JPS63245947A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS63245947A JPS63245947A JP8064287A JP8064287A JPS63245947A JP S63245947 A JPS63245947 A JP S63245947A JP 8064287 A JP8064287 A JP 8064287A JP 8064287 A JP8064287 A JP 8064287A JP S63245947 A JPS63245947 A JP S63245947A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- -1 phosphine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 13
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 6
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 1
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012971 dimethylpiperazine Substances 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012170 montan wax Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高温雰囲気中においても優れた信頼性を保
持する半導体装置に関するものである。
持する半導体装置に関するものである。
[従来の技術〕
トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、−最に
エポキシ樹脂組成物を用いて封止され半導体装置化され
ている。上記エポキシ樹脂は、その電気特性、耐湿性、
接着性等が良好であることから、半導体装置の封止に用
いられており良好な成績を収めている。しかしながら、
近年、自動車等の、多くの屋外使用機器においても半導
体装置 ″が大量に使用されるにしたがって、今
まで以上の耐熱性、特に従来では問題にならなかった高
温での保存信頼性が、多くの半導体装置に要求されるよ
うになってきた。
エポキシ樹脂組成物を用いて封止され半導体装置化され
ている。上記エポキシ樹脂は、その電気特性、耐湿性、
接着性等が良好であることから、半導体装置の封止に用
いられており良好な成績を収めている。しかしながら、
近年、自動車等の、多くの屋外使用機器においても半導
体装置 ″が大量に使用されるにしたがって、今
まで以上の耐熱性、特に従来では問題にならなかった高
温での保存信頼性が、多くの半導体装置に要求されるよ
うになってきた。
このような耐熱性の向上のためには、従来から、封正に
用いるエポキシ樹脂の難燃性を高めることによって行っ
ている。すなわち、臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモ
ンとを組み合わせてエポキシ樹脂組成物中に配合するこ
とにより、エポキシ樹脂組成物硬化体の難燃性を高め、
それによって封止樹脂の耐熱性の向上を図っている。・
上記臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモンとの組み合わ
せは、難燃性の点では良好な結果を示す。ところが、高
温における保存安定性の点では問題が生じる。
用いるエポキシ樹脂の難燃性を高めることによって行っ
ている。すなわち、臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモ
ンとを組み合わせてエポキシ樹脂組成物中に配合するこ
とにより、エポキシ樹脂組成物硬化体の難燃性を高め、
それによって封止樹脂の耐熱性の向上を図っている。・
上記臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモンとの組み合わ
せは、難燃性の点では良好な結果を示す。ところが、高
温における保存安定性の点では問題が生じる。
すなわち、高温状態においては、臭素化エポキシ樹脂の
熱分解により臭化水素が発生し、この臭化水素が半導体
素子の金線とアルミパッドの接合部とに反応して合金の
生成を促し、これによって電気抵抗値の増加を招き、導
通不良をもたらす。このように、従来の半導体装置では
、難燃性の点においては問題はないが、高温状態におけ
る放置、特に長期間の放置では信頼性の点に問題がある
。
熱分解により臭化水素が発生し、この臭化水素が半導体
素子の金線とアルミパッドの接合部とに反応して合金の
生成を促し、これによって電気抵抗値の増加を招き、導
通不良をもたらす。このように、従来の半導体装置では
、難燃性の点においては問題はないが、高温状態におけ
る放置、特に長期間の放置では信頼性の点に問題がある
。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、高
温雰囲気中に長期間放置しても優れた信頼性を保持する
半導体装置の提供をその目的とする。
温雰囲気中に長期間放置しても優れた信頼性を保持する
半導体装置の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。
下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)第三ホスフィン系化合物。
(D)原子価3〜5の遷移金属の含水酸化物。
すなわち、本発明者らは、高温雰囲気中に長期間放置し
ても優れた信頼性を保持する半導体装置を得るために一
連の研究を重ねた結果、第三ホスフィン系化合物である
有機リン化合物と、特定の原子価を有する遷移金属の含
水酸化物とを組み合わせると、樹脂に難燃性を付与させ
ると同時に、高温雰囲気中に長期間放置しても、従来の
難燃化剤のような臭化水素の発生による合金生成が生じ
ず、高温放置における優れた信頼性が得られるようにな
ることを見いだしこの発明に到達した。
ても優れた信頼性を保持する半導体装置を得るために一
連の研究を重ねた結果、第三ホスフィン系化合物である
有機リン化合物と、特定の原子価を有する遷移金属の含
水酸化物とを組み合わせると、樹脂に難燃性を付与させ
ると同時に、高温雰囲気中に長期間放置しても、従来の
難燃化剤のような臭化水素の発生による合金生成が生じ
ず、高温放置における優れた信頼性が得られるようにな
ることを見いだしこの発明に到達した。
この発明の半導体装置は、エポキシ樹脂(A成分)と、
フェノール樹脂(B成分)と、第三ホスフィン系化合物
(C成分)と、原子価3〜5の遷移金属の含水酸化物(
D成分)とを用いて得られるものであって、通常、粉末
状もしくはそれを打錠したタブレット状になっている。
フェノール樹脂(B成分)と、第三ホスフィン系化合物
(C成分)と、原子価3〜5の遷移金属の含水酸化物(
D成分)とを用いて得られるものであって、通常、粉末
状もしくはそれを打錠したタブレット状になっている。
上記エポキシ樹脂組成物のA成分となるエポキシ樹脂は
、特に制限するものではなく、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
ビスフェノールA型工、1シ樹脂等、従来より用いられ
ている各種のエポキシ樹脂があげられる。これらのエポ
キシ樹脂は単独で用いてもよいし併用してもよい。
、特に制限するものではなく、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
ビスフェノールA型工、1シ樹脂等、従来より用いられ
ている各種のエポキシ樹脂があげられる。これらのエポ
キシ樹脂は単独で用いてもよいし併用してもよい。
上記エポキシ樹脂の中でも好適なエポキシ樹脂としては
、エポキシ当1170〜300のノボラック型エポキシ
樹脂であり、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられ
る。これらのエポキシ樹脂における塩素イオンの含有量
は10ppm以下、加水分解性塩素の含有量は0.1重
量%(以下「%」と略す)以下に設定することが好まし
い。
、エポキシ当1170〜300のノボラック型エポキシ
樹脂であり、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられ
る。これらのエポキシ樹脂における塩素イオンの含有量
は10ppm以下、加水分解性塩素の含有量は0.1重
量%(以下「%」と略す)以下に設定することが好まし
い。
塩素の含有量が上記の範囲を外れると、腐食による素子
の不良が発生しやすくなる傾向がみられるからである。
の不良が発生しやすくなる傾向がみられるからである。
なお、ハロゲン化ノボラック型エポキシ樹脂は、前述の
ように熱分解によりハロゲン化水素を発生するために好
ましくない。
ように熱分解によりハロゲン化水素を発生するために好
ましくない。
上記B成分のフェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬
化剤として作用するものであり、フェノールノボラック
樹脂、タレゾールノボラック樹脂等が好適に用いられる
。これらのフェノール樹脂は、軟化点が50〜110℃
、水酸基当量が70〜150であることが好ましい。
化剤として作用するものであり、フェノールノボラック
樹脂、タレゾールノボラック樹脂等が好適に用いられる
。これらのフェノール樹脂は、軟化点が50〜110℃
、水酸基当量が70〜150であることが好ましい。
上記フェノール樹脂とエポキシ樹脂との相互の使用割合
は、エポキシ樹脂のエポキシ当量との関係から適宜に選
択されるが、エポキシ基に対するフェノール性水酸基の
当量比が0.5〜1.5の範囲内になるよう設定するこ
とが好ましい。当量比が上記の範囲を外れると、得られ
るエポキシ樹脂組成物硬化体の耐熱性が低下する傾向が
みられるからである。
は、エポキシ樹脂のエポキシ当量との関係から適宜に選
択されるが、エポキシ基に対するフェノール性水酸基の
当量比が0.5〜1.5の範囲内になるよう設定するこ
とが好ましい。当量比が上記の範囲を外れると、得られ
るエポキシ樹脂組成物硬化体の耐熱性が低下する傾向が
みられるからである。
上記C成分の第三ホスフィン系化合物は、下記の一般式
(I)または(n)で示される有機リン化合物である。
(I)または(n)で示される有機リン化合物である。
R3P ・・・・・・(1)
R’3P=O・・・・・・(■)
このような第三ホスフィン系化合物は特に制限するもの
ではなく、上記一般式(1)または(■)で表される市
販の有機ホスフィン化合物または有機ホスフィンオキサ
イド化合物を使用することができる。例えば、トリフェ
ニルホスフィン、トリブチルホスフィン、メチルジフェ
ニルホスフィン、トリフェニルホスフィンオキサイド等
があげられる。これらの有機リン化合物は単独で用いて
もよいし併用してもよい。このようなC成分の配合量は
、エポキシ樹脂組成物の樹脂成分中において、C成分が
0.5〜IO%の範囲内になるよう設定することが好ま
しい、すなわち、配合量が0.5%を下回ると、得られ
るエポキシ樹脂組成物の難燃性が低下する傾向がみられ
、逆に、10%を上回ると、耐湿性が低下する傾向がみ
られるからである。
ではなく、上記一般式(1)または(■)で表される市
販の有機ホスフィン化合物または有機ホスフィンオキサ
イド化合物を使用することができる。例えば、トリフェ
ニルホスフィン、トリブチルホスフィン、メチルジフェ
ニルホスフィン、トリフェニルホスフィンオキサイド等
があげられる。これらの有機リン化合物は単独で用いて
もよいし併用してもよい。このようなC成分の配合量は
、エポキシ樹脂組成物の樹脂成分中において、C成分が
0.5〜IO%の範囲内になるよう設定することが好ま
しい、すなわち、配合量が0.5%を下回ると、得られ
るエポキシ樹脂組成物の難燃性が低下する傾向がみられ
、逆に、10%を上回ると、耐湿性が低下する傾向がみ
られるからである。
また、上記A−C成分とともに用いられるD成分は、原
子価3〜5の遷移金属の含水酸化物である。原子価3〜
5の遷移金属としては、Sb、Bi、Zi、A1等があ
げられる。そして、このような遷移金属の含水酸化物の
代表例としては、含水五酸化アンチモン、含水酸化ジル
コン、含水酸化ビスマス、含水酸化アルミニウムがあげ
られる。
子価3〜5の遷移金属の含水酸化物である。原子価3〜
5の遷移金属としては、Sb、Bi、Zi、A1等があ
げられる。そして、このような遷移金属の含水酸化物の
代表例としては、含水五酸化アンチモン、含水酸化ジル
コン、含水酸化ビスマス、含水酸化アルミニウムがあげ
られる。
これらの酸化物は、単独で用いてもよいし併用しても差
し支えはない。このようなり成分の配合量は、エポキシ
樹脂組成物の樹脂成分中において、D成分が1〜10%
の範囲内に入るように設定することが好ましい。すなわ
ち、配合量が1%を下回る場合には、エポキシ樹脂組成
物の難燃性が低下する傾向がみられ、逆に10%を上回
ると、耐湿性の低下現象がみられるからである。
し支えはない。このようなり成分の配合量は、エポキシ
樹脂組成物の樹脂成分中において、D成分が1〜10%
の範囲内に入るように設定することが好ましい。すなわ
ち、配合量が1%を下回る場合には、エポキシ樹脂組成
物の難燃性が低下する傾向がみられ、逆に10%を上回
ると、耐湿性の低下現象がみられるからである。
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、上記A
−D成分以外にも、必要に応じて従来より用いられてい
るその他の添加剤が含有される。
−D成分以外にも、必要に応じて従来より用いられてい
るその他の添加剤が含有される。
上記その他の添加剤としては、例えば、硬化促進剤、離
型剤9着色剤、充填剤、シランカップリング剤等があげ
られる。
型剤9着色剤、充填剤、シランカップリング剤等があげ
られる。
上記硬化促進剤としては、従来から用いられている各種
の硬化促進剤が用いられ、単独であるいは併合して用い
られる。この種の硬化促進剤としては、下記の三級アミ
ン、四級アンモニウム塩。
の硬化促進剤が用いられ、単独であるいは併合して用い
られる。この種の硬化促進剤としては、下記の三級アミ
ン、四級アンモニウム塩。
イミダゾール類等が好適な例としてあげられる。
三級アミン
トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサジアミン、
トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチルピ
ペラジン、ジアザビシクロウンデセン、トリスジメチル
アミノメチルフェノール四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド。
トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチルピ
ペラジン、ジアザビシクロウンデセン、トリスジメチル
アミノメチルフェノール四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド。
ベンジルジメチルテトラブチルアンモニウムクロライド
イミダゾール類
2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール
この外にも、上記の有機リン化合物の一部を硬化促進剤
として用いてもよい。
として用いてもよい。
上記離型剤としては、従来公知のステアリン酸、パルチ
ミン酸等の長鎖のカルボン酸、ステアリン酸亜鉛、ステ
アリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カル
ナバワックス、モンタンワックス等のワックス類を用い
ることができる。
ミン酸等の長鎖のカルボン酸、ステアリン酸亜鉛、ステ
アリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カル
ナバワックス、モンタンワックス等のワックス類を用い
ることができる。
上記充填剤としては特に制限するものではな(、一般に
用いられている石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ
等の粉末が適宜に使用される。充填剤の配合量は樹脂成
分の総量に対し重量比で1゜5〜4倍程度が好ましい。
用いられている石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ
等の粉末が適宜に使用される。充填剤の配合量は樹脂成
分の総量に対し重量比で1゜5〜4倍程度が好ましい。
4倍以上のときは樹脂の流動性が悪く、1.5倍以下の
ときは樹脂の成形性が悪くなる。
ときは樹脂の成形性が悪くなる。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎの
ようにして製造することができる。すなわち、上記A−
D成分ならびに上記その他の添加剤を適宜配合して、こ
の混合物をミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状
態で混練して溶融混合し、これを室温に冷却したのち公
知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一
連の工程により目的とするエポキシ樹脂を得ることがで
きる。このエポキシ樹脂組成物は、高温放置時において
ハロゲン化水素ガスを殆ど発生せず、半導体素子に対す
る影響が極めて少ない。
ようにして製造することができる。すなわち、上記A−
D成分ならびに上記その他の添加剤を適宜配合して、こ
の混合物をミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状
態で混練して溶融混合し、これを室温に冷却したのち公
知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一
連の工程により目的とするエポキシ樹脂を得ることがで
きる。このエポキシ樹脂組成物は、高温放置時において
ハロゲン化水素ガスを殆ど発生せず、半導体素子に対す
る影響が極めて少ない。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に制限するものではなく、通常のトランスファ
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができる
。
封止は特に制限するものではなく、通常のトランスファ
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができる
。
このようにして得られる半導体装置は、上記エポキシ樹
脂組成物の熱分解により発生するハロゲン化水素ガスが
極めて少ないために、高温放置時における耐熱信顛性が
高い。
脂組成物の熱分解により発生するハロゲン化水素ガスが
極めて少ないために、高温放置時における耐熱信顛性が
高い。
以上のように、この発明の半導体装置は、第三ホスフィ
ン系化合物(C成分)と、原子価3〜5の遷移金属の含
水酸化物(D成分)とを含む特殊なエポキシ樹脂組成物
を用いて封止されており、その封止樹脂が上記C成分お
よびD成分の作用によって難燃性に冨んでいるだけでな
く、高温雰囲気中に長期間放置しても従来の難燃化剤の
ようにハロゲン化水素ガスを殆ど発生しないため、高温
放置時における優れた信顛性を有している。したがって
、自動車等の多くの屋外使用機器のように、高温雰囲気
に長時間さらされるような用途にも好適に使用すること
ができるようになる。
ン系化合物(C成分)と、原子価3〜5の遷移金属の含
水酸化物(D成分)とを含む特殊なエポキシ樹脂組成物
を用いて封止されており、その封止樹脂が上記C成分お
よびD成分の作用によって難燃性に冨んでいるだけでな
く、高温雰囲気中に長期間放置しても従来の難燃化剤の
ようにハロゲン化水素ガスを殆ど発生しないため、高温
放置時における優れた信顛性を有している。したがって
、自動車等の多くの屋外使用機器のように、高温雰囲気
に長時間さらされるような用途にも好適に使用すること
ができるようになる。
つぎに、実施例について従来例と併せて説明する。
〔実施例1〜10〕
エポキシ樹脂として後記の第1表に示すクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂(実施例1〜5)およびフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂(実施例6〜10)を準備
すると同時に、フェノール樹脂として後記の第1表に示
すフェノールノボラック樹脂(実施例1〜5)およびタ
レゾールノボラック樹脂(実施例6〜10)を準備した
。また、第三ホスフィン系化合物としてポリフェニルホ
スフィンオキサイドおよびメチルジフェニルホスフィン
を準備し、さらに含水金属酸化物として含水五酸化アン
チモンおよび含水酸化ジルコンを準備した。また、硬化
促進剤としては2−メチルイミダゾールを、充填剤とし
てはシリカ粉末を、その他の添加剤としてはステアリン
酸(AI型剤)。
ラック型エポキシ樹脂(実施例1〜5)およびフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂(実施例6〜10)を準備
すると同時に、フェノール樹脂として後記の第1表に示
すフェノールノボラック樹脂(実施例1〜5)およびタ
レゾールノボラック樹脂(実施例6〜10)を準備した
。また、第三ホスフィン系化合物としてポリフェニルホ
スフィンオキサイドおよびメチルジフェニルホスフィン
を準備し、さらに含水金属酸化物として含水五酸化アン
チモンおよび含水酸化ジルコンを準備した。また、硬化
促進剤としては2−メチルイミダゾールを、充填剤とし
てはシリカ粉末を、その他の添加剤としてはステアリン
酸(AI型剤)。
カーボンブラック(着色剤)、シランカップリング剤を
準備した。
準備した。
つぎに、上記の原料を後記の第1表に示すような割合で
配合し、ミキシングロール機に掛はテ混練したのち冷却
粉砕し、目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た
。
配合し、ミキシングロール機に掛はテ混練したのち冷却
粉砕し、目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た
。
上記実施例で用いた原料のほか、従来からエポキシ樹脂
の難燃化剤として用いられている臭素化エポキシ樹脂(
エポキシ当量285の臭素化フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂)と、難燃助剤として用いられている無水酸
化アンチモンを用い、第1表の原料配合G′−従い実施
例と同様な工程を経てエポキシ樹脂組成物を製造した。
の難燃化剤として用いられている臭素化エポキシ樹脂(
エポキシ当量285の臭素化フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂)と、難燃助剤として用いられている無水酸
化アンチモンを用い、第1表の原料配合G′−従い実施
例と同様な工程を経てエポキシ樹脂組成物を製造した。
(以下余白)
上記のようにして得られた粉末状エポキシ樹脂組成物の
硬化物特性を調べ第2表に示した。
硬化物特性を調べ第2表に示した。
(以下余白)
なお、上記第2表において、スパイラルフローはEMM
I−66、ゲルタイムはJIS−に−5966に準拠し
て測定した。熱膨張係数、ガラス転移温度はTMA (
理学電機社製)にて測定した。曲げ弾性率9曲げ強度は
テンシロン万能試験機(東洋ボールドウィン社製)で測
定した。体積抵抗値はJ Is−に−6911に準拠し
て測定した。また、高温状態における素子不良の測定は
、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を組み立て、全
量20個を高温にさらし、導通不良になる個数を求めて
評価した。さらに、樹脂組成物より発生するハロゲン化
水素の量の測定は、サンプルIgを高温状態にて保存し
発生した気体をガスクロマトグラフィーにて測定するこ
とにより行った。難燃性は、UL−94に準拠して測定
し、1/8インチ(1/20cm)および1/16イン
チ(1/40(IJ)の試料について評価した。
I−66、ゲルタイムはJIS−に−5966に準拠し
て測定した。熱膨張係数、ガラス転移温度はTMA (
理学電機社製)にて測定した。曲げ弾性率9曲げ強度は
テンシロン万能試験機(東洋ボールドウィン社製)で測
定した。体積抵抗値はJ Is−に−6911に準拠し
て測定した。また、高温状態における素子不良の測定は
、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を組み立て、全
量20個を高温にさらし、導通不良になる個数を求めて
評価した。さらに、樹脂組成物より発生するハロゲン化
水素の量の測定は、サンプルIgを高温状態にて保存し
発生した気体をガスクロマトグラフィーにて測定するこ
とにより行った。難燃性は、UL−94に準拠して測定
し、1/8インチ(1/20cm)および1/16イン
チ(1/40(IJ)の試料について評価した。
第2表の結果から、実施測高は難燃剤にハロゲン化樹脂
を用いていないためハロゲン化水素の発生が殆どなく、
このため高温状態に放置したときの素子の信頼性が高い
、そのうえ、難燃性においても従来例と同等の評価が得
られており耐湿性。
を用いていないためハロゲン化水素の発生が殆どなく、
このため高温状態に放置したときの素子の信頼性が高い
、そのうえ、難燃性においても従来例と同等の評価が得
られており耐湿性。
成形性にも問題はない。したがって、これを封止樹脂に
用いた半導体装置は、極めて信頼性の高いものとなる。
用いた半導体装置は、極めて信頼性の高いものとなる。
Claims (2)
- (1)下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置
。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)第三ホスフィン系化合物。 (D)原子価3〜5の遷移金属の含水酸化物。 - (2)原子価3〜5の遷移金属が、Sb、Bi、Zrま
たはAlである特許請求の範囲第1項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8064287A JPS63245947A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8064287A JPS63245947A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63245947A true JPS63245947A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13724018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8064287A Pending JPS63245947A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63245947A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996037532A1 (de) * | 1995-05-24 | 1996-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Epoxidharzformmassen mit halogenfreiem flammschutz |
JP2002060468A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
JP2002088141A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
JP2002088140A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
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JP2004307649A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP2004307650A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP2004307645A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP2004307646A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP4639439B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2011-02-23 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61221223A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP8064287A patent/JPS63245947A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61221223A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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WO1996037532A1 (de) * | 1995-05-24 | 1996-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Epoxidharzformmassen mit halogenfreiem flammschutz |
JP4639439B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2011-02-23 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
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JP2002088140A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
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JP2004307649A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP2004307650A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
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US7397139B2 (en) | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
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