JPS63263889A - 切換回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体回路におけるビデオ信号処理回路に関す
るもので、特にビデオ信号復調出力と外部ＲＧＢ出力の
切換回路に関する。

〔従来の技術〕

′ｒ■画面に外部ＲＧＢ信号として文字などを重畳させ
る場合のビデオ信号復調出力と外部ＲＧ　Ｂ出力の切換
回路の従来例を第２図に示す。ただしＲ出力、Ｇ出力、
Ｂ出力は同じ構成なので、そのうち１つのみを示す。こ
の従来例の構成は次のようになっている。

トランジスタＱ１のベースはスイッチ回路９の端子Ｃに
接続され、コレクタは電源１に接続され、エミッタは抵
抗Ｒ１に接続される。抵抗Ｒ１の他端はトランジスタＱ
２のエミッタに接続され、トランジスタＱ２のベースは
スイッチ回路１０の端子Ｃに接続され、コレクタは出力
端子２と他端が基準電位に接続された抵抗Ｒ３に接続さ
れる。スイッチ回路９の端子ａには輝度信号処理回路４
が接続され端子すにはバイアス回路６が接続される。

スイッチ回路１０の端子ａには色差信号復調回路５が接
続され、端子すにはバイアス回路７が接続される。また
スイッチ回路つと１０には端子３が接続されている。

次にこの従来例の動作をＲ出力を例にして説明する。ス
イッチ回路９．１０は端子３の電位がロウレベルの時、
それぞれ端子Ｃを端子ａに接続し、ハイレベルの時はそ
れぞれ端子Ｃを端子すに接続するものとする。端子３が
ロウレベルの時の動作は次のようになる。トランジスタ
Ｑ１のベースには輝度信号処理回路４より同期正極性の
輝度信号Ｙが加えられ、トランジスタＱ２のベースには
色差信号復調回路５より同期負極性の色差信号が加えら
れる。Ｒ出力ではＹ−Ｒ信号になる。トランジスタＱｌ
、Ｑ２．抵抗Ｒ１は減算回路を成しており、抵抗Ｒ１に
は同期正極性の輝度信号から同期負極性のＲ−Ｙ信号を
減算して得られるＲ信号成分の電流が流れる。したがっ
て出力端子２にはＲ出力が現れる。

端子３がハイレベルの時の動作は次のようになる。トラ
ンジスタＱ１のベースにはバイアス回路６からある直流
′電位が与えられ、トランジスタＱ２のベースにはバイ
アス回路７から直流電位が与えられる。トランジスタＱ
ｌ、Ｑ２のベース間の電圧が抵抗Ｒ１に電流が流れる分
だけ大きいと出力端子２にはバイアス回路６．７の出力
電圧の差できまる出力が現れる。この出力を外部Ｒ出力
とする。

したがって第３図のように端子３にＲ出力と外部Ｒ出力
の切換信号を加えると出力端子２には端子３がロウレベ
ルの時Ｒ出力が現れ、ハイレベルの時は外部Ｒ出力が現
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のＲ出力と外部Ｒ出力の切換回路は輝度信
号処理回路４とバイアス回路６を切換えるスイッチ回路
９と、色差信号復調回路５とバイアス回路７を切り換え
るスイッチ回路１０の２つのスイッチ回路が必要で、さ
らにこれらのスイッチ回路を端子３に加えられた信号に
より同時に切り換えなければならないので、２つのスイ
ッチ回路が切りかわる時間に差があると、出力端子２に
現れる出力信号のＲ出力と外部Ｒ出力が切り換わる際に
所謂「ハザードｊ等のノイズを生じるという欠点がある
。

上述した従来のビデオ信号復調出力と外部ＲＧＢ出力の
切換回路に対し、本発明の切換回路は構成が簡単で集積
化しやすく、ビデオ信号復調出力と外部ＲＧＢ出力が切
り換わる際にノイズを生じにくいという特徴を有する。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の切換回路は、輝度信号Ｙと色差信号Ｒ−Ｙから
Ｒ出力を合成する減算回路と外部Ｒ出力を合成する減算
回路と、これら２つの減算回路のうちのどちらか１つを
動作させるスイッチ回路を有している。

〔実施例１〕 本発明の第１の実施例を第１図に示す。ただし従来例と
同様にＲ出力、Ｇ出力、Ｂ出力は同じ構成なので、その
うち１つを示す。第１図の回路の構成は次のようになっ
ている。トランジスタＱ１のベースはスイッチ回路８の
端子ＣとトランジスタＱ４のベースに接続され、コレク
タは電源１に接続され、エミッタは抵抗Ｒ１に接続され
る。抵抗Ｒ１の他端はトランジスタＱ２のエミッタに接
続され、トランジスタＱ２のベースは色差信号復調回路
５に接続され、コレクタは出力端子２とトランジスタＱ
４のコレクタと他端を基準電位に接続した抵抗Ｒ３に接
続される。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ２に接
続される。抵抗Ｒ２の他端はトランジスタＱ３のエミッ
タに接続され、トランジスタＱ３のベースはバイアス回
路６に接続され、コレクタは電源１に接続される。スイ
ッチ回路８の端子ａには輝度信号処理回路４が接続され
、端子すにはバイアス回路７が接続される。

またスイッチ回路８には端子３が接続されている。

次に本実施例の動作をＲ出力を例にして説明する。スイ
ッチ回路８は端子３がロウレベルの時端子Ｃを端子ａに
接続し、ハイレベルの時端子Ｃを端子すに接続するもの
とする。端子３がロウレベルの時の動作は次のようにな
る。トランジスタＱ１のベースには輝度信号処理回路４
が接続され、同期正極性の輝度信号Ｙが加えられる。ト
ランジスタＱ２のベースには色差信号復調回路５からの
同期負極性の色差信号（Ｙ−Ｒ）が加えられている。ト
ランジスタＱｌ、Ｑ２．抵抗Ｒ１は従来例と同じ減算回
路で抵抗Ｒ１にはＲ信号成分の電流が流れる。一方トラ
ンジスタＱ４のベースにも同期正極性の輝度信号が加え
られている。トランジスタＱ３．Ｑ４．抵抗Ｒ２はトラ
ンジスタＱｌ。

Ｑ２．抵抗Ｒ１と同じ構成の減算回路になっており、ト
ランジスタＱ３のベースに加えられるバイアス回路６の
電位をトランジスタＱ３．Ｑ４がオンしないように選ぶ
ことができる。この時、抵抗Ｒ３に流れる電流はトラン
ジスタＱｌ、Ｑ２．抵抗Ｒ１から成る減算回路の電流だ
けなので、出力端子２にはＲ出力が現れる。

端子３がハイレベルの時の動作は次のようになる。トラ
ンジスタＱ１のベースにはバイアス回路７が接続され、
トランジスタＱ２のベースには色差信号復調回路５から
色差信号が加えられている。

一方バイアス回路７はトランジスタＱ４のベースにも接
続されており、トランジスタＱ３のベースにはバイアス
回路６が接続されている。ここでバイアス回路７の電位
をトランジスタＱ１．Ｑ２がオフになり、トランジスタ
Ｑ３．Ｑ４がオンになるように選ぶことができる。この
時、抵抗Ｒ３に流れる電流はトランジスタＱ３．Ｑ４．
抵抗Ｒ２から成る減算回路の電流だけなので、出力端子
２にはバイアス回路６．７によって決まる出力が現れる
。この出力が外部Ｒ出力となる。

したがってバイアス回路６．７の電位を適当に選ぶこと
により、従来例と同様第３図のように端子３に加えるＲ
出力と外部Ｒ出力の切換信号により出力端子２にＲ出力
と外部Ｒ出力を切り換えて出力できる。

ここで従来例では、減算回路１つとスイッチ回路２つと
いう構成であったのに対し、本実施例では減算回路２つ
とスイッチ回路１つという構成になっている。減算回路
はスイッチ回路より素子数が少くてすむので、本実施例
の方が従来例より構成が簡単になり集積化しやすい。

またＲ出力から外部Ｒ出力に切り換わる際にはトランジ
スタＱ１．Ｑ２のベース間の電圧が小さくなる一方、ト
ランジスタＱ３．Ｑ４のベース間の電圧は大きくなり、
外部Ｒ出力からＲ出力に切り換わる際にはトランジスタ
Ｑ３．Ｑ４のベース間の電圧が小さくなる一方、トラン
ジスタＱｌ。

Ｑ２のベース間の電圧が大きくなるので、抵抗Ｒ３を流
れる電流は不連続に変化しない、したがってＲ出力と外
部Ｒ出力の切り換わりの際、ノイズは生じにくい。

このように本実施例は、Ｒ出力を合成するトランジスタ
Ｑｌ、Ｑ２．抵抗Ｒ１から成る減算回路と、外部Ｒ出力
を合成するトランジスタＱ３．Ｑ４、抵抗Ｒ２から成る
減算回路において、トランジスタＱ１とＱ４のベースを
接続し、これをスイッチ回路８で、電゛位の異なる輝度
信号処理回路４とバイアス回路７に切り換えることによ
り、どちらか一方の減算回路を動作させるようにしたも
のである。

〔実施例２〕 第４図は本発明の第２の実施例の回路図である。

ただし、Ｒ出力、Ｇ出力、Ｂ出力は同じ構成なので、そ
のうちの１つだけを示す、第４図の実施例の構成は次の
ようになっている。トランジスタＱ１のベースにはトラ
ンジスタＱ４のベース、Ｑ５゜Ｑ７のエミッタ、Ｑ８の
コレクタ及び他端が電源１に接続された抵抗Ｒ４が接続
されている。トランジスタＱ１のエミッタは抵抗Ｒ１に
接続され、抵抗Ｒ１の他端はトランジスタＱ２のエミッ
タに接続される。トランジスタＱ２のベースはトランジ
スタＱ６のエミッタと他端が基準電位に接続された抵抗
Ｒ５に接続される。トランジスタＱ２のコレクタは出力
端子２とトランジスタＱ４のコレクタと他端が基準電位
に接続された抵抗ｉｔ　３に接続されている。トランジ
スタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ２とＲ７に接続され、抵抗
Ｒ２の他端はトランジスタＱ３のエミッタに接続され、
抵抗Ｒ７の他端はトランジスタＱＩＯのエミッタに接続
される。トランジスタＱ３のベースはトランジスタＱ１
１のエミッタと他端が電源１に接続された抵抗Ｒ６に接
続される。トランジスタＱｌｌのベースはバイアス回路
６に接続される。トランジスタＱ１０のベースはトラン
ジスタＱ１２のエミッタ。

Ｑ１４のコレクタと他端が基準電位に接続された抵抗Ｒ
８に接続される。トランジスタＱ１２のベースはバイア
ス回路１１に接続される。トランジスタＱ１４のベース
は電源１５に接続され、エミッタはトランジスタＱ１３
のエミッタと電流源１３に接続される。電流源１３の他
端は電源１に接続される。トランジスタＱ１３のベース
は端子１６に接続される。トランジスタＱ５のベースは
輝度信号処理回路４に接続される。トランジスタＱ６の
ベースは色差信号復調回路５に接続される。

トランジスタＱ７のベースはバイアス回路７に接続され
る。トランジスタＱ８のベースは端子３に接続され、エ
ミッタはトランジスタＱ９のエミッタと他端が基準電位
に接続された電流源１２に接続される。トランジスタＱ
９のベースは電源１４に接続される。トランジスタＱｌ
、ＱＢ、Ｑ６゜Ｑ７．Ｑ９．ＱＩＯのコレクタは電源１
に接続され、トランジスタＱ５．Ｑｌ　１．Ｑ１２．Ｑ
１３のコレクタは基堂電位に接続される。

次に第４図の実施例の動作をＲ出力を例にして説明する
。トランジスタＱ５のベースには同期正極性の輝度信号
Ｙが加えられる。バイアス回路６の電位は輝度信号のペ
デスタルレベルに等しいとする。またバイアス回路７の
電位はトランジスタＱ６のベースに加えられる同期負極
性の色差信号復調出力の無信号時の直流レベルに等しい
とする。

さらに輝度信号処理回路４の出力は色差信号復調回路５
の出力より常に高い電位とする。またトランジスタＱ８
．Ｑ９．電流源１２．電源１４からなる差動回路は端子
３がハイレベルの時Ｑ８がオン、Ｑ９がオフとなり、ロ
ウレベルの時Ｑ８がオフ、Ｑ９がオンになるものとする
。同様にトランジスタＱ１３．Ｑ１４．Ｒ８，電流源１
３．電源１５からなる差動回路も端子１６がハイレベル
の時Ｑ１４がオン、Ｑ１３がオフになり、ロウレベルの
時Ｑ１３がオン、Ｑ１４がオフになるものとする。

本実施例は外部Ｒ出力として２とおりのレベルを持って
いる。第６図のように端子３．１６がロウレベルの時、
出力端子２にはＲ出力が現れ、端子３がハイレベルで端
子１６がロウレベルの時、Ｒ出力のペデスタルレベルに
等しい外部Ｒ出力が現れ、端子３がハイレベル、端子１
６がハイレベルの時、ペデスタルレベルより高い外部Ｒ
出力が現れる実施例であり、トランジスタＱＩＯ，Ｑ１
２、Ｑ１３．Ｑ１４．抵抗Ｒ７，Ｒ８，電流源１３、電
源１５．バイアス回路１１．及び端子１６から成る回路
は外部Ｒ出力のレベルを切り換えるための回路である。

端子３．１６がロウレベルの時の動作は次のようになる
。トランジスタＱ５とＱ７のベース電位を比べるとＱ５
のベース電位の方が高いのでトランジスタＱ８がオフに
なっていることによりトランジスタＱ５がオンになりＱ
７はオフになる。したがってトランジスタＱ１．Ｑ４の
ベースには輝度信号が加えられる。トランジスタＱ２の
ベースにはトランジスタＱ６．抵抗Ｒ５のエミッタフォ
ロワ回路により色差信号復調出力が加えられているので
、トランジスタＱｌ、Ｑ２．抵抗Ｒ１の減算回路により
抵抗Ｒ１にはＲ出力成分の電流が流れる。一方トランジ
スタＱ３のベースには、トランジスタＱ１１．抵抗Ｒ６
のエミッタフォロワ回路により、Ｑ４のベースに加えら
れている輝度信号のペデスタルレベルよりトランジスタ
ＱｌｌのＶＢＢの分だけ高い電位が与えられているが、
Ｑ４のベースに加えられている輝度信号がペデスタルレ
ベルよりＶ［ｌＥ低い電位より低い電位にならなければ
、トランジスタＱ３はオフになっている。またトランジ
スタＱ１４がオフになっているので、トランジスタＱ１
２もオフになっている。したがってトランジスタＱＩＯ
のベース電位は基準電位となりトランジスタＱＩＯもオ
フになっている。

これによりトランジスタＱ３．Ｑ４．ＱＩＯはオフにな
る０以上より抵抗Ｒ３に流れる電流はＲ出力成分だけと
なり出力端子２にはＲ出力が現れる。

端子３がハイレベル、端子１６がロウレベルの時の動作
は次のようになる。トランジスタＱ８がオンになるので
、抵抗Ｒ４によりトランジスタＱ１のベース電位が下が
りトランジスタＱ５をオフ。

トランジスタＱ７をオンにすることができる。この時、
トランジスタＱｌ、Ｑ４のベース電位はバイアス回路７
の電位、すなわち色差信号復調回路５の無信号時直流レ
ベルからトランジスタＱ７のＶＢＥたけ下がった電位に
なる。トランジスタＱ２のベースにはトランジスタＱ６
．抵抗Ｒ５のエミッタフォロワ回路により色差信号復調
回路５の出力よりトランジスタＱ６のＶＢＩＩたけ下が
った電位になる。したがって色差信号復調回路５の出力
が無信号時直流レベルよりトランジスタＱｌ、Ｑ２の２
ＶＢＥたけ低い電位以下にならなければトランジスタＱ
ｌ、Ｑ２はオフになる。一方トランジスタＱ３のベース
にはトランジスタロ１１．抵抗ドロのエミッタフォロワ
回路により、バイアス回路６の電位よりトランジスタＱ
ｌｌのＶＢＩＩだけ高い電位、すなわちトランジスタＱ
５がオンになっている場合にＱｌのベースに加えられる
輝度信号のペデスタルレベルとほとんど等しい電位が与
えられている。トランジスタＱ４のベースにはトランジ
スタＱ２のベースに加えられる色差信号の無信号時直流
レベルとほとんど等しい電位が加えられているので、ト
ランジスタＱＢ、Ｑ４のベース間電圧は先に述べた端子
３．１６がロウレベルの時の出力端子２の電位がペデス
タルレベルになる時のトランジスタＱ１．Ｑ２のベース
間電圧に等しくなる。したがって抵抗Ｒ１，Ｒ２の値を
等しくすれば抵抗Ｒ２にはＲ出力のペデスタルレベルに
相当する電流が流れる。また端子１６はロウレベルなの
でトランジスタＱＩＯは先に述べた端子３゜１６がロウ
レベルの場合と同様にオフになる。したがって抵抗Ｒ３
に流れる電流は抵抗Ｒ２を流れる電流だけで、出力端子
２にはＲ出力のペデスタルレベルに等しい外部Ｒ出力が
現れる。　　　一端子３，１６がハイレベルの時の動作
は次のようになる。先に述べた端子３がハイレベル、端
子１６がロウレベルの場合と同様にトランジスタＱ１、
Ｑ２はオフになっており、抵抗Ｒ２にはＲ出力のペデス
タルレベルに相当する電流が流れる。

またトランジスタＱ１４がオンになるので、抵抗Ｒ８に
よりトランジスタＱＩＯのベース電位が上がりトランジ
スタＱ１２．ＱＩＯをオンにすることができる。この時
、抵抗Ｒ３には抵抗Ｒ２とＲ７を流れる電流が流れ、出
力端子２はＲ出力のペデスタルレベルより高いレベルの
外部出力が現れる。

以上説明したように第４図の実施例は第６図に示す動作
をする。Ｒ出力と外部Ｒ出力を切り換えるスイッ〜チ回
路はトランジスタＱ５．Ｑ７．Ｑ８゜Ｑ９．抵抗Ｒ４，
−電流源１２及び電源１４で構成されている。

〔実施例３〕 第５図は本発明の第３の実施例の回路図である。

第５図の実施例の構成は次のようになっている。

トランジスタＱ１のベースはトランジスタＱ１５のエミ
ッタと他端が電源１に接続された抵抗Ｒ９に接続され、
エミッタは抵抗Ｒ１に接続される。

抵抗Ｒ１の他端はトランジスタＱ２のエミッタに接続さ
れ、トランジスタＱ２のベースはトランジスタＱ３のベ
ース、Ｑｌ６．Ｑｌ７のエミッタ。

Ｑｌ８のコレクタ及び他端が基準電位に接続された抵抗
ＲＩＯに接続される。トランジスタＱ２のコレクタは出
力端子２とトランジスタＱ４．Ｑ２０のコレクタ７及び
他端が基準電位に接続された抵抗）’Ｉｔ　３に接続さ
れる。トランジスタＱ４のベースはトランジス・りＱ２
１のエミッタと他端が基準電位に接続された抵抗Ｒ１２
に接続され、エミッタは抵抗Ｒ２に接続される。抵抗Ｒ
２の他端はトランジスタＱ３のエミッタと抵抗Ｒ１１に
接続される、抵抗Ｒ１１の他端はトランジスタＱ２０の
エミッタに接続される。トランジスタＱ２０のベースは
トランジスタＱ２２のエミッタ、Ｑ２３のコレクタ及び
他端が電源１に接続された抵抗Ｒ１３に接続される。ト
ラ〉′ジスタＱ２１のベースはバイアス回路７に接続さ
れ、トランジスタＱ２２のベースにはバイアス回路１１
に接続される。トランジスタＱ２３のベースは端子１６
に接続され、エミッタはトランジスタＱ２４のエミッタ
と他端が基準電位に接続された電流源１８・に接続され
る。

トランジスタＱ２４のベースは電源２０に接続される。

トランジスタＱ１５のベースは輝度信号処理回路４に接
続される。トランジスタＱ１７のベースは色差信号復調
回路５に接続される。トランジスタＱ１６のベースはバ
イアス回路６に接続される。トランジスタＱ１８のベー
スは電源１９に接続され、エミッタはトランジスタＱ１
９のエミッタと他端が電源１に接続された電流源１７に
接続される。トランジスタＱ１９のベースは端子３に接
続される。トランジスタＱ１．Ｑ３．Ｑ１７゜Ｑ２１．
Ｑ２２．Ｑ２４のコレクタは電源１に接続され、トラン
ジスタＱ１５．Ｑ１６．Ｑ１９のコレクタは基準電位に
接続される。

輝度信号処理回路４１色差信号復調回路５．バイアス回
路６，７は第４図の実施例と同じものとする。またトラ
ンジスタＱ１８．Ｑ１９．電流源１７、電源１９からな
る差動回路は端子３がロウレベルの時Ｑ１９がオンにな
り、ハイレベルの時Ｑ１８がオンになるとする。トラン
ジスタＱ２３、Ｑ２４．電流源１８．電源２０からなる
差動回路は端子１６がロウレベルの時Ｑ２４がオ〉・と
なり、ハイレベルの時Ｑ２３がオンになるものとする。

この実施例は、Ｒ出力を合成するトランジスタＱ１．Ｑ
２．抵抗Ｒ１からなる減算回路と、外部Ｒ出力を合成す
るトランジスタＱ３．Ｑ４．抵抗Ｒ２からなる減算回路
において、トランジスタＱ２とＱ３のベースを接続し、
これをスイッチ回路で、電位の異なる色差信号復調回路
とバイアス回路に切り換えることにより、どちらか一方
の減算回路を動作させるようにしたものである。

本実施例も第４図の実施例と同様に第６図に示す動作を
する０本実施例の動作をＲ出力を例に説明する。またト
ランジスタＱ２０．Ｑ２２．Ｑ２３、Ｑ２４．抵抗Ｒ１
１，Ｒ，１３，電流源１８゜電源２０．バイアス回路１
１及び端子１６からなる回路は外部Ｒ出力のレベルを切
り換えるための回路である。

端子３，１６がロウレベルの時の動作は次のようになる
。トランジスタＱ１６とＱ１７のベース電位を比べると
、Ｑ１６のベース電位の方が高いので、トランジスタＱ
１８がオフになっていることよりトランジスタＱ１７が
オンになり、Ｑ１６はオフになる。したがって、トラン
ジスタＱ２゜Ｑ３のベースには色差信号が加えられる。

Ｑ７のベースにはトランジスタロ１５．抵抗Ｒ９のエミ
ッタフォロワ回路により輝度信号が加えられているので
、トランジスタＱｌ、Ｑ２．抵抗Ｒ１の減算回路により
抵抗Ｒ１にはＲ出力成分の電流が流れる。一方トランジ
スタＱ４のベースにはトランジスタロ２１．抵抗Ｒ１２
のエミッタフォロワ回路により色差信号復調出力の無信
号時直流レベルからトランジスタＱ２１のＶＩＥたけ低
い電位が与えられているがＱ３のベースに加えられてい
る色差信号復調出力に無信号時直流レベルよりトランジ
スタＱ３．Ｑ４の２Ｖａｇだけ低いレベルがなければト
ランジスタＱ４はオフになる。

またトランジスタＱ２３がオフになっているので、トラ
ンジスタＱ２２もオフになっている。したがってトラン
ジスタＱ２０のベースは電源１の電位となりＱ２０はオ
フになる。これよりトランジスタＱ３．Ｑ４．Ｑ２０は
オフになる。以上より抵抗Ｒ３に流れる電流はＲ出力成
分だけとなり、出力端子２にはＲ出力が現れる。　　。

端子３がハイレベル、端子１６がロウレベルの時の動作
は次のようになる。トランジスタＱ１８がオンになるの
で、抵抗ＲＩＯによりトランジスタＱ２のベース電位が
上がりトランジスタＱ１７をオフ、Ｑ１６をオンにする
ことができる。この時トランジスタＱ２．Ｑ３のベース
電位はパイアス回路６の電位、すなわちトランジスタＱ
１５のベースに加えられる輝度信号のペデスタルレベル
よりトランジスタＱ１６の■、たけ高い電位となる。し
たがって輝度信号処理回路の出力がペデスタルレベルよ
りトランジスタＱｌ、Ｑ２の２Ｖａｇだけ高い電位以上
にならなければトランジスタＱ１、Ｑ２はオフになる。

一方、トランジスタＱ４のベースにはトランジスタＱ２
１．抵抗Ｒ１２のエミッタフォロワ回路によりバイアス
回路７の電位よりトランジスタＱ２１のＶＢＨだけ低い
電位、すなわちトランジスタＱ１７がオンになっている
場合にトランジスタＱ２のベースに加えられる色差信号
復調出力の無信号時直流レベルとほとんど等しい電位が
与えられている。よってトランジスタＱ３．Ｑ４のベー
ス間の電圧は第４図の実施例の場合と同様に出力端子２
にＲ出力のペデスタルレベルが現れている時のトランジ
スタＱｌ、Ｑ２のベース間電圧に等しくなる。したがっ
て抵抗Ｒ１、Ｒ２の値を等しくすれば抵抗Ｒ２にはＲ出
力のペデスタルレベルに相当する電流が流れる。また端
子１６がロウレベルなので、トランジスタＱ２０は先に
述べた端子３，１６がロウレベルの場合と同様にオフに
なる。したがって抵抗Ｒ３に流れる電流は抵抗Ｒ２に流
れる電流だけで、出力端子２にはＲ出力のペデスタルレ
ベルに等しい外部出力が現れる。

端子３．１６がハイレベルの時の動作は次のようになる
。先に述べた端子３がハイレベル、端子１６がロウレベ
ルの場合と同様にトランジスタＱ１、Ｑ２はオフになっ
ており抵抗Ｒ２にはＲ出力のペデスタルレベルに相当す
る電流が流れる。：ｉ。

たトランジスタＱ２３がオンになっているので抵抗Ｒ１
３によりトランジスタＱ２０のベース電位が下がりトラ
ンジスタＱ２０．Ｑ２２をオンにすることができる。こ
の時、抵抗Ｒ３には抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ１１を流れる電流
が流れ、出力端子２にはＲ出力のペデスタルレベルより
高いレベルの外部Ｒ出力が現れる。

以上説明したように第５図の実施例は第６図に示す動作
をする。Ｒ出力と外部Ｒ出力を切り換えるスイッチ回路
はトランジスタＱ１６．Ｑ１？。

Ｑ１８．Ｑ１９．抵抗Ｒ１０，電流源１７．電源１９で
構成されている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の回路は、ビデオ信号復調出
力と外部ＲＧＢ出力の切り換えを１つのスイッチ回路で
行うことにより構成が簡単で、切り換えの際に「ハザー
ド」等のノイズを生じにくくする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の回路図、第４図は本発
明の第２の実施例の回路図、第５図は本発明の第３の実
施例の回路図、第２図は従来例の回路図、第３図は第１
図、第２図の動作を示す波形図、第６図は第４図の動作
を示す波形図である。 Ｑ１〜Ｑ２４・・・トランジスタ、Ｒ１へＲ１３・・・
抵抗、１〜３．１６・・・端子、４・・・輝度信号処理
回路、５・・・色差信号復調回路、６，７．１１・・・
バイアス回路、１２．１３，１７．１８・・・電流源、
１４．１５，１９．２０・・・電源、８，９．１０・・
・スイッチ回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１のトランジスタのエミッタとこのトランジスタと異
   なる導電形の第２のトランジスタのエミッタの間に第１
   の抵抗を接続し、前記第１のトランジスタと同じ導電形
   の第３のトランジスタのエミッタと前記第２のトランジ
   スタと同じ導電形の第４のトランジスタのエミッタの間
   とに第２の抵抗を接続し、前記第１、第３のトランジス
   タのコレクタを共通接続し、前記第２、第４のトランジ
   スタのコレクタを共通接続してなる回路であって、前記
   第２のトランジスタのベースに第１の信号処理回路を接
   続し、前記第３のトランジスタのベースに第２の信号処
   理回路を接続し、前記第１、第４のトランジスタのベー
   スを共通接続して、第３の信号処理回路と第４の信号処
   理回路のどちらか一方に切り換わるスイッチ回路に接続
   し、前記スイッチ回路を選択的に切り換えることにより
   前記第１、第２のトランジスタと前記第３、第４のトラ
   ンジスタのうちどちらか一方のみを動作させることを特
   徴とする切換回路。