JPS63254740A - 半導体のオ−プナ−装置 - Google Patents
半導体のオ−プナ−装置Info
- Publication number
- JPS63254740A JPS63254740A JP8891687A JP8891687A JPS63254740A JP S63254740 A JPS63254740 A JP S63254740A JP 8891687 A JP8891687 A JP 8891687A JP 8891687 A JP8891687 A JP 8891687A JP S63254740 A JPS63254740 A JP S63254740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- chip
- package
- semiconductor
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は半導体のオープナ−装置に関するものである
。
。
[従来技術]
従来、半導体(1−C)の不良解析時又は品質チェック
を行なう際に、半導体のパッケージに溶解液、例えば、
加熱した熱硫酸をあてて内部のチップを露出させる手段
がとられている。
を行なう際に、半導体のパッケージに溶解液、例えば、
加熱した熱硫酸をあてて内部のチップを露出させる手段
がとられている。
半導体のパッケージは、開封口を有するパツキン上面に
密着セットされ、噴射ノズルより噴射された溶解液が開
封口領域内においてパッケージに直接あたる構造となっ
ている。
密着セットされ、噴射ノズルより噴射された溶解液が開
封口領域内においてパッケージに直接あたる構造となっ
ている。
[発明が解決しようとする問題点1
前記した如く半導体のパッケージは噴射ノズルから噴射
された溶解液があたることで順次溶解され、内部のチッ
プが露出するようになるが、この時のパッケージの開封
はパツキンに設けられた開封口によって決定される。即
ち、同封口はパツキンのほぼ中央部位に設けられた丸孔
あるいは角孔状の貫通孔となっているところから、開封
口の領域のみ溶解液が直接あたるためにワンポイント状
の開封状態が得られるようになる。
された溶解液があたることで順次溶解され、内部のチッ
プが露出するようになるが、この時のパッケージの開封
はパツキンに設けられた開封口によって決定される。即
ち、同封口はパツキンのほぼ中央部位に設けられた丸孔
あるいは角孔状の貫通孔となっているところから、開封
口の領域のみ溶解液が直接あたるためにワンポイント状
の開封状態が得られるようになる。
このために、例えばチップの実装位置がパッケージの中
央部位からずれていたり、あるいはチップの占有面積が
大きい場合にはチップの完全露出が得られない不具合い
が発生する。そこで、前記不具合を解消する手段として
、例えば開封口の径を大きくすることが考えられるが、
3001i1りイブの半導体にあってはパッケージの巾
が約6m−と小さいため開封口の径を大きくすると開封
領域となるパッケージの上面だけでなく側面まで溶解す
る結果となり、溶解液が流れ出す恐れがあった。
央部位からずれていたり、あるいはチップの占有面積が
大きい場合にはチップの完全露出が得られない不具合い
が発生する。そこで、前記不具合を解消する手段として
、例えば開封口の径を大きくすることが考えられるが、
3001i1りイブの半導体にあってはパッケージの巾
が約6m−と小さいため開封口の径を大きくすると開封
領域となるパッケージの上面だけでなく側面まで溶解す
る結果となり、溶解液が流れ出す恐れがあった。
溶解液が流れ出すと検知センサが働らいて装置の作動が
停止するため、再′度セットしなおさなければならず作
業の大巾な遅れにつながる等の問題を沼来する。
停止するため、再′度セットしなおさなければならず作
業の大巾な遅れにつながる等の問題を沼来する。
そこで、この発明は簡単な工夫によって、チップの実装
位置がずれていたり、パッケージに対するチップの占有
面積が大きい場合でも確実にチップを露出させることが
できる半導体のオープナ−装置を提供することを目的と
している。
位置がずれていたり、パッケージに対するチップの占有
面積が大きい場合でも確実にチップを露出させることが
できる半導体のオープナ−装置を提供することを目的と
している。
[問題点を解決するための手段]
前記目的を達成するために、この発明にあっては、開封
口を有するパツキンの上面に載置セットされた半導体の
パッケージに、噴射ノズルから噴射される溶解液をあて
てチップを露出させるオープナ−装置において、前記パ
ツキンの開封口を長孔状に形成すると共に前記噴射ノズ
ルと対応する部位の開口巾を一般部の開口巾より狭くし
である。
口を有するパツキンの上面に載置セットされた半導体の
パッケージに、噴射ノズルから噴射される溶解液をあて
てチップを露出させるオープナ−装置において、前記パ
ツキンの開封口を長孔状に形成すると共に前記噴射ノズ
ルと対応する部位の開口巾を一般部の開口巾より狭くし
である。
C作用]
かかる半導体のオープナ−装置において、噴射ノズルか
ら噴射された溶解液は開封口の領域において、パッケー
ジに直接あたり、パッケージを順次溶解しチップを露出
させる。この場合、溶解液が直接あたる部位にあっては
、狭い開口巾によって溶解液があたる量がIIJ限され
開封速度が一般部の開口より遅くなり、−股部の開口と
バランスされ長孔状に開封される。この結果、チップの
実装位置が中心からずれていたり、あるいは、占有面積
が大きいチップにあっても確実に露出するようになる。
ら噴射された溶解液は開封口の領域において、パッケー
ジに直接あたり、パッケージを順次溶解しチップを露出
させる。この場合、溶解液が直接あたる部位にあっては
、狭い開口巾によって溶解液があたる量がIIJ限され
開封速度が一般部の開口より遅くなり、−股部の開口と
バランスされ長孔状に開封される。この結果、チップの
実装位置が中心からずれていたり、あるいは、占有面積
が大きいチップにあっても確実に露出するようになる。
〔実施例]
以下、第1図乃至第5図の図面を参照しながらこの発明
の一実施例を詳細に説明する。
の一実施例を詳細に説明する。
図中1はオープナ−装置3の機体を示している。
機体1内には半導体開口部5のほかに硫酸を貯蔵する貯
蔵タンク部7と該タンク部7より送られてくる硫酸を約
250℃まで加熱する予熱ヒータ部9と、前記半導体開
口部5で仕事を斡えた熱硫酸を約100℃まで冷却ファ
ンで冷却する排液冷却部11と、その排液を一時貯蔵す
る排液タンク部13とが配置されている。
蔵タンク部7と該タンク部7より送られてくる硫酸を約
250℃まで加熱する予熱ヒータ部9と、前記半導体開
口部5で仕事を斡えた熱硫酸を約100℃まで冷却ファ
ンで冷却する排液冷却部11と、その排液を一時貯蔵す
る排液タンク部13とが配置されている。
半導体開口部5は、エッチブロック15と該ブロック1
5の下位に配置されたケーシング17と、該ケーシング
17内に配置されたポンプ装置19とからなっている。
5の下位に配置されたケーシング17と、該ケーシング
17内に配置されたポンプ装置19とからなっている。
ケーシング17は磁力を透し、かつ耐熱耐酸性の材質で
形成され硫酸が所定量溜られる貯溜槽となっている。ケ
ーシング17には予熱ヒータ部9を介して貯蔵タンク部
7へ続く取入口23と排液冷却部11を介して排液タン
ク部13へ続く取出口25が設けられている。
形成され硫酸が所定量溜られる貯溜槽となっている。ケ
ーシング17には予熱ヒータ部9を介して貯蔵タンク部
7へ続く取入口23と排液冷却部11を介して排液タン
ク部13へ続く取出口25が設けられている。
取入口23から送り込まれるケーシング17内の硫酸は
ヒータ(図示していない)によって約290℃に高めら
れる。なお、ヒータの電源部は温度センサ(図示省略)
によって硫酸が約290℃になるように管理制御される
。
ヒータ(図示していない)によって約290℃に高めら
れる。なお、ヒータの電源部は温度センサ(図示省略)
によって硫酸が約290℃になるように管理制御される
。
ケーシング17の底部下位には駆動モータ27の出力軸
29に回転磁石31が装着支持されている。そして、前
記磁石31と対向し、かつ、ケーシング17内には磁石
33aが埋設された羽根車33が配置されている。
29に回転磁石31が装着支持されている。そして、前
記磁石31と対向し、かつ、ケーシング17内には磁石
33aが埋設された羽根車33が配置されている。
羽根車33は回転磁石31の磁力によ゛りて回転すると
共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成されている。
共に、耐熱耐酸性の合成樹脂の材質で形成されている。
羽根車33の本体上方は円錐部37となっていて下方に
は中央部の凸部39より放射方向に翼板41が設けられ
ている。
は中央部の凸部39より放射方向に翼板41が設けられ
ている。
翼板41は回転時において案内ケース35の底部に設け
られた取入口(図示していない)より取入れられた硫酸
を上方へ送り出す形状となっている。案内ケース35は
磁力を透す材質で羽根車33に沿う形状となっており、
先端の噴射ノズル43は前記エッチブロック15の貫通
孔45の下位に望んでいる。
られた取入口(図示していない)より取入れられた硫酸
を上方へ送り出す形状となっている。案内ケース35は
磁力を透す材質で羽根車33に沿う形状となっており、
先端の噴射ノズル43は前記エッチブロック15の貫通
孔45の下位に望んでいる。
噴射ノズル43の先端が望む貫通孔45はパツキン49
が組入れられた組付凹部47の底部中央部位に設けられ
ている。
が組入れられた組付凹部47の底部中央部位に設けられ
ている。
パツキン49は耐熱耐酸性のゴム製で円板状に形成され
ている。パツキン49には貫通した長孔状の開封口51
が設けられ、前記噴射ノズル43と対応し合う開封口5
1の開口巾aは一般部の開口巾すより狭く設定されてい
る。
ている。パツキン49には貫通した長孔状の開封口51
が設けられ、前記噴射ノズル43と対応し合う開封口5
1の開口巾aは一般部の開口巾すより狭く設定されてい
る。
なお、53はヒンジ55を支点として開閉可能な操作蓋
、57はICガイド、59は半導体Wを保持するICホ
ルダをそれぞれ示している。
、57はICガイド、59は半導体Wを保持するICホ
ルダをそれぞれ示している。
このように構成されたオープナ−装置において、半導体
Wのパッケージpをパツキン49の上面にv!!Wセッ
トし、噴射ノズル43から噴射した溶解液をパッケージ
pにあてて順次溶解していきチップTを露出させる。こ
の場合、溶解液が直接あたる部位は狭くなった開口巾a
によって溶解液があたる量が制限されて開封速度が一般
部の開口より遅くなる。したがって、開口巾すと開封速
度がバランスされて、長孔状に開封される。この結果、
第3図に示す如くチップの実装位置が中心からずれてい
たり、あるいは占有面積が大きいチップにあっても、確
実に露出するようになる。
Wのパッケージpをパツキン49の上面にv!!Wセッ
トし、噴射ノズル43から噴射した溶解液をパッケージ
pにあてて順次溶解していきチップTを露出させる。こ
の場合、溶解液が直接あたる部位は狭くなった開口巾a
によって溶解液があたる量が制限されて開封速度が一般
部の開口より遅くなる。したがって、開口巾すと開封速
度がバランスされて、長孔状に開封される。この結果、
第3図に示す如くチップの実装位置が中心からずれてい
たり、あるいは占有面積が大きいチップにあっても、確
実に露出するようになる。
なお、64にビットD−RAMにおいて、一般部の開口
巾すを約2.5n+m、縮小部の開口巾aを約111m
とし、また、256にビットD−RAMにあっては、一
般部の開口巾すを約4 IIm、縮小部の開口巾aを約
21IIllに設定して実験した所、良好な長孔状の開
封状態が得られた。
巾すを約2.5n+m、縮小部の開口巾aを約111m
とし、また、256にビットD−RAMにあっては、一
般部の開口巾すを約4 IIm、縮小部の開口巾aを約
21IIllに設定して実験した所、良好な長孔状の開
封状態が得られた。
[発明の効果]
以上説明した通りこの発明のオープナ−装置によれば、
チップの実装位置が中心部からずれていたり、占有面積
が大きいチップにあっても確実に露出できるようになる
。
チップの実装位置が中心部からずれていたり、占有面積
が大きいチップにあっても確実に露出できるようになる
。
第1図はこの発明のオープナ−装置のパツキンの平面図
、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図はチップが
露出した状態の半導体の斜視図、第4図は一部分を切欠
したオープナ−装置の側面図、第5図は同上の平面図で
ある。 主要な図面符号の説明 43・・・噴射ノズル 49・・・パツキン 51・・・開封口 W・・・半導体 代理人 弁理士 三 好 保 男図面の浄書(内
容に変更なし) 43・・・噴射ノズル 49・・・パツキン 第1図 第2図 第3図 手続ネr+i正−1(方式) 1.事件の表示 昭和62年 特許願第88916号 2、発明の名称 半導体のオープナ−装置3、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住所(居所) 東京都中央区日本橋本町二丁目1番6
号氏名(名称) ヤマト科学株式会社 代表者 森 川 巽 4、代理人 住 所 〒105東京都港区虎ノ門1丁目2番
3号虎ノ門第−ビル5階 6、補正の対象 (1)委任状 (2)図面 7、補正の内容 (1)委任状の提出 (2)願書に最初に添付した図面の浄書・別紙のとおり
(内容に変更なし) 以上
、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図はチップが
露出した状態の半導体の斜視図、第4図は一部分を切欠
したオープナ−装置の側面図、第5図は同上の平面図で
ある。 主要な図面符号の説明 43・・・噴射ノズル 49・・・パツキン 51・・・開封口 W・・・半導体 代理人 弁理士 三 好 保 男図面の浄書(内
容に変更なし) 43・・・噴射ノズル 49・・・パツキン 第1図 第2図 第3図 手続ネr+i正−1(方式) 1.事件の表示 昭和62年 特許願第88916号 2、発明の名称 半導体のオープナ−装置3、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住所(居所) 東京都中央区日本橋本町二丁目1番6
号氏名(名称) ヤマト科学株式会社 代表者 森 川 巽 4、代理人 住 所 〒105東京都港区虎ノ門1丁目2番
3号虎ノ門第−ビル5階 6、補正の対象 (1)委任状 (2)図面 7、補正の内容 (1)委任状の提出 (2)願書に最初に添付した図面の浄書・別紙のとおり
(内容に変更なし) 以上
Claims (1)
- 開封口を有するパッキンの上面に載置セットされた半導
体のパッケージに、噴射ノズルから噴射される溶解液を
あててチップを露出させるオープナー装置において、前
記パッキンの開封口を長孔状に形成すると共に前記噴射
ノズルと対応する部位の開口巾を一般部の開口巾より狭
くしたことを特徴とする半導体のオープナー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8891687A JPS63254740A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体のオ−プナ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8891687A JPS63254740A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体のオ−プナ−装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63254740A true JPS63254740A (ja) | 1988-10-21 |
JPH0458182B2 JPH0458182B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=13956248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8891687A Granted JPS63254740A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体のオ−プナ−装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63254740A (ja) |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP8891687A patent/JPS63254740A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0458182B2 (ja) | 1992-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100452542B1 (ko) | 세정물 건조장치 및 건조방법 | |
JPH0318332B2 (ja) | ||
JPS63254740A (ja) | 半導体のオ−プナ−装置 | |
US20170018423A1 (en) | Apparatus and Method for Processing the Surface of a Workpiece Comprised of Sensitive Materials with an Ozone and Carbon Dioxide Treating Fluid | |
KR910021579A (ko) | 원심분리기를 포함하는 분석기 | |
JPS63254739A (ja) | 半導体のオ−プナ−装置 | |
JPH0439225B2 (ja) | ||
JPH0543411B2 (ja) | ||
JPH0128675Y2 (ja) | ||
KR20080062221A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP3627651B2 (ja) | 半導体ウエハの表面処理方法及びその装置 | |
JP2021057501A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JPH0416430Y2 (ja) | ||
US3674579A (en) | Method of forming electrical conductors | |
JP2002158208A (ja) | 半導体ウエハの表面処理方法 | |
JPS637271B2 (ja) | ||
JPS63247677A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の開封方法 | |
JPH0416435Y2 (ja) | ||
JPS62275568A (ja) | 噴流式はんだ付け装置 | |
JPH0453684A (ja) | ウエハ支持装置 | |
JPH0872916A (ja) | キャップ及びその製造方法 | |
KR200161167Y1 (ko) | 웨이퍼 습식처리장치 | |
JPH0594978A (ja) | 半導体基板浸漬処理槽 | |
JPH10165793A (ja) | ガス溶解装置 | |
JP2000173905A (ja) | 処理液供給装置 |