JPS63238448A - 薄膜評価装置 - Google Patents
薄膜評価装置Info
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- JPS63238448A JPS63238448A JP7144087A JP7144087A JPS63238448A JP S63238448 A JPS63238448 A JP S63238448A JP 7144087 A JP7144087 A JP 7144087A JP 7144087 A JP7144087 A JP 7144087A JP S63238448 A JPS63238448 A JP S63238448A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜評価装置に関し、特に、各種薄膜の下地
に対する密着性の評価に適用して有効な技術に関するも
のである。
に対する密着性の評価に適用して有効な技術に関するも
のである。
従来１例えば半導体集積回路装置の製造に用いられる薄
膜の下地に対する密着性の良否は、外観検査工程におい
て薄膜のはがれやふくらみを目視検査することにより判
定していた。
膜の下地に対する密着性の良否は、外観検査工程におい
て薄膜のはがれやふくらみを目視検査することにより判
定していた。
一方、目視検査によらない薄膜の密着性の評価方法とし
ては、薄膜にダイヤモンド針を立て、針先に加わる荷重
と針による傷跡の顕微ｆｉ観察の結果とによって薄膜の
はがれの判定を行う方法が知られている（例えば、プロ
シーディングオブロイヤルソサエティー、Ａ２５４．１
９６０年、第１６３頁から第１７６頁（Ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇ ｏｆ Ｒｏｙａｌ ５ｏｃｉｓｔｙ Ａ２５４
゜１９６０、 ｐｐ、１６３−１７６））。
ては、薄膜にダイヤモンド針を立て、針先に加わる荷重
と針による傷跡の顕微ｆｉ観察の結果とによって薄膜の
はがれの判定を行う方法が知られている（例えば、プロ
シーディングオブロイヤルソサエティー、Ａ２５４．１
９６０年、第１６３頁から第１７６頁（Ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇ ｏｆ Ｒｏｙａｌ ５ｏｃｉｓｔｙ Ａ２５４
゜１９６０、 ｐｐ、１６３−１７６））。
しかしながら、上述の目視検査による薄膜の密着性の評
価方法は、作業者の熟練を要するばかりでなく、評価結
果の信頼性や能率が高くないという問題があった。また
、針先に加わる荷重と針による傷跡の顕微鏡ｌ１１１！
？Ｎとによって薄膜のはがれの判定を行う前記方法は、
はがれの判定基準が確立されていないため、評価結果の
信頼性が高くなく実用性が低いという問題があった。
価方法は、作業者の熟練を要するばかりでなく、評価結
果の信頼性や能率が高くないという問題があった。また
、針先に加わる荷重と針による傷跡の顕微鏡ｌ１１１！
？Ｎとによって薄膜のはがれの判定を行う前記方法は、
はがれの判定基準が確立されていないため、評価結果の
信頼性が高くなく実用性が低いという問題があった。
本発明の目的は、薄膜の密着性の評価結果の信頼性の向
上を図ることができる技術を提供することにある。
上を図ることができる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、薄膜の密着性の評価の作業能率の
向上を図ることができる技術を提供することにある。
向上を図ることができる技術を提供することにある。
°本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、針による傷跡及び薄膜のはがれ部を検出する
ための検出手段と、この検出手段の出力を処理するため
の処理手段とを具備し、この処理手段の出力に基づいて
前記薄膜の密着性を評価するようにしている。
ための検出手段と、この検出手段の出力を処理するため
の処理手段とを具備し、この処理手段の出力に基づいて
前記薄膜の密着性を評価するようにしている。
上記した手段によれば、検出手段と処理手段とにより、
薄膜の密着性の評価を自動的に行うことが可能になる。
薄膜の密着性の評価を自動的に行うことが可能になる。
これによって、薄膜の密着性の評価結果の信頼性の向上
及び密着性の評価の作業能率の向上を図ることができる
。
及び密着性の評価の作業能率の向上を図ることができる
。
以下１本発明の実施例を図面を用いて具体的に説明する
。
。
なお、実施例を説明するための全図において。
同一機能を有するものには同一符号を付け、その繰り返
しの説明は省略する。
しの説明は省略する。
去１」ロー
第１図は５本発明の実施例■による薄膜評価装置の全体
構成を示す正面図である。
構成を示す正面図である。
第１図に示すように、実施例■による薄膜評価装置にお
いては、支持台１の上に試料台２が設け′ られ、こ
の試料台２の上に、密着性を評価すべき薄膜３が形成さ
れた半導体ウェハ４が載せられている。前記試料台２の
下部にはパイプ５がはめ込まれている。このパイプ５の
下部には固定具６によって歯車７が固定され、モーター
８の軸の先端に固定されたピニオンギア９でこの歯車７
を回転させることにより、前記試料台２をパイプ５の回
りに回転させることができるようになっている。
いては、支持台１の上に試料台２が設け′ られ、こ
の試料台２の上に、密着性を評価すべき薄膜３が形成さ
れた半導体ウェハ４が載せられている。前記試料台２の
下部にはパイプ５がはめ込まれている。このパイプ５の
下部には固定具６によって歯車７が固定され、モーター
８の軸の先端に固定されたピニオンギア９でこの歯車７
を回転させることにより、前記試料台２をパイプ５の回
りに回転させることができるようになっている。
前記試料台２には真空排気路２ａが設けられている。そ
して、二〇真空排気路２ａと、前記パイプ５と、このパ
イプ５に接続されている真空ホース１１とを通じて真空
ポンプ（図示せず）で排気することにより、前記半導体
ウェハ４を前記試料台２に真空吸着することができるよ
うになっている。
して、二〇真空排気路２ａと、前記パイプ５と、このパ
イプ５に接続されている真空ホース１１とを通じて真空
ポンプ（図示せず）で排気することにより、前記半導体
ウェハ４を前記試料台２に真空吸着することができるよ
うになっている。
符号１２は例えばダイヤモンド針のような針であって、
この針１２によって前記薄膜３に傷を付けることができ
るようになっている。この針１２の先端部の形状は１例
えば半径１０〜２００μｍの半球状とすることができ、
これによって薄膜３に付けられる傷のばらつきを少なく
してこの薄膜３の密着性の評価を再現性良く行うことが
できる。なお、この針１２としては、例えばタングステ
ンのような硬度の高い金属やセラミックスから成る針を
用いてもよい。この針１２は、この針１２により前記薄
膜３に加えられる荷重を測定するための例えばロードセ
ル（図示せず）を内臓する荷重検出器１３に取り付けら
れている。この荷重検出器１３は１例えばさお秤１４に
固定され、おもり１５をこのさお秤１４上で移動させる
ことにより、針１２により前記薄膜３に加わる荷重を変
化させることができるようになっている。なお、このさ
お秤１４の一端は、前記支持台１に固定された支柱１６
により回転可能に支持されている。また、符号１７は光
学顕微鏡であって、この光学顕微鏡１７によって前記薄
膜３を観察することができるようになっている。この光
学顕微鏡１７は、支持棒１８により支持されている。こ
の支持棒１８は、所定の駆動機構を内臓する駆動部１９
によリ、その軸方向並びに前記支持台１に固定された支
柱２０の軸方向及びその軸の回りに回転可能となってい
る。これによって、前記光学顕微鏡１７を前記薄膜３の
所望の位置に移動させることができるようになっている
。
この針１２によって前記薄膜３に傷を付けることができ
るようになっている。この針１２の先端部の形状は１例
えば半径１０〜２００μｍの半球状とすることができ、
これによって薄膜３に付けられる傷のばらつきを少なく
してこの薄膜３の密着性の評価を再現性良く行うことが
できる。なお、この針１２としては、例えばタングステ
ンのような硬度の高い金属やセラミックスから成る針を
用いてもよい。この針１２は、この針１２により前記薄
膜３に加えられる荷重を測定するための例えばロードセ
ル（図示せず）を内臓する荷重検出器１３に取り付けら
れている。この荷重検出器１３は１例えばさお秤１４に
固定され、おもり１５をこのさお秤１４上で移動させる
ことにより、針１２により前記薄膜３に加わる荷重を変
化させることができるようになっている。なお、このさ
お秤１４の一端は、前記支持台１に固定された支柱１６
により回転可能に支持されている。また、符号１７は光
学顕微鏡であって、この光学顕微鏡１７によって前記薄
膜３を観察することができるようになっている。この光
学顕微鏡１７は、支持棒１８により支持されている。こ
の支持棒１８は、所定の駆動機構を内臓する駆動部１９
によリ、その軸方向並びに前記支持台１に固定された支
柱２０の軸方向及びその軸の回りに回転可能となってい
る。これによって、前記光学顕微鏡１７を前記薄膜３の
所望の位置に移動させることができるようになっている
。
前記光学顕微鏡１７には、例えばＣＣＤ （電荷結合素
子）のようなイメージセンサ２１が取り付られており、
このイメージセンサ２１による検出出力に基づいて所定
の画像処理装置（図示せず）により画像処理を行うこと
ができるようになっている。
子）のようなイメージセンサ２１が取り付られており、
このイメージセンサ２１による検出出力に基づいて所定
の画像処理装置（図示せず）により画像処理を行うこと
ができるようになっている。
そして、この画像処理の結果と前記荷重検出器１３によ
り検出された荷重とに基づいて１例えばコンピュータに
より後述のようにして薄膜３の密着性の評価を行うこと
ができるようになっている。
り検出された荷重とに基づいて１例えばコンピュータに
より後述のようにして薄膜３の密着性の評価を行うこと
ができるようになっている。
次に、上述のように構成された実施例■による薄膜評価
装置を用いて薄膜の密着性の評価を行う方法について説
明する。
装置を用いて薄膜の密着性の評価を行う方法について説
明する。
第１図に示すように、まず密着性の評価を行うべき部分
の薄膜３に針１２を立てる。この際にこの針１２により
薄膜３に加える加重は、この薄膜３の材料に応じて選ぶ
。次に、この状態でモーター８により試料台２をその中
心の回りに所定角度だけ回転させる。この結果、前記針
１１に対して薄膜３が所定距離動くことにより、第２図
に示すように、この針１２により薄膜３に傷が付いて傷
跡２２及びはがれ部２３が形成される。この場合、前記
試料台２の回転速度は、針１２に対する薄膜３の移動速
度が例えば０．１〜１０ａＩＩ／ｓとなるように選ぶ０
次に、前記光学顕微鏡１７を前記傷跡２２及びはがれ部
２３に移動させてこれらの拡大像をイメージセンサ２１
により電気信号に変換する。このイメージセンサ２１の
出力は画像処理装置により処理され、この画像処理の結
果、前記傷跡２２及びはがれ部２３の面積Ａ、Ｂやそれ
らの長さ、幅等が検出される。これらの面積Ａ、Ｂ、長
さ、幅等と前記荷重検出器１３により検出された荷重と
を用いてコンピュータにより計算を行い、例えば比Ｂ／
Ａを求める。この比Ｂ／Ａは薄膜３の密着性を示す指標
となるので、上述のようにして求めた比Ｂ／Ａを例えば
標準試料について求めた比Ｂ／Ａと比較することにより
、薄膜３の密着性を評価することができる。これによっ
て、例えばはがれが生じない正常な薄膜３の比Ｂ／Ａと
上述のようにして求めた比Ｂ／Ａとの比較により、薄膜
３の密着性の良否を判定することができる。しかも、上
述の密着性の評価は自動的に行われるので、その評価結
果の信頼性及び評価の作業能率を従来に比べて著しく向
上させることができる。
の薄膜３に針１２を立てる。この際にこの針１２により
薄膜３に加える加重は、この薄膜３の材料に応じて選ぶ
。次に、この状態でモーター８により試料台２をその中
心の回りに所定角度だけ回転させる。この結果、前記針
１１に対して薄膜３が所定距離動くことにより、第２図
に示すように、この針１２により薄膜３に傷が付いて傷
跡２２及びはがれ部２３が形成される。この場合、前記
試料台２の回転速度は、針１２に対する薄膜３の移動速
度が例えば０．１〜１０ａＩＩ／ｓとなるように選ぶ０
次に、前記光学顕微鏡１７を前記傷跡２２及びはがれ部
２３に移動させてこれらの拡大像をイメージセンサ２１
により電気信号に変換する。このイメージセンサ２１の
出力は画像処理装置により処理され、この画像処理の結
果、前記傷跡２２及びはがれ部２３の面積Ａ、Ｂやそれ
らの長さ、幅等が検出される。これらの面積Ａ、Ｂ、長
さ、幅等と前記荷重検出器１３により検出された荷重と
を用いてコンピュータにより計算を行い、例えば比Ｂ／
Ａを求める。この比Ｂ／Ａは薄膜３の密着性を示す指標
となるので、上述のようにして求めた比Ｂ／Ａを例えば
標準試料について求めた比Ｂ／Ａと比較することにより
、薄膜３の密着性を評価することができる。これによっ
て、例えばはがれが生じない正常な薄膜３の比Ｂ／Ａと
上述のようにして求めた比Ｂ／Ａとの比較により、薄膜
３の密着性の良否を判定することができる。しかも、上
述の密着性の評価は自動的に行われるので、その評価結
果の信頼性及び評価の作業能率を従来に比べて著しく向
上させることができる。
なお、例えば第３図に示すように、傷跡２２及びはがれ
部２３の長さＣ，Ｄを検出して例えば比Ｄ／Ｃを求め、
この比Ｄ／Ｃを密着性を示す指標として用いて薄膜３の
密着性を評価するようにしてもよい。また、この比Ｄ／
Ｃと前記比Ｂ／Ａとから総合的に薄膜３の密着性を評価
するようにしてもよい。さらに、前記はがれ部２３の長
さの最大値を密着性の指標として薄膜３の密着性を評価
するようにしてもよい。さらにまた、針１２に加える荷
重が小さい場合には薄膜３のはがれは生じないが。
部２３の長さＣ，Ｄを検出して例えば比Ｄ／Ｃを求め、
この比Ｄ／Ｃを密着性を示す指標として用いて薄膜３の
密着性を評価するようにしてもよい。また、この比Ｄ／
Ｃと前記比Ｂ／Ａとから総合的に薄膜３の密着性を評価
するようにしてもよい。さらに、前記はがれ部２３の長
さの最大値を密着性の指標として薄膜３の密着性を評価
するようにしてもよい。さらにまた、針１２に加える荷
重が小さい場合には薄膜３のはがれは生じないが。
この薄膜３のはがれが生じ始める時の荷重（臨界荷重）
を密着性の指標として薄膜３の密着性を評価することも
可能である。この場合、前記臨界荷重が小さいほど、密
着性が弱く、はがれやすい薄膜３であると判定すること
ができる。
を密着性の指標として薄膜３の密着性を評価することも
可能である。この場合、前記臨界荷重が小さいほど、密
着性が弱く、はがれやすい薄膜３であると判定すること
ができる。
この実施例Ｉによる薄膜評価装置によれば、ＷＳｉ、、
Ｗ、ＴｉＮ、 Ａｌ、多結晶シリコン等の各種の薄膜３
の密着性を評価することができる。
Ｗ、ＴｉＮ、 Ａｌ、多結晶シリコン等の各種の薄膜３
の密着性を評価することができる。
犬皇里工
第４図は１本発明の実施例■による薄膜評価装置の要部
を示す正面図である。
を示す正面図である。
第４図に示すように、実施例Ｈによる薄膜評価装置は、
針１２に荷重を加えるための装置として。
針１２に荷重を加えるための装置として。
例えば電動や空気圧、油圧等により荷重を加えることの
できるアクチュエーター２４が用いられていることを除
いて、実施例Ｉによる薄膜評価装置と実質的に同様な構
成を有している。
できるアクチュエーター２４が用いられていることを除
いて、実施例Ｉによる薄膜評価装置と実質的に同様な構
成を有している。
この実施例■による薄膜評価装置によっても、実施例■
による薄膜評価装置と同様に、薄膜３の密着性を高い信
頼性及び能率で評価することができる。
による薄膜評価装置と同様に、薄膜３の密着性を高い信
頼性及び能率で評価することができる。
ヌ】１１町
第５図は、本発明の実施例■による薄膜評価装置の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
第５図に示すように、実施例■による薄膜評価装置は、
走査型電子顕微鏡２５の内部に組み込まれている。ここ
で、符号２６は電子ビームを半導体ウェハ４上に収束さ
せるための対物レンズであり、符号２７は、電子ビーム
により試料表面から生じる二次電子を検出するための二
次電子検出器である。
走査型電子顕微鏡２５の内部に組み込まれている。ここ
で、符号２６は電子ビームを半導体ウェハ４上に収束さ
せるための対物レンズであり、符号２７は、電子ビーム
により試料表面から生じる二次電子を検出するための二
次電子検出器である。
この二次電子検出器２７は、実施例■におけるイメージ
センサ２１と同様な役割を果たし、実施例■におけると
同様にその出力は画像処理装置により処理され、この画
像処理の結果と荷重検出器１３により検出された荷重と
により薄膜３の密着性が評価されるようになっている。
センサ２１と同様な役割を果たし、実施例■におけると
同様にその出力は画像処理装置により処理され、この画
像処理の結果と荷重検出器１３により検出された荷重と
により薄膜３の密着性が評価されるようになっている。
なお、符号２８は針１２に荷重を加えるための棒であっ
て、この捧２８の一端は支柱１６に対して回転可能にな
っている。
て、この捧２８の一端は支柱１６に対して回転可能にな
っている。
この実施例■による薄膜評価装置に−より薄膜３の密着
性の評価を行う場合には、例えばＸＹテーブルのような
試料台２上に載せられた半導体ウェハ４上の薄膜３に針
１２を立て、この状態で試料台２を水平移動させること
により薄膜３に傷を付ける。これによって、第２図及び
第３図に示すと同様に、薄膜３にはがれが生じて下地が
部分的に露出するので、このはがれ部の形状が電子顕微
鏡像として検出される。従って、この電子顕微鏡像を画
像処理することにより、針１２による傷跡及びはがれ部
の面積、長さ、幅等を求めることができるので、実施例
Ｉと同様に、薄膜３の密着性を高い信頼性及び能率で評
価することができる。
性の評価を行う場合には、例えばＸＹテーブルのような
試料台２上に載せられた半導体ウェハ４上の薄膜３に針
１２を立て、この状態で試料台２を水平移動させること
により薄膜３に傷を付ける。これによって、第２図及び
第３図に示すと同様に、薄膜３にはがれが生じて下地が
部分的に露出するので、このはがれ部の形状が電子顕微
鏡像として検出される。従って、この電子顕微鏡像を画
像処理することにより、針１２による傷跡及びはがれ部
の面積、長さ、幅等を求めることができるので、実施例
Ｉと同様に、薄膜３の密着性を高い信頼性及び能率で評
価することができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが１
本発明は、前記実施例呻限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例呻限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、実施例■において、走査型電子顕微鏡２５の代
わりに、超音波顕微鏡、Ｘ線マイクロヲローブ分析（Ｘ
ＭＡ）装置、オージェ電子顕微鏡等の微小部分を拡大し
て電気信号に変換することのできる装置を用いてもよい
。また、上述の実施例■、■による薄膜評価装置と例え
ばシート抵抗測定装置とを組み合わせることもできる。
わりに、超音波顕微鏡、Ｘ線マイクロヲローブ分析（Ｘ
ＭＡ）装置、オージェ電子顕微鏡等の微小部分を拡大し
て電気信号に変換することのできる装置を用いてもよい
。また、上述の実施例■、■による薄膜評価装置と例え
ばシート抵抗測定装置とを組み合わせることもできる。
なお、例えば第６図に示すように、薄膜３に針により多
数の傷を付け、これらの傷に粘着テープ２８を貼り付け
て剥がすことにより、薄膜３の下地に対する密着性の度
合に応じて第７図に示すように粘着テープ２８にこの薄
膜３の剥離片２９が付着するので、この付着量を定量す
ることにより密着性の評価を行うこともできる。この場
合、付着量が多いほど密着性が低いと言える。前記剥離
片の定量は、粘着テープ２８に付着した剥離片２９の光
学像を画像処理してその輪郭から面積を求めることによ
り行うことができる。また、この剥離片の定量は、蛍光
Ｘ線分析装置、オージェ電子分光装置（ＡＥＳ）、二次
イオン質量分析装置（ＩＭＡ、ＳＩＭＳ）、Ｘ線励起光
電子分析装置（ＥＳＣＡ、ｘｐｓ）等の原子分析装置に
よる分析により行ってもよい。
数の傷を付け、これらの傷に粘着テープ２８を貼り付け
て剥がすことにより、薄膜３の下地に対する密着性の度
合に応じて第７図に示すように粘着テープ２８にこの薄
膜３の剥離片２９が付着するので、この付着量を定量す
ることにより密着性の評価を行うこともできる。この場
合、付着量が多いほど密着性が低いと言える。前記剥離
片の定量は、粘着テープ２８に付着した剥離片２９の光
学像を画像処理してその輪郭から面積を求めることによ
り行うことができる。また、この剥離片の定量は、蛍光
Ｘ線分析装置、オージェ電子分光装置（ＡＥＳ）、二次
イオン質量分析装置（ＩＭＡ、ＳＩＭＳ）、Ｘ線励起光
電子分析装置（ＥＳＣＡ、ｘｐｓ）等の原子分析装置に
よる分析により行ってもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、薄膜の密着性の評価結果の信頼性の向上及び
密着性の評価の作業能率の向上を図ることができる。
密着性の評価の作業能率の向上を図ることができる。
第１図は、本発明の実施例Ｉによる薄膜評価装置の全体
構成を示す正面図。 第２図は、第１図に示す薄膜評価装置による薄膜の密着
性の評価方法を説明するための斜視図、第３図は、第１
図に示す薄膜評価装置による薄膜の密着性の評価方法を
説明するための平面図、第４図は、本発明の実施例Ｈに
よる薄膜評価装置の要部を示す正面図、 第５図は１本発明の実施例■による薄膜評価装置の要部
を示す断面図、 第６図は、粘着テープにより薄膜を剥離させることによ
る薄膜の密着性の評価方法を説明するための斜視図、 第７図は、剥離片が付着した粘着テープを示す斜視図で
ある。 図中、２・・・試料台、３・・・薄膜、４・・・半導体
装置ハ、１２・・・針、１３・・・荷重検出器、１７・
・・光学顕微鏡。 ２１・・・イメージセンサ、２２・・・傷跡、２３・・
・はがれ部、２４・・・アクチュエーター、２５・・・
走査型電子顕微鏡。 ２７・・・二次電子検出器である。 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ｖＡ 第 ６ 図
構成を示す正面図。 第２図は、第１図に示す薄膜評価装置による薄膜の密着
性の評価方法を説明するための斜視図、第３図は、第１
図に示す薄膜評価装置による薄膜の密着性の評価方法を
説明するための平面図、第４図は、本発明の実施例Ｈに
よる薄膜評価装置の要部を示す正面図、 第５図は１本発明の実施例■による薄膜評価装置の要部
を示す断面図、 第６図は、粘着テープにより薄膜を剥離させることによ
る薄膜の密着性の評価方法を説明するための斜視図、 第７図は、剥離片が付着した粘着テープを示す斜視図で
ある。 図中、２・・・試料台、３・・・薄膜、４・・・半導体
装置ハ、１２・・・針、１３・・・荷重検出器、１７・
・・光学顕微鏡。 ２１・・・イメージセンサ、２２・・・傷跡、２３・・
・はがれ部、２４・・・アクチュエーター、２５・・・
走査型電子顕微鏡。 ２７・・・二次電子検出器である。 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ｖＡ 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄膜に針で傷を付けることによりその密着性を評価
するようにした薄膜評価装置であって、前記針による傷
跡及び前記薄膜のはがれ部を検出するための検出手段と
、この検出手段の出力を処理するための処理手段とを具
備し、この処理手段の出力に基づいて前記薄膜の密着性
を評価するようにしたことを特徴とする薄膜評価装置。 ２、前記検出手段がイメージセンサであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄膜評価装置。 ３、前記処理手段が画像処理装置であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の薄膜評価装置
。 ４、前記針に加わる荷重の検出用の荷重検出器を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項のいず
れか一項記載の薄膜評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7144087A JPS63238448A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 薄膜評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7144087A JPS63238448A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 薄膜評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238448A true JPS63238448A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13460601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7144087A Pending JPS63238448A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 薄膜評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63238448A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0475952U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-02 | ||
| JPH07325029A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nec Corp | 薄膜物性評価装置 |
| JP2019086494A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 荷重設定装置、スクラッチ装置、荷重設定方法及びスクラッチ方法 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7144087A patent/JPS63238448A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0475952U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-02 | ||
| JPH07325029A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nec Corp | 薄膜物性評価装置 |
| JP2019086494A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 荷重設定装置、スクラッチ装置、荷重設定方法及びスクラッチ方法 |
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