JPS63247676A - 光半導体素子試験装置 - Google Patents

光半導体素子試験装置

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Publication number
JPS63247676A
JPS63247676A JP8265687A JP8265687A JPS63247676A JP S63247676 A JPS63247676 A JP S63247676A JP 8265687 A JP8265687 A JP 8265687A JP 8265687 A JP8265687 A JP 8265687A JP S63247676 A JPS63247676 A JP S63247676A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
optical semiconductor
heat
board
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8265687A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Hishikari
功 菱刈
Tadashi Kobayashi
正 小林
Isamu Sugiura
杉浦　勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chino Corp
Original Assignee
Chino Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Chino Corp filed Critical Chino Corp
Priority to JP8265687A priority Critical patent/JPS63247676A/ja
Publication of JPS63247676A publication Critical patent/JPS63247676A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 この発明は、レーザーダイオードのような光半導体素子
の試験装置に関するものである。
［従来の技術］ 多数の種々のレーザーダイオードのような光半導体素子
の温度試験を行い、不良、良を選別することが必要であ
る。
出願人は、特願昭６１−１１８８３９で、光半導体素子
試験装置を提案している。これは、恒温槽を用いず、ヒ
ートプレートに貫通孔を設け、光半導体素子を有する基
板ユニットをヒートプレートに着脱する構成をとってい
る。
［この発明が解決しようとする問題点〕ヒートプレート
には、ヒータが設けられているが、比較的低温の所定の
温度（室温等）に制御するのが難しく、また、素子が種
々のものとると、いらいらと−トプレートを交換しなけ
ればならす、作業が大変だった。
この光明の目的は、以上の点に鑑み、必要とする所定温
度が容易に実現でき、各硬素子に対応できるようにした
光半導体素子試験装置を提供することである。
［問題点を解決するための手段］ この発明は、均熱ブロックに、加熱ヒータと冷媒通過手
段を設け、さらに光半導体素子の挿着孔を設けるように
した光半導体素子試験装置である。
［実施例］ 第１図、第２図は、この発明の一実施例を示す構成説明
図である。
図において、１は、平板状の均熱ブロックで、上部と下
部に水平方向に口過された冷媒通過手段３が設けられ、
連結管３ａで連結され、この均熱ブロック１の裏面に加
熱ヒータ２が設けられ、ざらに挿着孔４が均熱ブロック
１を貫通して複数個設けられ、この挿着孔４に設けられ
た受光素子り等を有するプリント基板５が背部の加熱ヒ
ータ２側に設けられている。そして、ステンレス等の放
熱板６が複数枚、熱伝導を防止する隅柱７を互い違いと
して設けられ、測定用の回路素子を有するプリント基板
８が設けられている。
また、均熱ブロック１の表面に、たとえば内径を異にす
る各種挿着孔４０を有する補助均熱ブロック９が取り付
けられ、この補助均熱ブロック９の挿着孔４０にプリン
ト基板１０に設けられたレーザーダイオード等の光半導
体素子しが挿着される。この場合、取手１１がカバー１
２に設けられた装着ユニットＳにプリント基板１０は設
けられており、均熱ブロック１側のカバー１３に設けら
れたコネクタ１４と着脱する。プリン１一基板１゜は、
このコネクタ１４を介し、プリント基板５．８と図示し
ない配線コードで接続され、電源等を光半導体素子りに
供給する。
つまり、均熱ブロック１、補助均熱ブロック９の挿着孔
４．４０に受光素子Ｐ、光半導体素子りを位置させ、冷
媒通過手段３に冷媒を流し、加熱ヒータ４の加熱を図示
しない制御手段で行い、均熱ブロック１を所定温度とす
る。そして、コネクタ１２を介して図示しない配線コー
ド、プリント基板１０等を介して発光素子りを発光させ
、光半導体素子Ｐの出力を図示しない配線コードを介し
てプリント基板１０からプリント基板５．８へと導き、
光半導体素子りの温度特性を測定する。
このとき、放熱板６の下方より冷却用の風を図示しない
ファン等により送ることにより、回路素子を有するプリ
ント基板８は冷却され、加熱されることなく良好に動作
する。
また、試験素子の種類に応じた挿着孔を有する補助均熱
ブロック９を交換することにより、各稜光半導体素子の
ｍｌ試験に用いることができる。
第３図は、冷媒通過手段３に水Ｗを流す場合の制御例で
、室温く約２５℃）に近い温度や、たとえば８０”Ｃの
所定温度までは、バルブｖ１を開き、水Ｗを冷媒通過手
段３に流し、温度センサＳによる均熱ブロック１の）温
度下と設定値ＴＣとをυ制御手段Ｃで比較し、加熱ヒー
タ２の制御を行い均熱ブロック１を所定温度とする。第
４図で示づように温度センサＳの検出温度が所定の８０
℃を越えると、バルブｖ１を閉じ、バルブＶ２を開きエ
ア（空気）Ａを導入し、冷媒通過手段３から水分を除去
し、蒸発による事故等を防止する。
第５図は、本願発明の均熱ブロック１を含む均熱装置に
の冷媒通過手段３に油を流す場合の例で、ポンプＰによ
り均熱装置にと熱交換器Ｈとを油は循環するが、配管の
一部にベロー等の油の熱膨張を吸ｌ！する膨張吸収体Ｂ
を設けるようにする。
［発明の効果］ 以上述べたように、この発明は、均熱ブロックに、加熱
ヒータと冷媒通過手段を設けるようにしたので、簡単な
構成で高精度に低温度の状態を実現でき、各種素子の温
度試験に用いることができる。また、補助均熱ブロック
の交換により、点数、種別に容易に対応できる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、第３図、第５図は、この発明の一実施
例を示す構成説明図、第４図は、動作説明図である。 １・・・均熱ブロック、２・・・加熱ヒータ、３・・・
冷媒通過手段、４．４０・・・挿着孔、５．８．１０・
・・プリント基板、６・・・放熱板、７・・・隅柱、９
・・・補助均熱ブロック、１１・・・取手、１２．１３
・・・カバー、１４・・・コネクタ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、均熱ブロックと、この均熱ブロックに設けられた加
    熱ヒータと、前記均熱ブロックに設けられた冷媒通過手
    段と、前記均熱ブロックに設けられた光半導体素子の挿
    着孔とを備え、光半導体素子の温度試験を行うことを特
    徴とする光半導体素子試験装置。 ２、前記均熱ブロックに、各種挿着孔を有する補助均熱
    ブロックを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の光半導体素子試験装置。 ３、均熱ブロックの背部に放熱板を介して測定用のプリ
    ント基板を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項または第２項記載の光半導体素子試験装置。 ４、前記均熱ブロックの挿着孔に受光素子を設け、この
    挿着孔に装着ユニットにより光半導体素子を挿着するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項記載の
    光半導体素子試験装置。
JP8265687A 1987-04-02 1987-04-02 光半導体素子試験装置 Pending JPS63247676A (ja)

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JPS63247676A true JPS63247676A (ja) 1988-10-14

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2691540A1 (fr) * 1992-05-22 1993-11-26 Froilabo Module porte-échantillon destiné aux tests d'un composant optique.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60142279A (ja) * 1983-12-28 1985-07-27 Toshiba Corp 半導体装置の特性試験用温度調節装置

Patent Citations (1)

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