JPS63259078A - 真空被覆装置用マグネトロン−スパツタリングカソ−ド - Google Patents

真空被覆装置用マグネトロン−スパツタリングカソ−ド

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JPS63259078A
JPS63259078A JP62140147A JP14014787A JPS63259078A JP S63259078 A JPS63259078 A JP S63259078A JP 62140147 A JP62140147 A JP 62140147A JP 14014787 A JP14014787 A JP 14014787A JP S63259078 A JPS63259078 A JP S63259078A
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magnet
magnet system
permanent magnets
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JP62140147A
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ダグマー・フエレンバツハ
ゲアハルト・シユタイニガー
ユルゲン・ミユラー
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Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
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Leybold Heraeus GmbH
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スノξツタリングすべき材料の円形ターゲッ
ト板を有し、さらにこのターゲット板の後方に配置され
た少なくとも１つの磁石系を有し、この磁石系がそれぞ
れ２つの同心に配置されたそれ自体閉成された永久磁石
の列から成り、各列の磁石が同じ極位置を、しかし両列
の磁石は相互に反対の極位置を有し、ターゲット板上に
少なくとも１つのそれ自体閉成されたトンネルが、１方
の磁石列から発して他方の磁石列に帰還する磁力線から
形成され、さらにまたターゲット板の中心軸を中心とす
る磁石系を連続回転させるための駆動装置を有する真空
被覆装置用マグネトロン−スパツタリングカソードに関
する。
公知の従来技術 マグネトロンースノξンタリングカンーＹｌｉ、磁界に
よる補強作用のないス・ぐツタリング装置に比較してス
ノ々ツタ速度が１０−３０倍高いというすぐれた点があ
る。しかしこの利点は、ターゲット板のスパッタリング
均質性が極めて悪いという欠点の甘受により得られる。
なぜならばマグネトロン装置の場合磁気トンネルにより
余儀無くされるプラズマの狭窄（縮減）によりスパッタ
リング作用の相応の空間的制限が生じるからである。当
該最深部が磁力線の頂点の下方にある、深い侵食溝の形
成により、スパッタリング過程は、ターゲット板の約２
５〜３０％しかスパッタされてないのに、終了しなけれ
ばならない。静止形波覆装置では、すなわちカソードと
基体との間に相対運動のない被覆装置では、そのため膜
厚分布が非常に不均質な結果になる。原則として侵食穴
は基体（サブストレート）上にいわば写真のように複写
されることとなる。
この問題性ならびに一連の解決の試みはＰイツ連邦共和
国特許公開第２７０７１４４号明細書に記載されている
。この解決の試みには冒頭に記載された上位概念のマグ
ネトロン作用・ξツタリングカソードも含まれている。
この場合にはそれぞれ唯一のそれ自体閉成された磁石系
が偏心位置で円形ターゲット板の後方で回転する（第２
２〜２５図）。この場合にはターゲット表面のわずかな
部分のみが同時にスパッタリング作用を受けるほかに（
それによりマグネトロン作用の一部が再び無効にされる
）、スパッタリング速度はターゲット表面上でまた非常
に不均一である。何故ならば第１に滞留時間は回転する
磁気トンネルの下で不均一であり、かつ第２にプラズマ
の強さ、いわゆるプラズマ密度と滞留時間との積は半径
方向で異なるからである。
しかしスノぐツタリング速度が不均一であると、ターゲ
ット材料の減りが不均一になるのみならず、ターゲット
表面に向かい合う、被覆すべき基体上の沈着速度も不均
一になる。
発明の目的 それゆえ本発明の基礎となる課題は、冒頭に記載された
形式のマグネトロン−スパツタリングカソードを、被覆
すべき基体の膜厚分布が一様になるように改善すること
である。
発明の構成 この課題の解決は冒頭に記載されたマグネトロンースノ
ゼツタリングカソードにおいて本発明によれば、ａ）タ
ーゲット板の縁領域に、第１の磁石系が第１の回転軸に
対して実質的に同心の磁気トンネルを形成するために設
けられており、ｂ）回転軸と第１の磁石系との間に偏心
的にずれた第２の磁石系が設けられており、該第２の磁
石系Ｍ２は第２の磁気トンネルを形成し、この磁気トン
ネルはターゲット板の１つのセクターに亘ってのみ延び
ているように構成されており当該構成により両磁石系が
一緒に回転すると、ターゲット板が中央領域では比較的
に一様に、そして縁では比較的に強く削られ、したがっ
てターゲット板に向い合せに設けられるサブストレート
領域が一様に被覆されるように、ターゲット板の面積要
素が滞留時間と強さとの積に相応した作用を受けるので
ある。
°°基体領域”とは、個々の基体または複数個の小さい
基体の円形の輪郭線により局限される面積部分のことで
ある。
構成要件ａ）により、他の場合には基体領域の縁領域で
観察されるべき沈着速度の低減が補償される。つまりこ
の場合には、特別な手段なしに、基体領域の縁領域基体
上で面積要素が得る被覆材料が比較的少ないことが考慮
され得る。
何故ならばスパッタリングされた粒子は、ターゲット表
面に対する垂線と異なる色々な方向に運動し、基体領域
の縁領域に存在する基体の面積要素が、中央に存在する
基体より比較的に少ないターゲット面積に対応づけられ
るからである。
構成要件ｂ）により、縁領域内に存在する基体領域の領
域もまた一様に被覆されることが達成される。該セクタ
ーの拡張およびこのセクターでの第２の磁気トンネルの
経過を形成することにより、極めて均一な被覆を基体領
域全体にわたって形成することが意のままである。
前記の系の最適化は、当該業者が理想的な層厚分布との
偏差を考察すれば、磁気トンネルを磁石のヨーク板上で
変位させることにより行うことができる。
構成要件ａ）とｂ）との組み合わせにより、基体領域の
縁領域までの基体上に非常に一様な層厚分布が達成でき
ることが、実際の試験で明らかにされた。
そのさい、構成要件ａ）による第１の磁気トンネルが回
転軸に対して同心に延びており、したがってプラズマが
横断方向変位なしに′その場で”回転することが必要と
されるのではなく、沈澱速度の分布を調整するために第
１の磁気トンネルを円形と異なる形状に構成することが
、例えば１つまたは複数の箇所での角取りまたは窪み付
によるか、あるいは第１の磁気トンネルを少し偏心に回
転させることが特に有利に可能である。第１の磁気トン
ネルが実質的に回転軸に対して同心に延びることのみ必
要である。
本発明の改良により、第２の磁石系が外側列の永久磁石
を有し、この外側列が四分の三日上に延びており、その
第４の四分円が第１の磁石系の永久磁石の内側列の永久
磁石により補われ、第２の磁石系の永久磁石の内側列が
反対の極位置の永久磁石に対して実質的には同じ間隔で
延びている場合が特に有利である。
このように両磁石系のプラズマ放電は相互に直接近くで
行わせることができ、今後は高価な永久磁石の一部が節
減される。この点に就いては詳細な説明中で更に詳しく
指摘される。
最後に、本発明の更に別の構成にしたがって、すべての
永久磁石が、ターゲット板に対して同軸の回転可能な強
磁性ヨーク板に設けられており、ヨーク板が中空軸に固
定されており、第２の内側の磁石系の両磁石列が該中空
軸の孔の両側に延びている場合が特に有利である。
実施例の説明 本発明の２つの実施例が以下において第１図〜第３図に
基づいて詳細に説明される。
第１図に円環状のヨーク板１が示されており、ヨーク板
１はその中心に孔２を有し、孔２は中空軸３に連絡して
いる。中空軸３にヨーク板１が固定されている。中空軸
３によりヨーク板１は共通の同心軸線Ａを中心に回転可
能である。
ヨーク板１は、第２図に示されたターゲット板Φと殆ど
同じ大きさであり、したがってヨーク板１に適用される
幾何学的関係はターゲット板にも大体成立つ。ターゲッ
ト板手の縁は第１図に１点鎖線で示されている。ターゲ
ット板牛の縁領域に第１の磁石系Ｍ１が設けられており
、第１の磁石系Ｍ１は、相互に同心に配置された、それ
自体が閉成された２列の永久磁石５および６からなり、
外側の列の磁石５は相互に同じ極位置を有しく例えば°
゛Ｎ”）、それに反して内側の磁石列６は反対の極位置
を有する。例えば内側列の磁石６は極位置゛Ｓ”を有す
る。それによりそれ自体は公知の形式でターゲット板生
上方に、磁石列５から発し、磁石列６に帰還す力 る磁ｙ線からなる、それ自体閉成されたトンネルが形成
される。第１の磁石系Ｍ１は第１図の場合に回転軸Ａに
対して同心の磁気トンネルを形成する。
回転軸Ａと第１の磁石系Ｍ１との間に、偏心に変位させ
た第２の磁石系Ｍ２が設けられている。第２の磁石系Ｍ
２もまた同じように、相互に同心に配置された、それ自
体閉成された２列の永久磁石７および８からなり、外側
の列の磁石７は相互に同じ極位置を有しく例えばＳ”）
、それに反して内側の磁石列８は反対の極位置を有する
。内側列の磁石８自体はやはり同じ極位置を有する（例
えば°Ｎ”）。それにより、ターゲット板牛上に、それ
自体閉成された第２のトンネルが、磁石列（７）から発
し、他方の　′磁石列（８）に帰還する磁力線から形成
される。
更に、第２の磁石系Ｍ２ないしはそれにより形成される
磁気トンネルがターゲット板の１つのセクタに亘っての
み、すなわちターゲット板牛の例えば１つの四分円（象
限）に亘ってのみ延びていることが分かる。
更に、第２の磁石系Ｍ２の外側列の永久磁石７が四分の
三円上に延びている、すなわち第４の四分円（象限）は
空いていることが、第１図から分かる。この四分円は２
本の一点鎖線により示されている。この第４の四分円内
で永久磁石７の列は第１の磁石系Ｍ１の永久磁石６の内
側列の永久磁石６ａにより補充されており、したがって
この四分円内で、同じ極位置の磁石が直接隣接するよう
な平行配列が回避され、これらの磁石は節減される。
そのさい第２の磁石系Ｍ２の内側列の永久磁石８は、反
対の極位置の永久磁石７に対して実質的には同じ間隔で
延びている。
第１図による磁石系がターゲット板Φに対して相対的に
回転すると、中央領域が比較的一様に、そして縁が比較
的強く削られ、したがってターゲット板に向い合せに設
けられるサブストレート領域が一様に形成されるように
、ターゲット板牛の各面積要素が、例えばプラズマの滞
留時間と強さとの同じ積に曝されるような作用が形成さ
れる。
第２図に、明らかな材料消費をすでに示すターゲット板
４は、カソード本体９に固定されており（例えばはんだ
またはゼンド付により）、カソード本体９は円盤形の銅
桶からなることが示されている。カソード本体９は支持
板１０に固定されており、支持板１０は図示されてない
絶縁材を介して、同じく図示されてない真空室に接続さ
れている。カソード本体９と支持板１０との間に扁平な
円筒形の空所１１が形成され、空所１１にヨーク板１が
、ここでは詳細には示されてない永久磁石（黒い面積部
分）と共に同心にかつ回転可能に設けられている。ヨー
ク板１を回転させるため、ヨーク板１は中空軸３に固定
されており、中空軸３は回転軸受１２を介して支持板１
０に支承されている。中空軸３は冷却水の導入および排
出に用いられ、ここでは冷却水導管は簡単にするため省
略されている。
中空軸３は歯車１３および歯付きベルト１４を介して回
転される。
第３図は、第１図に殆ど相応する個々の永久磁石の縮尺
による配置を示す。したがって参照記号は省略された。
しかし第１のないしは外側の磁石系Ｍ１の永久磁石の２
つの列がヨーク板１の部分円周部で、半径方向に少し内
側に変位させて配置され、したがって外側の磁気トンネ
ルもまた、支持板に対して相対的に回転すると、一種の
震音運動を行うことが分かる。磁気トンネルのこの震音
運動にはもちろんこの磁気トンネルに包囲されるプラズ
マも追従する。類似の考え方が第２の内側の磁石系Ｍ２
により包囲されるプラズマにも、もちろん程度は非常に
大きの回転動は有利に補い合い、基体の一様ないしは扁
平な被覆を基体領域の内部に形成する。
発明の効果 冒頭に記載された形式のマグネトロンースノぐツタリン
グカソードを、被覆すべき基体の膜厚分布が一様になる
ように改善することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるマグネトロン−スパツタリングカ
ソードの磁石系の平面図、第２図は第１図による磁石系
を有するマグネトロンースパッタリングカソードの軸方
向断面図、第３図は外側磁気トンネルがターゲット板の
部分円周部に少し半径方向内側に変位されて配置されて
いる、第１図による本発明の変型の平面図を示す。 １・・ヨーク板、２・・・孔１．３・・・中空軸ＦＩＧ
、３

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、スパッタリングすべき材料の円形ターゲット板を有
    し、さらにターゲット板の後方に配置された少なくとも
    １つの磁石系を有し、この磁石系は、それぞれ２つの同
    心に配置され、それ自体閉成された永久磁石の列から成
    り、各列の磁石が同じ極位置を有し、且両列の磁石が相
    互に反対の極位置を有するように構成され、当該構成は
    １方の磁石列から発して他方の磁石列に帰還する磁力線
    からなる、少なくとも１つのそれ自体閉成されたトンネ
    ルがターゲット板上方に形成されるようになされており
    、さらにまたターゲット板の中心軸を中心とする磁石系
    の連続回転をさせるための駆動装置を有する真空被覆装
    置用マグネトロン−スパツタリングカソードにおいて、
    ａ）ターゲット板（４）の縁領域に、第１の磁石系（Ｍ
    １）が第１の回転軸（Ａ）に対して実質的に同心の磁気
    トンネルを形成するために設けられており、ｂ）回転軸
    （Ａ）と第１の磁石系（Ｍ１）との間に偏心的にずれた
    第２の磁石系（Ｍ２）が設けられており、該第２の磁石
    系Ｍ２は第２の磁気トンネルを形成し、この磁気トンネ
    ルはターゲット板（４）の１つのセクターに亘つてのみ
    延びているように構成されており当該構成により両磁石
    系が一緒に回転すると、ターゲット板が中央領域では比
    較的に一様に、そして縁では比較的に強く削られ、した
    がつてターゲット板に向い合せに設けられるサブストレ
    ート領域が一様に被覆されるように、ターゲット板の面
    積要素が滞留時間と強さとの積に相応した作用を受ける
    ことを特徴とする真空被覆装置用マグネトロン−スパツ
    タリングカソード。 ２、第２の磁石系（Ｍ２）が外側列の永久磁石（７）を
    有し、この外側列が四分の三円に亘つて延びており、そ
    の第４の四分円は第１の磁石系（Ｍ１）の永久磁石（６
    ）の内側列の永久磁石（６ａ）により補充されており、
    第２の磁石系（Ｍ２）の永久磁石（８）の内側列が反対
    の極位置の永久磁石（７）に対して実質的には同じ間隔
    で延びている、特許請求の範囲第１項記載の真空被覆装
    置用マグネトロン−スパツタリングカソード。 ３、永久磁石（５、６、６ａ、７、８）すべてが、ター
    ゲット板（４）に対して同軸の、回転可能な強磁性ヨー
    ク板（１）に設けられており、ヨーク板（１）が中空軸
    （３）に固定されており、第２の内側の磁石系（Ｍ２）
    の両磁石列が該中空軸の孔（２）の両側に延びている、
    特許請求の範囲第２項に記載の真空被覆装置用マグネト
    ロン−スパツタリングカソード。
JP62140147A 1986-06-06 1987-06-05 真空被覆装置用マグネトロン−スパツタリングカソ−ド Pending JPS63259078A (ja)

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DE19863619194 DE3619194A1 (de) 1986-06-06 1986-06-06 Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen

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JPS63259078A true JPS63259078A (ja) 1988-10-26

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EP (1) EP0248244B1 (ja)
JP (1) JPS63259078A (ja)
DE (2) DE3619194A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03249176A (ja) * 1990-02-28 1991-11-07 Anelva Corp マグネトロンスパッタリング装置
JPH04228567A (ja) * 1990-03-30 1992-08-18 Applied Materials Inc プレーナー・マグネトロン・スパッタリングシステム
JP2021505770A (ja) * 2017-12-11 2021-02-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善されたターゲット冷却構成を有するマグネトロン

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2627651B2 (ja) * 1988-10-17 1997-07-09 アネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
US5130005A (en) * 1990-10-31 1992-07-14 Materials Research Corporation Magnetron sputter coating method and apparatus with rotating magnet cathode
US5409590A (en) * 1989-04-17 1995-04-25 Materials Research Corporation Target cooling and support for magnetron sputter coating apparatus
GB8909747D0 (en) * 1989-04-27 1989-06-14 Ionic Coatings Limited Sputtering apparatus
US6024843A (en) * 1989-05-22 2000-02-15 Novellus Systems, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
DE3929695C2 (de) * 1989-09-07 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
US5252194A (en) * 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
EP0439360A3 (en) * 1990-01-26 1992-01-15 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
KR950000011B1 (ko) * 1990-02-28 1995-01-07 니찌덴 아네루바 가부시끼가이샤 마그네트론 스패터링장치 및 박막형성방법
US5320728A (en) * 1990-03-30 1994-06-14 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity
US5242566A (en) * 1990-04-23 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter
DE4039101C2 (de) * 1990-12-07 1998-05-28 Leybold Ag Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
US5108574A (en) * 1991-01-29 1992-04-28 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
DE4125110C2 (de) * 1991-07-30 1999-09-09 Leybold Ag Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
US5194131A (en) * 1991-08-16 1993-03-16 Varian Associates, Inc. Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target
DE4128340C2 (de) * 1991-08-27 1999-09-23 Leybold Ag Zerstäubungskathodenanordnung nach dem Magnetron-Prinzip für die Beschichtung einer kreisringförmigen Beschichtungsfläche
US5374343A (en) * 1992-05-15 1994-12-20 Anelva Corporation Magnetron cathode assembly
US5248402A (en) * 1992-07-29 1993-09-28 Cvc Products, Inc. Apple-shaped magnetron for sputtering system
US5628889A (en) * 1994-09-06 1997-05-13 International Business Machines Corporation High power capacity magnetron cathode
US5659276A (en) * 1995-07-12 1997-08-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Magnetic field generator for magnetron plasma
US5865970A (en) * 1996-02-23 1999-02-02 Permag Corporation Permanent magnet strucure for use in a sputtering magnetron
JPH09310174A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Anelva Corp スパッタリング装置
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
US6464841B1 (en) 1997-03-04 2002-10-15 Tokyo Electron Limited Cathode having variable magnet configuration
US5795451A (en) * 1997-06-12 1998-08-18 Read-Rite Corporation Sputtering apparatus with a rotating magnet array
GB9718947D0 (en) * 1997-09-05 1997-11-12 Nordiko Ltd Vacuum sputtering apparatus
EP1145278A1 (en) * 1998-12-21 2001-10-17 Tokyo Electron Limited Cathode having variable magnet configuration
US6183614B1 (en) 1999-02-12 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Rotating sputter magnetron assembly
US6306265B1 (en) * 1999-02-12 2001-10-23 Applied Materials, Inc. High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave
US6290825B1 (en) 1999-02-12 2001-09-18 Applied Materials, Inc. High-density plasma source for ionized metal deposition
US6497802B2 (en) 1999-02-12 2002-12-24 Applied Materials, Inc. Self ionized plasma sputtering
WO2001002618A1 (en) * 1999-07-02 2001-01-11 Applied Materials, Inc. Magnetron unit and sputtering device
US6440282B1 (en) 1999-07-06 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron
KR20020029064A (ko) * 1999-07-06 2002-04-17 조셉 제이. 스위니 스퍼터링 장치 및 막 형성 방법
US6258217B1 (en) 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
US6207026B1 (en) * 1999-10-13 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for substrate processing system
US6451177B1 (en) * 2000-01-21 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes
US6402903B1 (en) 2000-02-04 2002-06-11 Steag Hamatech Ag Magnetic array for sputtering system
US6641701B1 (en) * 2000-06-14 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Cooling system for magnetron sputtering apparatus
US6406599B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Magnetron with a rotating center magnet for a vault shaped sputtering target
US6663754B2 (en) 2001-04-13 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Tubular magnet as center pole in unbalanced sputtering magnetron
DE10234858A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Einrichtung zur Erzeugung einer Magnetron-Entladung
US7718042B2 (en) * 2004-03-12 2010-05-18 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for manufacturing sputter-coated substrates, magnetron source and sputtering chamber with such source
DE102005019100B4 (de) * 2005-04-25 2009-02-12 Steag Hamatech Ag Magnetsystem für eine Zerstäubungskathode
US8557094B2 (en) * 2006-10-05 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Sputtering chamber having auxiliary backside magnet to improve etch uniformity and magnetron producing sustained self sputtering of ruthenium and tantalum
CN101447274B (zh) * 2008-09-26 2011-05-11 东莞宏威数码机械有限公司 磁路机构和具有该机构的磁控溅射阴极及制造方法
US20150318171A1 (en) * 2014-05-02 2015-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide
CN107923037B (zh) * 2015-09-08 2020-12-25 瑞士艾发科技 真空处理设备和用于真空处理基底的方法
CN110106487B (zh) * 2019-05-28 2020-07-14 上海交通大学 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2707144A1 (de) * 1976-02-19 1977-08-25 Sloan Technology Corp Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
EP0045822B1 (en) * 1980-08-08 1985-05-29 Battelle Development Corporation Cylindrical magnetron sputtering cathode
US4401539A (en) * 1981-01-30 1983-08-30 Hitachi, Ltd. Sputtering cathode structure for sputtering apparatuses, method of controlling magnetic flux generated by said sputtering cathode structure, and method of forming films by use of said sputtering cathode structure
US4444643A (en) * 1982-09-03 1984-04-24 Gartek Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
CA1184880A (en) * 1982-11-18 1985-04-02 Kovilvila Ramachandran Sputtering apparatus and method
ATE47253T1 (de) * 1983-12-05 1989-10-15 Leybold Ag Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets.
CH659484A5 (de) * 1984-04-19 1987-01-30 Balzers Hochvakuum Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung.
KR900005347B1 (ko) * 1984-09-19 1990-07-27 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03249176A (ja) * 1990-02-28 1991-11-07 Anelva Corp マグネトロンスパッタリング装置
JPH04228567A (ja) * 1990-03-30 1992-08-18 Applied Materials Inc プレーナー・マグネトロン・スパッタリングシステム
JP2021505770A (ja) * 2017-12-11 2021-02-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善されたターゲット冷却構成を有するマグネトロン

Also Published As

Publication number Publication date
DE3761406D1 (de) 1990-02-15
EP0248244B1 (de) 1990-01-10
DE3619194A1 (de) 1987-12-10
EP0248244A1 (de) 1987-12-09
US4746417A (en) 1988-05-24

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