JPS63230832A - よう化物熱分解用析出基体 - Google Patents

よう化物熱分解用析出基体

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JPS63230832A
JPS63230832A JP6369487A JP6369487A JPS63230832A JP S63230832 A JPS63230832 A JP S63230832A JP 6369487 A JP6369487 A JP 6369487A JP 6369487 A JP6369487 A JP 6369487A JP S63230832 A JPS63230832 A JP S63230832A
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JP
Japan
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substrate
metal
thermal decomposition
deposited
purity
Prior art date
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Pending
Application number
JP6369487A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Kikuchi
亮 菊地
Mutsuo Kazuyasu
一安 六夫
Kazuhiro Akaike
一宏 赤池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Cgffi上の利用分野〕 本発明はCr、Ti、V、Zr 、Nb SHf等のよ
う化物熱分解による高純度金属の精製に用いる純金属析
出基体に関するものである。
〔従来の技術〕
よう化物熱分解によるCrの精製は、原理的には図に一
例を示すvc置で、原料Crとよう素を反応させ、生成
県なよう化Crがスを加熱した基体上で熱分解して行な
うものである。
すなわち、シリカにて作られた2m筒反応器6の外壁と
スリットもしくは孔のあいた内筒との間隙に原料Cr2
を入れ、反応器6の中央部に通電用電極棒11.11に
取り付けられた析出基体であるフィラメント1が設けら
れている。
よう素容器4によう素3を入れ、これを冷却するととも
に、パルプ9a 、9bを開き、真空ポンプ7により反
応器6とよう素容器4内を10−’Torr以下に排気
しながら、電気炉5で反応器6を介して原料Cr 2を
加熱する (精!12會属がCrの場合は800〜85
0℃)、その後、通電用電極棒11を通じてフィラメン
ト1を通電加熱しく精製金属がCrの場合1200〜1
400℃)、排気用バルブ9bを閉じ、よう素容器3を
湯せん10で温め、よう素蒸気を反応器6内に導入する
と、原料Cr 2とよう素の反応によ’)CrI2蒸気
が生成し、これがフィラメント1の表面でCrと12に
分解し、Crはフィラメント1上に高純度で析出し、I
2は再び原料C「と反応する。
よう化物熱分解に用いる析出基体は、C「の場合、V 
、 S 、 Y emel’yanovらは、Waを 
(「M ctal furry  and  M ct
al lography of P urcMetal
s J  p、10  (1962)  Gordon
 andB reach )、U、 S、 paten
t 3+116,144では、ヒーターにシリカ管をか
ぶせたものを用いている。
C「以外の場合、■ではV線を(0,N。
Carlson  eL、   al、、   Jur
nal   of   Eleetroches+1−
cal 5ocietys 108(1)  (196
1))、ZrではW#aを(「原子力化学工学」■ 核
燃料材料の化学工学)基体として用いている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
よう化物熱分解によりCrを精製する場合、析出基体上
に析出しなCrを剥離する必要がある。
この析出基体として、W、Moなどの金属は、空温にて
は脆く取り扱い難い、のみならず、合金化をおこし剥離
しにくいものもある。
たとえば、 V 、 S 、 Y emel’yano
v らのように析出基体にWを用いた場合、C「とWは
その界面において固溶体を作るため強固に結び付さ、析
出基体からCrを剥離するのが困難になる。
また、W同様にMoの場合も、Crと固溶体を作るうえ
に1200℃以上にも氏時間曝されると結晶が粗大化し
脆くなる。さらに、発熱体にシリカ管をかj:せな析出
基体の場合は、CrとS + 02が反応し、シリカが
脆く破損しやす(なるため、Crの剥離は困難となる。
これに対し、’O,N、 CarlsonらがVの精製
で行なったように、析出する金属と同じ金属を析出基体
として用いることがよいのであるが、C「が脆いため析
出基体を製作することが相当困難である。*た、析出基
体の反復使用も難し−1゜ 以上、主にCr精製の場合について述べたが、これらは
、Ti、V%Zr、Nb、Hf等の他の金属の場合にも
ほぼ共通である。
以上のように、これまで用いられてきた析出基体は、析
出した金属を剥離するのが困難であったり、再使用がで
きないという問題点があった。
本発明の目的は、析出基体からの精製金属の剥離性を向
上させるとともに、繰り返し使用が可能な析出用基体を
提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、よう化物熱分解による純金属の精製装置にお
いて、Taを重量比で90%以上含むTa合金、さらに
、表面を酸化処理、窒化処理等により保1i!14を形
成させあるいは、TiN。
ZrN%AZ20.等のコーテイング膜を形成させたよ
う化物熱分解用析出基体である。
本発明において、T a上に析出した金属は、加圧など
により、若干の変形を加えると剥離する。Taは延性に
富み、折損などをおこさず十分に耐え、再使用が可能で
ある。
一方、Mo、Wなどの場合は、金属の剥離中にしばしば
折損して実質的に純金属Crの生産は不可能に近い。
析出基体中に不純物が混入すると、この不純物がI2と
反応することにより、基体が腐食されたり析出した金属
を汚染し易くなる。このため本発明では、Ta純度を9
0wt%以上とした。
また、析出金属とTaの界面には拡散による合金相が生
成し、これは1300℃で 20hr保持すると約10
μ−の厚みとなるが、この層を薄くするには、Taの表
面を酸化または窒化処理を行ない、3〜5μ−程度の酸
化または窒化層を設けるか、30〜80μ−の厚みの酸
化物または窒化物コーティング層を設けるとよい。
これらの酸化物および窒化物は高温においてよう素と反
応しないものであることが必要で、そのためには、12
00°Kにおける生成自由エネルギーが酸化物では−1
50kcal/論o1以下、窒化物では−80kcal
/ mol以下であることが望ましい。
これらの化合物をTaの表面にコーティングすると、T
a中への析出金属の拡散が妨げられ、合金層を形成せず
、析出金属を剥離する際は、コーティング層が壊れて剥
離するため、基体であるTaを傷つけることが少ない。
コーティング層の厚さは、厚いほどTaへの析出金属の
拡散を抑えることができるが、析出金属を剥離するとき
コーティング層物質が剥離金属中へ多量に混入すること
になる。
これらの点を勘案すると、コーティング層の厚さは、3
0〜80μ鋤が適当である。
Tafiも繰り返し使用すると結晶が粗大化するので、
10回程度使用したものは再生する。
すなわち、塩酸に浸漬するとCrは溶解するが、Taは
不溶で、これをニレトロンビーム溶解でインゴットを作
り、線材に再生することができる。
〔実施例〕
実施例1゜ 第1図に示す構成のよう化物熱分解法の装置により、フ
ィラメント1にTaIIA(直径1.OI線純度5豐t
%、約3wt%Nbを含む)を用い、Crの精製を行な
った。原料Cr (99,5%)の加熱温度を800℃
、フィラメント温度を1300℃、よう素昇華温度を6
0℃としてTa線上にC「を2時間析出させた。Ta線
に析出したCrの外径は4.81であり、この外径上を
軽(叩くと、析出したCrは容易に剥離され、フィラメ
ント1の損傷はみられなかった。
Ta線と析出したC「との境界には、合金層が3μ鋤の
厚さで形成されており、剥離はこの層において多(生じ
ていた。剥離したCr中のTaの含有量は30 ppm
 、またC「の純度は99.99%と満足できるもので
あった。
さらに、Crを剥離したTafiを再度使用し、Crを
析出させ、析出しなCrを剥離する4作を10回繰り返
したが、析出したCrの純度は低下することなく、Ta
線の直径も使用前は1゜00mmであったものが0.9
8m−と2%しか減少しでおらず、繰り返し使用するこ
とができた。
実施例2゜ 直径1.00mmのTa線を陽極酸化を行ない、3μl
の酸化膜を形成させたものをフィラメント1として用い
、実施例1と同様にCrを析出させた。
その結果、第1表No、1に示すように、C「の剥離は
容易に行なうことができ、析出しなCrの純度は99.
99%以上であった。 またTa線の直径もC「の剥離
後で1.0011IIと変化は見られなかった。
実施例3゜ 直径1mmのTa線の表面を イオン窒化を行ない実施
例2と同様に試験した。窒化層の厚みは3μmであり、
使用結果はIj51表N0.2に示すように容易に剥離
できた。
実施例4゜ 直径1.OOm+*のTa線にTiN%ZrNおよr!
 A bo 3 ヲ+ t’L ! a 30.50 
 #!(780μ−の厚さにコーティングし、実施例1
と同様にしてC「を析出させた。
その結果、11表N0.3〜5に示すように、Cr94
離は容易に行なえ、析出しなC「の純度は 99.96
%以上であった。
また、Crの剥離は、コーティング層内で生じており、
Ta線は強くは損傷されていなかった。
実施例5゜ 実施例2.3および4で使用したTa#iを実施例1と
同様に、おのおの10回ずつ再使用を行なった。
その結果第2表に示すように10回Crを繰り返し析出
させた場合、Ta線の直径は酸化および窒化処理を行な
ったTa線では 0.98〜0.97mm 、TiN、
ZrN%AbOs をコーティングしたTafiでは、
1.01−1.04 mmと十分繰り返し使用できる範
囲であった。また純度についても、99.97%以上で
満足できるものであった。
実施例6゜ フィラメントに直径1.OIのWJll、 0 、5 
m鎗のWに外径1 、 Owan、  内径0 、6 
amの石英管をかぶせたちのお上V1+a+s角のCr
棒をそれぞれ用い実施例1と同様にCrを析出させた。
Crを析出させた後、フィラメントからCrを剥離させ
ようと試みたが、いずれもフィラメントが破断しCrを
剥離できなかった。
以上Cr*施例で本発明で述べたが、Tiの場合でもほ
ぼ同様であった。これから、本発明の析出基体は、■、
Zr、Nb、Hf等よう素熱分解精製法が適用可能な他
の金属についても適用可能であると思われる。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明により、従来析出基体上に析
出した金属の剥離困難であったものが容易にできるよう
になり、また、基体の繰り返し使用が行なえるようにな
った。*た、Taは再生が可能であり、比較的経済的で
もある。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明のよう化物熱分解法に係る純金属精製装置
の構成を示す断面図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)重量%でTaを90%以上含むことを特徴とする
    よう化物熱分解用析出基体。
  2. (2)表面に酸化または窒化処理層を設けたことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のよう化物熱分解用析
    出基体。
  3. (3)表面に生成自由エネルギーが1200°Kにおい
    て酸化物では−150kcal/mol、窒化物では−
    80kcal/mol以下の安定な化合物を30〜80
    μmの厚さにコーティングしたことを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のよう化物熱分解用析出基体。
  4. (4)精製金属がCr、Ti、V、Zr、NbまたはH
    fである高純度金属製造装置に用いることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の
    よう化物熱分解用析出基体。
JP6369487A 1987-03-20 1987-03-20 よう化物熱分解用析出基体 Pending JPS63230832A (ja)

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