JPS63253062A - 光学活性なイミンの製造法 - Google Patents
光学活性なイミンの製造法Info
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- JPS63253062A JPS63253062A JP63057385A JP5738588A JPS63253062A JP S63253062 A JPS63253062 A JP S63253062A JP 63057385 A JP63057385 A JP 63057385A JP 5738588 A JP5738588 A JP 5738588A JP S63253062 A JPS63253062 A JP S63253062A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アリルアミン誘導体を、′A異性化、光学活
性なイミンを得る方法に関するものである。
性なイミンを得る方法に関するものである。
史に詳しくいえば本発明は、上記の方法において使用さ
れる触媒に関するものである。
れる触媒に関するものである。
従来技術
従来、アリルアミン誘導体を異性化してエナミンまたは
アルデヒドイミンを得る方法としては。
アルデヒドイミンを得る方法としては。
触媒として強塩基を用いる方法[It、 5auer等
:Chem、 8er、、102 .1917 (+9
69))、金属酸化物を用いる方法[円部ら: Che
m、 LeLL、。
:Chem、 8er、、102 .1917 (+9
69))、金属酸化物を用いる方法[円部ら: Che
m、 LeLL、。
1465 (1977)] 、コバルト錯体を用いる方
法(特公昭58−26894号公服、持分昭58−17
447号公服)、パラジウム錯体を用いる方法(特公昭
58−26893号公報)あるいはロジウム錯体を用い
る方法(特開昭58−4748号公報)などが知られて
いる。
法(特公昭58−26894号公服、持分昭58−17
447号公服)、パラジウム錯体を用いる方法(特公昭
58−26893号公報)あるいはロジウム錯体を用い
る方法(特開昭58−4748号公報)などが知られて
いる。
発明が解決しようとする問題点
これまで開示されてきた方法は、主に触媒を用いた一般
異性化反応に属するものであり、特に不斉異性化反応に
ついての研究成果は比較的少い。
異性化反応に属するものであり、特に不斉異性化反応に
ついての研究成果は比較的少い。
たとえば、特公昭58−17447号のコバルト光学活
性ホスフィン錯体を用いてゲラニルアミン誘導体(トラ
ンス体)、ネリルアミン誘導体(シス体)を異性化して
光学活性なエナミンまたはイミンを得る方法においても
、得られたアルデヒドの光学純度は45%以下というも
のであり、工業的に有利な触媒と、それを用いた不斉異
性化反応の完成が待たれていた。
性ホスフィン錯体を用いてゲラニルアミン誘導体(トラ
ンス体)、ネリルアミン誘導体(シス体)を異性化して
光学活性なエナミンまたはイミンを得る方法においても
、得られたアルデヒドの光学純度は45%以下というも
のであり、工業的に有利な触媒と、それを用いた不斉異
性化反応の完成が待たれていた。
問題点を解決するための手段
本発明考は不斉異性化につき、多くの研究を重ね、光学
活性を有する2、2′−ビス(ジフェニルホスフィノ)
−−1,1’−ビナフチル(以下rBIN八P Jと略
記する)を配位子とした特定のロジウム・ホスフィン錯
体すなわち下記の式(1v)で表わされる物質を触媒と
して、下記の弐(1)で表わされるアリルアミン誘導体
を異性化することによって、出発物質に対応する光学活
性なイミン〔下記の式(■)〕を高純度に、かつ高収率
で得られることを見出して、前記の問題点を解決した。
活性を有する2、2′−ビス(ジフェニルホスフィノ)
−−1,1’−ビナフチル(以下rBIN八P Jと略
記する)を配位子とした特定のロジウム・ホスフィン錯
体すなわち下記の式(1v)で表わされる物質を触媒と
して、下記の弐(1)で表わされるアリルアミン誘導体
を異性化することによって、出発物質に対応する光学活
性なイミン〔下記の式(■)〕を高純度に、かつ高収率
で得られることを見出して、前記の問題点を解決した。
(触媒)
[Rh (Y) 1.1− X−(IVI〔ただし、式
中の Yはエチレン、l、3−ブタジェン、シクロへキサジエ
ン、シクロオクタジエンまたはI。を意味し。
中の Yはエチレン、l、3−ブタジェン、シクロへキサジエ
ン、シクロオクタジエンまたはI。を意味し。
)1.tcfio、、BF、またはPF、を意味し、し
は次式(V)で表わされるホスフィノ・ビナフチル誘導
体を意味する。
は次式(V)で表わされるホスフィノ・ビナフチル誘導
体を意味する。
(ただし1式中のRは、水素、メチル基またはL−ブチ
ル基を意味する)〕 (出発物質) (ただし、式中の [テ、は水素またはメチル基。
ル基を意味する)〕 (出発物質) (ただし、式中の [テ、は水素またはメチル基。
R2(ま4−メチルペンチル
を示り,、R,が水素のときはR2は4−メチルペンチ
ル基であり,I7,がメチル基のときは[)4はメトキ
シJ,9であり。
ル基であり,I7,がメチル基のときは[)4はメトキ
シJ,9であり。
F<、;ま水素を示し、
]<、は炭素踪子数1ないし4のフルキル基若しくはシ
クロアルキル基を示し、 C−/VwCは式(1)のオレフィンかZ(シス)また
はF.(トランス)であることを示す)(目的とするイ
ミン) (III) (ただし、式中のR.、R.およびR4は上記と同じ意
味を有する。) 上記した本発明を構成する各要素について、■記に詳細
に説明する。
クロアルキル基を示し、 C−/VwCは式(1)のオレフィンかZ(シス)また
はF.(トランス)であることを示す)(目的とするイ
ミン) (III) (ただし、式中のR.、R.およびR4は上記と同じ意
味を有する。) 上記した本発明を構成する各要素について、■記に詳細
に説明する。
(触 媒)
本発明において触媒として用いられるロジウム−ホスフ
ィン錯体(!V)は、特開昭59−20294号公報,
特願昭5 8 − 1 6 9 2 8 3回分服およ
び特願昭59−53600号に開示された方法により調
製することができる1,例えば、( Rh +CODJ
f f令1[11NAPl ] 買二QO4−は
,ジクロルビス(シクロオクタ−1、5−ジエン)ロジ
ウム[RhCI2(Cot))) 、と(◆l BIN
AP)とを溶媒中で.過塩素酸ソーダ水溶液.ラウリル
ブチルホスホニウムフロマイトを加えて反応させて得ら
れる。
ィン錯体(!V)は、特開昭59−20294号公報,
特願昭5 8 − 1 6 9 2 8 3回分服およ
び特願昭59−53600号に開示された方法により調
製することができる1,例えば、( Rh +CODJ
f f令1[11NAPl ] 買二QO4−は
,ジクロルビス(シクロオクタ−1、5−ジエン)ロジ
ウム[RhCI2(Cot))) 、と(◆l BIN
AP)とを溶媒中で.過塩素酸ソーダ水溶液.ラウリル
ブチルホスホニウムフロマイトを加えて反応させて得ら
れる。
[Rh [1.B I NAP)、] ” C氾
04−は[Rh(シクロオクタ−1.5−ジエン)(、
BINAP)] ” CI20.”1.−溶媒中で、史
ニB I N APを加え、水素化して得られる。
04−は[Rh(シクロオクタ−1.5−ジエン)(、
BINAP)] ” CI20.”1.−溶媒中で、史
ニB I N APを加え、水素化して得られる。
[RhfCODl (f”)p−Tolyl−BI
NAPi ”CI2 0.− iま 。
NAPi ”CI2 0.− iま 。
溶媒中で,三塩化ロジウムにシクロすフタ−1。
5−ジエンな作用させて得られた錯体に(匂 p−トリ
ル−BINAPを反応させて得られる.。
ル−BINAPを反応させて得られる.。
本発明の触媒中のオレフィンとしては、エチレン、1.
3−ブタジェン、シクロへキサジエン。
3−ブタジェン、シクロへキサジエン。
ジクロオクタジエンなどを用いることができ、また、オ
レフィンの代わりに式(V)の配位子を用いることもで
きる。
レフィンの代わりに式(V)の配位子を用いることもで
きる。
配位rとしては式(V)で表されるホスフィ、ノ・ビナ
フチル誘導体が用いられ、例えば、2。
フチル誘導体が用いられ、例えば、2。
2 −ビス(ジフェニルホスフィノ)−1。
1 −ビナフチル、2.2’−ビス(ジ−バラトリルホ
スフィニル)−1.1’−ビナフチル(以ド「p−トリ
ル−BINAPJという)、2。
スフィニル)−1.1’−ビナフチル(以ド「p−トリ
ル−BINAPJという)、2。
2′−ビス(ジ−パラターシャリ−ブチルホスフィニル
)−1.1’ −ビナフチル(以下rし一ブチルーB
INAP,jlという)などが挙げられる。
)−1.1’ −ビナフチル(以下rし一ブチルーB
INAP,jlという)などが挙げられる。
(出発物質)
本発明の原料であるアリルアミン誘導体は,上記式(1
)で表わされる化合物であり、例えばN−シクロへキシ
ル−7− (R)−2 (E)−3、7.1+−トリメ
チル−2−ドデセニルアミ2 (E)−N−シクロへキ
シル−7−メドキシー3、7−シメチルー2−オクテニ
ルアミン(以下においては,N−シクロヘキシル−7−
メドキシーゲラニルアミンと略称する)。
)で表わされる化合物であり、例えばN−シクロへキシ
ル−7− (R)−2 (E)−3、7.1+−トリメ
チル−2−ドデセニルアミ2 (E)−N−シクロへキ
シル−7−メドキシー3、7−シメチルー2−オクテニ
ルアミン(以下においては,N−シクロヘキシル−7−
メドキシーゲラニルアミンと略称する)。
2 (E)−N−ブチル−7−メドキシー3.7−シメ
チルー2−オクテニルアミン などが挙げられる。
チルー2−オクテニルアミン などが挙げられる。
本発明で使用できるホスフィノ・ビナフチル誘導体の旋
光度は以トのとおりである、 (”l BINAI’ [
a ] ”+ 225。
光度は以トのとおりである、 (”l BINAI’ [
a ] ”+ 225。
(C・0.7、ヘンゼン)
f−I BINAP ll − 2
24’″FC−1.0、へンゼン) (ip− トリル−BINAP ll + 1
70”(〃〃) f−1p−トリル−BINAII ll −
170.5’(〃〃) (◆)し−ブチル−BINAP ll +83.
2”(〃〃) (−)L−ブチル−BINAI’ ll −83
,0’″(〃〃) (異性化方法) 本発明の反応は、アリルアミン誘導体1モルに1・iシ
て、I/2.000ないし1/10.000モルのTi
のロジウムーホスフィレ錯体(1v)を加え、r8媒の
イを在トに、80ないし120℃にて!ないし15時間
反応させることで完結する。
24’″FC−1.0、へンゼン) (ip− トリル−BINAP ll + 1
70”(〃〃) f−1p−トリル−BINAII ll −
170.5’(〃〃) (◆)し−ブチル−BINAP ll +83.
2”(〃〃) (−)L−ブチル−BINAI’ ll −83
,0’″(〃〃) (異性化方法) 本発明の反応は、アリルアミン誘導体1モルに1・iシ
て、I/2.000ないし1/10.000モルのTi
のロジウムーホスフィレ錯体(1v)を加え、r8媒の
イを在トに、80ないし120℃にて!ないし15時間
反応させることで完結する。
溶媒としては、テトラヒドロフランのようなエーテル頚
、アセトシなどのケトン類、塩化メ千し〕のよ・)なハ
ライド類を用いることができ、錯体をあらかじめ本溶媒
に加え、均 溶液として用いることが望ましい1.溶媒
の使用−は原料アミンの1/2ないし4倍λ(容量)が
好ましい。
、アセトシなどのケトン類、塩化メ千し〕のよ・)なハ
ライド類を用いることができ、錯体をあらかじめ本溶媒
に加え、均 溶液として用いることが望ましい1.溶媒
の使用−は原料アミンの1/2ないし4倍λ(容量)が
好ましい。
反応終了後は、常法により溶媒を留去した後。
蒸留により目的物の光学活性なイミンを得る。
実 施 例
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例−1
あらかじめ窒素置換を行った耐圧容器に〔[(h(CO
D> ((÷1−BINAP))’C氾 0 4−
93mg (0,lミリモル)とテトラヒドロフラジ2
00 m I)、を加え、これに213g to、69
モル)のN−シクロへキシル−7−メドキシーゲラニル
アミンを加えて、90℃で8時間反応した。反応終了後
、テトロヒドロフランを留去し、次いで3.5mmHg
の真空下に反応物を蒸留し、沸点+10−113℃/1
.2mm[Igの留分202gを得た。このものは、
G L、 C分析の結果、未反応アミン1.2%と7−
メドキシー3゜7−ジメチル−l−オクタナール−シク
ロヘキシルイミン98.8%の混合物であった。+1η
記留分を300tr+42のトルエンに溶解し、W1拌
下、10%硫酸水を液温0℃に保ちつつ滴下した。p1
14ないし5にて摘干を打ち切り、攪拌下に室温まで胃
温した後、分液した。
D> ((÷1−BINAP))’C氾 0 4−
93mg (0,lミリモル)とテトラヒドロフラジ2
00 m I)、を加え、これに213g to、69
モル)のN−シクロへキシル−7−メドキシーゲラニル
アミンを加えて、90℃で8時間反応した。反応終了後
、テトロヒドロフランを留去し、次いで3.5mmHg
の真空下に反応物を蒸留し、沸点+10−113℃/1
.2mm[Igの留分202gを得た。このものは、
G L、 C分析の結果、未反応アミン1.2%と7−
メドキシー3゜7−ジメチル−l−オクタナール−シク
ロヘキシルイミン98.8%の混合物であった。+1η
記留分を300tr+42のトルエンに溶解し、W1拌
下、10%硫酸水を液温0℃に保ちつつ滴下した。p1
14ないし5にて摘干を打ち切り、攪拌下に室温まで胃
温した後、分液した。
トルエン層は、300m℃の水で2回洗浄し。
300m℃の飽和1炭酸ソーダ水溶液で洗浄した。分液
後、トルエン勃を無水@酸マグネシウムで乾燥した後、
トルエンを減圧下に留去し、その残部を真空蒸留して得
られた7−メドキシー3゜7−ジメチル−l−オクタナ
ールの旋光度は[a)”−I 1.8°であった。
後、トルエン勃を無水@酸マグネシウムで乾燥した後、
トルエンを減圧下に留去し、その残部を真空蒸留して得
られた7−メドキシー3゜7−ジメチル−l−オクタナ
ールの旋光度は[a)”−I 1.8°であった。
発明の効果
本発明によれば、微Mの特定のロジウム・ホスフィン錯
体触媒を使用することによって、各柿のアリルアミンを
不斉異性化させることができ、しかも、その反応は高収
率で進み、且つ光学純度の高い光学活性イミンを得るこ
とができる。
体触媒を使用することによって、各柿のアリルアミンを
不斉異性化させることができ、しかも、その反応は高収
率で進み、且つ光学純度の高い光学活性イミンを得るこ
とができる。
また、得られたイミンは、走用的に加水分解され、アル
デヒドまたはケトンを生成するので、これによって得ら
れた光学活性アルデヒド類は、例えば香料、a−トコフ
ェロールなどの医薬、幼若ホルモンなどのi:A薬等を
製造するための中間体として有機合成化学上、極めて重
要なものである。
デヒドまたはケトンを生成するので、これによって得ら
れた光学活性アルデヒド類は、例えば香料、a−トコフ
ェロールなどの医薬、幼若ホルモンなどのi:A薬等を
製造するための中間体として有機合成化学上、極めて重
要なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ▲数式、化学式、表等があります▼ ( I ) (ただし、式中の R_1は水素またはメチル基、 R_2は4−メチルペンチル基またはメトキシ基を示し
、R_1が水素のときはR_2は4−メチルペンチル基
であり、R_1がメチル基のときはR_2はメトキシ基
であり、 R_3は水素を示し、 R_4は炭素原子数1ないし4のアルキル基若しくはシ
クロアルキル基を示し、 C■Cは式( I )のオレフィンがZ(シス)またはE
(トランス)であることを示す) で表わされるアリルアミン誘導体を異性化して、式(I
II) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (ただし、式中のR_1、R_2およびR_4は上記と
同じ意味を有する) で表わされるイミンを得る方法において、触媒として式
(IV) [Rh(Y)L]^・X^−(IV) 〔ただし、式中のYはエチレン、1.3−ブタジエン、
シクロヘキサジエン、シクロオクタジエンまたはLを意
味し、 xはClO_4、BF_4またはPF_6を意味し、L
は次式(V)で表わされるホスフィノ・ビナフチル誘導
体を意味する〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中のRは、水素、メチル基またはL−ブチ
ル基を意味する) で表わされるロジウム−ホスフィン錯体を用いることを
特徴とする光学活性なイミンの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63057385A JPS63253062A (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 光学活性なイミンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63057385A JPS63253062A (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 光学活性なイミンの製造法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14678084A Division JPS6127949A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光学活性なエナミンの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63253062A true JPS63253062A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13054142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63057385A Pending JPS63253062A (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 光学活性なイミンの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63253062A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS584748A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Takasago Corp | エナミンまたはイミンの製造方法 |
JPS5817447A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
-
1988
- 1988-03-12 JP JP63057385A patent/JPS63253062A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS584748A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Takasago Corp | エナミンまたはイミンの製造方法 |
JPS5817447A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
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