JPS63230832A - よう化物熱分解用析出基体 - Google Patents
よう化物熱分解用析出基体Info
- Publication number
- JPS63230832A JPS63230832A JP6369487A JP6369487A JPS63230832A JP S63230832 A JPS63230832 A JP S63230832A JP 6369487 A JP6369487 A JP 6369487A JP 6369487 A JP6369487 A JP 6369487A JP S63230832 A JPS63230832 A JP S63230832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- thermal decomposition
- deposited
- purity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical group I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 101100438619 Mus musculus Cpb2 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100379080 Emericella variicolor andB gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001295 No alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Cgffi上の利用分野〕
本発明はCr、Ti、V、Zr 、Nb SHf等のよ
う化物熱分解による高純度金属の精製に用いる純金属析
出基体に関するものである。
う化物熱分解による高純度金属の精製に用いる純金属析
出基体に関するものである。
よう化物熱分解によるCrの精製は、原理的には図に一
例を示すvc置で、原料Crとよう素を反応させ、生成
県なよう化Crがスを加熱した基体上で熱分解して行な
うものである。
例を示すvc置で、原料Crとよう素を反応させ、生成
県なよう化Crがスを加熱した基体上で熱分解して行な
うものである。
すなわち、シリカにて作られた2m筒反応器6の外壁と
スリットもしくは孔のあいた内筒との間隙に原料Cr2
を入れ、反応器6の中央部に通電用電極棒11.11に
取り付けられた析出基体であるフィラメント1が設けら
れている。
スリットもしくは孔のあいた内筒との間隙に原料Cr2
を入れ、反応器6の中央部に通電用電極棒11.11に
取り付けられた析出基体であるフィラメント1が設けら
れている。
よう素容器4によう素3を入れ、これを冷却するととも
に、パルプ9a 、9bを開き、真空ポンプ7により反
応器6とよう素容器4内を10−’Torr以下に排気
しながら、電気炉5で反応器6を介して原料Cr 2を
加熱する (精!12會属がCrの場合は800〜85
0℃)、その後、通電用電極棒11を通じてフィラメン
ト1を通電加熱しく精製金属がCrの場合1200〜1
400℃)、排気用バルブ9bを閉じ、よう素容器3を
湯せん10で温め、よう素蒸気を反応器6内に導入する
と、原料Cr 2とよう素の反応によ’)CrI2蒸気
が生成し、これがフィラメント1の表面でCrと12に
分解し、Crはフィラメント1上に高純度で析出し、I
2は再び原料C「と反応する。
に、パルプ9a 、9bを開き、真空ポンプ7により反
応器6とよう素容器4内を10−’Torr以下に排気
しながら、電気炉5で反応器6を介して原料Cr 2を
加熱する (精!12會属がCrの場合は800〜85
0℃)、その後、通電用電極棒11を通じてフィラメン
ト1を通電加熱しく精製金属がCrの場合1200〜1
400℃)、排気用バルブ9bを閉じ、よう素容器3を
湯せん10で温め、よう素蒸気を反応器6内に導入する
と、原料Cr 2とよう素の反応によ’)CrI2蒸気
が生成し、これがフィラメント1の表面でCrと12に
分解し、Crはフィラメント1上に高純度で析出し、I
2は再び原料C「と反応する。
よう化物熱分解に用いる析出基体は、C「の場合、V
、 S 、 Y emel’yanovらは、Waを
(「M ctal furry and M ct
al lography of P urcMetal
s J p、10 (1962) Gordon
andB reach )、U、 S、 paten
t 3+116,144では、ヒーターにシリカ管をか
ぶせたものを用いている。
、 S 、 Y emel’yanovらは、Waを
(「M ctal furry and M ct
al lography of P urcMetal
s J p、10 (1962) Gordon
andB reach )、U、 S、 paten
t 3+116,144では、ヒーターにシリカ管をか
ぶせたものを用いている。
C「以外の場合、■ではV線を(0,N。
Carlson eL、 al、、 Jur
nal of Eleetroches+1−
cal 5ocietys 108(1) (196
1))、ZrではW#aを(「原子力化学工学」■ 核
燃料材料の化学工学)基体として用いている。
nal of Eleetroches+1−
cal 5ocietys 108(1) (196
1))、ZrではW#aを(「原子力化学工学」■ 核
燃料材料の化学工学)基体として用いている。
よう化物熱分解によりCrを精製する場合、析出基体上
に析出しなCrを剥離する必要がある。
に析出しなCrを剥離する必要がある。
この析出基体として、W、Moなどの金属は、空温にて
は脆く取り扱い難い、のみならず、合金化をおこし剥離
しにくいものもある。
は脆く取り扱い難い、のみならず、合金化をおこし剥離
しにくいものもある。
たとえば、 V 、 S 、 Y emel’yano
v らのように析出基体にWを用いた場合、C「とWは
その界面において固溶体を作るため強固に結び付さ、析
出基体からCrを剥離するのが困難になる。
v らのように析出基体にWを用いた場合、C「とWは
その界面において固溶体を作るため強固に結び付さ、析
出基体からCrを剥離するのが困難になる。
また、W同様にMoの場合も、Crと固溶体を作るうえ
に1200℃以上にも氏時間曝されると結晶が粗大化し
脆くなる。さらに、発熱体にシリカ管をかj:せな析出
基体の場合は、CrとS + 02が反応し、シリカが
脆く破損しやす(なるため、Crの剥離は困難となる。
に1200℃以上にも氏時間曝されると結晶が粗大化し
脆くなる。さらに、発熱体にシリカ管をかj:せな析出
基体の場合は、CrとS + 02が反応し、シリカが
脆く破損しやす(なるため、Crの剥離は困難となる。
これに対し、’O,N、 CarlsonらがVの精製
で行なったように、析出する金属と同じ金属を析出基体
として用いることがよいのであるが、C「が脆いため析
出基体を製作することが相当困難である。*た、析出基
体の反復使用も難し−1゜ 以上、主にCr精製の場合について述べたが、これらは
、Ti、V%Zr、Nb、Hf等の他の金属の場合にも
ほぼ共通である。
で行なったように、析出する金属と同じ金属を析出基体
として用いることがよいのであるが、C「が脆いため析
出基体を製作することが相当困難である。*た、析出基
体の反復使用も難し−1゜ 以上、主にCr精製の場合について述べたが、これらは
、Ti、V%Zr、Nb、Hf等の他の金属の場合にも
ほぼ共通である。
以上のように、これまで用いられてきた析出基体は、析
出した金属を剥離するのが困難であったり、再使用がで
きないという問題点があった。
出した金属を剥離するのが困難であったり、再使用がで
きないという問題点があった。
本発明の目的は、析出基体からの精製金属の剥離性を向
上させるとともに、繰り返し使用が可能な析出用基体を
提供することである。
上させるとともに、繰り返し使用が可能な析出用基体を
提供することである。
本発明は、よう化物熱分解による純金属の精製装置にお
いて、Taを重量比で90%以上含むTa合金、さらに
、表面を酸化処理、窒化処理等により保1i!14を形
成させあるいは、TiN。
いて、Taを重量比で90%以上含むTa合金、さらに
、表面を酸化処理、窒化処理等により保1i!14を形
成させあるいは、TiN。
ZrN%AZ20.等のコーテイング膜を形成させたよ
う化物熱分解用析出基体である。
う化物熱分解用析出基体である。
本発明において、T a上に析出した金属は、加圧など
により、若干の変形を加えると剥離する。Taは延性に
富み、折損などをおこさず十分に耐え、再使用が可能で
ある。
により、若干の変形を加えると剥離する。Taは延性に
富み、折損などをおこさず十分に耐え、再使用が可能で
ある。
一方、Mo、Wなどの場合は、金属の剥離中にしばしば
折損して実質的に純金属Crの生産は不可能に近い。
折損して実質的に純金属Crの生産は不可能に近い。
析出基体中に不純物が混入すると、この不純物がI2と
反応することにより、基体が腐食されたり析出した金属
を汚染し易くなる。このため本発明では、Ta純度を9
0wt%以上とした。
反応することにより、基体が腐食されたり析出した金属
を汚染し易くなる。このため本発明では、Ta純度を9
0wt%以上とした。
また、析出金属とTaの界面には拡散による合金相が生
成し、これは1300℃で 20hr保持すると約10
μ−の厚みとなるが、この層を薄くするには、Taの表
面を酸化または窒化処理を行ない、3〜5μ−程度の酸
化または窒化層を設けるか、30〜80μ−の厚みの酸
化物または窒化物コーティング層を設けるとよい。
成し、これは1300℃で 20hr保持すると約10
μ−の厚みとなるが、この層を薄くするには、Taの表
面を酸化または窒化処理を行ない、3〜5μ−程度の酸
化または窒化層を設けるか、30〜80μ−の厚みの酸
化物または窒化物コーティング層を設けるとよい。
これらの酸化物および窒化物は高温においてよう素と反
応しないものであることが必要で、そのためには、12
00°Kにおける生成自由エネルギーが酸化物では−1
50kcal/論o1以下、窒化物では−80kcal
/ mol以下であることが望ましい。
応しないものであることが必要で、そのためには、12
00°Kにおける生成自由エネルギーが酸化物では−1
50kcal/論o1以下、窒化物では−80kcal
/ mol以下であることが望ましい。
これらの化合物をTaの表面にコーティングすると、T
a中への析出金属の拡散が妨げられ、合金層を形成せず
、析出金属を剥離する際は、コーティング層が壊れて剥
離するため、基体であるTaを傷つけることが少ない。
a中への析出金属の拡散が妨げられ、合金層を形成せず
、析出金属を剥離する際は、コーティング層が壊れて剥
離するため、基体であるTaを傷つけることが少ない。
コーティング層の厚さは、厚いほどTaへの析出金属の
拡散を抑えることができるが、析出金属を剥離するとき
コーティング層物質が剥離金属中へ多量に混入すること
になる。
拡散を抑えることができるが、析出金属を剥離するとき
コーティング層物質が剥離金属中へ多量に混入すること
になる。
これらの点を勘案すると、コーティング層の厚さは、3
0〜80μ鋤が適当である。
0〜80μ鋤が適当である。
Tafiも繰り返し使用すると結晶が粗大化するので、
10回程度使用したものは再生する。
10回程度使用したものは再生する。
すなわち、塩酸に浸漬するとCrは溶解するが、Taは
不溶で、これをニレトロンビーム溶解でインゴットを作
り、線材に再生することができる。
不溶で、これをニレトロンビーム溶解でインゴットを作
り、線材に再生することができる。
実施例1゜
第1図に示す構成のよう化物熱分解法の装置により、フ
ィラメント1にTaIIA(直径1.OI線純度5豐t
%、約3wt%Nbを含む)を用い、Crの精製を行な
った。原料Cr (99,5%)の加熱温度を800℃
、フィラメント温度を1300℃、よう素昇華温度を6
0℃としてTa線上にC「を2時間析出させた。Ta線
に析出したCrの外径は4.81であり、この外径上を
軽(叩くと、析出したCrは容易に剥離され、フィラメ
ント1の損傷はみられなかった。
ィラメント1にTaIIA(直径1.OI線純度5豐t
%、約3wt%Nbを含む)を用い、Crの精製を行な
った。原料Cr (99,5%)の加熱温度を800℃
、フィラメント温度を1300℃、よう素昇華温度を6
0℃としてTa線上にC「を2時間析出させた。Ta線
に析出したCrの外径は4.81であり、この外径上を
軽(叩くと、析出したCrは容易に剥離され、フィラメ
ント1の損傷はみられなかった。
Ta線と析出したC「との境界には、合金層が3μ鋤の
厚さで形成されており、剥離はこの層において多(生じ
ていた。剥離したCr中のTaの含有量は30 ppm
、またC「の純度は99.99%と満足できるもので
あった。
厚さで形成されており、剥離はこの層において多(生じ
ていた。剥離したCr中のTaの含有量は30 ppm
、またC「の純度は99.99%と満足できるもので
あった。
さらに、Crを剥離したTafiを再度使用し、Crを
析出させ、析出しなCrを剥離する4作を10回繰り返
したが、析出したCrの純度は低下することなく、Ta
線の直径も使用前は1゜00mmであったものが0.9
8m−と2%しか減少しでおらず、繰り返し使用するこ
とができた。
析出させ、析出しなCrを剥離する4作を10回繰り返
したが、析出したCrの純度は低下することなく、Ta
線の直径も使用前は1゜00mmであったものが0.9
8m−と2%しか減少しでおらず、繰り返し使用するこ
とができた。
実施例2゜
直径1.00mmのTa線を陽極酸化を行ない、3μl
の酸化膜を形成させたものをフィラメント1として用い
、実施例1と同様にCrを析出させた。
の酸化膜を形成させたものをフィラメント1として用い
、実施例1と同様にCrを析出させた。
その結果、第1表No、1に示すように、C「の剥離は
容易に行なうことができ、析出しなCrの純度は99.
99%以上であった。 またTa線の直径もC「の剥離
後で1.0011IIと変化は見られなかった。
容易に行なうことができ、析出しなCrの純度は99.
99%以上であった。 またTa線の直径もC「の剥離
後で1.0011IIと変化は見られなかった。
実施例3゜
直径1mmのTa線の表面を イオン窒化を行ない実施
例2と同様に試験した。窒化層の厚みは3μmであり、
使用結果はIj51表N0.2に示すように容易に剥離
できた。
例2と同様に試験した。窒化層の厚みは3μmであり、
使用結果はIj51表N0.2に示すように容易に剥離
できた。
実施例4゜
直径1.OOm+*のTa線にTiN%ZrNおよr!
A bo 3 ヲ+ t’L ! a 30.50
#!(780μ−の厚さにコーティングし、実施例1
と同様にしてC「を析出させた。
A bo 3 ヲ+ t’L ! a 30.50
#!(780μ−の厚さにコーティングし、実施例1
と同様にしてC「を析出させた。
その結果、11表N0.3〜5に示すように、Cr94
離は容易に行なえ、析出しなC「の純度は 99.96
%以上であった。
離は容易に行なえ、析出しなC「の純度は 99.96
%以上であった。
また、Crの剥離は、コーティング層内で生じており、
Ta線は強くは損傷されていなかった。
Ta線は強くは損傷されていなかった。
実施例5゜
実施例2.3および4で使用したTa#iを実施例1と
同様に、おのおの10回ずつ再使用を行なった。
同様に、おのおの10回ずつ再使用を行なった。
その結果第2表に示すように10回Crを繰り返し析出
させた場合、Ta線の直径は酸化および窒化処理を行な
ったTa線では 0.98〜0.97mm 、TiN、
ZrN%AbOs をコーティングしたTafiでは、
1.01−1.04 mmと十分繰り返し使用できる範
囲であった。また純度についても、99.97%以上で
満足できるものであった。
させた場合、Ta線の直径は酸化および窒化処理を行な
ったTa線では 0.98〜0.97mm 、TiN、
ZrN%AbOs をコーティングしたTafiでは、
1.01−1.04 mmと十分繰り返し使用できる範
囲であった。また純度についても、99.97%以上で
満足できるものであった。
実施例6゜
フィラメントに直径1.OIのWJll、 0 、5
m鎗のWに外径1 、 Owan、 内径0 、6
amの石英管をかぶせたちのお上V1+a+s角のCr
棒をそれぞれ用い実施例1と同様にCrを析出させた。
m鎗のWに外径1 、 Owan、 内径0 、6
amの石英管をかぶせたちのお上V1+a+s角のCr
棒をそれぞれ用い実施例1と同様にCrを析出させた。
Crを析出させた後、フィラメントからCrを剥離させ
ようと試みたが、いずれもフィラメントが破断しCrを
剥離できなかった。
ようと試みたが、いずれもフィラメントが破断しCrを
剥離できなかった。
以上Cr*施例で本発明で述べたが、Tiの場合でもほ
ぼ同様であった。これから、本発明の析出基体は、■、
Zr、Nb、Hf等よう素熱分解精製法が適用可能な他
の金属についても適用可能であると思われる。
ぼ同様であった。これから、本発明の析出基体は、■、
Zr、Nb、Hf等よう素熱分解精製法が適用可能な他
の金属についても適用可能であると思われる。
以上述べたように、本発明により、従来析出基体上に析
出した金属の剥離困難であったものが容易にできるよう
になり、また、基体の繰り返し使用が行なえるようにな
った。*た、Taは再生が可能であり、比較的経済的で
もある。
出した金属の剥離困難であったものが容易にできるよう
になり、また、基体の繰り返し使用が行なえるようにな
った。*た、Taは再生が可能であり、比較的経済的で
もある。
図は、本発明のよう化物熱分解法に係る純金属精製装置
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
Claims (4)
- (1)重量%でTaを90%以上含むことを特徴とする
よう化物熱分解用析出基体。 - (2)表面に酸化または窒化処理層を設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のよう化物熱分解用析
出基体。 - (3)表面に生成自由エネルギーが1200°Kにおい
て酸化物では−150kcal/mol、窒化物では−
80kcal/mol以下の安定な化合物を30〜80
μmの厚さにコーティングしたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のよう化物熱分解用析出基体。 - (4)精製金属がCr、Ti、V、Zr、NbまたはH
fである高純度金属製造装置に用いることを特徴とする
特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の
よう化物熱分解用析出基体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6369487A JPS63230832A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | よう化物熱分解用析出基体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6369487A JPS63230832A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | よう化物熱分解用析出基体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63230832A true JPS63230832A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13236739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6369487A Pending JPS63230832A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | よう化物熱分解用析出基体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63230832A (ja) |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6369487A patent/JPS63230832A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008163461A (ja) | 高反応性合金の溶融時の炭素汚染低減方法 | |
JP2009115441A (ja) | 高反応性合金用物品 | |
JP2548949B2 (ja) | 半導体製造用構成部材 | |
Hayashi et al. | Chemical vapour deposition of rutile films | |
EP0031197B1 (en) | A method of coating a substrate and an alkali metal/polysulfide battery containing such substrate so coated | |
JPS61272922A (ja) | 半導体装置ウエハ−基板とその製造方法 | |
US3265528A (en) | Method of forming metal carbide coating on carbon base | |
JPS63230832A (ja) | よう化物熱分解用析出基体 | |
JPH0688866B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 | |
US4865832A (en) | Molybdenum oxide whiskers and a method of producing the same | |
JPS61251593A (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
JPS62176981A (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
US3429753A (en) | Method of forming metal boride coating on wire | |
JPS58133368A (ja) | 硼素皮膜の形成方法 | |
US3053636A (en) | Boron deposition method | |
US3200015A (en) | Process for coating high temperature alloys | |
JPH1067584A (ja) | 反応容器 | |
JPS61219787A (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
Steinman et al. | The Nonelectrolytic Deposition of Titanium on Columbium Alloys from Fused Salts | |
JPH0776090B2 (ja) | ジルコニア薄膜の製造方法 | |
JPH0784357B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
JP3029953B2 (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
Lorenz et al. | Oxidation‐Resistant Silicide Coatings for Columbium and Tantalum Alloys by Vapor Phase Reaction | |
JP4907009B2 (ja) | カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有SiC基板、カーボンナノチューブ膜体の製造方法 | |
JPH09186087A (ja) | 分子線エピタキシー用分子線源るつぼ |