JPS63273021A - 交流光成分増幅装置 - Google Patents
交流光成分増幅装置Info
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- JPS63273021A JPS63273021A JP10670087A JP10670087A JPS63273021A JP S63273021 A JPS63273021 A JP S63273021A JP 10670087 A JP10670087 A JP 10670087A JP 10670087 A JP10670087 A JP 10670087A JP S63273021 A JPS63273021 A JP S63273021A
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- Japan
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ホトダイオードを用いて入射光の交流成分や
変動光成分を取り出して増幅する光電変換回路に間する
ものである。
変動光成分を取り出して増幅する光電変換回路に間する
ものである。
従来の技術
測光分野や光センシンク、光応用計測の分野において、
チョッピングした入射光の交流成分のみ測定したり、あ
るいは入射光の不規則な変動成分のみを取り出して測定
する場合がある。このような目的の回路として、従来、
第3図のような回路が使用されてきた。すなわち、ホト
ダイオード1の出力を演算増幅器2で受け、電流−電圧
変換した後、抵抗R2とコンデンサC1より成る微分回
路により交流成分のみ取り出し、演算増幅器3により電
圧増幅を行なうというものである。演算増幅器2は、ホ
トダイオードの直線性を保つため、R1とともに電流−
電圧変換器として構成し、入射光の時間的な平均光量レ
ベルに対応した直流成分に交流成分が重畳された信号を
出力する。そこで、微分回路により、その直流成分を遮
断し、交流成分のみを取り出す、演算増幅器2による電
流−電圧変換回路の増幅度(Rtの値)は、人力信号が
最大の時でも演算増幅器2のダイナミックレンジを越え
ないように設定される。したがって、入射光の直流成分
に対して交流成分が小さい場合は、微分回路の出力が小
さくなるため、演算増幅器3により電圧増幅を行なって
必要な振幅の出力信号を得る。
チョッピングした入射光の交流成分のみ測定したり、あ
るいは入射光の不規則な変動成分のみを取り出して測定
する場合がある。このような目的の回路として、従来、
第3図のような回路が使用されてきた。すなわち、ホト
ダイオード1の出力を演算増幅器2で受け、電流−電圧
変換した後、抵抗R2とコンデンサC1より成る微分回
路により交流成分のみ取り出し、演算増幅器3により電
圧増幅を行なうというものである。演算増幅器2は、ホ
トダイオードの直線性を保つため、R1とともに電流−
電圧変換器として構成し、入射光の時間的な平均光量レ
ベルに対応した直流成分に交流成分が重畳された信号を
出力する。そこで、微分回路により、その直流成分を遮
断し、交流成分のみを取り出す、演算増幅器2による電
流−電圧変換回路の増幅度(Rtの値)は、人力信号が
最大の時でも演算増幅器2のダイナミックレンジを越え
ないように設定される。したがって、入射光の直流成分
に対して交流成分が小さい場合は、微分回路の出力が小
さくなるため、演算増幅器3により電圧増幅を行なって
必要な振幅の出力信号を得る。
発明が解決しようとする問題点
上記の従来の光電変換回路では、入射光の直流成分に対
して交流成分が微小な場合、初段の電流−電圧変換器の
増幅度が直流成分のレベルで制限されるため、微小な交
流信号に対しては、次段で電圧増幅を行なっても十分な
S/N比が得られないという問題があった。また、自然
光にかかわる測定では、直流光レベルが予想外に高くな
って初段の電流−電圧変換器が飽和し、信号が得られな
くなるという問題があった。
して交流成分が微小な場合、初段の電流−電圧変換器の
増幅度が直流成分のレベルで制限されるため、微小な交
流信号に対しては、次段で電圧増幅を行なっても十分な
S/N比が得られないという問題があった。また、自然
光にかかわる測定では、直流光レベルが予想外に高くな
って初段の電流−電圧変換器が飽和し、信号が得られな
くなるという問題があった。
本発明は上記の従来の問題点を解決するもので、光電変
換の直線性がよく、かつ、微小な交流光成分に対するS
/N比の高い光電変挽回路を提供することを目的とする
。
換の直線性がよく、かつ、微小な交流光成分に対するS
/N比の高い光電変挽回路を提供することを目的とする
。
問題点を解決するための手段
本発明は、電流−電圧変換器A%Bと、前記電流−電圧
変換器A、Bそれぞれの入力端子間に接続されたホトダ
イオードと、前記電流−電圧変換器Bの出力信号の極性
を反転する反転増幅器と、その反転増幅器の出力端子と
前記電流−電圧変換器Aの入力端子の間に接続された抵
抗素子とから構成され、電流−電圧変換器Aの増幅度を
電流−電圧変換器Bの増幅度より大きく設定し、電流−
電圧変換器Bの時定数を電流−電圧変換器Aのそれより
大きく設定し、電流−電圧変換器Bの入力電流の直流成
分に等しい電流を、前記抵抗素子を通じて電流−電圧変
換器Aの入力端子に帰還させるように前記抵抗素子の抵
抗値を決定したものである。
変換器A、Bそれぞれの入力端子間に接続されたホトダ
イオードと、前記電流−電圧変換器Bの出力信号の極性
を反転する反転増幅器と、その反転増幅器の出力端子と
前記電流−電圧変換器Aの入力端子の間に接続された抵
抗素子とから構成され、電流−電圧変換器Aの増幅度を
電流−電圧変換器Bの増幅度より大きく設定し、電流−
電圧変換器Bの時定数を電流−電圧変換器Aのそれより
大きく設定し、電流−電圧変換器Bの入力電流の直流成
分に等しい電流を、前記抵抗素子を通じて電流−電圧変
換器Aの入力端子に帰還させるように前記抵抗素子の抵
抗値を決定したものである。
作用
本発明は、上記の構成により、ホトダイオードの出力電
流の直流成分が電流−電圧変換器Bにより取り出され、
反転増幅器と抵抗素子を通じて、電流−電圧変換器Aの
入力端子に帰還されるので、電流−電圧変換器Aの入力
端子では直流成分が相殺されて交流成分のみが入力され
るよう動作する。
流の直流成分が電流−電圧変換器Bにより取り出され、
反転増幅器と抵抗素子を通じて、電流−電圧変換器Aの
入力端子に帰還されるので、電流−電圧変換器Aの入力
端子では直流成分が相殺されて交流成分のみが入力され
るよう動作する。
したがって、電流−電圧変換器Bが飽和しない限り、電
流−電圧変換器Aが飽和することがなく、電流−電圧変
換器Aの増幅度を大幅に高めてS/N比の高い増幅を行
なうことができる。
流−電圧変換器Aが飽和することがなく、電流−電圧変
換器Aの増幅度を大幅に高めてS/N比の高い増幅を行
なうことができる。
実施例
第1図は、本発明の交流光成分増幅装置の一実施例を示
す回路図である。第1図において、1はシリコンホトダ
イオード、2.3、および4は演算増幅器である。 第
2図は、第1図の回路の各部の信号の波形を示したもの
で、(a)はシリコンホトダイオード1の出力、(b)
は演算増幅器3の出力、(c)は演算増幅器2の出力を
それぞれ表している。以下、本実施例の交流光成分増幅
回路について、その動作を説明する。
す回路図である。第1図において、1はシリコンホトダ
イオード、2.3、および4は演算増幅器である。 第
2図は、第1図の回路の各部の信号の波形を示したもの
で、(a)はシリコンホトダイオード1の出力、(b)
は演算増幅器3の出力、(c)は演算増幅器2の出力を
それぞれ表している。以下、本実施例の交流光成分増幅
回路について、その動作を説明する。
第1図において、シリコンホトダイオード1は、ある光
環境の中に置かれ、ゆるやかに強度が変化する直流光に
、周波数のより高い、振幅の小さな交流光が重畳された
ものを受光し、第2図(a)のような電流を出力するも
のとする。シリコンホトダイオード1の出力電流は、同
じ値で極性の相異なる信号として演算増幅器2および演
算増幅器3に入力される。演算増幅器2は、抵抗R,と
ともに電流−電圧変換器を構成している。演算増幅器3
は、抵抗R2およびコンデンサC1とともに電流−電圧
変換器を構成し、τ2=R2・C1なる時定数τ2を有
し、この時定数により交流成分を除去して直流成分のみ
を取り出し、第2図(b)のような信号を出力する。演
算増幅器4は、抵抗R3、R4とともに反転増幅器を構
成し、第2図(b)の信号の極性を反転した信号を出力
する。ここで、演算増幅器3による電流−電圧変換器の
直流に対する増幅度G2は、 G2= R2[V/A] ・・・・(1)演
算増幅器4による反転増幅器の増幅度G3は、G3=
R4/R3・・・・(2) で表される。つぎに、シリコンホトダイオード1から演
算増幅器2に流入する直流電流を1oとすると、R5か
ら演算増幅器の入力端子に流入する直流電流11は、 ! ! = i o−R2・R4/ (R3・R5)
・・・(3)で表される。そこで、R5の値を、 R5=G2・G3 =R2・R4/ R3・・・・(4) のように決定すれば、(3)式、(4)式から、1、=
−1o ・・・・(5)が得られ、
演算増幅器2の入力端子において、シリコンホトダイオ
ード1の出力電流の直流成分が相殺され、演算増幅器2
は交流成分のみを増幅して、第2図(C)のような信号
を出力する。
環境の中に置かれ、ゆるやかに強度が変化する直流光に
、周波数のより高い、振幅の小さな交流光が重畳された
ものを受光し、第2図(a)のような電流を出力するも
のとする。シリコンホトダイオード1の出力電流は、同
じ値で極性の相異なる信号として演算増幅器2および演
算増幅器3に入力される。演算増幅器2は、抵抗R,と
ともに電流−電圧変換器を構成している。演算増幅器3
は、抵抗R2およびコンデンサC1とともに電流−電圧
変換器を構成し、τ2=R2・C1なる時定数τ2を有
し、この時定数により交流成分を除去して直流成分のみ
を取り出し、第2図(b)のような信号を出力する。演
算増幅器4は、抵抗R3、R4とともに反転増幅器を構
成し、第2図(b)の信号の極性を反転した信号を出力
する。ここで、演算増幅器3による電流−電圧変換器の
直流に対する増幅度G2は、 G2= R2[V/A] ・・・・(1)演
算増幅器4による反転増幅器の増幅度G3は、G3=
R4/R3・・・・(2) で表される。つぎに、シリコンホトダイオード1から演
算増幅器2に流入する直流電流を1oとすると、R5か
ら演算増幅器の入力端子に流入する直流電流11は、 ! ! = i o−R2・R4/ (R3・R5)
・・・(3)で表される。そこで、R5の値を、 R5=G2・G3 =R2・R4/ R3・・・・(4) のように決定すれば、(3)式、(4)式から、1、=
−1o ・・・・(5)が得られ、
演算増幅器2の入力端子において、シリコンホトダイオ
ード1の出力電流の直流成分が相殺され、演算増幅器2
は交流成分のみを増幅して、第2図(C)のような信号
を出力する。
このように、演算増幅器2は、演算増幅器3の出力が飽
和しない限り、入射光の直流成分で飽和することなく動
作するので、演算増幅器2の増幅度を、演算増幅器3の
増幅度に比べて大幅に(10倍〜100倍)高く設定す
ることができる。
和しない限り、入射光の直流成分で飽和することなく動
作するので、演算増幅器2の増幅度を、演算増幅器3の
増幅度に比べて大幅に(10倍〜100倍)高く設定す
ることができる。
シリコンホトダイオードの出力を演算増幅器により電流
−電圧変換する場合は、通−常、シリコンホトダイオー
ドの内部インピーダンスがきわめて高いため、演算増幅
器の出力雑音電圧が電流電圧変換の増幅度(フィードバ
ック抵抗の値)に関係なくほとんど一定となる。したが
って、この電流電圧変換の段階で増幅度を大幅に高める
ことにより、大幅なS/N比の改善が実現できる。
−電圧変換する場合は、通−常、シリコンホトダイオー
ドの内部インピーダンスがきわめて高いため、演算増幅
器の出力雑音電圧が電流電圧変換の増幅度(フィードバ
ック抵抗の値)に関係なくほとんど一定となる。したが
って、この電流電圧変換の段階で増幅度を大幅に高める
ことにより、大幅なS/N比の改善が実現できる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、比較的簡単な回路構成
で、入射光の微小な交流成分に対して、きわめてS/N
比の良い、直線性の良い光電変換・増幅が可能となり、
精密側光や高感度の光応用センサなとの光電変換回路と
して多方面に利用でき、その実用的効果は大きい。
で、入射光の微小な交流成分に対して、きわめてS/N
比の良い、直線性の良い光電変換・増幅が可能となり、
精密側光や高感度の光応用センサなとの光電変換回路と
して多方面に利用でき、その実用的効果は大きい。
第1図は、本発明の実施例における交流光成分増幅装置
の回路図、第2図は、第1図の回路の各部の信号の波形
図、第3図は、従来例における交流光成分増幅装置の回
路図である。 100.シリコンホトダイオード、281.演算増幅器
、300.演算増幅器、400.演算増幅器代理人の氏
名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 第3図
の回路図、第2図は、第1図の回路の各部の信号の波形
図、第3図は、従来例における交流光成分増幅装置の回
路図である。 100.シリコンホトダイオード、281.演算増幅器
、300.演算増幅器、400.演算増幅器代理人の氏
名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 第3図
Claims (1)
- 増幅度がG_1[V/A]、時定数がτ_1なる電流−
電圧変換器Aと、G_2≪G_1なる関係の増幅度G_
2[V/A]を有し、τ_2≫τ_1なる関係の時定数
τ_2を有する電流−電圧変換器Bと、前記電流−電圧
変換器A、Bそれぞれの入力端子間に接続されたホトダ
イオードと、前記電流−電圧変換器Bの出力信号の極性
を反転する、増幅度G_3の反転増幅器と、その反転増
幅器の出力端子と前記電流−電圧変換器Aの入力端子の
間に接続され、抵抗値がG_2・G_3[Ω]に等しい
抵抗素子とから構成されることを特徴とする交流光成分
増幅装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62106700A JP2558691B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 交流光成分増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62106700A JP2558691B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 交流光成分増幅装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63273021A true JPS63273021A (ja) | 1988-11-10 |
JP2558691B2 JP2558691B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=14440285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62106700A Expired - Lifetime JP2558691B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 交流光成分増幅装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2558691B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5030925A (en) * | 1990-03-15 | 1991-07-09 | Triquint Semiconductor, Inc. | Transimpedance amplifier |
US5592124A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-07 | Burr-Brown Corporation | Integrated photodiode/transimpedance amplifier |
WO2004102168A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Niles Co., Ltd. | レインセンサ用の信号検出回路および信号検出方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5363083A (en) * | 1976-11-18 | 1978-06-06 | Fujitsu Ltd | Detecting circuit for minute changing quantity |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62106700A patent/JP2558691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5363083A (en) * | 1976-11-18 | 1978-06-06 | Fujitsu Ltd | Detecting circuit for minute changing quantity |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5030925A (en) * | 1990-03-15 | 1991-07-09 | Triquint Semiconductor, Inc. | Transimpedance amplifier |
US5592124A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-07 | Burr-Brown Corporation | Integrated photodiode/transimpedance amplifier |
WO2004102168A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Niles Co., Ltd. | レインセンサ用の信号検出回路および信号検出方法 |
US7507982B2 (en) | 2003-05-15 | 2009-03-24 | Niles Co. Ltd. | Rain sensor with ambient light compensation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2558691B2 (ja) | 1996-11-27 |
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