JPS63237538A - ウエハオ−トプロ−バ - Google Patents
ウエハオ−トプロ−バInfo
- Publication number
- JPS63237538A JPS63237538A JP62070405A JP7040587A JPS63237538A JP S63237538 A JPS63237538 A JP S63237538A JP 62070405 A JP62070405 A JP 62070405A JP 7040587 A JP7040587 A JP 7040587A JP S63237538 A JPS63237538 A JP S63237538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- array
- stage
- light
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000219793 Trifolium Species 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012883 sequential measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェハ状態でのLSI 、 MSI 、 10
等の特性を自動的に測定する次めのウェハオートクロ
ーバに関する。
等の特性を自動的に測定する次めのウェハオートクロ
ーバに関する。
第3図は従来のウェハオートクローバの概念図である。
第4図はウェハの拡大図であり、ウェハ上の素子列とス
テージの移動方向を説明する九めのものである。第5図
に素子の拡大図であゃ、素子のパッド(電極)とプロー
ブ(針)との関係を示し虎ものである。
テージの移動方向を説明する九めのものである。第5図
に素子の拡大図であゃ、素子のパッド(電極)とプロー
ブ(針)との関係を示し虎ものである。
ウェハ2はステージ6の上に真空吸着によって固定され
、ステージ6を上昇させることにより素子3のパッドに
1筐−プ7を接触させて測定を行なう。測定終了後ステ
ージ6を降下させ、前後方向若しくは左右方向にステー
ジ6fe移動させて次の測定対象の素子3をプローブ7
の直下に置き、再びステージ6を上昇させて測定を行な
う。
、ステージ6を上昇させることにより素子3のパッドに
1筐−プ7を接触させて測定を行なう。測定終了後ステ
ージ6を降下させ、前後方向若しくは左右方向にステー
ジ6fe移動させて次の測定対象の素子3をプローブ7
の直下に置き、再びステージ6を上昇させて測定を行な
う。
素子の大きさは、例えば第5図のように1111という
小さな矩形の中に形成されているので、プローブ(針〕
と素子のバンド(数10ミクロン程度の電極)との位置
合わせは精確でなければならない。特に素子列に沿って
順次測定を継続するときには素子列の方向とステージの
移動方向は厳密に一致させておかないと、移動にともな
って第4図のようにプローブが素子から離れて測定を不
可能とする。
小さな矩形の中に形成されているので、プローブ(針〕
と素子のバンド(数10ミクロン程度の電極)との位置
合わせは精確でなければならない。特に素子列に沿って
順次測定を継続するときには素子列の方向とステージの
移動方向は厳密に一致させておかないと、移動にともな
って第4図のようにプローブが素子から離れて測定を不
可能とする。
通常、ウェハの装着には、ウェハのオリ7う8(ウェハ
の結晶方位を表示するためにウェハ端部を折った直線部
分)を基準に素子列を想定して、ステージの移動方向と
概略一致させる。
の結晶方位を表示するためにウェハ端部を折った直線部
分)を基準に素子列を想定して、ステージの移動方向と
概略一致させる。
次いで、ステージ6を前後、左右に移動させて素子列か
らプローブのずれを拡大鏡1を介して観察しステージを
僅かに回転させることにより厳密に一致させていた。
らプローブのずれを拡大鏡1を介して観察しステージを
僅かに回転させることにより厳密に一致させていた。
ところで、ウェハ上の素子列とステージの移動方向に対
応するプローブの配置を厳密に一致させるためには、上
記のように拡大鏡を用いて、素子表面とプローブの先端
を同−視野内で明瞭に観察する必要がある。一方の像が
不鮮明であると、両者を一致させる作業は大変困難とな
る。
応するプローブの配置を厳密に一致させるためには、上
記のように拡大鏡を用いて、素子表面とプローブの先端
を同−視野内で明瞭に観察する必要がある。一方の像が
不鮮明であると、両者を一致させる作業は大変困難とな
る。
しかし、プローブと素子を接触させた状態でステージを
移動することは不可能であるために、プローブは素子よ
シ手前に位置することによシ、両者を同時にピント合わ
せすることはできなかった。
移動することは不可能であるために、プローブは素子よ
シ手前に位置することによシ、両者を同時にピント合わ
せすることはできなかった。
本発明は、上記の問題点を解消し、同−視野内で鮮明な
像をもとにクエへの素子列とステージの移動方向を一致
させることができるウェハオートクローバと提供しよう
とするものである。
像をもとにクエへの素子列とステージの移動方向を一致
させることができるウェハオートクローバと提供しよう
とするものである。
本発明は、素子の特性を検査する之めのプローブと、こ
れに対向する位置にウェハを固定するステージと、該ス
テージと該プローブとを相対的に前後、左右及び上下方
向に移動させる手段とを有し、ウェハ上の各素子のバン
ドに上記プローブを順次接触させて、素子の特性検査を
行なうウェハオートクローバにおいて、上記プローブま
たはステージの平面移動方向に対応し次光の点列、また
は、光の線をウェハ上に投影する手段を付設し、尤の点
列また光の線とウェハ上の素子列を一致するように上記
ステージを回転させる手段を設は次ことを特徴とするウ
ェハオートクローバである。
れに対向する位置にウェハを固定するステージと、該ス
テージと該プローブとを相対的に前後、左右及び上下方
向に移動させる手段とを有し、ウェハ上の各素子のバン
ドに上記プローブを順次接触させて、素子の特性検査を
行なうウェハオートクローバにおいて、上記プローブま
たはステージの平面移動方向に対応し次光の点列、また
は、光の線をウェハ上に投影する手段を付設し、尤の点
列また光の線とウェハ上の素子列を一致するように上記
ステージを回転させる手段を設は次ことを特徴とするウ
ェハオートクローバである。
第1図は本発明に係るウェハの位置決め手段を説明する
ための概念図であシ、第2図はその際の拡大鏡の視野内
°を模式的に示した図である。
ための概念図であシ、第2図はその際の拡大鏡の視野内
°を模式的に示した図である。
第1図ではプローブとステージを省略した。
ウェハ2の上に形成された素子3を拡大鏡1 ・で見る
と第2図のように素子列を見ることができる。一方、f
、#4から光の点5が投影され素子の表面に十分小さな
光点の列を形成する。光点の列は光の線でもよい。この
光点の列はステージの移動方向、即ち、プローブの位置
に対応させておき、光点の列と素子列が一致するように
ウェハを若干回転して調整する。この光点は十分小さい
像を素子表面に形成しているため、拡大鏡で素子列と光
点を同時に鮮明に観察することができ、上記調Uを精確
に実施することができる。この光投影はプローブのよう
に物理的に接触させないので、投影をしながらウェハを
移動することができる。
と第2図のように素子列を見ることができる。一方、f
、#4から光の点5が投影され素子の表面に十分小さな
光点の列を形成する。光点の列は光の線でもよい。この
光点の列はステージの移動方向、即ち、プローブの位置
に対応させておき、光点の列と素子列が一致するように
ウェハを若干回転して調整する。この光点は十分小さい
像を素子表面に形成しているため、拡大鏡で素子列と光
点を同時に鮮明に観察することができ、上記調Uを精確
に実施することができる。この光投影はプローブのよう
に物理的に接触させないので、投影をしながらウェハを
移動することができる。
本発明は上記構成を採用することにより、測定用プロー
ブがウェハ素子列に沿って平行に移動することを容易に
確認することができ、ウェハの装着作業が精確に迅速に
行なうことができるようになった。
ブがウェハ素子列に沿って平行に移動することを容易に
確認することができ、ウェハの装着作業が精確に迅速に
行なうことができるようになった。
第1図は、本発明に係るウェハの位置決め手段の説明図
、第2図は拡大鏡の視野内の模式図、第3図は従来のウ
ェハオートクローバの概念図、第4図はウェハの素子列
とステージの移動方向の一例を示した拡大図、第5図は
測定用プローブと素子のパッドとの関係を示し次素子の
拡大図である。
、第2図は拡大鏡の視野内の模式図、第3図は従来のウ
ェハオートクローバの概念図、第4図はウェハの素子列
とステージの移動方向の一例を示した拡大図、第5図は
測定用プローブと素子のパッドとの関係を示し次素子の
拡大図である。
Claims (1)
- 素子の特性を検査するためのプローブと、これに対向す
る位置にウェハを固定するステージと、該ステージと該
プローブとを相対的に前後、左右及び上下方向に移動さ
せる手段とを有し、ウェハ上の各素子のパッドに上記プ
ローブを順次接触させて、素子の特性検査を行なうウエ
ハオートプローバにおいて、上記プローブまたはステー
ジの平面移動方向に対応した光の点列、または、光の線
をウェハ上に投影する手段を付設し、光の点列また光の
線とウェハ上の素子列を一致するように上記ステージを
回転させる手段を設けたことを特徴とするウエハオート
プローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62070405A JPS63237538A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | ウエハオ−トプロ−バ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62070405A JPS63237538A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | ウエハオ−トプロ−バ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63237538A true JPS63237538A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13430521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62070405A Pending JPS63237538A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | ウエハオ−トプロ−バ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63237538A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5217907A (en) * | 1992-01-28 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction |
CN102621355A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-01 | 上海华力微电子有限公司 | 针尖保护装置及其具有针尖保护装置的探针卡 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP62070405A patent/JPS63237538A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5217907A (en) * | 1992-01-28 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction |
CN102621355A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-01 | 上海华力微电子有限公司 | 针尖保护装置及其具有针尖保护装置的探针卡 |
CN102621355B (zh) * | 2012-04-13 | 2014-08-13 | 上海华力微电子有限公司 | 针尖保护装置及其具有针尖保护装置的探针卡 |
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