JPS6323376A - ストツプランプ用発光ダイオ−ド - Google Patents
ストツプランプ用発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6323376A JPS6323376A JP61167503A JP16750386A JPS6323376A JP S6323376 A JPS6323376 A JP S6323376A JP 61167503 A JP61167503 A JP 61167503A JP 16750386 A JP16750386 A JP 16750386A JP S6323376 A JPS6323376 A JP S6323376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- light emitting
- light
- reinforcing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、自動車のストップランプの光源として最適な
発光ダイオードに関するものである。
発光ダイオードに関するものである。
〔従来の技術・発明が解決しようとする問題点〕従来、
自動車のストップランプの発光源としては、たとえばフ
ィラメントを使用したものがあるが、フィラメントを使
用したランプは消費電力が２〜１．ＯＡと比較的多く、
そのため発熱が著しいので断線し易く、しかもランプ自
体が大きくかつ重くなる。このような問題点を解決する
ために、市販されている発光ダイオード（自動車のバッ
テリー電圧は通常１２．８Ｖであるため一定の輝度の発
光に必要な印加電圧が１．３〜２．５■のＬＥＤ ）を
複数個用いて左板上に縦横に整列して取付けたものをフ
ィラメントの代わりに発光源として用いたちのがある。
自動車のストップランプの発光源としては、たとえばフ
ィラメントを使用したものがあるが、フィラメントを使
用したランプは消費電力が２〜１．ＯＡと比較的多く、
そのため発熱が著しいので断線し易く、しかもランプ自
体が大きくかつ重くなる。このような問題点を解決する
ために、市販されている発光ダイオード（自動車のバッ
テリー電圧は通常１２．８Ｖであるため一定の輝度の発
光に必要な印加電圧が１．３〜２．５■のＬＥＤ ）を
複数個用いて左板上に縦横に整列して取付けたものをフ
ィラメントの代わりに発光源として用いたちのがある。
すなわち、第３図にその回路を示すように、数個（この
図では４個）のＬＥＤを直列に接続し、この直列接続し
たものを入力電圧端子Ａ、Ｂ間に複数並列接続した回路
をランプの発光源として用いた場合は、ＬＥＤがフィラ
メントよりも低電圧・低電流で発光するため、消費電力
がＩＡ程度以下と非常に少なく、断線するようなことは
ないので、半永久的に使用することができ、加えてラン
プ自体も軽くかつ小さくなる。この回路においてＬＥ［
］を直列に接続した部分にそれぞれ設けた抵抗Ｒは、バ
ッテリー電圧の変動（１２Ｖ〜１５■）による、特に電
圧降下によるＬＥＤの発光輝度の急激な低下を防止する
ためのものである。
図では４個）のＬＥＤを直列に接続し、この直列接続し
たものを入力電圧端子Ａ、Ｂ間に複数並列接続した回路
をランプの発光源として用いた場合は、ＬＥＤがフィラ
メントよりも低電圧・低電流で発光するため、消費電力
がＩＡ程度以下と非常に少なく、断線するようなことは
ないので、半永久的に使用することができ、加えてラン
プ自体も軽くかつ小さくなる。この回路においてＬＥ［
］を直列に接続した部分にそれぞれ設けた抵抗Ｒは、バ
ッテリー電圧の変動（１２Ｖ〜１５■）による、特に電
圧降下によるＬＥＤの発光輝度の急激な低下を防止する
ためのものである。
ところで、自動車のストップランプでは鮮明な赤色光を
外部に発散して視覚に対して注意を強力に働き掛け、確
実に視認できるようにする必要があるため、できるだけ
発光輝度の高いＬＥＤを使用することが好ましい。シン
グルヘテロ構造のＬＥＤにおいて、ＧａＡｓ基板は周知
のように光吸収性を呈するため、発光輝度を高めるには
このＧａＡＪ板をできる限り薄＜シて光取出効率を高め
ればよいわけであるが、そうするとＬＥＤの強度が低下
することになる。
外部に発散して視覚に対して注意を強力に働き掛け、確
実に視認できるようにする必要があるため、できるだけ
発光輝度の高いＬＥＤを使用することが好ましい。シン
グルヘテロ構造のＬＥＤにおいて、ＧａＡｓ基板は周知
のように光吸収性を呈するため、発光輝度を高めるには
このＧａＡＪ板をできる限り薄＜シて光取出効率を高め
ればよいわけであるが、そうするとＬＥＤの強度が低下
することになる。
また自動車のストップランプの製造において、多数のＬ
ＥＩ）をその製造後に１つずつ基板上に取付けてハンダ
付けする作業を人為的に行えば手間が掛かるが、この場
合ＬＥＤの強度を特別に考慮する必要はなく、通常行っ
ている通りにＬＥＤの取付けを行えばよい。しかしなが
ら、その基板に取付ける手間を省くと同時に、ＬＥＤの
製造から基板上への取付け・ハンダ付けまでの工程を一
貫かつ連続して機械的に行うには、市販されているＬＥ
Ｄはそれに耐えるだけの強度を有していない。すなわち
、市販のＬＥｌ′］は製造から基板上への取付けまでの
工程を連続して行うと破損することがある。そのため、
ＬＥＤの製造とＬＥＤの基板上への取付けとは通常別工
程で行わなければならず、自動車のストップランプの量
産にも限度がある。
ＥＩ）をその製造後に１つずつ基板上に取付けてハンダ
付けする作業を人為的に行えば手間が掛かるが、この場
合ＬＥＤの強度を特別に考慮する必要はなく、通常行っ
ている通りにＬＥＤの取付けを行えばよい。しかしなが
ら、その基板に取付ける手間を省くと同時に、ＬＥＤの
製造から基板上への取付け・ハンダ付けまでの工程を一
貫かつ連続して機械的に行うには、市販されているＬＥ
Ｄはそれに耐えるだけの強度を有していない。すなわち
、市販のＬＥｌ′］は製造から基板上への取付けまでの
工程を連続して行うと破損することがある。そのため、
ＬＥＤの製造とＬＥＤの基板上への取付けとは通常別工
程で行わなければならず、自動車のストップランプの量
産にも限度がある。
従って本発明の目的は、光取出効率が大きく、発光輝度
が高（、しかも製造からストップランプの基板上への取
付けまでの工程を一貫かつ連続して機械的に行うのに十
分な強度を有し、それにより自動車のストップランプを
量産可能にするストップランプ用発光ダイオードを提供
することにある。
が高（、しかも製造からストップランプの基板上への取
付けまでの工程を一貫かつ連続して機械的に行うのに十
分な強度を有し、それにより自動車のストップランプを
量産可能にするストップランプ用発光ダイオードを提供
することにある。
前記目的は、ＧａＡｓ基板と活性層とを有するシングル
ヘテロ構造の発光ダイオード用ウェハにおいて、酸Ｇａ
Ａｓ基板を可能な限り薄くし、ウェハの一方の面に光透
過性の補強層を設け、この補強層及びウェハの他方の面
に電極を設けてなることを特ｉ牧とする発光ダイオード
により達成される。
ヘテロ構造の発光ダイオード用ウェハにおいて、酸Ｇａ
Ａｓ基板を可能な限り薄くし、ウェハの一方の面に光透
過性の補強層を設け、この補強層及びウェハの他方の面
に電極を設けてなることを特ｉ牧とする発光ダイオード
により達成される。
本発明のストップランプ用発光ダイオード（ＬＥＤ）は
、ＧａＡｓ基板と活性層とを有するシングルヘテロ構造
のＬＥＤ用ウェハにおいて、光吸収性のＧａＡｓ基板を
できる限り薄くし、この薄くした基板の表面またはウェ
ハの一方の面に光透過性の補強層を設けたことを特徴と
するものであり、具体的には活性層の表面に補強層を設
けた場合は、補強層及び基板にそれぞれ電極を設け、基
板の表面に補強層を設けた場合は、活性層及び補強層に
それぞれ電極を設けたものである。
、ＧａＡｓ基板と活性層とを有するシングルヘテロ構造
のＬＥＤ用ウェハにおいて、光吸収性のＧａＡｓ基板を
できる限り薄くし、この薄くした基板の表面またはウェ
ハの一方の面に光透過性の補強層を設けたことを特徴と
するものであり、具体的には活性層の表面に補強層を設
けた場合は、補強層及び基板にそれぞれ電極を設け、基
板の表面に補強層を設けた場合は、活性層及び補強層に
それぞれ電極を設けたものである。
本発明において、ＧａＡｓ基板をできるだけ薄くする理
由は、ＧａＡｓ基板は光吸収性を呈し、活性層からの光
の一部を吸収するためであり、このＧａＡｓ基板を薄く
することにより光取出効率を向上させ、Ｇａ八へ基板を
薄くした分だけＬＥＤの強度が低下するので、それを補
うと共にさらに強度を高めるために光透過性の補強層を
設けるのである。
由は、ＧａＡｓ基板は光吸収性を呈し、活性層からの光
の一部を吸収するためであり、このＧａＡｓ基板を薄く
することにより光取出効率を向上させ、Ｇａ八へ基板を
薄くした分だけＬＥＤの強度が低下するので、それを補
うと共にさらに強度を高めるために光透過性の補強層を
設けるのである。
従って、ＧａＡ４板の厚さは１〜１５０ ｙ、好ましく
は５０Ｐ−以下、さらに好ましくはｔｏＰｍ以下と非常
に薄いことが好ましく、補強層の厚さは１０〜１５０１
・・、特には５０．Ｊ−程度であれば、製造から基板上
への取付けまでの連続工程に十分に耐える強度を有する
ＬＥＤを得ることができる。
は５０Ｐ−以下、さらに好ましくはｔｏＰｍ以下と非常
に薄いことが好ましく、補強層の厚さは１０〜１５０１
・・、特には５０．Ｊ−程度であれば、製造から基板上
への取付けまでの連続工程に十分に耐える強度を有する
ＬＥＤを得ることができる。
また、補強層の材料としては、活性層からの光を’２ｒ
ｉＤする光透過性を有するものならば別に限定されるこ
とはなく、たとえばＡｌＧａＡｓなどの材料をイ壬意に
選）尺して用いればよい。
ｉＤする光透過性を有するものならば別に限定されるこ
とはなく、たとえばＡｌＧａＡｓなどの材料をイ壬意に
選）尺して用いればよい。
さらに、本発明でいうところのストップランプは、自動
車のりャバンパの上方の位置に取付けられている通常の
ストップランプのみではなく、たとえば車室の内部にお
いて後部窓ガラスを通して自動車の後方から良く見える
位置に取付けるストップランプをも包含するものであり
、このストップランプは通常のストップランプよりも高
い位置に取付けるということからハイマウント・ストッ
プランプと呼称されており、本発明の１、ＥＤは特にこ
のハイマウント・ストップランプに最適なものである。
車のりャバンパの上方の位置に取付けられている通常の
ストップランプのみではなく、たとえば車室の内部にお
いて後部窓ガラスを通して自動車の後方から良く見える
位置に取付けるストップランプをも包含するものであり
、このストップランプは通常のストップランプよりも高
い位置に取付けるということからハイマウント・ストッ
プランプと呼称されており、本発明の１、ＥＤは特にこ
のハイマウント・ストップランプに最適なものである。
以下、本発明のストップランプ用発光ダイオードを実施
例に基づいて説明する。
例に基づいて説明する。
第１図はその一実施例を示したもので、この発光ダイオ
ード（ＬＥＩ））は、ＧａＡｓ基板Ｂ基板面光層である
ＡｌＧａＡｓ活性層１と、電子の逆流を防止するバリヤ
層である光透過性のＡｌＧａＡｓ補強層２とを形成した
シングルヘテロ接合を有し、補強層２の表面のほぼ中央
にｐ側円板状電極Ｅ１が、基板Ｂの表面の全面にｎ側電
極Ｅ２が設けられている。
ード（ＬＥＩ））は、ＧａＡｓ基板Ｂ基板面光層である
ＡｌＧａＡｓ活性層１と、電子の逆流を防止するバリヤ
層である光透過性のＡｌＧａＡｓ補強層２とを形成した
シングルヘテロ接合を有し、補強層２の表面のほぼ中央
にｐ側円板状電極Ｅ１が、基板Ｂの表面の全面にｎ側電
極Ｅ２が設けられている。
上記のような構造を有するＬＥＤの製造方法の一例とし
ては、まず、厚さが約３５０戸のＧａＡｓ基板Ｂ上に、
発光層となるＡｌｏ、 ｚｓＧａｏ、 ｂｓＡｓ活性層
１をエピタキシャル成長させる。次に、電子の逆流を防
止するバリヤ層を兼ねるＡ１゜、、Ｇａｏ、 ５Ａｓ補
強層２をエピタキシャル成長させて、シングルヘテロ接
合を形成する。このとき、補強層２はＬＥＤの強度を補
うと同時に、光透過性を有していなければならないので
、例えばＡｌＧａＡｓを用い、その厚さも１００−程度
と比較的厚くエピタキシャル成長させる。
ては、まず、厚さが約３５０戸のＧａＡｓ基板Ｂ上に、
発光層となるＡｌｏ、 ｚｓＧａｏ、 ｂｓＡｓ活性層
１をエピタキシャル成長させる。次に、電子の逆流を防
止するバリヤ層を兼ねるＡ１゜、、Ｇａｏ、 ５Ａｓ補
強層２をエピタキシャル成長させて、シングルヘテロ接
合を形成する。このとき、補強層２はＬＥＤの強度を補
うと同時に、光透過性を有していなければならないので
、例えばＡｌＧａＡｓを用い、その厚さも１００−程度
と比較的厚くエピタキシャル成長させる。
その後、基板Ｂの大部分を既知の手段（たとえばアンモ
ニア、過酸化水素などのエツチング液など）によって取
り除いて非常にＦｔｔ＜ （１０Ｐ−程度）した後に
、補強層２の上面のほぼ中央にｐ側の電極材としてたと
えばＣｒ −Ａｕからなる円板状型）Ｍ Ｅ １を、ま
た基板Ｂの下面の全面にｐ側の電極材としてたとえばＡ
ｕ −Ｇｅからなる電極Ｅ２を真空蒸着などの手段によ
って設けることによって製造される。
ニア、過酸化水素などのエツチング液など）によって取
り除いて非常にＦｔｔ＜ （１０Ｐ−程度）した後に
、補強層２の上面のほぼ中央にｐ側の電極材としてたと
えばＣｒ −Ａｕからなる円板状型）Ｍ Ｅ １を、ま
た基板Ｂの下面の全面にｐ側の電極材としてたとえばＡ
ｕ −Ｇｅからなる電極Ｅ２を真空蒸着などの手段によ
って設けることによって製造される。
上記のような構造のＬＥＤは、光吸収性のＧａＡｓ基板
Ｂ基板面るだけ薄くシたことにより、活性層１からの光
のうち基板Ｂの方向に放射する光が基板Ｂによってほと
んど吸収されずに逆に基板已によって反射され、再び活
性層１を通過して基板Ｂの上方に放射され、光取出効率
を向上させることができる。この反射光は活性層１を通
過する際に、活性層１により励起されてより強い光にな
るので、ＬＥＤの発光輝度が一層高まる。またＧａＡｓ
基板を１（した分だけ強度が低下するので、それを補う
と同時にさらに強度を高めるために、光透過性の材料か
らなる補強層を設けたことにより、光の…失なく基板Ｂ
の上方に光を取出すことができると共に、ＬＥＤの製造
からストップランプの基板上への取付けまでの工程を機
械的に連続して行え、ストップランプを量産することが
できる。
Ｂ基板面るだけ薄くシたことにより、活性層１からの光
のうち基板Ｂの方向に放射する光が基板Ｂによってほと
んど吸収されずに逆に基板已によって反射され、再び活
性層１を通過して基板Ｂの上方に放射され、光取出効率
を向上させることができる。この反射光は活性層１を通
過する際に、活性層１により励起されてより強い光にな
るので、ＬＥＤの発光輝度が一層高まる。またＧａＡｓ
基板を１（した分だけ強度が低下するので、それを補う
と同時にさらに強度を高めるために、光透過性の材料か
らなる補強層を設けたことにより、光の…失なく基板Ｂ
の上方に光を取出すことができると共に、ＬＥＤの製造
からストップランプの基板上への取付けまでの工程を機
械的に連続して行え、ストップランプを量産することが
できる。
第２図は別の実施例を示し、薄くしたＧａＡｓ基板Ｂ基
板面に補強層２を設けた点が第１図に示した実施例と異
なるが、作用効果は全く同一である。
板面に補強層２を設けた点が第１図に示した実施例と異
なるが、作用効果は全く同一である。
このＬＥＤは、基板Ｂ上にＡｌＧａＡｓ活性層１をエピ
タキシャル成長させた後に、基板Ｂを前述と同様にその
大部分を取り除いて薄くし、この薄くした基板Ｂの表面
にＡｌＧａＡｓ補強層２をエピタキシャル成長させて、
電極Ｅ１、Ｅ２を活性層１と補強層２にそれぞれ設ける
ことにより得られる。
タキシャル成長させた後に、基板Ｂを前述と同様にその
大部分を取り除いて薄くし、この薄くした基板Ｂの表面
にＡｌＧａＡｓ補強層２をエピタキシャル成長させて、
電極Ｅ１、Ｅ２を活性層１と補強層２にそれぞれ設ける
ことにより得られる。
上記の実施例のＬＥＤは、いずれもＧａＡｓ基板Ｂ基板
面ＧａＡｓ活性層１とＡｌＧａＡｓ補強層２をエピタキ
シャル成長させたものであるが、これは市販のウェハを
用いたものであっても構わない。すなわち、たとえば第
１図に示したＬＥＤと同一のものを製造するには、Ｇａ
Ａｓ基板および活性層を有する市販のシンクルへテロ構
造のウェハにおいて、活性層上にＡｌＧａＡｓをエピタ
キシャル成長させて光透過性の補強層を設け、ＧａＡｓ
基板を薄くすればよい。
面ＧａＡｓ活性層１とＡｌＧａＡｓ補強層２をエピタキ
シャル成長させたものであるが、これは市販のウェハを
用いたものであっても構わない。すなわち、たとえば第
１図に示したＬＥＤと同一のものを製造するには、Ｇａ
Ａｓ基板および活性層を有する市販のシンクルへテロ構
造のウェハにおいて、活性層上にＡｌＧａＡｓをエピタ
キシャル成長させて光透過性の補強層を設け、ＧａＡｓ
基板を薄くすればよい。
以上説明したように、本発明のストップランプ用発光ダ
イオード（ＬＥＤ）は、シングルヘテロ構造のＬＨ［ｌ
用ウェハのＧａＡｓ基板を非常に薄＜シ、かつウェハの
一方の面に光透過性の補強層を設け、その補強層及びウ
ェハの他方の面に電極を設けたものであり、光吸収性の
ＧａＡＪ仮を薄くしたことにより、光を吸収されること
なく取出せるので、光取出効率を大きくできる。また基
板を薄くシた分だけＬＥＤの強度が低下するが、それを
補うと共にさらに強度を高めるために光透過性の補強層
を設けたことにより、光を損失なく取出すことができ、
ＬＥＤの製造から基（反上への取付けまでの工程を連続
して機械的に行うことができ、スト・ノブランプの量産
性が高まることになる。
イオード（ＬＥＤ）は、シングルヘテロ構造のＬＨ［ｌ
用ウェハのＧａＡｓ基板を非常に薄＜シ、かつウェハの
一方の面に光透過性の補強層を設け、その補強層及びウ
ェハの他方の面に電極を設けたものであり、光吸収性の
ＧａＡＪ仮を薄くしたことにより、光を吸収されること
なく取出せるので、光取出効率を大きくできる。また基
板を薄くシた分だけＬＥＤの強度が低下するが、それを
補うと共にさらに強度を高めるために光透過性の補強層
を設けたことにより、光を損失なく取出すことができ、
ＬＥＤの製造から基（反上への取付けまでの工程を連続
して機械的に行うことができ、スト・ノブランプの量産
性が高まることになる。
第１図は本発明のストップランプ用発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）の一実施例の断面図、第２図は別の実施例の断面
図、第３図はＬＥＤを用いた一般的な自動車のストップ
ランプの一部省略回路図である。 Ｂ ：基板 １ ；活性層 ２ ：補強層 Ｅｌ、Ｅ２：電極 第１図 第２図 第３図 手続主甫正書く方式） ％式％ １、事件の表示 ストップランプ用発光ダイオード ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏名（名称） 三菱電線工業株式会社 ４、代理人■５４１ 住所 大阪市東区平野町４丁目５３番地３ニューライフ
平野町４０６号 置 （０６） ２２７４１５６ 昭和６１年９月３０日（発送日） ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容
ＥＤ）の一実施例の断面図、第２図は別の実施例の断面
図、第３図はＬＥＤを用いた一般的な自動車のストップ
ランプの一部省略回路図である。 Ｂ ：基板 １ ；活性層 ２ ：補強層 Ｅｌ、Ｅ２：電極 第１図 第２図 第３図 手続主甫正書く方式） ％式％ １、事件の表示 ストップランプ用発光ダイオード ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏名（名称） 三菱電線工業株式会社 ４、代理人■５４１ 住所 大阪市東区平野町４丁目５３番地３ニューライフ
平野町４０６号 置 （０６） ２２７４１５６ 昭和６１年９月３０日（発送日） ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容
Claims (5)
- （１）ＧａＡｓ基板と活性層とを有するシングルヘテロ
構造の発光ダイオード用ウェハにおいて、該ＧａＡｓ基
板を可能な限り薄くし、ウェハの一方の面に光透過性の
補強層を設け、この補強層及びウェハの他方の面に電極
を設けてなることを特徴とする自動車のストップランプ
用発光ダイオード。 - （２）前記補強層が活性層の表面に設けられ、前記電極
が補強層及び基板に設けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のストップランプ用発光ダ
イオード。 - （３）前記補強層が基板の表面に設けられ、前記電極が
活性層及び補強層に設けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のストップランプ用発光ダ
イオード。 - （４）前記補強層がＡｌＧａＡｓからなることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載のストップランプ用
発光ダイオード。 - （５）前記補強層の厚さが１０〜１５０μｍで、前記基
板の厚さが１〜１５０μｍであることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載のストップランプ用発光ダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167503A JPS6323376A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | ストツプランプ用発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167503A JPS6323376A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | ストツプランプ用発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323376A true JPS6323376A (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=15850890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167503A Pending JPS6323376A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | ストツプランプ用発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0356037A2 (en) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Hewlett-Packard Company | Method of making an electro-optical device with inverted transparent substrate |
| US5115286A (en) * | 1988-08-26 | 1992-05-19 | Hewlett-Packard Company | Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61167503A patent/JPS6323376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0356037A2 (en) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Hewlett-Packard Company | Method of making an electro-optical device with inverted transparent substrate |
| US5115286A (en) * | 1988-08-26 | 1992-05-19 | Hewlett-Packard Company | Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11605758B2 (en) | Display device including nanostructured LEDs connected in parallel | |
| CN110121781B (zh) | 包括多个像素的显示用发光二极管单元及具有该显示用发光二极管单元的显示装置 | |
| Werner | Higher visibility for LEDs | |
| US7897981B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| US10177286B2 (en) | Light emitting element package having three regions | |
| CN101295760A (zh) | 发光二极管 | |
| US9006768B2 (en) | Light emitting diode having increased light extraction | |
| KR101614182B1 (ko) | 복수 개의 발광 다이오드 방출체를 포함한 조명등 | |
| JP2004207580A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US9269861B2 (en) | Light emitting device package and lighting device for vehicle including the same | |
| US7026652B2 (en) | Semiconductor light emitting diode | |
| JPS6323376A (ja) | ストツプランプ用発光ダイオ−ド | |
| US20220231190A1 (en) | Vertical light emitting diode structure with high current dispersion and high reliability | |
| JPS62141788A (ja) | 発光ダイオ−ド表示装置 | |
| US20210066563A1 (en) | Semiconductor device and light emitting element package including same | |
| KR20210015266A (ko) | 발광소자 | |
| JP2000149765A (ja) | 蛍光表示装置 | |
| JPS6332972A (ja) | ランプ | |
| CN217606844U (zh) | 一种提高车灯亮度的车用倒装led芯片 | |
| US20070228406A1 (en) | Chip package structure and method for manufacturing bumps | |
| JPH0193037A (ja) | 蛍光表示管 | |
| CN102341923A (zh) | 具有冗余电极的led装置及其制造方法 | |
| JPH0414843Y2 (ja) | ||
| JPS61140033A (ja) | 螢光表示管 | |
| JPH0888410A (ja) | 発光ダイオード |