JPS63250040A - 陰極線管の電子銃 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は陰極線管の電子銃に関わる。

〔発明の概要〕

本発明は、カソードと、第１〜第３グリッドより成る静
電プレレンズ系と、主電子レンズ系とより成り、その静
電プレレンズ系を構成する第２及び第３グリッドの寸法
の選定と、第３グリッドの陽極電圧との電圧関係の選定
によってレンズ主面が、電子銃の物点となる電子ビーム
のクロスオーバ一点近傍に位置する凸メニスクの静電プ
レレンズ系を構成して、画面上での電子ビームスポット
サイズＶＳＳ（Ｖ＋５ｕａｌ　５ｐｏｔ　５ｉｚｅ）の
特に画面周辺部での改善をはかる。

〔従来の技術〕

通常のテレビジョン受像機においては、画面周辺部の解
像度は、差程高いことが要求されないばかりか、むしろ
この周辺部の解像度は、低い方が視覚的に疲労が少いと
されている。

ところが、例えば文字放送受信、コンピュータの端末、
ワードプロセッサ等の各ディスプレイ装置、更にキャラ
クタ−表示用等のプロジェクタ管としての陰極線管にお
いては、その文字、図形表示が画面周辺部でも鮮明に行
われることの必要性から、画面周辺部における解像度も
できるだけ高いことが要求されている。

ところが画面周辺部の解像度が充分に高めら慇た陰極線
管の実現は必ずしも満足できる状態にない。

例えば、特公昭５９−２７０７３号公報、及び特公昭５
９−４２９４５号公報には、画面上での電子ビームスポ
ットサイズの改善をはかる技術思想の開示はあるものの
、いずれのものも、特に画面周辺部での解像度を意識的
に改善することの着目はなされていな　、い。

物点、具体的には電子銃のカソードグリッド電子レンズ
系によって形成される電子ビームのクロスオーバポイン
トの、電子レンズによって形成される像点のサイズ■Ｓ
Ｓは、次式（１）で表わされる。

ＶＳＳ＝ｍ−ｄｘ＋（１／２）　　ｍ−Ｃ５ｏ　・ｔｘ
ｏ　３−（１１ここに、ｍは像倍率、ｄｘは物点の径（
クロスオーバポイントの径）、Ｃ３Ｏはレンズの球面収
差係数、α０はビーム発散角である。但し、ここに、電
子ビームの電子相互の反発効果の項は除外している。

因みに、レンズが磁界型電子レンズであれば、電子は螺
旋軌道を描くのでビーム反発効果は無視できる程度に小
さいと考えられる。

そして、ビーム発散角α０と、像倍率ｍとの間にはラグ
ランシュの法則による次式（２）の関係がある。

（ｂ／ａ）　・（ｔａｎαｏ／　ｔａｎαｉ）＝　（Ｖ
ｌ／Ｖ２）’１−（２１ここに、αｉはビーム入射角、
ａはレンズから物点迄の距離、ｂはレンズから像点迄の
距離、Ｖｌ及びｖ２４．ｔそれぞれ物点側及び像点側の
各空間電位である。ユニポテンシャルレンズを例にする
と、Ｖ１＝Ｖ２であり、像倍率ｍは、ｍ　＝　ｂ　／　
ａであり、角倍率ｍａは、ｍａ　＝　ｔａｎα０／　ｔ
ａｎαｉ＝ａ／ｂで与えられるから、像倍率ｍを小とす
ると、ビーム発散角α０が大となり、（１）式の左辺第
２項、すなわち球面収差項が大になってスポットサイズ
■ＳＳは小とはならず、また、ビーム発散角α０を小さ
くすると、像倍率ｍが大となり、（１１式の左辺第１項
の像倍率項が大となってしまう。パイポテンシャルレン
ズについても同様のことが言える。第７図は、このこと
を示すため＋１１式をグラフ化し、スポットサイズ■Ｓ
Ｓと、球面収差項と、像倍率項との関係を示したもので
、これによればｍを小にしても、ＶＳＳを小にすること
ができず、ＶＳＳが極値を示す像倍率の値ｍＯが存在す
る。

一方、第８図を参照してプレ電子しンズ系Ｌｅｎｓ１と
主電子レンズ系Ｌ　ｅｎｓ２とによる電子光学系につい
てみる。この場合主電子レンズ系り、ｅｎｓ２に入射す
るビーム角がプレ電子レンズ系１．ｅｎｓｌによって小
さくされるものであり、その光路を鎖線で示している。

そして、プレ電子レンズ系Ｌ・ｅｎ’ｓ１が存在しない
場合の光路を実線で示している。Ｐは物点、Ｐ′　は像
点てあり、Ｐ　ＩＩは主電子レン□ズ系ＬｅｎＳ２の仮
想物点で、これは、主電子レンズ系Ｌ　ｅｒｌｓ２の鎖
線図示の光路を入射側に延長した線の、光軸との交点と
なる。すなわち、この電子光、学系ではプレ電子レンズ
系Ｌｅｎｓ１による虚像（仮想物点Ｐ　”　、）を主電
子レンズ系Ｌｅｎ’ｓ会で拡大して像点Ｐ′を得ている
。この場合、プレ電子レンズ系・Ｌ’ｅｎｓ１の像倍率
をｍｐとすると、 ｍｐ　　＝　ｂ’　　／　ａ’　　　　　　　　−１３
１で表わされる。ここに、ａ′及びｂ′　はそれぞれレ
ンズ系Ｌ　ｅｎｓｌから、その物点Ｐ及び像点（主電子
レンズ系Ｌｅｎｓ２の仮想物点）Ｐ″迄の各距離を示す
。そして、これは明らかに ｙｎｐ　＞　ｌ　　　　　　　　　　−（３１）である
。

一方、プレ電子レンズ系Ｌｅｎｓ１が存在しない主電子
レンズ系Ｌ　ｅｎｓ２のみの場合の像倍率をｍとすると
、次のように表わされる。

ｍ　＝　ｂ　／　ａ　　　　　　　　　−−−（４１こ
こに、ａ及びｂは、主電子レンズ系Ｌ　ｅｎｓ２から物
点Ｐ及び像点Ｐ″迄のそれぞれの距離を示す。

また総合の像倍率ｍｔは、次式（５）の関係を有する。

ｍｔ　＝ｍφｍ　ｐ　　　　　　　　−（５１そして、
ｍｐ〉１　　（（３１）式）であるから、ｍ　ｔ　＞　
ｍ　　　　　　　　　　−−（６）である。したがって
、第８図の構成において、そのプレ電子レンズ系Ｌｅｎ
ｓｘを用いて発散角を小にしたとしても、両電子レンズ
系Ｌｅｎｓｔ及びＬ　ｅｎＳ２の組合せによる総合像倍
率ｍｔは、主電子レンズ系Ｌ　ｅｎｓ２単独の像倍率ｍ
よりは小になり得ず、ＶＳＳは充分小さくすることがで
きない凸レンズをプレレンズとして使用する限り、この
ジレンマから逃れることはできない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、上述したスポットサイズ■ＳＳの凸レンズに
よる制約を排除し、かつ、陰極線管の画面周辺部の解像
度の低さの問題の改善をはかるようにした陰極線管の電
子銃を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、第１図に示すように、カソードにと、第１グ
リッドＧ１と、第２グリッドＧ２と、第３グリッドＧ３
とを具備する静電プレレンズ系Ｌｅｎｓｐと、 主電子レンズ系Ｌｅｎｓｓとを有して成り、第２グリッ
ドＧ２及び第３グリッドＧ３の各長さをＬ２及びＬ３と
し、各直径をＤ２及びＤ３とするとき、Ｌ２／Ｄ２≦０
　、３　　　　　−（７１Ｌ３／Ｄ３５１　、２　　　
　　−（８］に選定し、第３グリッドＧ３の印加電圧を
陽極電圧Ｅｂの５〜２０％に選定する。

主電子レンズ系Ｌ　ｅｎｓＭは、静電レンズ系、或いは
磁界レンズ系またはこれらの組合せによって構成し得る
。例えばこの主電子レンズ系Ｌ　ｅｎｓＭは、図示のよ
うに静磁界型レンズ系によって構成し得るものであり、
この場合は、陽極電圧Ｅｂが印加される第４グリッドＧ
４が第３グリッドＧ３の次段に設けられ、ネックチュー
ブ内壁に塗布された導電膜を利用している。

尚、各グリッドＧ２及びＧ３の谷径Ｄ２及びＤ３は実際
上陰極線管管体ｆｌ）の電子銃が収容配置されるネック
部（１ｎ）の径の制約から自づと制限を受けるものであ
って、実際には、Ｄ２及びＤ３は制約された範囲内で最
大限に選定され、Ｌ２及び１−３の選定によって（７）
式及び（８）式が満足されるように構成される。

〔作用〕

上述の構成によれば、第２及び第３のグリッドの長さが
短縮化されたことによっていわゆる凸メニスク型の電子
レンズが構成される。

先ず、光学凸メニスクレンズについてみるに、この凸メ
ニスクレンズは、第９図に示すように、物点側面の半径
がｒｌで、像点側面の半径がｒ２で、ｒｌ＜Ｔ’２の形
状を有するものであって、その第１及び第２の主面位置
Ｐ１及びＰ２は、図において左側（物点側）を負、右側
（像点側）を正とするとき、次式（９）及びＱＯ）で与
えられる。

ここに、ｅはレンズの厚さ　（第１０図において０１０
２）であり、ｎはレンズ媒質の屈折率、ｎ′は外囲媒質
の屈折率を示す。そして、焦点距離ｆは、 ａｂ 但し、ａ及びｂは主面から測った距離である。

ｒｓ＜ｒ２であることから、（９）及び００）式で、Ｐ
ｉ　＜０．　　　　Ｐ２　＜０ である。すなわち、第１主点Ｐ１．したがって第１主乎
面Ｈ１は、レンズの第１頂点０１の左側、すなわち物点
側にあり、また、同様に第２の主点Ｐ２シたがって第２
主乎面Ｈ２も、第２の頂点０２より左側に存在する。

今、物点が点０１と主平面Ｈ１との間にあったとすると
、第１０図にその光学図を示すように、像倍率ｍｐは、
ｍｐ＜ｌとなり、光の入射角αｉと発散角α０との関係
がＧ０〈αｉなる虚像が形成される。第１０図において
、Ｐはその物点、Ｐ′　は像点を示す。

本発明の静電プレレンズ系は、このような凸メニスクレ
ンズ構成となる。第３グリッドＧ３の長さＬ３をＬ３／
Ｄ３≦１．２とした本発明構成によれば、第４グリッド
Ｇ４からの高圧が、第３グリッドＧ３内に充分入り込ん
で、第３グリッドＧ３及び第４グリッドＧ４によって構
成される電子レンズ（以下Ｇ３　０４　レンズという）
が凸メニスクレンズとなる。この場合、第４グリッドＧ
４内に第３グリッドＧ３の低圧電界が入り込むような形
の発散レンズを構成するが、これは、弱いレンズである
ことから殆んど無視できる。

一方、第２グリッドＧ２−第３グリッドＧ３間において
も、電子レンズ（以下Ｇ２　　Ｇ３　レンズという）が
形成され、これによる影響を考慮する必要がある。

このＧ２　　Ｇａ　レンズは通常ハイボテンシャル凸レ
ンズであり、虚像を形成するため、このＧ２　　Ｇ３レ
ンズの存在によって、上述の凸メニスクレンズの仮想物
点がカソード側に移動して、この凸メニスクレンズの第
１の主平面Ｈ１と、第１の頂点０１との間に仮想物点が
存在しなくなる。このことは第８図で説明したレンズＬ
ｅｎｓ１及びＬ　ｅｎｓ２に、それぞれＧ２　　Ｇ３　
レンズ、Ｇ３Ｇ４　レンズを対応させて考察することに
よって理解される。ところが本発明構成では、第２グリ
ッドＧ２の電極長Ｌ２がＬ２／Ｄ２５０．３に選定され
、その電極長Ｌ２が短くされていることから、ここでも
凸メニスクレンズが形成されている。そして、０２　　
Ｇ３レンズ系で構成される凸メニスクと、０３　　Ｇ４
レンズ系で構成される凸メニスクが組合わさって、一体
となった１個の凸メニスクが構成されると考えられる。

このようにして、プレレンズ系でｍｐ＝ｌとし得たこと
によって、主電子レンズ系との全体的な総合像倍率ｍｔ
は、前記（５）式から ｍ　ｔ　：　ｍ　　　　　　　　　　−−（７１）つま
り、その総合像倍率ｍｔは、殆んど主電子レンズの像倍
率ｍによって決まることになる。

従って、プレレンズを付加しても像倍率の増大を招来す
ることなく、ビーム発散角の調整が可能となり、前述の
凸レンズによるジレンマからの脱出が図れる。

一方、第１１図に示すように、ビームがあるｔｔｌｕｍ
直径２ｒｄを有するため、均一磁界による偏向でも、直
径内の位置の違いにより電子に作用する力が異なり、歪
が生じる。今、同図において、Ｙ方向の一様な磁場Ｂで
、これと直交するＸ方向に距離ｄだけ、電子ビームを偏
向（この偏向ビームの中心線を鎖線で示す）させる場合
、ビーム直径の両端を通る電子線のＸ方向及びＹ方向に
関する各偏向距離の差をそれぞれΔＸ及びΔｙとすると
、となることが知られている。ｌは磁ＩＢの印加領域長
、Ｄはこの領域からスポット歩成面、すなわち螢光面迄
・の距離、θは偏向半角である。

第１２図に、パイポテンシャル静電型のプレレンズ系系
Ｌと、磁界量の主電子レンズＨ０Ｌとを通過した、電子
ビームの軌道を実線で、プレレンズＰ、Ｌかない場合の
軌道を鎖線でそれぞれ模式的に示した。図において、Ｄ
、Ｙは偏向面位置、Ｐが物点（Ｇ２　　　Ｇ３　レンズ
系で形成される仮想物点）、Ｐ′が像点（螢光面上）、
ｒは電子ビーム半径で、その添字（サフィックス）は各
位置での電子ビーム半径を示す。凸メニスクが形成され
、前記（７１）式が成立しているとする。仮想物点の半
径は、クロスオーバ点の半径ｒｃとした。磁界型主電子
レンズＭ、Ｌに対して薄いレンズの公式を適用すると、
となる。上式Ｑ３１は、プレレンズなしの、主電子レン
ズＨル単婢の場合である。尚、ここに、プレレンズと主
レンズとを１個の組合せレンズと考えれば、プレレンズ
系ルを有する場合においても同様の結果が得られる（記
号は第１２図参照但し、ｍは像倍率）。

ここで、第１１図に対応させて Ｃ＝Ｄ＋７！／２　　　　　　　　　−・・Ｇａとおく
と、 ｒｄ＝Ｃφ′　＝Ｃφ／ｍ　　　　　−０９故に０８式
は、 れば、ΔＸは小さくなることがわかる。尚、φ′の調整
は、第３グリッドＧ３の印加電圧（すなわち、Ｅｃ３：
フォーカス電圧）の設定で行い、前述のようにＥｂの５
〜２０％の範囲内にあれば良いことが認められたのであ
る。

以上のようにして、本発明では、ビームスポットサイズ
■ＳＳの改善がはかられるものであるが、更にこの構成
において、その第３グリッドＧ３への印加電圧を、陽極
電圧Ｅｂの５〜２０％に選定するとき、両面周辺部にお
けるビームスポット形状についての改善がはかられ、し
たがって■ＳＳの向上と相俟って、画面周辺部の解像度
の向上がはかられる。

〔実施例〕

第１図を参照して本発明の一実施例を詳細に説明する。

この例では例えば、パーソナルコンピュータ端末として
の携帯型のプロジェクタ管に適用した場合で、管体（１
）のファンネル部（１ｆ）の前方開口端には、内面に螢
光面を有するパネル部（１ｐ）が封着され、ネック部（
１ｎ）に、電子銃（１０）が配置される。

電子銃（１０）は、カソードにと、第１〜第３グリッド
６１〜Ｇ３と、更に、管体ｆｉｌのネック部（１ｎ）か
らファンネル部（１ｆ）に差し渡って被着された、例え
ばカーボン塗膜による内部導電膜が、第３グリッドＧ３
に被さるように先端位置に延在して形成された第４グリ
ンドＧ４を有して、静電プレ電子レンズＬｅｎｓｐが構
成されて成る。主電子レンズ系Ｌ　ｅｎｓＭは、対のそ
れぞれ厚さ方向に着磁された環状永久磁石Ｆ？ｈ及びＦ
Ｍ２が、同磁極側が対峙するように配置されて成る静磁
界型電子レンズによって構成し得る。これら磁石ＦＭ１
及びＦＭ２は、それぞれ内径が１６．５５ｍｍ、外径が
３０ｍｍで、厚さが３．８〜４．０ｍｍで中心磁束密度
が５００〜６００ｇａｕｓｓの磁石を用い得る。そして
、両磁石ＦＭ１及びＦＭ２間の間隔を調整することによ
って、有効磁束密度の調整が行われる。ＤＹは、電子ビ
ームの水平・垂直電磁偏向装置、ｓｙはレジストレーシ
ョン補正用電磁石、ΔＹは非点収差補正用電磁石を示す
。

第３図は、第１〜第４グリッドＧ１〜Ｇ４の構成を示す
断面図で、第１グリッドＧ１は、内部にカソードＫが配
置される内径Ｄｉのカップ状金属電極によって構成し得
、そのカソードにの電子放出面と対向する端面板（２１
）に、直径φ１の電子ビーム透過孔ｈ１が穿設されて成
る。

第２グリッドＧ２は、第１グリッドＧ１の端面板（２１
）に対向し、第１グリッドＧ１の電子ビーム透過孔ｈ１
と同軸上に、直径φ２の電子ビーム透過孔ｈ２が穿設さ
れた金属端面板（２２）自体によって、或いは図示の例
のように、この端面板（２２）を有する内ＢＤ２のカッ
プ状金属電極によって構成し得る。

第３グリッドＧ３は、内径Ｄ３の筒状金属電極によって
構成し、その第２グリッドＧ２　と対向する端部には、
例えば絞り出し加工によって形成され内径φ３の中心孔
ｈ３を有し、その内径Ｄｎが他部の内径Ｄ３に比し小さ
い、長さＬｎの筒状部（２３）を設は得る。

今、１．５インチ型のプロジェクタ管、すなわち、陰極
線管で、そのネック部（Ｉｎ）の外径が１３．５ｍｍで
ある場合について例示すると、第３図に示すカソードに
と第１グリッドＧ１の電子ビーム透過孔ｈ１との間の間
隔　ｄ　Ｏｆ　＝０．１１ｍｍ、第１及び第２のりゞリ
ッドＧ１及びＧ２の各電子ビーム透過孔ｈ１及びｈ２間
の間隔ｄ　１２　＝　０．２＋ｎｎ＋、第３グリッドＧ
３及び第４グリッド０４間の間隔ｄ　３４　＝　１．９
５ｍｍ、第２グリッドＧ２の内径Ｄ２　＝　５．５ｍｍ
、第３グリッドＧ３の内径　Ｄ３　＝　７．７ｍｍ、そ
の筒状部（２３）の内径Ｄｎ　＝３．６ｍｍ、第４グリ
ッドＧ４の内径Ｄ４−１１．９ｎ＋ｎ＋、第２グリッド
Ｇ２の電子ビーム透過孔ｈ２の内径φ２　＝０．３ｍｍ
、第１．第２及び第３グリッドＧｌ、Ｇ２及びＧ３の各
穿孔部の厚さＬ　ｒ　＝０．０５ｍｍ。

ｔ　２　＝　０．１ｍｍ、　　ｔ　３　＝０．１５ｍｍ
とする。

そして、前記（７）式及び（８）式の条件を満足するよ
うに、第２及び第３グリッドＧ２及びＧ３の各長さＬ２
及びＬ３の選定が行われる。この場合、両長さＬ２及び
Ｌ３の下限値は、各グリッドｃ２及びＧ３を端面板のみ
によって構成することによって、それぞれ板厚とするこ
とができる。

尚、第１及び第２グリッドＧ１及び０２間の間隔ｄ１２
．第２及び第３グリッドＧ２及び０３間の間隔ｄ２３の
規制は、所要の厚さの例えばセラミックリング等のスペ
ーサＳｔ２及びＳ２３の介在によって行い得る。これら
の間の接着はろう付にてなし得る。

そして、更に本発明においては、特に第３グリッドＧ３
への印加電圧ＥＣ３を、陽極電圧、すなわち図示の例で
は第４グリッドＧ４ともなる内部導電膜への印加電圧Ｅ
ｂの５〜２０％に、すなわち、Ｅ　ｃ３／　Ｅ　ｂを０
．０５〜０．２に選定する。

第４図〜第６図は、それぞれ陰極線管においてカソード
電流ＩＫ＝　２０μＡ、カットオフ電圧ＥＫＣＯ＝３０
Ｖの場合の、螢光面上の中央部のビームスポットＳｐａ
と、各４隅のビームスポットＳｐｔ二Ｓｐ４とを拡大し
て示したもので、前述の１．５インチ型陰極線管用の電
子銃において、Ｌ２　＝１．１５．　　Ｌ３−７．５．
　Ｌｎ　−１，５，ｄ２ａ＝０．８＋Ｗ＝０．２５＋　
　φ１　＝０．２５１φ２　＝０．３．φ３　＝３．０
とし、第４図はＥｂ　＝１２ＫＶ。

ＥＣ３＝１．５ＫＶ　　（ＥＣ３／　Ｅｂ　＝０．１３
）の場合、第５図は、Ｅｂ　＝１６Ｘν、　　ＥＣ３＝
２．７にν（Ｅ　Ｃ３／　Ｅ　ｂ　＝　０．１７）の場
合、第６図は比較のための、Ｅｂ　＝１２ＫＶ、　ＥＣ
３−２，７ＫＶ（Ｅｃ３／　Ｅｂ　＝０．２２５）とし
た場合のそれぞれのスポットを示したもので、各スポッ
ト下のかっこ内の数字は、各スポットの長軸長φＳＬと
短軸長φｓｓの平均値 の測定結果を示したものである。第４図〜第６図を比較
して明らかなように、第６図のＥｃ３／Ｅｂ＝０．２２
５のものは、周辺スポットが細長くなっており、これに
よって解像度が低下する。

そして、Ｅｃａ／　Ｅｂ　＝０．０５〜０．２で周辺ス
ポットの形状性が約５０％改善され、良好な解像度が得
られることが確められた。また、第３グリンドＧ３にグ
イナミソクフォーカス電圧を重畳印加することにより、
周辺部のＶＳＳの劣化は、はとんど気にならないくらい
にまで改善された。

第２グリッドＧ２と対向する側に、小径の筒状部（２３
）を設けた場合で、このような構造とするときは、第２
グリンドＧ２による電界の第３グリッドＧ３内への入り
込みを、より効果的に回避することができ、プレ電子レ
ンズにおける凸メニスクレンズ作用を阻害するおそれの
ある発散レンズの発生をより確実に回避できる。しかじ
４から、この場合、その中心孔ｈ３の内径φ３は、第２
グリッドＧ２の電子ビーム透過孔ｈ２の内径φ２との関
連において、 φ３ ・−・０で φ２ に選定することが収差の発生を回避する上で好ましいこ
とが確認された。

この構成においてフォーカス電圧、すなわち第３グリッ
ドＧ３への印加電圧Ｅｃ３は、主電子レンズ、すなわち
磁石ＦＭ１及びＦＭ２による電界レンズの強さを、両磁
石Ｆｌｈ及びＦＭ２間の間隔調整行よ−て可変でき、Ｅ
・・≦３ＫＶにすることができる。

そしてこのようにグリッドＧ３へ９！襖電圧が低められ
ることによって、陰極線管のネック部（１ｎ）の端部に
設けられた端子ピン（２）に特別な耐圧対策が不要とな
り、信頼性が向上すると同時に、周辺フォーカスが改善
される。

〔発明の効果〕

本発明は、上述したように陰極線管に適用して、プレフ
ォーカスレンズの像倍率ｍｐを、ｍｐＫｌとし得ること
によって、主電子レンズを含めた全体のレンズ系の像倍
率ｍｔの（四人を招来することなく、発散角や集束角の
コントロールができて、螢光面でのスポットサイズＶＳ
Ｓの改善が図られる。

また、本発明構成によれば周辺部でのスポット形状の改
善が図られることとが相俟って、画面の周辺部を含んで
全域ですぐれた解像度の画像が得られるので、キャラク
タ−表示用のプロジェクタ管を始めとして、コンピュー
タの端末ディスプレイ装置等７文字表示を行う陰極線管
に用いてその利益は極めて大きい。

また、第３グリッドＥＣ３の電圧を低め得ることから、
電圧供給を陰極線管の端子ビン（２）の耐電圧に、特別
の注意を払わずにすむことができるなど多くの利益があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した陰極線管の一例の構成図、第
２図はその要部の電位分布図、第３図は電子銃の要部の
断面図、第４図〜第６図はスポット形状図、第７図は像
倍率とスポットサイズ■ＳＳの関係を示す図、第８図は
プレ電子レンズ系の説明図、第９図は凸メニスクレンズ
の構成図、第１Ｏ図は凸メニスクレンズの光学図、第１
１図は電子ビーム偏向の説明図、第１２図は電子ビーム
軌道の模式図である。 （１）は陰極線管、（２）は端子ピン、（１０）は電子
銃、Ｋはカソード、０１〜Ｇ４は第１〜第４グリッドで
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 カソードと、第１グリッドと、第２グリッドと、第３グ
   リッドとを具備する静電プレレンズ系と、主電子レンズ
   系とを有して成り、 上記第２グリッド及び第３グリッドの各長さをＬ＿２及
   びＬ＿３とし、各直径をＤ＿２及びＤ＿３とするとき、 Ｌ＿２／Ｄ＿２≦０．３ Ｌ＿３／Ｄ＿３≦１．２ に選定し、上記第３グリッドの印加電圧を陽極電圧の５
   〜２０％に選定したことを特徴とする陰極線管の電子銃
   。