JPS63243275A - Ｃｖｄ用ガス混合ノズル - Google Patents
Ｃｖｄ用ガス混合ノズルInfo
- Publication number
- JPS63243275A JPS63243275A JP7785387A JP7785387A JPS63243275A JP S63243275 A JPS63243275 A JP S63243275A JP 7785387 A JP7785387 A JP 7785387A JP 7785387 A JP7785387 A JP 7785387A JP S63243275 A JPS63243275 A JP S63243275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- gas
- mixing nozzle
- cvd
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業分 野）
本発明は薄−製ｇｔ用常圧ＣＶＤ（化学的気相成＊）装
置における反応部のカス混合ノズルに関する。
置における反応部のカス混合ノズルに関する。
（従来技術とその問題点）
従来のＣＶＤ装置は、第３図に示すよ５に、主スリット
１０１と副スリット１０２，１０３とが主スリツ）１０
１を中心として平行に組み立てられた薄映形成用ガス混
合ノズルアセンプＩＪ −１０４と基板１０５を加熱す
るための熱板１０６と混合ノズルアセンブリー１０４か
ら噴出するガスを反応後排出するための排気口］ ０７
． Ｉ Ｑ ８とより構成されたものが主流をなして
いた。
１０１と副スリット１０２，１０３とが主スリツ）１０
１を中心として平行に組み立てられた薄映形成用ガス混
合ノズルアセンプＩＪ −１０４と基板１０５を加熱す
るための熱板１０６と混合ノズルアセンブリー１０４か
ら噴出するガスを反応後排出するための排気口］ ０７
． Ｉ Ｑ ８とより構成されたものが主流をなして
いた。
この構成において、主スリット１０１から噴出スル主ガ
ス、例えば、モノシランガスと希釈のための窒素ガスと
副スリット１０２． １０３から噴出するガス、例えば
、酸禦ガスと希釈のための窒素ガスは基板１０５上で混
合され、基板１０５上に４嘆が形成されるものの、供給
されるガスの理論値に対して２５畳程度がγＷ摸となり
、残りの大部分は副生成物（この例ではけ粉末の二酸化
珪素）として排気口１０７，１０８より排出されるのが
通常であった。
ス、例えば、モノシランガスと希釈のための窒素ガスと
副スリット１０２． １０３から噴出するガス、例えば
、酸禦ガスと希釈のための窒素ガスは基板１０５上で混
合され、基板１０５上に４嘆が形成されるものの、供給
されるガスの理論値に対して２５畳程度がγＷ摸となり
、残りの大部分は副生成物（この例ではけ粉末の二酸化
珪素）として排気口１０７，１０８より排出されるのが
通常であった。
薄膜ｓ造（以下、製膜と略称する）時においては、ガス
の消費効率、即ちガスの反応に関与する［１１１合が高
いほど、経済的に有効であるばかりでなく、上述の例で
は二酸化珪素の製膜時には、副生成物としての二酸化珪
′ｌＩ４＠ｅ末が薄膜に含まれ、′またはノズルアセン
ブリー１０４の回りに付層してノズルの混合効率を低下
せしめる、あるいは化学的気相反応に関わる反応部を汚
染させるために１１１１暎反応を停止したのち、クリー
ニング等を頻繁に行う必要があった。さらに、スリット
の冷却は噴出ガス自身によるものが主であったので、反
応系が不安定であった。
の消費効率、即ちガスの反応に関与する［１１１合が高
いほど、経済的に有効であるばかりでなく、上述の例で
は二酸化珪素の製膜時には、副生成物としての二酸化珪
′ｌＩ４＠ｅ末が薄膜に含まれ、′またはノズルアセン
ブリー１０４の回りに付層してノズルの混合効率を低下
せしめる、あるいは化学的気相反応に関わる反応部を汚
染させるために１１１１暎反応を停止したのち、クリー
ニング等を頻繁に行う必要があった。さらに、スリット
の冷却は噴出ガス自身によるものが主であったので、反
応系が不安定であった。
（発明の目的）
本発明の目的は従来の上記表す技術の問題点を改善し、
胸膜時における反応ガスの消費効率を増進せしめ、かつ
副生成物の発生を押えることＫより、製膜時の経済的効
果、生成Ｗ１模の品質の向上を可能ならしめる半導体製
造のＣＶＤ用ガス混合ノズルを提供するにある。
胸膜時における反応ガスの消費効率を増進せしめ、かつ
副生成物の発生を押えることＫより、製膜時の経済的効
果、生成Ｗ１模の品質の向上を可能ならしめる半導体製
造のＣＶＤ用ガス混合ノズルを提供するにある。
（発明の構成）
すなわち、本発明によれば、主スリットと副スリットと
よりなり、二種類以上のガスを混合し、かつ該混合した
ガスを薄膜形成装置の加熱された基板上に当てて薄膜を
形成せしめるＣＶＤ用ガス混合ノズルにおいて、主スリ
ットと該主スリットを中心にその両側に２°〜７°の角
度に複数配列された副スリットとよりなることを特徴と
するＣＶＤ用ガス混合ノズル、が得られる。
よりなり、二種類以上のガスを混合し、かつ該混合した
ガスを薄膜形成装置の加熱された基板上に当てて薄膜を
形成せしめるＣＶＤ用ガス混合ノズルにおいて、主スリ
ットと該主スリットを中心にその両側に２°〜７°の角
度に複数配列された副スリットとよりなることを特徴と
するＣＶＤ用ガス混合ノズル、が得られる。
本発明のＣＶＤ用ガス混合ノズルではさらＫ。
主スリットより副スリットの幅を長くすることができる
。また、該主スリットと該副スリットを単一ブロックで
構成し、それらスリットに対し冷却手段または加温手段
を付設することもできる。
。また、該主スリットと該副スリットを単一ブロックで
構成し、それらスリットに対し冷却手段または加温手段
を付設することもできる。
次に、本発明のＣＶＤ用ガス混合ノズルを図面によって
説明する。第１図は本発明の一実施例の一部断面を含む
斜視図である。本発明は第１図において、主スリットｌ
を中心とし、その両側にそれぞれ２’−７’Ｅ角度に調
節可能な位置に副スリット１，２を設けてなる構成であ
る。この構成をとることＫよって本発明のＣＶＤ用ガス
混合ノズルでは、主スリットｌよりの噴出ガスに対し、
副スリット２，３よりの噴出ガスの混合される位置を調
節可能とするばかりでなく、該噴出ガスに対し、化学的
反応に最適な角度に固定することＫよって、最大の効果
を期待できるものであり、本発明のＣＶＤ用ガス混合ノ
ズルが従来例のそれよりはるかにすぐれた効果を示すも
のである。
説明する。第１図は本発明の一実施例の一部断面を含む
斜視図である。本発明は第１図において、主スリットｌ
を中心とし、その両側にそれぞれ２’−７’Ｅ角度に調
節可能な位置に副スリット１，２を設けてなる構成であ
る。この構成をとることＫよって本発明のＣＶＤ用ガス
混合ノズルでは、主スリットｌよりの噴出ガスに対し、
副スリット２，３よりの噴出ガスの混合される位置を調
節可能とするばかりでなく、該噴出ガスに対し、化学的
反応に最適な角度に固定することＫよって、最大の効果
を期待できるものであり、本発明のＣＶＤ用ガス混合ノ
ズルが従来例のそれよりはるかにすぐれた効果を示すも
のである。
通常、主スリツ）１からは酸化または還元されるガスと
希釈ガスが噴出し、そのガスを囲むように、副スリット
２．３からは酸化させるための酸化剤と希釈ガスまたは
還元剤と希釈ガスが噴出する。
希釈ガスが噴出し、そのガスを囲むように、副スリット
２．３からは酸化させるための酸化剤と希釈ガスまたは
還元剤と希釈ガスが噴出する。
おおむね、主スリット１から噴出するガスは、化学反応
性が激しく、また副スリット２，３からの噴出ガスと完
全に混合し、素早く基板５上に到達し、もって副生成物
の発生を抑制し、かつ本来の薄膜を高品質なものとする
。
性が激しく、また副スリット２，３からの噴出ガスと完
全に混合し、素早く基板５上に到達し、もって副生成物
の発生を抑制し、かつ本来の薄膜を高品質なものとする
。
また、主スリットｌに比較してＩｔ５１１スリット２゜
３をより幅広にしたＣｒＶＤ用ガス温ガス混合ノズルア
ッセンブリーした場合は更に外気に対し、主スリットｌ
かも噴出するガスを隔離することが可能であり、かつ副
生成物の発生を抑制する効果がある。
３をより幅広にしたＣｒＶＤ用ガス温ガス混合ノズルア
ッセンブリーした場合は更に外気に対し、主スリットｌ
かも噴出するガスを隔離することが可能であり、かつ副
生成物の発生を抑制する効果がある。
さらに、主スリットと副スリットを単一ブロックで構成
した場合には、主スリット１．副スリット２，３の角度
を最適な角度に固定できるばかりでなく、両スリット間
を通って排出される未反応ガスも製膜に寄与することか
ら、経済的効果が大きく、生成薄−の品質の安定が可能
となった。
した場合には、主スリット１．副スリット２，３の角度
を最適な角度に固定できるばかりでなく、両スリット間
を通って排出される未反応ガスも製膜に寄与することか
ら、経済的効果が大きく、生成薄−の品質の安定が可能
となった。
以上において、王として、本発明の主スリツト１個と副
スリツト２個とよりなるＣＶＤ用ガス混合ノズルの場合
について述べたが、正副スリットの数はこれに限定され
るものではない。
スリツト２個とよりなるＣＶＤ用ガス混合ノズルの場合
について述べたが、正副スリットの数はこれに限定され
るものではない。
（発明の効果）
本発明を工上記の構成をとることによって、次の効果を
示す。
示す。
１１１ 基板上で混合ノズルからのカスが有効に混合
され、酸化あるいは還元が行なわれ、カブ効率が大幅に
向上する。
され、酸化あるいは還元が行なわれ、カブ効率が大幅に
向上する。
（２）卿暎効率を向上させた結果、膜質の向上が得られ
る。
る。
（３）製膜効率が大１陽に向上したことにより、副生酸
物反応が抑制され、薄り生成装置のりＩＪ−ユング等の
保守点検のための、装ｙｔの停止時間を大幅に短縮でき
る。
物反応が抑制され、薄り生成装置のりＩＪ−ユング等の
保守点検のための、装ｙｔの停止時間を大幅に短縮でき
る。
（４）スリットの冷却は従来噴出ガス自体くよるものが
主であり、反応系が不安定であったが、正−］スリット
を単一ブロックで構成することにより、ノズルブツセ／
プリーを水冷または加温することが可能となり、反応系
の小型化、安定化が始めて可能となる。
主であり、反応系が不安定であったが、正−］スリット
を単一ブロックで構成することにより、ノズルブツセ／
プリーを水冷または加温することが可能となり、反応系
の小型化、安定化が始めて可能となる。
第１図は本発明の一実施例の一部断面を含む斜視図、第
２図はｙｃ１図の主スリットと副スリットを示す斜視図
、第３図は従来例の一部断面を含む斜視図である。 図において、 １−−−−−一部スリット ２、３−−−一部スリット ４−一−−−−ｆｆｌノズルアッセンブリー５−−−−
−一基板 ６−−−一−−熱 板 ７．８−−−一排気口 １０１−一−−主スリット １０２、１０３−一部スリット １０４−−−一混合ノズルアクセ／ブリー１０５−−−
一基板 １０６−−−−熱板 １０７、１０８−一排気口 特許出願人 株式会社 天谷＃作所 代珈人 白 川 義 直
２図はｙｃ１図の主スリットと副スリットを示す斜視図
、第３図は従来例の一部断面を含む斜視図である。 図において、 １−−−−−一部スリット ２、３−−−一部スリット ４−一−−−−ｆｆｌノズルアッセンブリー５−−−−
−一基板 ６−−−一−−熱 板 ７．８−−−一排気口 １０１−一−−主スリット １０２、１０３−一部スリット １０４−−−一混合ノズルアクセ／ブリー１０５−−−
一基板 １０６−−−−熱板 １０７、１０８−一排気口 特許出願人 株式会社 天谷＃作所 代珈人 白 川 義 直
Claims (3)
- （１）主スリットと副スリットとよりなり、二種類以上
のガスを混合し、かつ該混合したガスを薄膜形成装置の
加熱された基板上に当てて薄膜を形成せしめるＣＶＤ用
ガス混合ノズルにおいて、主スリットと該主スリットを
中心にその両側に２°〜７°の角度に複数配列された副
スリットとよりなることを特徴とするＣＶＤ用ガス混合
ノズル。 - （２）特許請求の範囲（１）に記載のＣＶＤ用ガス混合
ノズルであつて、前記主スリットより前記副スリットの
幅が長いことを特徴とするガス混合ノズル。 - （３）特許請求の範囲（１）に記載のＣＶＤ用ガス混合
ノズルであつて、前記主スリットと前記副スリットとを
単一ブロツクで構成し、かつ該主スリットと該副スリッ
トに対して冷却手段または加温手段を付設したことを特
徴とするガス混合ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7785387A JPS63243275A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ｃｖｄ用ガス混合ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7785387A JPS63243275A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ｃｖｄ用ガス混合ノズル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243275A true JPS63243275A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13645619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7785387A Pending JPS63243275A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ｃｖｄ用ガス混合ノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243275A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03200024A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Hitachi Ltd | 多波長分光光度計 |
| JPH06252071A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7785387A patent/JPS63243275A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03200024A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Hitachi Ltd | 多波長分光光度計 |
| JPH06252071A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20240003010A1 (en) | Backside deposition and local stress modulation for wafer bow compensation | |
| JP5913965B2 (ja) | 金属酸化物のハードマスクの形成方法 | |
| JPWO2003048413A1 (ja) | 混合器、薄膜製造装置及び薄膜製造方法 | |
| JPH04348031A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| KR20080028963A (ko) | 실리콘 함유 필름의 증착 방법 | |
| CN101665921A (zh) | 成膜装置、基板处理装置及成膜方法 | |
| JPH10335253A (ja) | 熱処理装置及び薄膜の形成方法 | |
| TW201911416A (zh) | 蝕刻方法和蝕刻系統 | |
| JPH08255795A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JP2009105328A (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
| JP5184329B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2005039123A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2012146697A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 | |
| JP2020188045A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2020068276A5 (ja) | ||
| JPH0383897A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN109457236A (zh) | 一种进气顶盘及金属有机物化学气相沉积反应器 | |
| JPH0653147A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS63229831A (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN120738628B (zh) | 一种化学气相沉积喷淋头及其加工工艺 | |
| JP2003122021A (ja) | 現像処理装置 | |
| US20240186139A1 (en) | Substrate processing method | |
| JPH10147873A (ja) | 常圧ｃｖｄ用のガスノズル | |
| JPH02134813A (ja) | レジストの塗布方法 | |
| JPH0722319A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 |