CN217606844U - 一种提高车灯亮度的车用倒装led芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底和生长在蓝宝石衬底上的外延层；外延层上刻蚀有正极区和负极区；正极区上蒸镀有ITO层，且ITO层上开设有多个的ITO孔；ITO层上溅射有银镜层；银镜层上覆盖有形状尺寸与外延层相同的绝缘层，且绝缘层上与正极区对应的位置开设有正极口，与负极区对应的位置开设有负极口；绝缘层上设置有PAD层，PAD层包括N极区和P极区，且N极区与负极口接触，P极区与正极口接触。本实用新型通过在ITO层上开设若干ITO孔，使覆盖正极区的ITO面积减小，减少ITO吸光的同时利于引导电流从有ITO覆盖的正极区流向无ITO覆盖的正极区，提高了正极电流注入比例及流动性，从而有效提高芯片的亮度。

Description

一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片

技术领域

本实用新型涉及LED车灯照明技术领域，特别涉及一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)，即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。

随着经济的不断发展，汽车作为代步工具越加普及到各个家庭。近十多年来，LED作为车灯照明的趋势越加显著，从工艺路线上看，车用照明的LED芯片全部采用倒装芯片结构，主要是由于倒装芯片无需打线，缩小封装模组的体积，同时适合多种材质的封装基板。从客户端使用情况来看，由于汽车需要在夜间行驶，对亮度的要求高，所以对车用LED芯片亮度提升也越发迫切。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，以提高汽车车灯的照明亮度。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底和生长在蓝宝石衬底上的外延层；

所述外延层上刻蚀有正极区和负极区；

所述正极区上蒸镀有ITO层，且所述ITO层上开设有多个ITO孔；

所述ITO层上溅射有银镜层；

所述银镜层上覆盖有形状尺寸与所述外延层相同的绝缘层，且所述绝缘层上与所述正极区对应的位置开设有正极口，与所述负极区对应的位置开设有负极口；

所述绝缘层上设置有PAD层，所述PAD层包括N极区和P极区，且所述N极区与所述负极口接触，所述P极区与所述正极口接触。

进一步地，所述ITO孔以正三角矩阵排列方式均匀间隔开设在所述ITO层上。

进一步地，所述银镜层与所述绝缘层之间还包括有银金属层。

进一步地，所述银金属层包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层；

所述银镜层的材料包括银、镍和钛钨。

进一步地，所述负极区包括第一负极和第二负极，所述第一负极为圆孔状且呈矩阵分布刻蚀在所述外延层上；

所述外延层上除所述第一负极的区域刻蚀有所述正极区，且所述正极区位于四周的边缘均匀间隔有向所述正极区内凹的凹口，所述外延层上与所述凹口处对应的区域刻蚀有所述第二负极。

进一步地，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有LINE金属层；

所述第一绝缘层覆盖在所述ITO层上，且所述第一绝缘层上与所述第一负极对应的位置开设有半径小于所述第一负极的第一N极孔，所述第一绝缘层上与所述第二负极对应的位置开设有形状与所述第二负极相同但尺寸小于所述第二负极的第一N极口；

所述第一绝缘层上与所述ITO层对应的位置开设有多个条形的第一P极口，且多个所述第一P极口呈单行均匀间隔分布；

所述LINE金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖在所述第一P极口上，所述第一金属层的长宽均大于所述第一P极口，且大于的部分重叠在所述第一绝缘层上；

所述第二金属层覆盖在所述第一绝缘层上包括所述第一N极孔和所述第一N极口在内但除所述第一金属层之外的区域，且所述第二金属层的外围边缘与所述第一金属层的内围边缘具有预设距离；

所述第二绝缘层覆盖在所述LINE金属层上，且所述第二绝缘层上与所述第一金属层对应的位置开设有第二P极口，所述第二绝缘层上与所述第二金属层对应的位置开设有多个条形的第二N极口，且多个所述第二N极口呈单行均匀间隔分布。

进一步地，所述第二P极口与所述第一P极口的数量相同且与所述第一P极口一一对应开设在同一块所述第一金属层上；

所述第二N极口与所述第二P极口的数量相同。

进一步地，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为SiO₂绝缘层。

进一步地，所述第一金属层和所述第二金属层均包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层。

进一步地，所述PAD层包括依次堆叠的铬层、钛层、镍层和金锡层。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，由于无ITO覆盖的正极区的电流注入比例少于有ITO覆盖的正极区，所以无ITO覆盖的正极区内量子效率低于有ITO覆盖的正极区，进而导致芯片亮度低；而有ITO覆盖的正极区虽然提高了电流的注入比例，但ITO层存在吸光也会导致芯片的亮度有所降低，因此本实用新型通过在外延层正极区上蒸镀的ITO层上开设多个ITO孔，使得覆盖在正极区的ITO面积减小，减少ITO层吸光的同时，利于引导由PAD的P极区流入的正极电流经ITO层另一面溅射的银镜层下来后，由有ITO覆盖的正极区流向ITO孔及正极区边缘处无ITO覆盖的正极区，提高了正极电流注入比例及流动性，从而有效提高芯片的亮度。

附图说明

图1为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片的整体结构示意图；

图2为图1中A处的放大示意图；

图3为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片中外延层的结构示意图；

图4为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片中ITO层的结构示意图；

图5为ITO层上开设的ITO孔示意图；

图6为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片中第一绝缘层的结构示意图；

图7为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片中LINE金属层的结构示意图；

图8为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片中第二绝缘层的结构示意图；

图9为本实用新型实施例的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片中PAD层的结构示意图。

标号说明：

1、蓝宝石衬底；

2、外延层；21、正极区；211、凹口；22、负极区；221、第一负极；222、第二负极；

3、ITO层；31、ITO孔；

4、银镜层；5、银金属层；

6、第一绝缘层；61、第一P极口；62、第一N极孔；63、第一N极口；

7、LINE金属层；71、第一金属层；72、第二金属层；

8、第二绝缘层；81、第二P极口；82、第二N极口；

9、PAD层；91、P极区；92、N极区。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1至图9，一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底和生长在蓝宝石衬底上的外延层；

所述外延层上刻蚀有正极区和负极区；

所述正极区上蒸镀有ITO层，且所述ITO层上开设有多个ITO孔；

所述ITO层上溅射有银镜层；

所述银镜层上覆盖有形状尺寸与所述外延层相同的绝缘层，且所述绝缘层上与所述正极区对应的位置开设有正极口，与所述负极区对应的位置开设有负极口；

所述绝缘层上设置有PAD层，所述PAD层包括N极区和P极区，且所述N极区与所述负极口接触，所述P极区与所述正极口接触。

由上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：由于无ITO覆盖的正极区的电流注入比例少于有ITO覆盖的正极区，所以无ITO覆盖的正极区内量子效率低于有ITO覆盖的正极区，进而导致芯片亮度低；而有ITO覆盖的正极区虽然提高了电流的注入比例，但ITO层存在吸光也会导致芯片的亮度有所降低，因此本实用新型通过在外延层正极区上蒸镀的ITO层上开设多个ITO孔，使得覆盖在正极区的ITO面积减小，减少ITO层吸光的同时，利于引导由PAD的P极区流入的正极电流经ITO层另一面溅射的银镜层下来后，由有ITO覆盖的正极区流向ITO孔及正极区边缘处无ITO覆盖的正极区，提高了正极电流注入比例及流动性，从而有效提高芯片的亮度。

进一步地，所述ITO孔以正三角矩阵排列方式均匀间隔开设在所述ITO层上。

由上述描述可知，ITO孔以正三角矩阵排列的方式均匀间隔开设在ITO层上，使得ITO孔分布均匀减少ITO层吸光的同时确保ITO层的强度，也进一步提高了正极电流由有ITO覆盖的正极区流向无ITO覆盖的正极区的流动性，从而进一步提高芯片的亮度。

进一步地，所述银镜层与所述绝缘层之间还包括有银金属层。

由上述描述可知，银金属层可用于覆盖银镜层，以防止银镜层的银迁移。

进一步地，所述银金属层包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层；

所述银镜层的材料包括银、镍和钛钨。

由上述描述可知，银镜层的材料采用银、镍和钛钨，其中银既能作为反射镜将外延层上量子阱处发出的光反射至蓝宝石衬底处出光，又可以作为电流扩展层与ITO层进行粘合，而镍和钛钨则作为银的包覆层对其进行保护；同时银金属层采用依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层，其中铬层作为银镜层的粘附层与银镜层贴合，铝层作为反射层进一步增强银镜层的反射效果，钛层和铂层则作为铝层的包覆层以对铝层及铬层进行保护。

进一步地，所述负极区包括第一负极和第二负极，所述第一负极为圆孔状且呈矩阵分布刻蚀在所述外延层上；

所述外延层上除所述第一负极的区域刻蚀有所述正极区，且所述正极区位于四周的边缘均匀间隔有向所述正极区内凹的凹口，所述外延层上与所述凹口处对应的区域刻蚀有所述第二负极。

由上述描述可知，整体外延层上及靠近边缘处均均匀间隔设置有负极区，以提高负极电流由PAD的N极区的流入芯片负极的流动性，进一步提高LED芯片的亮度。

进一步地，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有LINE金属层；

所述第一绝缘层覆盖在所述ITO层上，且所述第一绝缘层上与所述第一负极对应的位置开设有半径小于所述第一负极的第一N极孔，所述第一绝缘层上与所述第二负极对应的位置开设有形状与所述第二负极相同但尺寸小于所述第二负极的第一N极口；

所述第一绝缘层上与所述ITO层对应的位置开设有多个条形的第一P极口，且多个所述第一P极口呈单行均匀间隔分布；

所述LINE金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖在所述第一P极口上，所述第一金属层的长宽均大于所述第一P极口，且大于的部分重叠在所述第一绝缘层上；

所述第二金属层覆盖在所述第一绝缘层上包括所述第一N极孔和所述第一N极口在内但除所述第一金属层之外的区域，且所述第二金属层的外围边缘与所述第一金属层的内围边缘具有预设距离；

所述第二绝缘层覆盖在所述LINE金属层上，且所述第二绝缘层上与所述第一金属层对应的位置开设有第二P极口，所述第二绝缘层上与所述第二金属层对应的位置开设有多个条形的第二N极口，且多个所述第二N极口呈单行均匀间隔分布。

由上述描述可知，采用两层绝缘层及其中间的一层LINE金属层，实现N极和P极电流、即正负极电流由PAD层注入到芯片的正负极，从而有效防止P极和N极短路；其中第二金属层用于将第一绝缘层上的所有第一N极孔和第一N极口串联并与PAD层的N极区接触，而第一金属层则作为第一绝缘层上的第一P极口和第二绝缘层上的第二P极口的连接导线再与PAD层的P极区接触，从而实现整体芯片的通电。

进一步地，所述第二P极口与所述第一P极口的数量相同且与所述第一P极口一一对应开设在同一块所述第一金属层上；

所述第二N极口与所述第二P极口的数量相同。

由上述描述可知，第一P极口和第二P极口两两共用同一块第一金属层，有效保证第一P极口与第二P极口在第一金属层的作用下的导通，且也能有效与第二金属层隔开，使得P极口和N极口的分布合理、便于区分且不易靠近，从而进一步防止P极和N极短路，避免芯片故障。

进一步地，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为SiO₂绝缘层。

由上述描述可知，绝缘层采用SiO₂材质，确保绝缘的同时具有无色透明的特性，以便第一金属层和第二金属层实现进一步将外延层上量子阱处发出的光反射至蓝宝石衬底处出光，提高芯片的亮度。

进一步地，所述第一金属层和所述第二金属层均包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层。

由上述描述可知，第一金属层和第二金属层均由依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层构成，其中铬层作为第一绝缘层的粘附层与第一绝缘层贴合，铝层作为反射层进一步增强第一金属层和第二金属层的反射效果，钛层和铂层则作为铝层的包覆层以对铝层及铬层进行保护。

进一步地，所述PAD层包括依次堆叠的铬层、钛层、镍层和金锡层。

由上述描述可知，PAD层由依次堆叠的铬层、钛层、镍层和金锡层构成，其中铬层作为电极与第一绝缘层的粘合剂以确保与第一绝缘层的粘合，钛层为转接层，镍层可用于增强金锡层的共晶结合力，以便金锡层通过共晶方式将整体芯片连接到封装基板上，完成芯片的封装。

本实用新型的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，用于汽车的车灯照明，以下结合具体的实施例进行说明。

请参照图1、图2、图3、图4和图9，本实用新型的实施例一为：

一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，如图1所示，包括蓝宝石衬底1和生长在蓝宝石衬底1上的外延层2。

其中，外延层2上刻蚀有正极区21和负极区22，在本实施例中，正极区21和负极区22采用MESA光刻工艺刻蚀得到。同时，如图3所示，负极区22包括第一负极221和第二负极222，第一负极221为圆孔状且呈矩阵分布刻蚀在外延层2上；而外延层2上除第一负极221的区域刻蚀有正极区21，且正极区21位于四周的边缘均匀间隔有向正极区21内凹的凹口211，外延层2上与凹口211处对应的区域刻蚀有第二负极222。

其中，如图2和图4所示，正极区21上蒸镀有ITO层3，ITO层3上溅射有银镜层4，且在本实施例中ITO层3上开设有均匀间隔的ITO孔31；同时银镜层4上覆盖有形状尺寸与外延层2相同的绝缘层，且绝缘层上与正极区21对应的位置开设有正极口，与负极区22对应的位置开设有负极口。

另外，如图2和图9所示，绝缘层上还设置有PAD层9，其中PAD层9包括P极区91和N极区92，且P极区91与绝缘层的正极口接触，N极区92与绝缘层的负极口接触。

即在本实施例中，由于无ITO覆盖的正极区21的电流注入比例少于有ITO覆盖的正极区21，所以无ITO覆盖的正极区21内量子效率低于有ITO覆盖的正极区21，进而导致芯片亮度低；而有ITO覆盖的正极区21虽然提高了电流的注入比例，但ITO层3存在吸光也会导致芯片的亮度有所降低，因此本实用新型通过在外延层2正极区21上蒸镀的ITO层3上开设多个ITO孔31，使得覆盖在正极区21的ITO面积减小，减少ITO层3吸光的同时，利于引导由PAD的P极区91流入的正极电流经ITO层3另一面溅射的银镜层4下来后，由有ITO覆盖的正极区21流向ITO孔31及正极区21边缘处无ITO覆盖的正极区21，提高了正极电流注入比例及流动性，从而有效提高芯片的亮度。同时整体外延层2上及靠近边缘处均均匀间隔设置有负极区22，以提高负极电流由PAD的N极区92的流入芯片负极的流动性，进一步提高LED芯片的亮度。

请参照图2和图5，本实用新型的实施例二为：

一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，在上述实施例一的基础上，在本实施例中，如图5所示，ITO孔31呈正三角矩阵排列方式均匀间隔开设在ITO层3上。

即在本实施例中，ITO孔31以正三角矩阵排列的方式均匀间隔开设在ITO层3上，使得ITO孔31分布均匀减少ITO层3吸光的同时确保ITO层3的强度，也进一步提高了正极电流由有ITO覆盖的正极区21流向无ITO覆盖的正极区21的流动性，从而进一步提高芯片的亮度。

其中，如图2所示，银镜层4与绝缘层之间还包括有银金属层5。银金属层5可用于覆盖银镜层4，以防止银镜层4的银迁移。在本实施例中，银金属层5包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层；银镜层4的材料包括银、镍和钛钨。

即银镜层4的材料采用银、镍和钛钨，其中银既能作为反射镜将外延层2上量子阱处发出的光反射至蓝宝石衬底1处出光，又可以作为电流扩展层与ITO层3进行粘合，而镍和钛钨则作为银的包覆层对其进行保护；同时银金属层5采用依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层，其中铬层作为银镜层4的粘附层与银镜层4贴合，铝层作为反射层进一步增强银镜层4的反射效果，钛层和铂层则作为铝层的包覆层以对铝层及铬层进行保护。

请参照图2、图6至图9，本实用新型的实施例三为：

一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，在上述实施例一或实施例二的基础上，在本实施例中，如图2所示，绝缘层包括第一绝缘层6和第二绝缘层8，且第一绝缘层6和第二绝缘层8之间还设置有LINE金属层7。

如图6所示，第一绝缘层6覆盖在ITO层3上，且第一绝缘层6上与第一负极221对应的位置开设有半径小于第一负极221的第一N极孔62，第一绝缘层6上与第二负极222对应的位置开设有形状与第二负极222相同但尺寸小于第二负极222的第一N极口63；同时第一绝缘层6上与ITO层3对应的位置开设有多个条形的第一P极口61，且多个第一P极口61呈单行均匀间隔分布。

如图7所示，LINE金属层7包括第一金属层71和第二金属层72，第一金属层71覆盖在第一P极口61上，第一金属层71的长宽均大于第一P极口61，且大于的部分重叠在第一绝缘层6上；同时第二金属层72覆盖在第一绝缘层6上包括第一N极孔62和第一N极口63在内但除第一金属层71之外的区域，且第二金属层72的外围边缘与第一金属层71的内围边缘具有预设距离。

如图8所示，第二绝缘层8覆盖在LINE金属层7上，且第二绝缘层8上与第一金属层71对应的位置开设有第二P极口81，第二绝缘层8上与第二金属层72对应的位置开设有多个条形的第二N极口82，且多个第二N极口82呈单行均匀间隔分布。

即在本实施例中，采用两层绝缘层及其中间的一层LINE金属层7，实现N极和P极电流、即正负极电流由PAD层9注入到芯片的正负极，从而有效防止P极和N极短路；其中第二金属层72用于将第一绝缘层6上的所有第一N极孔62和第一N极口63串联并与PAD层9的N极区92接触，而第一金属层71则作为第一绝缘层6上的第一P极口61和第二绝缘层8上的第二P极口81的连接导线再与PAD层9的P极区91接触，从而实现整体芯片的通电。

其中，第二P极口81与第一P极口61的数量相同且与第一P极口61一一对应开设在同一块第一金属层71上；同时第二N极口82与第二P极口81的数量相同。即第一P极口61和第二P极口81两两共用同一块第一金属层71，有效保证第一P极口61与第二P极口81在第一金属层71的作用下的导通，且也能有效与第二金属层72隔开，使得P极口和N极口的分布合理、便于区分且不易靠近，从而进一步防止P极和N极短路，避免芯片故障。

其中，在本实施例中，第一绝缘层6和第二绝缘层8均采用SiO₂材质的绝缘层，确保绝缘的同时由于SiO₂具有无色透明的特性，能够便第一金属层71和第二金属层72实现进一步将外延层2上量子阱处发出的光反射至蓝宝石衬底1处出光，进一步提高芯片的亮度。

同时，在本实施例中，第一金属层71和第二金属层72均包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层。即第一金属层71和第二金属层72均由依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层构成，其中铬层作为第一绝缘层6的粘附层与第一绝缘层6贴合，铝层作为反射层进一步增强第一金属层71和第二金属层72的反射效果，钛层和铂层则作为铝层的包覆层以对铝层及铬层进行保护。

另外，在本实施例中，PAD层9包括依次堆叠的铬层、钛层、镍层和金锡层。即PAD层9由依次堆叠的铬层、钛层、镍层和金锡层构成，其中铬层作为电极与第一绝缘层6的粘合剂以确保与第一绝缘层6的粘合，钛层为转接层，镍层可用于增强金锡层的共晶结合力，以便金锡层通过共晶方式将整体芯片连接到封装基板上，完成芯片的封装。

综上所述，本实用新型提供的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，具有以下有益效果：

1、ITO层连接外延层和银镜层，在ITO层上开设若干小孔以引导电流流向无ITO覆盖的外延片正极区，提高芯片内量子效率的同时降低ITO的吸光效果，进而提升芯片亮度；

2、银镜层既可以反射光，增加芯片出光效率，又可以作为电流扩展层，进行电流扩散；

3、增加银金属层至银镜层和第一绝缘层之间，既起到保护银镜层的作用，又能将透过银镜层的光反射回出光面，进一步提高芯片的亮度；

4.两层SIO₂绝缘层将LINE金属层夹在中间以防止P和N极短路；

5.LINE金属层进一步将透过银镜层、银金属层和第一绝缘层的光反射会出光面，进一步提高芯片的亮度；

6.PAD层采用金锡材料，利于后续倒装共晶焊接。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底和生长在蓝宝石衬底上的外延层；

所述外延层上刻蚀有正极区和负极区；

所述正极区上蒸镀有ITO层，且所述ITO层上开设有多个ITO孔；

所述ITO层上溅射有银镜层；

所述银镜层上覆盖有形状尺寸与所述外延层相同的绝缘层，且所述绝缘层上与所述正极区对应的位置开设有正极口，与所述负极区对应的位置开设有负极口；

所述绝缘层上设置有PAD层，所述PAD层包括N极区和P极区，且所述N极区与所述负极口接触，所述P极区与所述正极口接触。

2.根据权利要求1所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述ITO孔以正三角矩阵排列方式均匀间隔开设在所述ITO层上。

3.根据权利要求1所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述银镜层与所述绝缘层之间还包括有银金属层。

4.根据权利要求3所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述银金属层包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层；

所述银镜层的材料包括银、镍和钛钨。

5.根据权利要求1所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述负极区包括第一负极和第二负极，所述第一负极为圆孔状且呈矩阵分布刻蚀在所述外延层上；

所述外延层上除所述第一负极的区域刻蚀有所述正极区，且所述正极区位于四周的边缘均匀间隔有向所述正极区内凹的凹口，所述外延层上与所述凹口处对应的区域刻蚀有所述第二负极。

6.根据权利要求5所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有LINE金属层；

所述第一绝缘层覆盖在所述ITO层上，且所述第一绝缘层上与所述第一负极对应的位置开设有半径小于所述第一负极的第一N极孔，所述第一绝缘层上与所述第二负极对应的位置开设有形状与所述第二负极相同但尺寸小于所述第二负极的第一N极口；

所述第一绝缘层上与所述ITO层对应的位置开设有多个条形的第一P极口，且多个所述第一P极口呈单行均匀间隔分布；

所述LINE金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖在所述第一P极口上，所述第一金属层的长宽均大于所述第一P极口，且大于的部分重叠在所述第一绝缘层上；

所述第二金属层覆盖在所述第一绝缘层上包括所述第一N极孔和所述第一N极口在内但除所述第一金属层之外的区域，且所述第二金属层的外围边缘与所述第一金属层的内围边缘具有预设距离；

所述第二绝缘层覆盖在所述LINE金属层上，且所述第二绝缘层上与所述第一金属层对应的位置开设有第二P极口，所述第二绝缘层上与所述第二金属层对应的位置开设有多个条形的第二N极口，且多个所述第二N极口呈单行均匀间隔分布。

7.根据权利要求6所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述第二P极口与所述第一P极口的数量相同且与所述第一P极口一一对应开设在同一块所述第一金属层上；

所述第二N极口与所述第二P极口的数量相同。

8.根据权利要求6所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为SiO₂绝缘层。

9.根据权利要求6所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层均包括依次堆叠的铬层、铝层、钛层和铂层。

10.根据权利要求1所述的一种提高车灯亮度的车用倒装LED芯片，其特征在于，所述PAD层包括依次堆叠的铬层、钛层、镍层和金锡层。

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