, and an alumina bot mill was used. The mixture was stirred and mixed using a bottle and a bowl for 100 hours.
次いで攪拌混合物は、乾燥により溶媒が除去され、造粒
された。造粒混合物には、約１０重量％の酸化アルミニ
ウムがアルミナ製のボットミルから混入されていた。The stirred mixture was then dried to remove the solvent and granulated. Approximately 10% by weight of aluminum oxide was incorporated into the granulation mixture from an alumina bot mill.
造粒混合物は、５■■Ｘ５ｍｍｘ６０ｍｍの金型プレス
およびラバープレスによって成型された。成型体は、グ
ラファイト容器に収容されアルゴン雰囲気下において１
９００℃の温度で焼結された。The granulated mixture was molded using a 5 x 5 mm x 60 mm mold press and a rubber press. The molded body was placed in a graphite container and heated for 1 hour under an argon atmosphere.
Sintered at a temperature of 900°C.
焼結体は、密度、電気比抵抗および曲げ強さく室温下に
おける３点曲げの強さ）について測定された。その測定
結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature). The measurement results are shown in Table 1.
（実施例７）
焼結温度が１９５０℃とされたことを除き、実施例６が
反復された。Example 7 Example 6 was repeated except that the sintering temperature was 1950°C.
焼結体は、実施例６と同様に密度、電気比抵抗および曲
げ強さく室温下における３点曲げの強さ）について測定
された。その測定結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature) in the same manner as in Example 6. The measurement results are shown in Table 1.
工衷菖勇旦上
実施例４によって作成された厚さ３曹１の炭化珪素質焼
結体を、印加電圧１００ボルトでワイヤー放電加工した
ところｔ、（ｌ嘗■２／論ｉｎの速度で加工できた。When a silicon carbide sintered body having a thickness of 3 C and 1 prepared according to Example 4 was subjected to wire electrical discharge machining at an applied voltage of 100 volts, the result was a I was able to process it.
放電加工体には、高強度および高靭性を損うような深度
の大きな亀裂などがみられなかった。There were no deep cracks that would impair high strength and toughness in the electrical discharge machined body.
（比較例）
平均粒径（Ｌ５ｇｍの炭化珪素粉末８４ｇは、平均粒径
０．５ｐｍの酸化アルミニウム粉末１０ｇと平均粒径４
＃Ｌｍの窒化アルミニウム２ｇとが添加されたのち、更
にアセトンに溶解された炭化度５０重量％のフェノール
レジン８ｇが添加され、ボットミル中で２０時間にわた
って攪拌混合された。(Comparative example) 84 g of silicon carbide powder with an average particle size of L5 gm is combined with 10 g of aluminum oxide powder with an average particle size of 0.5 pm and an average particle size of 4
After 2 g of #Lm aluminum nitride was added, 8 g of phenol resin with a degree of carbonization of 50% by weight dissolved in acetone was further added, and the mixture was stirred and mixed in a bot mill for 20 hours.
次いで攪拌混合物は、乾燥により溶媒か除去され、造粒
された。The stirred mixture was then dried to remove the solvent and granulated.
造粒混合物は、５１１ＷＸ５■ｌ×６０■■の金型プレ
スおよびラバープレスによって成型された。成型体は、
グラファイト容器に収容されアルゴン雰囲気下において
１９００℃の温度で焼結された。The granulated mixture was molded using a 511 W x 5 l x 60 l die press and a rubber press. The molded body is
It was housed in a graphite container and sintered at a temperature of 1900° C. under an argon atmosphere.
焼結体は、密度、電気比抵抗および曲げ強さく室温下に
おける３点曲げの強さ）について測定された。その測定
結果は、第１表のとおりである。The sintered body was measured for density, electrical resistivity, and bending strength (3-point bending strength at room temperature). The measurement results are shown in Table 1.
第１表を参照すれば明らかなように本発明によれば、炭
化珪素質焼結体の電気比抵抗を１０”ΩＣｍ以下と比較
例に比し小さくでき、併せて曲げ強さを比較例に比し大
きくできる。このため本発明によれば、炭化珪素質焼結
体の放電加工を容易化でき、深度の大きな形状であって
も短時間で加工でき、ひいては高強度および高靭性を確
保できる。As is clear from Table 1, according to the present invention, the electrical resistivity of the silicon carbide sintered body can be reduced to 10"ΩCm or less compared to the comparative example, and the bending strength is also lower than that of the comparative example. Therefore, according to the present invention, electrical discharge machining of silicon carbide sintered bodies can be facilitated, even a shape with a large depth can be machined in a short time, and high strength and toughness can be ensured. .
なお上述の実施例においては、炭化珪素粉末の粒径か０
．５ｇｍとされているが、これに限定されるものではな
い、しかしながら焼結体の強度などを考慮すると、特に
１ｇｍ以下であることが好ましい。In addition, in the above-mentioned example, the particle size of the silicon carbide powder was 0.
．． Although it is said to be 5 gm, it is not limited to this, but in consideration of the strength of the sintered body, it is particularly preferably 1 gm or less.
（３）発明の効果
上述より明らかなように、本発明にかかる炭化珪素質焼
結体は、炭化珪素粉末に対して１〜３０重量％の酸化ア
ルミニウムと３〜２５重量％の珪化クロムとが添加され
ており、不活性ガス雰囲気下で１７００〜２０００℃の
温度により焼結されてなるので、（ａ）電気比抵抗を１
０２Ωｃｍ以下に低減することができる効果
を有し、ひいては
（ｂ）放電加工を容易とできる効果
を有し、併せて
（ｃ）曲げ強さを大きくでき、高強度および高靭性とて
きる効果
も有する。(3) Effects of the invention As is clear from the above, the silicon carbide sintered body according to the present invention contains 1 to 30% by weight of aluminum oxide and 3 to 25% by weight of chromium silicide based on the silicon carbide powder. It is sintered at a temperature of 1,700 to 2,000°C in an inert gas atmosphere, so (a) the electrical resistivity is reduced to 1.
It has the effect of being able to reduce the resistance to 0.02Ωcm or less, which in turn has (b) the effect of facilitating electrical discharge machining, and (c) the effect of increasing the bending strength, resulting in high strength and high toughness. have
また本発明にかかる炭化珪素質焼結体の放電加工体は、
炭化珪素粉末に対して１〜３０重量％の酸化アルミニウ
ムと３〜２５重量％の珪化クロムとが添加されており、
不活性ガス雰囲気下で１７００〜２０００°Ｃの温度に
より焼結され、放電加工によって加工されてなるので、
（ｄ）形状か複雑てあっても放電加工を容易にできる効
果
を有し、ひいては
（ｅ）高強度および高靭性を確保できる効果
を有する。Further, the electrical discharge machined body of the silicon carbide sintered body according to the present invention is
1 to 30% by weight of aluminum oxide and 3 to 25% by weight of chromium silicide are added to the silicon carbide powder,
Since it is sintered at a temperature of 1700 to 2000°C in an inert gas atmosphere and machined by electric discharge machining, (d) it has the effect of facilitating electric discharge machining even if the shape is complex, and ( e) It has the effect of ensuring high strength and high toughness.
Claims (8)
ミニウムと３〜２５重量％の珪化クロムとが添加されて
おり、不活性ガス雰囲気下で１７００〜２０００℃の温
度により焼結されてなることを特徴とする炭化珪素質焼
結体。(1) 1 to 30% by weight of aluminum oxide and 3 to 25% by weight of chromium silicide are added to silicon carbide powder, which is sintered at a temperature of 1700 to 2000°C in an inert gas atmosphere. A silicon carbide sintered body characterized by:
ミニウムが添加されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載の炭化珪素質焼結体。(2) The silicon carbide sintered body according to claim (1), wherein 1 to 10% by weight of aluminum nitride is added to the silicon carbide powder.
加されてなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項もしくは第（２）項記載の炭化珪素質焼結体。(3) Claim (1) characterized in that 1 to 10% by weight of carbon is added to silicon carbide powder.
The silicon carbide sintered body according to item 1 or item 2.
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項ないし第
（３）項のいずれか一項記載の炭化珪素質焼結体。(4) The silicon carbide sintered body according to any one of claims (1) to (3), characterized in that the electrical resistivity is 10^2 Ωcm or less at room temperature. .
ミニウムと３〜２５重量％の珪化クロムとが添加されて
おり、不活性ガス雰囲気下で１７００〜２０００℃の温
度により焼結され、放電加工によって加工されてなるこ
とを特徴とする炭化珪素質焼結体の放電加工体。(5) 1 to 30% by weight of aluminum oxide and 3 to 25% by weight of chromium silicide are added to silicon carbide powder, which is sintered at a temperature of 1700 to 2000°C in an inert gas atmosphere; An electric discharge machined body of a silicon carbide sintered body, which is machined by electric discharge machining.
ミニウムが添加されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第（５）項記載の炭化珪素質焼結体の放電加工体。(6) The electric discharge machined body of a silicon carbide sintered body according to claim (5), wherein 1 to 10% by weight of aluminum nitride is added to the silicon carbide powder.
加されてなることを特徴とする特許請求の範囲第（５）
項もしくは第（６）項記載の炭化珪素質焼結体の放電加
工体。(7) Claim (5) characterized in that 1 to 10% by weight of carbon is added to silicon carbide powder.
An electric discharge machined body of a silicon carbide sintered body according to item (6) or item (6).
ることを特徴とする特許請求の範囲第（５）項ないし第
（７）項のいずれか一項記載の炭化珪素質焼結体の放電
加工体。(8) The silicon carbide sintered body according to any one of claims (5) to (7), characterized in that the electrical resistivity is 10^2 Ωcm or less at room temperature. electrical discharge machined body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117299A JP2520640B2 (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Silicon carbide sintered body and its electric discharge machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117299A JP2520640B2 (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Silicon carbide sintered body and its electric discharge machine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282162A true JPS63282162A (en) | 1988-11-18 |
| JP2520640B2 JP2520640B2 (en) | 1996-07-31 |
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ID=14708314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117299A Expired - Fee Related JP2520640B2 (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Silicon carbide sintered body and its electric discharge machine |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2520640B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082597A (en) * | 1988-09-26 | 1992-01-21 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Sintered silicon carbide composite |
| JP2015093814A (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | コバレントマテリアル株式会社 | Protective tube material for metal melting furnace, protective tube for metal melting furnace and manufacturing method therefor |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117299A patent/JP2520640B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082597A (en) * | 1988-09-26 | 1992-01-21 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Sintered silicon carbide composite |
| JP2015093814A (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | コバレントマテリアル株式会社 | Protective tube material for metal melting furnace, protective tube for metal melting furnace and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2520640B2 (en) | 1996-07-31 |
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