JPS63244695A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS63244695A JPS63244695A JP62079437A JP7943787A JPS63244695A JP S63244695 A JPS63244695 A JP S63244695A JP 62079437 A JP62079437 A JP 62079437A JP 7943787 A JP7943787 A JP 7943787A JP S63244695 A JPS63244695 A JP S63244695A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体発光素子と光ファイバとを搭載したパッケージ構
造であって、光ファイバ端に同軸管を設け、該同軸管か
ら半導体発光素子に給電するように構成する。
造であって、光ファイバ端に同軸管を設け、該同軸管か
ら半導体発光素子に給電するように構成する。
そうすれば、高速信号に対応できる半導体発光装置が得
られる。
られる。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体発光装置に係り、特に、高速化に適用可
能な半導体発光装置に関する。
能な半導体発光装置に関する。
光通信システムは光ファイバの開発により汎用化され、
電話などの公衆用の他、広範囲の分野で利用されている
。
電話などの公衆用の他、広範囲の分野で利用されている
。
このような光通信システムにおいて、より高速で大容量
な情報量を伝送するために、周波数や位相を変調して伝
送するシステム、所謂、コヒーレント光伝送システムが
検討されており、それに適用できる発光装置が要望され
ている。
な情報量を伝送するために、周波数や位相を変調して伝
送するシステム、所謂、コヒーレント光伝送システムが
検討されており、それに適用できる発光装置が要望され
ている。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］第３図
は従来の通常の半導体レーザ装置の断面図を示しており
、ｌはレーザ素子、２は光伝送用の光ファイバ、３はモ
ニタ光用の光ファイバ（光ファイバの直径は１２５ｐｍ
φ程度）、４はヒートシンクを兼ねたスタッド、５はキ
ャップで、６はレーザ素子１表面の電極に接続したワイ
ヤーである。レーザ素子裏面の電極はスタッドに半田付
けされて、通常、接地端となっているが、表面電極は細
いボンディングワイヤー（直径２０〜３０μｍφ）で接
続されているため、ＧＨ２級の高周波信号を重畳して、
半導体レーザを変調させることは困難である。
は従来の通常の半導体レーザ装置の断面図を示しており
、ｌはレーザ素子、２は光伝送用の光ファイバ、３はモ
ニタ光用の光ファイバ（光ファイバの直径は１２５ｐｍ
φ程度）、４はヒートシンクを兼ねたスタッド、５はキ
ャップで、６はレーザ素子１表面の電極に接続したワイ
ヤーである。レーザ素子裏面の電極はスタッドに半田付
けされて、通常、接地端となっているが、表面電極は細
いボンディングワイヤー（直径２０〜３０μｍφ）で接
続されているため、ＧＨ２級の高周波信号を重畳して、
半導体レーザを変調させることは困難である。
従って、現在、ＧＨ２級の高周波用半導体レーザ装置と
して、第４図に示しているような、レーザ素子１の近傍
までマイクロストリップライン７を配置し、その導電体
７１の先端とレーザ素子１の表面電極とをワイヤー８で
接続する構造にして、光伝送システムの検討が進められ
ている。ここに、第４図に示す部材の記号は第３図と同
じである。
して、第４図に示しているような、レーザ素子１の近傍
までマイクロストリップライン７を配置し、その導電体
７１の先端とレーザ素子１の表面電極とをワイヤー８で
接続する構造にして、光伝送システムの検討が進められ
ている。ここに、第４図に示す部材の記号は第３図と同
じである。
しかしながら、第４図に示す構造に構成しても、ワイヤ
ー８は２〜３ｍの長さになり、インピーダンスが大きく
て不整合になり、ＧＨ２級の信号を十分良好に変調でき
ない。従って、このような高周波信号に対応できるよう
にするには、インピーダンスを５０Ω程度にする必要が
あり、それには直径２０〜３０μｍφのワイヤー長を１
削以下のできるだけ短い長さにしなければならない、且
つ、第４図に例示しているパッケージはチップキャリア
であり、完成された気密封止型のパッケージではない。
ー８は２〜３ｍの長さになり、インピーダンスが大きく
て不整合になり、ＧＨ２級の信号を十分良好に変調でき
ない。従って、このような高周波信号に対応できるよう
にするには、インピーダンスを５０Ω程度にする必要が
あり、それには直径２０〜３０μｍφのワイヤー長を１
削以下のできるだけ短い長さにしなければならない、且
つ、第４図に例示しているパッケージはチップキャリア
であり、完成された気密封止型のパッケージではない。
本発明は、このような問題に対処できる半導体発光装置
を提案するものである。
を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、半導体発光素子に近接して光ファイバを配
設し、該光ファイバの端部に該光ファイバを芯にして金
属と誘電体とを被覆した同軸管を設けて、該同軸管によ
って前記半導体発光素子に給電するように構成した半導
体発光装置によって達成される。
設し、該光ファイバの端部に該光ファイバを芯にして金
属と誘電体とを被覆した同軸管を設けて、該同軸管によ
って前記半導体発光素子に給電するように構成した半導
体発光装置によって達成される。
［作用］
即ち、光ファイバを搭載した発光装置のパッケージにお
いて、光ファイバ端に例えば５０Ωの同軸管を設け、そ
れから半導体発光素子に給電するようにする。
いて、光ファイバ端に例えば５０Ωの同軸管を設け、そ
れから半導体発光素子に給電するようにする。
そうすれば、マイクロ波に対応できる半導体発光装置が
作製できる。
作製できる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明にかかる発光装置の概要断面図を
示しており、１１はレーザ素子、１２は光伝送用の光フ
ァイバ、１３はモニタ光用の光ファイバ、１４はヒート
シンクを兼ねたスタンド、１５はキャップで、１６はレ
ーザ素子１１の表面電極と接続したワイヤー、 １７は
マイクロストリップライン、 ２０は５０Ωの同軸管で
ある。なお、５０Ωはマイクロ波伝送に最も適当とされ
ているインピーダンスである。
示しており、１１はレーザ素子、１２は光伝送用の光フ
ァイバ、１３はモニタ光用の光ファイバ、１４はヒート
シンクを兼ねたスタンド、１５はキャップで、１６はレ
ーザ素子１１の表面電極と接続したワイヤー、 １７は
マイクロストリップライン、 ２０は５０Ωの同軸管で
ある。なお、５０Ωはマイクロ波伝送に最も適当とされ
ているインピーダンスである。
また、第１図中）は第１図（ａ）に示す同軸管２０の垂
直断面を示している。これらの図において、２１は光フ
ァイバを芯にした被覆金属、２２はその上に被覆した誘
電体、２３は最外部の接地導体である。このような構造
は、光ファイバ１３に金または白金を被着して被覆金属
２１ （導電体）とし、その上にＰＶＣのような有機、
物を被覆して誘電体２２とし、最外部を銅などの金属鍍
金して接地導体２３を作製する。また、この同軸管の寸
法は、重畳する周波数ｆより公知の計算によって金属２
１の直径ａと誘電体２２の外径すを決めることができる
。
直断面を示している。これらの図において、２１は光フ
ァイバを芯にした被覆金属、２２はその上に被覆した誘
電体、２３は最外部の接地導体である。このような構造
は、光ファイバ１３に金または白金を被着して被覆金属
２１ （導電体）とし、その上にＰＶＣのような有機、
物を被覆して誘電体２２とし、最外部を銅などの金属鍍
金して接地導体２３を作製する。また、この同軸管の寸
法は、重畳する周波数ｆより公知の計算によって金属２
１の直径ａと誘電体２２の外径すを決めることができる
。
且つ、同軸管２０の両端は接地導体２３および、誘電体
２２を剥して被覆金属２１を露出させ、その端部にワイ
ヤー１６を接続し１、また、他端にマイクロストリップ
ライン１７の導電体７１を半田付けする。
２２を剥して被覆金属２１を露出させ、その端部にワイ
ヤー１６を接続し１、また、他端にマイクロストリップ
ライン１７の導電体７１を半田付けする。
この同軸管を介して、マイクロストリップライン１７か
ら給電すると１．レーザ素子１１と光ファイバ１２、１
３との間隔が僅かに１０μｍ程度であるから、ワイヤー
長を数十μｍの長さにして、レーザ素子１１表面電極と
の接続が可能になり、インピーダンスを整合させて、Ｇ
Ｈ２級の高周波信号を重畳することができる。
ら給電すると１．レーザ素子１１と光ファイバ１２、１
３との間隔が僅かに１０μｍ程度であるから、ワイヤー
長を数十μｍの長さにして、レーザ素子１１表面電極と
の接続が可能になり、インピーダンスを整合させて、Ｇ
Ｈ２級の高周波信号を重畳することができる。
また、第２図は本発明にかかる他の実施例の半導体発光
装置を示し、第１図に示した発光装置がネジ切り方式の
パッケージであったのに対し、第２図に示す実施例は側
部にネジ止めする方式のパッケージ構造である。なお、
第２図においても、第１図の部材の記号と同一の記号が
付けである。
装置を示し、第１図に示した発光装置がネジ切り方式の
パッケージであったのに対し、第２図に示す実施例は側
部にネジ止めする方式のパッケージ構造である。なお、
第２図においても、第１図の部材の記号と同一の記号が
付けである。
以上のような本発明にかかる発光装置によれば、ＧＨ２
級の高周波変調に十分対応することができる。且つ、上
記実施例は同軸管をモニタ光用光ファイバに設けている
が、光伝送用光ファイバにも同様に配置して、同様に効
果があるものである。
級の高周波変調に十分対応することができる。且つ、上
記実施例は同軸管をモニタ光用光ファイバに設けている
が、光伝送用光ファイバにも同様に配置して、同様に効
果があるものである。
［発明の効果］
上記の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体
発光装置はＧＨ２級の高周波変調に対応できて、コヒー
レント光伝送システムの発展に顕著に寄与するものであ
る。
発光装置はＧＨ２級の高周波変調に対応できて、コヒー
レント光伝送システムの発展に顕著に寄与するものであ
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）および第２図は本発明にかかる
半導体発光装置の概要断面図、 第３図および第４図は従来の半導体発光装置の概要断面
図である。 図において、 １．１１は半導体レーザ素子、 ２．１２は光伝送用の光ファイバ、 ３．１３はモニタ光用の光ファイバ、 ４．１４はスタンド、 ５．１５はキャップ、 ６．１６はワイヤー、 ７．１７はマイクロストリップライン、２０は同軸管、
２１は被覆金属、２２は誘電体、
２３は接地導体、７１はマイクロストリップラインの導
電体を示している。 ント号とｅ月ｆ；カ・り・、＄：之１【５−第１図 ｊ１４１ｅ＠＋＝ｔｒ＊ ５４ｅｎ ｌｉ≦、［ｆｆｉ
第２図 従来角滉芝装り 第３図
半導体発光装置の概要断面図、 第３図および第４図は従来の半導体発光装置の概要断面
図である。 図において、 １．１１は半導体レーザ素子、 ２．１２は光伝送用の光ファイバ、 ３．１３はモニタ光用の光ファイバ、 ４．１４はスタンド、 ５．１５はキャップ、 ６．１６はワイヤー、 ７．１７はマイクロストリップライン、２０は同軸管、
２１は被覆金属、２２は誘電体、
２３は接地導体、７１はマイクロストリップラインの導
電体を示している。 ント号とｅ月ｆ；カ・り・、＄：之１【５−第１図 ｊ１４１ｅ＠＋＝ｔｒ＊ ５４ｅｎ ｌｉ≦、［ｆｆｉ
第２図 従来角滉芝装り 第３図
Claims (1)
- 半導体発光素子に近接して光ファイバを配設し、該光フ
ァイバの端部に該光ファイバを芯にして金属と誘電体と
を被覆した同軸管を設け、該同軸管によつて前記半導体
発光素子に給電するように構成したことを特徴とする半
導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079437A JPS63244695A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079437A JPS63244695A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244695A true JPS63244695A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13689855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62079437A Pending JPS63244695A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244695A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02222185A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子用パッケージ |
| EP0730327A1 (fr) * | 1995-03-01 | 1996-09-04 | France Telecom | Ensemble modulaire incluant deux circuits électroniques à relier électriquement pour la transmission d'un signal hyperfréquence |
| JP2005340285A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ側面へのパターン形成方法 |
| JP2013062594A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子機器 |
| JP2015130461A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57116307A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Kingo Yoshida | Photoelectric coaxial cable |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62079437A patent/JPS63244695A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57116307A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Kingo Yoshida | Photoelectric coaxial cable |
Cited By (7)
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| EP0730327A1 (fr) * | 1995-03-01 | 1996-09-04 | France Telecom | Ensemble modulaire incluant deux circuits électroniques à relier électriquement pour la transmission d'un signal hyperfréquence |
| FR2731308A1 (fr) * | 1995-03-01 | 1996-09-06 | France Telecom | Ensemble modulaire incluant deux circuits electroniques a relier electriquement pour la transmission d'un signal hyperfrequence |
| JP2005340285A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ側面へのパターン形成方法 |
| JP4683859B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-05-18 | 新光電気工業株式会社 | 光ファイバ側面へのパターン形成方法 |
| JP2013062594A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子機器 |
| JP2015130461A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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