JPS63246277A - Printing method - Google Patents
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Links
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 54
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 25
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Methods (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高精度パターン印刷、例えば半導体集積回路素
子に樹脂よりなる表面保護膜を印刷形成する場合に適用
して好適な印刷方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a printing method suitable for high-precision pattern printing, for example, when printing and forming a surface protection film made of resin on a semiconductor integrated circuit element.
本発明は凹版の凹部に印刷液を充填し、この印刷液を被
転写物に転写して印刷する印刷方法、いわゆる凹版印刷
方法において、凹部に対する印刷液の充填を減圧室内で
噴霧して行う様にすることにより、凹部内に空気が抱き
込まれるのを回避し、印刷液を凹部内の隅々にまで完全
に充填できる様にし、良好な高精度パターン印刷、例え
ば半導体集積回路素子に対する樹脂よりなる表面保護膜
の印刷形成を高い精度で行うことができる様にしたもの
である。The present invention relates to a printing method in which the recesses of an intaglio plate are filled with a printing liquid and the printing liquid is transferred to an object for printing, a so-called intaglio printing method. This prevents air from being trapped in the recess and allows the printing liquid to completely fill every corner of the recess, making it possible to achieve good high-precision pattern printing, for example, using resin for semiconductor integrated circuit elements. This makes it possible to print and form a surface protective film with high precision.
凹版印刷装置による凹版印刷は、凹版の表面に印刷パタ
ーンをなす凹部を形成し、この凹部にインクを充填した
後、この凹版に被転写物を押し付け、凹部に充填された
インクを被転写物に転写することによって行われるが、
斯る凹版印刷は半導体集積回路素子表面に樹脂よりなる
表面保護膜を印刷形成する場合に利用することができる
。以下、その−例について説明する。Intaglio printing using an intaglio printing device involves forming recesses forming a printing pattern on the surface of an intaglio plate, filling the recesses with ink, pressing an object onto the intaglio, and applying the ink filled in the recesses onto the object. This is done by transcribing,
Such intaglio printing can be used to print and form a surface protective film made of resin on the surface of a semiconductor integrated circuit element. An example of this will be explained below.
先ず第９図に示す様に半導体ウェーハ（１）を用意する
。この場合、この半導体ウェーハ（１）には各チップ部
分ごとに半導体集積回路素子部（２１（２１・・・（２
）を形成しておく。即ち、各チップ部分ごとに半導体集
積回路素子を構成するに必要な回路素子を集積化すると
共に表面全体にオーバコート膜をなすＳｉＮ層を形成し
ておく。First, a semiconductor wafer (1) is prepared as shown in FIG. In this case, this semiconductor wafer (1) has a semiconductor integrated circuit element portion (21 (21...(21)) for each chip portion.
). That is, circuit elements necessary to construct a semiconductor integrated circuit element are integrated in each chip part, and an SiN layer forming an overcoat film is formed over the entire surface.
次に同じく第９図に示す様に平板からなる凹版（３）を
用意し、この凹版（３）を半導体ウェーハ（１）と対向
させて配置する。この場合、この凹版（３）には半導体
ウェーハ（１）の各半導体集積回路素子部（２１（２）
・・・（２）に対応して所定パターンの凹部（４） （
４１・・・（４）を設け、この凹部（４） （４）・・
・（４）に印刷液を充填できる様にする。Next, as similarly shown in FIG. 9, an intaglio plate (3) made of a flat plate is prepared, and this intaglio plate (3) is placed facing the semiconductor wafer (1). In this case, this intaglio (3) includes each semiconductor integrated circuit element portion (21 (2)) of the semiconductor wafer (1).
...corresponding to (2), a predetermined pattern of recesses (4) (
41...(4) is provided, and this recessed part (4) (4)...
- Make it possible to fill (4) with printing liquid.
次に同じく第９図に示す様に印刷液供給装置（５）を用
意する。この場合、この印刷液供給装置（５）には印刷
液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）にポリイミド樹
脂をＮ−メチル−スピロリドンに溶解してなる保護膜材
（７）を収納する。また印刷液槽（６）の上方にその下
部を保護膜材（７）に浸すファウンテンロール（８）
ヲ設け、このファウンテンロール（８）によって保護膜
材（７）を引き上げることができる様にする。Next, as shown in FIG. 9, a printing liquid supply device (5) is prepared. In this case, the printing liquid supply device (5) is provided with a printing liquid tank (6), and a protective film material (7) formed by dissolving polyimide resin in N-methyl-spirolidone is provided in the printing liquid tank (6). to store. There is also a fountain roll (8) above the printing liquid tank (6) whose lower part is immersed in the protective film material (7).
The fountain roll (8) is provided so that the protective film material (7) can be pulled up.
またこのファウンテンロール（８）に接する様にアプリ
ケートロール（９）ヲ設け、ファウンテンロール（８）
によって引き上げられた保護膜材（７）をこのアプリケ
ートロール（９）を介して凹版（３）に供給できる様に
する。また、この印刷液供給装置（５）にはブレードよ
りなるドクター（１０）を設け、凹版（３）に供給され
た余剰の保護膜材（７）をこのドクター（１０）によっ
て掻き取ることができる様にする。Also, an applicator roll (9) is provided so as to be in contact with this fountain roll (8).
The protective film material (7) pulled up by this can be supplied to the intaglio (3) via this applicator roll (9). Further, this printing liquid supply device (5) is provided with a doctor (10) consisting of a blade, and the excess protective film material (7) supplied to the intaglio (3) can be scraped off by this doctor (10). I'll do it like that.
次に第１０図に示す様に凹版（３）を印刷液供給装置（
５）のアプリケートロール（９）に押し付けると共に印
刷液供給袋！ （５）を上方から下方に移動させて凹部
（４１（４１・・・（４）に保護膜材（７）を充填し、
すべての凹部（４）（４）・・・（４）に保護膜材（７
） （７］・・・（７）を供給した後、第１１図に示す
様に凹版（３）を後方に移動させると共に印刷液供給袋
ｆｉ （５１を上方に移動させる。Next, as shown in Figure 10, the intaglio plate (3) is transferred to the printing liquid supply device (
5) Press it against the applicator roll (9) and print liquid supply bag! (5) from above to below to fill the recess (41 (41...(4)) with the protective film material (7),
Protective film material (7
) (7) After supplying (7), the intaglio plate (3) is moved backward as shown in FIG. 11, and the printing liquid supply bag fi (51) is moved upward.
次に第１２図に示す様に凹版（３）を前方に移動し、そ
の表面を半導体ウェーハ（１）の表面に押し付け゛、凹
部（４） （４）・・・（４）内の保護膜材（７） （
７）・・・（７）を半導体ウェーハ（１１に接触させた
後、第１３図に示す様に凹版（３）を後方に移動させて
半導体ウェーハ（１）から離す。Next, as shown in Figure 12, the intaglio (3) is moved forward and its surface is pressed against the surface of the semiconductor wafer (1). Membrane material (7) (
7) After bringing (7) into contact with the semiconductor wafer (11), as shown in FIG. 13, move the intaglio (3) backwards and separate it from the semiconductor wafer (1).
この様にすると、半導体ウェーハ（１）の各半導体集積
回路素子部＋２） （２）・・・（２）上に保護膜材（
７） （７１・・・（７）が転写されてなる保護膜材層
（１１） （１１）・・・（１１）が形成される。In this way, the protective film material (
7) A protective film material layer (11) (11)...(11) is formed by transferring (71...(7)).
次に第１４図に示す様にこの保護膜材層（１１）（１１
）・・・（１１）を加熱してこの保護膜材層（１１）（
１１）・・・（１１）から溶剤であるＮ−メチル−スピ
ロリドンを蒸発させ、硬化されてなるポリイミド層（１
２） （１２）・・・（１２）を形成する。Next, as shown in FIG. 14, this protective film material layer (11) (11
)...(11) is heated to form this protective film material layer (11)(
11)...A polyimide layer (1) obtained by evaporating the solvent N-methyl-spirolidone from (11) and curing it.
2) (12)...(12) is formed.
次に第１５図に示す様に半導体ウェーハ（１）を各チッ
プ毎に分割して半導体集積回路素子（１３）を得る様に
し、この半導体集積回路素子（１３）を接着剤（１４）
を用いてリードフレーム（１５）に固定し、ポンディン
グパッド（１６）とリード（１７）とを金線（１８）で
接続し、更にリード（１７）の先端部分を除き全体をエ
ポキシ樹脂（１９）によってモールドする。この様にす
ると半導体集積回路素子（１３）の表面にポリイミド［
（１２）からなる表面保護膜を有する半導体集積回路装
置を得ることができる。Next, as shown in FIG. 15, the semiconductor wafer (1) is divided into individual chips to obtain semiconductor integrated circuit elements (13), and the semiconductor integrated circuit elements (13) are bonded with adhesive (14).
The bonding pad (16) and the lead (17) are connected with a gold wire (18), and the entire lead (17) is coated with epoxy resin (19) except for the tip of the lead (17). ) to mold. In this way, the surface of the semiconductor integrated circuit element (13) is covered with polyimide [
A semiconductor integrated circuit device having a surface protective film made of (12) can be obtained.
尚、この第１５図において（２０）は５ｉＯｚ層、（２
１）はアルミニウムよりなる配線層、（２２）はＳｉＮ
層である。In this Figure 15, (20) is a 5iOz layer, (2
1) is a wiring layer made of aluminum, (22) is SiN
It is a layer.
ここに、このポリイミド層（１２）は半導体ウェーハ（
１）の裏面研削、分割、半導体集積回路素子（１３）の
ボンディング、モールドの各工程でオーバコート膜をな
すＳｉＮ層（２２）にクランクが発生しない様にし、ク
ラックから入り込む水分によって配線層（２１）が腐蝕
、断線しない様にすると共にエポキシ樹脂（１９）のフ
ィラに含有されているウラン、トリウム等より発生する
α線から半導体集積回路素子（１３）を保護し、いわゆ
るソフトエラーが生じない様にするために設けられるも
のである。Here, this polyimide layer (12) is attached to a semiconductor wafer (
In each process of back grinding, dividing, bonding and molding of the semiconductor integrated circuit element (13) in step 1), cracks are prevented from occurring in the SiN layer (22) that forms the overcoat film, and water entering through the cracks is prevented from forming in the wiring layer (21). ) to prevent corrosion and disconnection, and to protect the semiconductor integrated circuit element (13) from alpha rays generated from uranium, thorium, etc. contained in the filler of the epoxy resin (19), and to prevent so-called soft errors from occurring. It is set up to make it happen.
ところで、第９図以下に示した様に凹版印刷によりポリ
イミドｆｉｉｉ（１２）を形成する場合には、従来実施
されている様に、スピンコード法によって保護膜材層を
全面に形成した後、この保護膜材層を加熱処理してポリ
イミド層となし、その後、このポリイミド層上にレジス
トを被着形成し、続いて、このレジストを所定のパター
ンに形成し、このレジストをマスクとしてポリイミド層
をエツチングして所定のパターンとする複雑な作業工程
を要せず、簡単な工程で、即ち一回の印刷工程とそれに
続く加熱処理工程とで所定のパターンを有するポリイミ
ド１（１２）を形成することができるという利益がある
。By the way, when forming polyimide fiii (12) by intaglio printing as shown in FIG. The protective film material layer is heat-treated to form a polyimide layer, and then a resist is deposited on this polyimide layer, this resist is then formed into a predetermined pattern, and the polyimide layer is etched using this resist as a mask. Polyimide 1 (12) having a predetermined pattern can be formed in a simple process, that is, in a single printing process and a subsequent heat treatment process, without requiring a complicated work process to form a predetermined pattern. There is an advantage in being able to do so.
しかしながら、第９図以下に示した例による印刷方法に
よるときは、半導体ウエーノ＼（１）上に形成される保
護膜材層（１１）は第１６図に示す様に凹部（４）に対
応した所定パターン（２３）とはならず、このため、そ
の後、この保護膜材層（１１）を加熱処理してポリイミ
ドＦｉ（１２）を形成する様にしても、このポリイミド
［（１２）は設計値通りのパターンを有するポリイミド
層とすることができない場合があるという不都合があっ
た。However, when using the printing method shown in the example shown in Figure 9 and below, the protective film material layer (11) formed on the semiconductor wafer (1) corresponds to the recess (4) as shown in Figure 16. Therefore, even if the protective film material layer (11) is subsequently heat-treated to form the polyimide Fi (12), the polyimide [(12) is not the designed value]. There is a disadvantage that it may not be possible to form a polyimide layer with a regular pattern.
本発明者による実験、研究の結果、斯る不都合は、第１
７図に示す様に、印刷液供給装置（５）から保護膜材（
７）が凹版（３）に供給され、この保護膜材（７）が凹
部（４）内に充填される際に、空気がこの凹部（４）内
に抱き込まれ、凹部（４）の隅部に空気ＪＷ （２４）
が形成されてしまい、その後、第１８図に示す様にドク
ター（１０）によって余剰の保護膜材（７）を掻き取る
ときに、この空気層（２４）はそのまま残ってしまい、
また場所によってはこの空気ｒＦ３（２４）は更に拡大
してしまい、凹部（４）内に保護膜材（７）が完全に充
填されない状態が生ずることに起因して起こることが判
明した。As a result of experiments and research by the inventor, such inconvenience is
As shown in Figure 7, the protective film material (
7) is supplied to the intaglio (3), and when this protective film material (7) is filled into the recess (4), air is drawn into the recess (4) and the corners of the recess (4) are filled. Air JW (24)
Then, when the excess protective film material (7) is scraped off with a doctor (10) as shown in FIG. 18, this air layer (24) remains as it is.
Furthermore, it has been found that this air rF3 (24) further expands depending on the location, and this is caused by a situation in which the protective film material (7) is not completely filled in the recess (4).
本発明は斯る不都合を解消した印刷方法を提供すること
を目的とする。An object of the present invention is to provide a printing method that eliminates such inconveniences.
本発明に依る印刷方法は、例えば第１図〜第５図に示す
様に、凹版（３）の四部（４）に印刷液（７）を充填し
、この印刷液（７）を被転写物ｆｉｌに転写して印刷す
る印刷方法において、四部（４）に対する印刷液（７）
の充填を減圧室（２５）内で噴霧して行う様にしたもの
である。In the printing method according to the present invention, for example, as shown in Figs. In the printing method of printing by transferring to film, printing liquid (7) for four copies (4)
The filling is carried out by spraying inside the reduced pressure chamber (25).
斯る本発明においては、四部（４）に対する印刷液（７
）の充填は減圧室（２５）内で噴霧して行われるので、
四部（４）内に空気が抱き込まれるということばなく、
印刷液（７）は凹部（４）内の隅々にまで完全に充填さ
れる。従って、本発明に依れば、良好な高精度パターン
印刷を行うことができる。In the present invention, the printing liquid (7) for the four parts (4) is
) is filled by spraying in the decompression chamber (25), so
Without saying that air is trapped in the four parts (4),
The printing liquid (7) completely fills every corner of the recess (4). Therefore, according to the present invention, it is possible to perform high precision pattern printing.
以下、第１図〜第８図を参照して本発明による印刷方法
の一実施例につき、第９図以下に示したと同様に半導体
集積回路素子の表面にポリイミド樹脂よりなる表面保護
膜を形成する場合を例にして説明しよう。尚、この第１
図〜第８図において第９図〜第１８図に対応する部分に
は同一符号を付す。Hereinafter, with reference to FIGS. 1 to 8, an embodiment of the printing method according to the present invention will be described, in which a surface protective film made of polyimide resin is formed on the surface of a semiconductor integrated circuit element in the same manner as shown in FIGS. Let's explain this case using an example. Furthermore, this first
In FIGS. 9 to 8, parts corresponding to those in FIGS. 9 to 18 are designated by the same reference numerals.
第１図は本発明による印刷方法の一実施例に供するため
の印刷装置を示し、本例においては、密閉容器（２６）
を用意し、この密閉容器（２６）の内部を減圧室（２５
）となす様にする。卯ち、この密閉容！（２６）の側壁
に排気管（２７）を設けると共にこの排気管（２７）に
排気ポンプ（２８）を連結し、減圧室（２５）を減圧で
きる様にする。また減圧室（２５）の底面に基台（２９
）を設け、この基台（２９）の一端に半導体ウェーハ（
１）を支持するための半導体ウェーハ支持体（３０）を
固定すると共にこの基台（２９）の他端に凹版（３）を
支持するための凹版支持体（３１）を取り付ける。この
場合、この凹版支持体（３１）は基台（２９）上を前後
に移動でき、この凹版支持体（３１）に固定する凹版（
３）を半導体ウェーハ支持体（３０）に固定する半導体
ウェーハ（１）に押圧できる様にする。また本例におい
ては、保護膜材噴霧装置（３２）を設け、この保護膜材
噴霧装置（３２）により印刷液をなす保護膜材（７）を
凹版（３）に供給できる様にする。この場合、この保護
膜材噴霧装置（３２）は、減圧室（２５）の上面に、上
下に移動し得る管（３３）を設け、この管（３３）の減
圧室内の端部に噴霧器をなすノズル（３４）を設けると
共に減圧室外に保護膜材（７）を高圧で送出し得る保護
膜材送出装置（３５）を設け、この保護膜材送出袋Ｗ（
３５）から送出される保護膜材（７）を管（３３）を介
してノズル（３４）に供給し、このノズル（３４）によ
って保護膜材（７）を凹版（３）に噴霧し得る様にする
。またノズル（３４）の上方にこのノズル（３４）と一
体として移動するブレードよりなるドクター（１０）を
設け、凹版（３）に供給された余剰の保護膜材（７）を
揮き取ることができる様にする。FIG. 1 shows a printing device for use in an embodiment of the printing method according to the present invention, and in this embodiment, a closed container (26)
is prepared, and the inside of this closed container (26) is placed in a decompression chamber (25).
). Uchi, this airtight container! An exhaust pipe (27) is provided on the side wall of (26), and an exhaust pump (28) is connected to this exhaust pipe (27) so that the pressure in the decompression chamber (25) can be reduced. Also, the base (29) is attached to the bottom of the decompression chamber (25).
) is provided, and a semiconductor wafer (
A semiconductor wafer support (30) for supporting 1) is fixed, and an intaglio support (31) for supporting an intaglio (3) is attached to the other end of this base (29). In this case, this intaglio support (31) can move back and forth on the base (29), and the intaglio (31) fixed to this intaglio support (31)
3) so that it can be pressed against the semiconductor wafer (1) which is fixed to the semiconductor wafer support (30). Further, in this example, a protective film material spraying device (32) is provided so that the protective film material (7) constituting the printing liquid can be supplied to the intaglio plate (3) by this protective film material spraying device (32). In this case, this protective film material spraying device (32) is provided with a pipe (33) that can move up and down on the top surface of the reduced pressure chamber (25), and a sprayer is formed at the end of this pipe (33) inside the reduced pressure chamber. A nozzle (34) is provided, and a protective film material delivery device (35) capable of delivering the protective film material (7) at high pressure outside the decompression chamber is provided, and this protective film material delivery bag W (
The protective film material (7) sent out from 35) is supplied to the nozzle (34) through the pipe (33), so that the nozzle (34) can spray the protective film material (7) onto the intaglio (3). Make it. Further, a doctor (10) consisting of a blade that moves together with the nozzle (34) is provided above the nozzle (34) to volatilize the excess protective film material (7) supplied to the intaglio (3). I will make it possible.
尚、保護膜材（７）としてはポリイミド樹脂をＮ−メチ
ル−スピロリドンに溶解したものを使用する。As the protective film material (7), a polyimide resin dissolved in N-methyl-spirolidone is used.
本例においては、斯る印刷装置を用意した上で、同じく
第１図に示す様に、半導体ウェーハ（１）と凹版（３）
とを夫々斯る印刷装置の半導体ウェーハ支持体（３０）
及び凹版支持体（３１）に固定する。この場合、この半
導体ウェーハ（１）には予め各チップ部分ごとに半導体
集積回路素子部（２） （２）・・・（２）を形成して
おく。即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を
構成するに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体
にオーバコート膜をなすＳｉＮ層を形成しておく。また
凹版（３）には半導体ウェーハ（１）の各半導体集積回
路素子部（２） （２）・・・（２）に対応して所定パ
ターンの凹部（４１（４）・・・（４）を設け、この凹
部（４） （４１・・・（４）に印刷液を充填できる様
にする。In this example, after preparing such a printing device, a semiconductor wafer (1) and an intaglio plate (3) are printed as shown in FIG.
and a semiconductor wafer support (30) of such a printing apparatus, respectively.
and fixed to the intaglio support (31). In this case, semiconductor integrated circuit element portions (2) (2), . . . (2) are formed in advance on this semiconductor wafer (1) for each chip portion. That is, circuit elements necessary to construct a semiconductor integrated circuit element are integrated in each chip part, and an SiN layer forming an overcoat film is formed over the entire surface. The intaglio (3) also has a predetermined pattern of concave portions (41(4)...(4)) corresponding to each semiconductor integrated circuit element portion (2) (2)...(2) of the semiconductor wafer (1). is provided so that printing liquid can be filled into the recesses (4) (41...(4)).
次に排気ポンプ（２８）を稼動させて減圧室（２５）内
を排気、減圧する。この場合、減圧室（２５）内の圧力
が例えば１０−２ｍｍＨｇ〜１０−３ｍｍ）Ｉｇとなる
様にし、続いて、第２図に示す様にノズル（３４）を上
方から下方に移動させながら凹版（３）に保護膜材（７
）を噴霧し、すべての四部（４） （４）・・・（４）
に保護膜材（７）を供給した後、第３図に示す様にノズ
ル（３４）を上方に移動させる。Next, the exhaust pump (28) is operated to exhaust and reduce the pressure inside the decompression chamber (25). In this case, the pressure inside the decompression chamber (25) is adjusted to, for example, 10-2 mmHg to 10-3 mmHg), and then, as shown in Fig. 2, while moving the nozzle (34) from above to below, the intaglio (3) Protective film material (7
) and spray all four parts (4) (4)...(4)
After supplying the protective film material (7), the nozzle (34) is moved upward as shown in FIG.
次に第４図に示す様に凹版支持体（３１）を前方に移動
させて凹版（３）の表面を半導体ウェーハ（１）の表面
に押し付け、凹部（４） （４１・・・（４）内の保護
膜材（７１（７）・・・（７）を半導体ウェーハ（１１
に接触させた後、第５図に示す様に凹版支持体（３１）
を後方に移動させて凹版（３）を半導体ウェーハ（１）
から離す。この様にすると、半導体ウェーハ（１）の各
半導体集積回路素子部（２） ｆ２）・・・（２）上に
保護膜材（７１（７）・・・（７）が転写されてなる保
護膜材Ｊｍ （１１） （１１）・・・（１１）が形
成される。Next, as shown in FIG. 4, the intaglio support (31) is moved forward and the surface of the intaglio (3) is pressed against the surface of the semiconductor wafer (1), and the recesses (4) (41...(4) The protective film material (71(7)...(7) inside) is added to the semiconductor wafer (11
After contacting the intaglio support (31) as shown in FIG.
Move the intaglio (3) backwards and place the semiconductor wafer (1) on the intaglio (3).
away from. In this way, the protective film material (71(7)...(7) is transferred onto each semiconductor integrated circuit element portion (2) f2)...(2) of the semiconductor wafer (1). Film material Jm (11) (11)...(11) is formed.
次に第１４図に示すと同様にこの保護膜材層（１１）（
１１）・・・（１１）を加熱してこの保護膜材層（１１
）（１１）・・・（１１）から溶剤であるＮ−メチル−
スピロリドンを蒸発させ、硬化されてなるポリイミド層
（１２） （１２）・・・（１２）を形成する。Next, as shown in FIG. 14, this protective film material layer (11) (
11)...(11) is heated to form this protective film material layer (11).
) (11)... From (11), the solvent N-methyl-
Spirolidone is evaporated to form a cured polyimide layer (12) (12)...(12).
次に第１５図に示すと同様に半導体ウェーハ（１）を各
チップ毎に分割して半導体集積回路素子（１３）を得る
様にし、この半導体集積回路素子（１３）を接着剤（１
４）を用いてリードフレーム（１５）に固定し、ポンデ
ィングパッド（１６）とリード（１７）とを金線（１８
）で接続し、更にリード（１７）の先端部分を除き全体
をエポキシ樹脂（１９）によってモールドする。この様
にすると半導体集積回路素子（１３）の表面にポリイミ
ド層（工２）からなる表面保護膜を有する半導体集積回
路装置を得ることができる。Next, as shown in FIG. 15, the semiconductor wafer (1) is divided into individual chips to obtain semiconductor integrated circuit elements (13).
4) to the lead frame (15), and connect the bonding pad (16) and lead (17) with gold wire (18).
), and then mold the entire lead (17) except for its tip with epoxy resin (19). In this way, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit device having a surface protection film made of a polyimide layer (Step 2) on the surface of the semiconductor integrated circuit element (13).
ここに本実施例においては、保護膜材（７）を１０−２
ｍｍ１１ｇ〜１０−’ ｍｍＨｇとされた減圧室（２５
）内で噴霧して凹版（３）に供給して凹部（４）に保護
膜材（７）を充填する様にしているので、第６図及び第
７図に示す様に凹部（４）内に空気が抱き込まれず、こ
の凹部（４）内に空気層が生ずることはなく、凹部（４
）内の隅々にまで保護膜材（７）が充填される。In this example, the protective film material (7) is 10-2
mm11g~10-' mmHg vacuum chamber (25
) and supplies it to the intaglio (3) to fill the recess (4) with the protective film material (7), as shown in Figures 6 and 7. Since no air is trapped in the recess (4), no air layer is formed within the recess (4).
) is filled with the protective film material (7) to every corner.
従って、本実施例においては、凹版（３）を半導体ウェ
ーハ（１）に押し付けて凹部（４）内の保護膜材（７）
を半導体ウェーハ（１）に転写させた場合には、第８図
に示す様に凹部（４）のパターンに対応した良好な保護
膜材層（１１）が形成され、その後、加熱処理すること
によって、設計通りのパターンを有するポリイミドＦＩ
Ｉ（１２）を形成することができるという利益がある。Therefore, in this embodiment, the intaglio (3) is pressed against the semiconductor wafer (1) to remove the protective film material (7) in the recess (4).
When transferred to the semiconductor wafer (1), a good protective film material layer (11) corresponding to the pattern of the recesses (4) is formed as shown in FIG. 8, and then by heat treatment. , polyimide FI with a designed pattern
It has the advantage of being able to form I(12).
また本実施例においては、１Ｏ−２ｎｖ＋Ｈｇ−ｚ １
０−’ ＋ｎｍ１１ｇとされた減圧室（２５）内で凹版
（３）の凹部（４）に充填した保護膜材（７） （７）
・・・（７）を半導体ウェーハ（１）に転写して保護膜
材Ｍ （１１） （１１）・・・（１１）を形成する
様にしているので、半導体ウェーハ（１１の各半導体′
９５積回路素子部（２） （２）・・・（２）の表面、
即ちＳｉＮ層（２２）の表面に微細な凹凸があったとし
ても、このＳｉＮ層（２２）の凹部に空気が閉じ込めら
れることがなく、保護膜材層（１１） （１１）・・
・（１１）はＳｉＮ層（２２）面に密着して形成される
。In addition, in this example, 1O-2nv+Hg-z 1
Protective film material (7) filled in the recess (4) of the intaglio (3) in the reduced pressure chamber (25) with a pressure of 0-' +nm11g (7)
...(7) is transferred to the semiconductor wafer (1) to form the protective film material M (11) (11)...(11), so each semiconductor' of the semiconductor wafer (11)
95 product circuit element part (2) (2)... surface of (2),
In other words, even if there are minute irregularities on the surface of the SiN layer (22), air will not be trapped in the recesses of the SiN layer (22), and the protective film material layer (11) (11)...
- (11) is formed in close contact with the SiN layer (22) surface.
従って、本実施例に依れば、保護膜材層（１１）を加熱
処理してポリイミド層（１２）を形成する場合にポリイ
ミドＩＭ（１２）にピンホールが生ずることがなく所定
のパターンを有する良好なボリイミドＪ’Ｊ（１２）を
形成することができるという利益がある。Therefore, according to this embodiment, when the polyimide layer (12) is formed by heat-treating the protective film material layer (11), the polyimide IM (12) does not have pinholes and has a predetermined pattern. There is an advantage that a good polyimide J'J (12) can be formed.
尚、上述実施例においては、半導体集積回路素子（１３
）上にポリイミド層（１２）を形成する場合につき述べ
たが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコン樹脂
等種々の樹脂による表面保護膜を形成する場合にも適用
でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることがで
きる。Incidentally, in the above embodiment, the semiconductor integrated circuit element (13
), the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but can also be applied to the case of forming a surface protective film of various resins such as silicone resin. It is also possible to obtain the same effects as described above.
また上述実施例においては、ＳｉＮ ＪＢｉ （２２）
上にポリイミド層（１２）を形成する場合につき述べた
が、本発明はＳｉＮ屓（２２）を設けず、配線Ｊｉｍ（
２１）上に直接ポリイミド層を形成する場合にも適用で
き、この場合にも上述同様の作用効果を得ることができ
る。Further, in the above embodiment, SiN JBi (22)
Although we have described the case where the polyimide layer (12) is formed on top of the polyimide layer (12), in the present invention, the SiN layer (22) is not provided and the wiring Jim (
21) It can also be applied to the case where a polyimide layer is directly formed on top, and the same effects as described above can be obtained in this case as well.
また上述実施例においては、半導体集積回路素子（１３
）の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べたが、
本発明は紙、フィルム−等に通常の印刷を行う場合にも
適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得るこ
とができる。Further, in the above embodiment, the semiconductor integrated circuit element (13
), we have described the case of forming a surface protective film on the surface of
The present invention can also be applied to ordinary printing on paper, film, etc., and the same effects as described above can be obtained in this case as well.
また上述実施例においては、平板で形成した凹版（３）
を使用した場合につき述べたが、この代わりに、ロール
による凹版を使用しても良く、この場合にも上述同様の
作用効果を得ることができる。Furthermore, in the above embodiment, the intaglio (3) formed of a flat plate
In the above description, an intaglio plate formed by a roll may be used instead, and the same effects as described above can be obtained in this case as well.
また本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を造膜
することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿論
である。Further, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various other configurations may be adopted without incorporating the gist of the present invention into a film.
本発明に依れば、印刷液（７）は凹部（４）内の隅々ま
で完全に充填できる様にされているので、良好な高オｎ
度パターン印刷、例えば半導体集積回路素子（１３）に
対する樹脂よりなる表面保護膜（１２）の印刷形成を高
い精度で行うことができるという利益がある。According to the present invention, since the printing liquid (7) can be completely filled into every corner of the recess (4), a good high on-state can be achieved.
There is an advantage that pattern printing, for example printing of a surface protective film (12) made of resin on a semiconductor integrated circuit element (13), can be performed with high accuracy.
第１図は本発明による印刷方法の実施に供する印刷装置
の一例を示す構成図、第２図、第３図。
第４図及び第５図は夫々本発明による印刷工程の一例を
示す線図、第６図、第７図及び第８図は夫々本発明の説
明に供する線図、第９図、第１０図。
第１１図、第１２図、第１３図及び第１４図は夫々印刷
方法の例を示す工程図、第１５図は半導体集積回路装置
の例を示す構成図、第１６図、第１７図及び第１８図は
夫々第９図〜第１４図に示す印刷工程の説明に供する線
図である。
（１１は半導体ウェーハ、（２）は半導体集積回路素子
部、（３）は凹版、（４）は四部、（５）は印刷液供給
装置、（７）は保護膜材、（１１）は保護ｌり材層、（
１２）はポリイミド層、（２５）は減圧室、（２６）は
密閉容器、（２８）は排気ポンプ、（２９）は基台、（
３０）は半導体ウェーハ支持体、（３１）は凹版支持体
、（３２）は保護膜材送出装置、（３３）は管、（３４
）はノズル、（３５）は保護膜材送出装置である。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a printing apparatus used for carrying out the printing method according to the present invention, and FIGS. 2 and 3. 4 and 5 are diagrams showing an example of the printing process according to the present invention, FIGS. 6, 7, and 8 are diagrams for explaining the present invention, respectively, and FIGS. 9 and 10. . 11, 12, 13, and 14 are process diagrams showing an example of a printing method, FIG. 15 is a block diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit device, and FIGS. 16, 17, and FIG. 18 is a diagram for explaining the printing process shown in FIGS. 9 to 14, respectively. (11 is the semiconductor wafer, (2) is the semiconductor integrated circuit element part, (3) is the intaglio plate, (4) is the fourth part, (5) is the printing liquid supply device, (7) is the protective film material, (11) is the protection lumber layer, (
12) is a polyimide layer, (25) is a decompression chamber, (26) is a closed container, (28) is an exhaust pump, (29) is a base, (
30) is a semiconductor wafer support, (31) is an intaglio support, (32) is a protective film material delivery device, (33) is a tube, (34) is a
) is a nozzle, and (35) is a protective film material delivery device.
Claims (1)
写して印刷する印刷方法において、上記凹部に対する上
記印刷液の充填を減圧室内で噴霧して行う様にしたこと
を特徴とする印刷方法。A printing method in which a printing liquid is filled in a concave part of an intaglio plate and the printing liquid is transferred to an object to be transferred, characterized in that the printing liquid is filled into the concave part by spraying in a reduced pressure chamber. printing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080315A JP2517953B2 (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Printing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080315A JP2517953B2 (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Printing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63246277A true JPS63246277A (en) | 1988-10-13 |
| JP2517953B2 JP2517953B2 (en) | 1996-07-24 |
Family
ID=13714826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62080315A Expired - Fee Related JP2517953B2 (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Printing method |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2517953B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003142474A (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Thin film forming apparatus and method therefor |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62080315A patent/JP2517953B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003142474A (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Thin film forming apparatus and method therefor |
Also Published As
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| JP2517953B2 (en) | 1996-07-24 |
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