JPS63233093A - シリコンリボンの製造方法 - Google Patents
シリコンリボンの製造方法Info
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- JPS63233093A JPS63233093A JP6859287A JP6859287A JPS63233093A JP S63233093 A JPS63233093 A JP S63233093A JP 6859287 A JP6859287 A JP 6859287A JP 6859287 A JP6859287 A JP 6859287A JP S63233093 A JPS63233093 A JP S63233093A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は太陽電池用シリコン基板等の素材であるシリコ
ンリボンを製造するための新規な方法に関するものであ
る。
ンリボンを製造するための新規な方法に関するものであ
る。
(従来の技術)
この種シリコンリボンの製造方法としては、既知の如く
CZ法(チョクラルスキー)、FZ法(フローティング
ゾーン法)、キャスティング法、ウェブ法、EFG法(
edge−defined fil+*−fed gr
owth)などがある。
CZ法(チョクラルスキー)、FZ法(フローティング
ゾーン法)、キャスティング法、ウェブ法、EFG法(
edge−defined fil+*−fed gr
owth)などがある。
ところが、CZ法やFZ法によるときは、電気的特性に
つき信頼性の高いものが得られる利点があるものの、シ
リコンリボンの成長速度が遅いので生産効率が低く、か
つカッティングすることによる材料の損失が多いなどの
難点がある。
つき信頼性の高いものが得られる利点があるものの、シ
リコンリボンの成長速度が遅いので生産効率が低く、か
つカッティングすることによる材料の損失が多いなどの
難点がある。
また前掲キャスティング法にあっては、材料の損失を伴
い、坩堝が破損し易い点については、適切なる離型材の
使用によって改善されつつあるものの、製造工程におい
て不純物による汚染が生ずることから、電気的特性も低
下してしまい、品質の点で満足すべき結果が得られない
欠陥がある。
い、坩堝が破損し易い点については、適切なる離型材の
使用によって改善されつつあるものの、製造工程におい
て不純物による汚染が生ずることから、電気的特性も低
下してしまい、品質の点で満足すべき結果が得られない
欠陥がある。
ざらにウェブ法の場合には、シリコンリボンの成長速度
が遅いだけでなく、当該成長についての制御にも高度な
熟練が要求され、EFG法にしても製造に用いられるグ
イからの不純物汚染があるため望ましい電気的特性が得
難い等の欠点をもっている。 。
が遅いだけでなく、当該成長についての制御にも高度な
熟練が要求され、EFG法にしても製造に用いられるグ
イからの不純物汚染があるため望ましい電気的特性が得
難い等の欠点をもっている。 。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記従来法がもつ各種の難点に鑑み検討された
もので、石英製坩堝内の溶融シリコツを、当該溶融シリ
コン上に浮かせた石英製浮かせ蓋のスリットから引き出
すと共に、当該スリットの直上近傍における引上げ中の
溶融シリコンを、気体によって冷却することにより、生
産性が良好で製造コストを低減でき、しかも不純物によ
る汚染もなく、このことによって電気的特性も良好な製
品を得ようとするのが、その目的である。
もので、石英製坩堝内の溶融シリコツを、当該溶融シリ
コン上に浮かせた石英製浮かせ蓋のスリットから引き出
すと共に、当該スリットの直上近傍における引上げ中の
溶融シリコンを、気体によって冷却することにより、生
産性が良好で製造コストを低減でき、しかも不純物によ
る汚染もなく、このことによって電気的特性も良好な製
品を得ようとするのが、その目的である。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記の目的を達成するために、不活性ガス炉に
内装の石英製坩堝内にあって、加熱によって得られた溶
融シリコンの液面にスリットを開設した石英製浮かせ蓋
を浮上させておき、当該スリットから挿入した種結晶付
の初期引き上げ用リボンを炉外まで引き上げて、種結晶
に付着した溶融シリコンによるシリコンリボンを連続的
に引出するに際し、当該溶融シリコンの液面を一定に保
持しながら、上記スリットの直上近傍における引き上げ
中の溶融シリコンに、冷却用の不活性ガスを吹きつける
ようにしたことを特徴とするシリコンリボンの製造方法
を提供しようとするものである。
内装の石英製坩堝内にあって、加熱によって得られた溶
融シリコンの液面にスリットを開設した石英製浮かせ蓋
を浮上させておき、当該スリットから挿入した種結晶付
の初期引き上げ用リボンを炉外まで引き上げて、種結晶
に付着した溶融シリコンによるシリコンリボンを連続的
に引出するに際し、当該溶融シリコンの液面を一定に保
持しながら、上記スリットの直上近傍における引き上げ
中の溶融シリコンに、冷却用の不活性ガスを吹きつける
ようにしたことを特徴とするシリコンリボンの製造方法
を提供しようとするものである。
(実 施 例)
本発明を図面によって詳記すれば、本発明の実施に際し
第1図に示す如き製造装置を用いること 。
第1図に示す如き製造装置を用いること 。
ができ、当該図示例では、アルゴンガス等の不活性ガス
炉lにあって、その断熱材2によって画成された内部に
、石英製坩堝3を配設するが、図示例では当該坩堝3が
、昇降装置4の受承部4a上に載置され、この受承部4
aの軸心から下突した昇降杆4bが不活性ガス炉1の底
部を貫通して炉外設置の昇降作動部4cに連結されてい
ることで、当該昇降装置4が構成されている。
炉lにあって、その断熱材2によって画成された内部に
、石英製坩堝3を配設するが、図示例では当該坩堝3が
、昇降装置4の受承部4a上に載置され、この受承部4
aの軸心から下突した昇降杆4bが不活性ガス炉1の底
部を貫通して炉外設置の昇降作動部4cに連結されてい
ることで、当該昇降装置4が構成されている。
そこで、昇降作動部4Cの稼動により、受承部4a、従
って石英製坩堝3が、所望速さにて上動可能となってお
り、図中5は高周波加熱源等によるヒータで、石英製坩
堝3内に収納した原料シリコンを加熱して溶融シリコン
6を得るための熱源を示している。
って石英製坩堝3が、所望速さにて上動可能となってお
り、図中5は高周波加熱源等によるヒータで、石英製坩
堝3内に収納した原料シリコンを加熱して溶融シリコン
6を得るための熱源を示している。
さらに本発明に係る方法を実施するため、上記の溶融シ
リコン6の液面8aに第1図の如く石英製浮かせ蓋7を
浮上させるのであり、邑該浮かせ蓋7には、その中央部
に、製造しようとするシリコンリボンの寸法に対応した
大きさのスリット8を第2図のように開口するのであり
、この浮上可能なるよう第2図(b)の如く空洞7aを
形成し、かつこの空洞7aは真空状態とすることにより
、加熱に際してのガス膨張により破損しないようにして
おくのがよく、図中7bは当該石英製浮かせ蓋7にあっ
て、厚さ方向に貫設した、後述の補給用溶融シリコンを
補給するのに利用し得る通口を示しており、第1図にあ
って、9が上記通口?bから、石英製坩堝3内に溶融シ
リコンを供給することのできる溶融シリコン供給装置で
ある。
リコン6の液面8aに第1図の如く石英製浮かせ蓋7を
浮上させるのであり、邑該浮かせ蓋7には、その中央部
に、製造しようとするシリコンリボンの寸法に対応した
大きさのスリット8を第2図のように開口するのであり
、この浮上可能なるよう第2図(b)の如く空洞7aを
形成し、かつこの空洞7aは真空状態とすることにより
、加熱に際してのガス膨張により破損しないようにして
おくのがよく、図中7bは当該石英製浮かせ蓋7にあっ
て、厚さ方向に貫設した、後述の補給用溶融シリコンを
補給するのに利用し得る通口を示しており、第1図にあ
って、9が上記通口?bから、石英製坩堝3内に溶融シ
リコンを供給することのできる溶融シリコン供給装置で
ある。
さらに、当該製造装置にあっては、上記石英製浮かせM
7の真上にあって、上記スリット8の近傍に冷却器10
を臨設することで、この冷却器lOより不活性ガスGを
、後に詳記する効果を発揮させるため、当該スリット8
近傍方向へ向けて吹出可能とするのである。
7の真上にあって、上記スリット8の近傍に冷却器10
を臨設することで、この冷却器lOより不活性ガスGを
、後に詳記する効果を発揮させるため、当該スリット8
近傍方向へ向けて吹出可能とするのである。
そして上記冷却器10として例示したものは、第3図と
第4図によって明示されている通り、上下方向に配設さ
れた不活性ガスGの供給管部10aと、その下端から屈
曲して横方向へ延出された平面U字状の吹田管10bと
からなり、当該吹出管10bには噴気孔10c、10c
・・・・・・を多数穿設し、これから噴出される不活性
ガスGが、前記の如く、スリット8の直上近傍に向けて
吹き出させ得るように、吹出管10bがスリー2ト8を
挟んで配装されている。
第4図によって明示されている通り、上下方向に配設さ
れた不活性ガスGの供給管部10aと、その下端から屈
曲して横方向へ延出された平面U字状の吹田管10bと
からなり、当該吹出管10bには噴気孔10c、10c
・・・・・・を多数穿設し、これから噴出される不活性
ガスGが、前記の如く、スリット8の直上近傍に向けて
吹き出させ得るように、吹出管10bがスリー2ト8を
挟んで配装されている。
尚ここで、11は不活性ガス炉1の直状に配設したシリ
コンリボンの引上駆動部であり、当該実施例では一対の
駆動ローラlla、llbによって構成されている。
コンリボンの引上駆動部であり、当該実施例では一対の
駆動ローラlla、llbによって構成されている。
そこで、」二記の製造装置を用いて本発明に係る方法を
実施するには、石英製坩堝3内に原料シリコンを収納し
ておき、これをヒータ5によって加熱すれば、溶融シリ
コン6が得られ、その液面6aに予め配装してあった石
英製浮かせ蓋7が浮上することとなる。
実施するには、石英製坩堝3内に原料シリコンを収納し
ておき、これをヒータ5によって加熱すれば、溶融シリ
コン6が得られ、その液面6aに予め配装してあった石
英製浮かせ蓋7が浮上することとなる。
ここで、別途用意したステンレス製等の初期引き上げ用
リボン12の下端チャック12aに連着した種結晶13
を不活性ガス炉1の上部より下動させて、当該種結晶1
3がスリット8から挿入されて前記溶融シリコン6の液
面6aに接触したならば、当該接触面を強〃1冷却する
ために、冷却器10を稼動させ、噴気孔10c 、 1
0c・・・・・・からの不活性ガスGを吹き付けるので
あるが、この際溶融シリコン6の温度はシリコンの融点
よりも5℃程度高温になるようヒータ5をセットしてお
くのがよい。
リボン12の下端チャック12aに連着した種結晶13
を不活性ガス炉1の上部より下動させて、当該種結晶1
3がスリット8から挿入されて前記溶融シリコン6の液
面6aに接触したならば、当該接触面を強〃1冷却する
ために、冷却器10を稼動させ、噴気孔10c 、 1
0c・・・・・・からの不活性ガスGを吹き付けるので
あるが、この際溶融シリコン6の温度はシリコンの融点
よりも5℃程度高温になるようヒータ5をセットしてお
くのがよい。
この状態から前記の引上駆動部11を駆動して、駆動ロ
ーラlla、llbを回転させ、これにより溶融シリコ
ン6が上記不活性ガスGにより冷却固化されて形成され
たシリコンリボンSを、不活性ガス炉1外まで引き上げ
る。
ーラlla、llbを回転させ、これにより溶融シリコ
ン6が上記不活性ガスGにより冷却固化されて形成され
たシリコンリボンSを、不活性ガス炉1外まで引き上げ
る。
この場合、上記した溶融シリコン温度、駆動ローラll
a、llbによる引き上げ速度、冷却用である不活性ガ
スの論量を変化させることで、製造すべきシリコンリボ
ンSの厚さを調整することができる。
a、llbによる引き上げ速度、冷却用である不活性ガ
スの論量を変化させることで、製造すべきシリコンリボ
ンSの厚さを調整することができる。
さて、上記のようにして石英製坩堝3内の溶融シリコン
6が消費されることとなるが本発明では当該消費に伴い
低下しようとする溶融シリコン8の液面6aを一定に保
持させるのである。
6が消費されることとなるが本発明では当該消費に伴い
低下しようとする溶融シリコン8の液面6aを一定に保
持させるのである。
そこで液面6aの一定保持手段としては、種々の方策が
考えられるが、図示例では昇降装置4を稼動させて、そ
の昇降作動部4Cにより昇降杆4b、受承部4aを上昇
させ、これにより石英製坩堝3を上動させるようにして
いる。
考えられるが、図示例では昇降装置4を稼動させて、そ
の昇降作動部4Cにより昇降杆4b、受承部4aを上昇
させ、これにより石英製坩堝3を上動させるようにして
いる。
これ以外の液面保持手段としては、第1図に示す如く不
活性ガス炉1内の溶融シリコン供給装置9から石英製浮
かせ蓋7の通ロアbを介して溶融シリコン6を石英製坩
堝3内に補給するようにしてもよい。
活性ガス炉1内の溶融シリコン供給装置9から石英製浮
かせ蓋7の通ロアbを介して溶融シリコン6を石英製坩
堝3内に補給するようにしてもよい。
本発明にあっては、このように溶融シリコンBの液面6
aを一定に保持するので、液面6aの不活性ガス炉1内
における温度分布特性に基づく温度変化が生じなくなり
、かつ冷却器10の噴気孔10c。
aを一定に保持するので、液面6aの不活性ガス炉1内
における温度分布特性に基づく温度変化が生じなくなり
、かつ冷却器10の噴気孔10c。
10c・・・・・・と当該液面6aとの距離が変化する
ことによる冷却効果の変動に基づく温度変化がなく、こ
れによってシリコンリボンSの厚さ、I’llが一定に
保持され、均一製品の生産が可能となる。
ことによる冷却効果の変動に基づく温度変化がなく、こ
れによってシリコンリボンSの厚さ、I’llが一定に
保持され、均一製品の生産が可能となる。
(発明の効果)
本発明によるときは、リボン状に形成されることで、原
料シリコンに無駄が生ぜず、固体と液体との界面近傍が
不活性ガスによって冷却されるから、シリコンリボンの
引き上げ速度を可成り高くすることができて生産効率も
改善され、さらにEFG法のようにカーボン製のダイを
使用しないことから、不純物による汚染を少なくでき、
原料シリコンの供給装置および製品であるシリコンリボ
ンのカットをするためのレーザーカッタ等を付加してや
ることで、理論上は連続して無限に製造していくことも
可能となる。
料シリコンに無駄が生ぜず、固体と液体との界面近傍が
不活性ガスによって冷却されるから、シリコンリボンの
引き上げ速度を可成り高くすることができて生産効率も
改善され、さらにEFG法のようにカーボン製のダイを
使用しないことから、不純物による汚染を少なくでき、
原料シリコンの供給装置および製品であるシリコンリボ
ンのカットをするためのレーザーカッタ等を付加してや
ることで、理論上は連続して無限に製造していくことも
可能となる。
さらに本発明では溶融シリコン6の液面6a上に浮かせ
蓋7を浮上させるようにしたから、冷却器10から吹き
付けられる不活性ガスが、当該液面6aの全面にわたり
吹きかかってしまい、これにより液面6aが不規則に揺
れ動いてしまい、この結果均一4さ及びl】のシリコン
リボンを引き上げることができなくなってしまうことが
ない。
蓋7を浮上させるようにしたから、冷却器10から吹き
付けられる不活性ガスが、当該液面6aの全面にわたり
吹きかかってしまい、これにより液面6aが不規則に揺
れ動いてしまい、この結果均一4さ及びl】のシリコン
リボンを引き上げることができなくなってしまうことが
ない。
第1図は本発明に係るシリコンリボンの製造方法を実施
するのに用い得る製造装置の縦断正面説明図、第2図(
a) (b)は夫々同上装置の石英製浮かせ蓋を示す平
面図と縦断正面図、第3図は同装置の石英製坩堝近傍箇
所を示す斜視図、第4図(a)(b)は同装置の冷却器
を示した夫々斜視図と縦断正面図である。 !・・・・・・不活性ガス炉 3”・・・・・・石英製坩堝 8・・・・・・溶融シリコン 6a・・・・・・液面 7・・・・・・石英製浮かせ蓋 8・・・・・・スリット 12・・・・・・初期引き上げ用リボン13・・・・・
・種結晶
するのに用い得る製造装置の縦断正面説明図、第2図(
a) (b)は夫々同上装置の石英製浮かせ蓋を示す平
面図と縦断正面図、第3図は同装置の石英製坩堝近傍箇
所を示す斜視図、第4図(a)(b)は同装置の冷却器
を示した夫々斜視図と縦断正面図である。 !・・・・・・不活性ガス炉 3”・・・・・・石英製坩堝 8・・・・・・溶融シリコン 6a・・・・・・液面 7・・・・・・石英製浮かせ蓋 8・・・・・・スリット 12・・・・・・初期引き上げ用リボン13・・・・・
・種結晶
Claims (3)
- (1)不活性ガス炉に内装の石英製坩堝内にあって、加
熱によって得られた溶融シリコンの液面にスリットを開
設した石英製浮かせ蓋を浮上させておき、当該スリット
から挿入した種結晶付の初期引き上げ用リボンを炉外ま
で引き上げて、種結晶に付着した溶融シリコンによるシ
リコンリボンを連続的に引出するに際し、当該溶融シリ
コンの液面を一定に保持しながら、上記スリットの直上
近傍における引き上げ中の溶融シリコンに、冷却用の不
活性ガスを吹きつけるようにしたことを特徴とするシリ
コンリボンの製造方法。 - (2)溶融シリコンの液面を一定に保持するため、石英
製坩堝を、溶融シリコンの消費量に追随させて上動させ
るようにした特許請求の範囲第1項記載のシリコンリボ
ンの製造方法 - (3)溶融シリコンの液面を一定に保持するため石英製
坩堝内に、溶融シリコンの消費量に追随させて、所要の
溶融シリコンを注入するようにした特許請求の範囲第1
項記載のシリコンリボンの製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62068592A JP2587932B2 (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | シリコンリボンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62068592A JP2587932B2 (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | シリコンリボンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63233093A true JPS63233093A (ja) | 1988-09-28 |
JP2587932B2 JP2587932B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13378214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62068592A Expired - Fee Related JP2587932B2 (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | シリコンリボンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2587932B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010528971A (ja) * | 2007-06-08 | 2010-08-26 | エバーグリーン ソーラー, インコーポレイテッド | 局所冷却によってリボン結晶を成長させる方法および装置 |
US8850715B2 (en) * | 2006-09-07 | 2014-10-07 | Eisenmann Ag | Process and installation for drying articles |
CN104131345A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-11-05 | 大连理工大学 | 一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺 |
CN104131344A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-11-05 | 大连理工大学 | 高压吹气分离高杂质熔硅的装置及其方法 |
RU2701832C1 (ru) * | 2019-04-10 | 2019-10-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Тигель для выращивания кристаллов халькогенидов металлов вертикальной зонной плавкой |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51111477A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Method of preparation of semiconductor crystals |
JPS5638556A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | Hitachi Ltd | Starting motor |
-
1987
- 1987-03-23 JP JP62068592A patent/JP2587932B2/ja not_active Expired - Fee Related
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