JPS63229835A - Probe device - Google Patents

Probe device

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JPS63229835A
JPS63229835A JP62064867A JP6486787A JPS63229835A JP S63229835 A JPS63229835 A JP S63229835A JP 62064867 A JP62064867 A JP 62064867A JP 6486787 A JP6486787 A JP 6486787A JP S63229835 A JPS63229835 A JP S63229835A
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JP
Japan
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section
marking
probe
semiconductor wafer
probe device
Prior art date
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JP62064867A
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Japanese (ja)
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JP2598905B2 (en
Inventor
Kiyoshi Takekoshi
清 竹腰
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the operation of replenishment of ink, adjustment and the like of inking position, and to make it possible to arrange a plurality of inkers by a method wherein a marking part is arranged in front of a measuring part, and a position-adjusting part is arranged in the rear of the measuring part. CONSTITUTION:On a probe device 10, a marking part 12 on which a marking is performed on a defective IC chip by an inker is arranged in front of the measuring part 11 which performs a test measurement by contacting the probe 11b of a probe card 11a to the electrode pad of the IC chip formed on a semicon ductor wafer, and the position-adjusting part 13, which microscopically adjusts the position of the semiconductor wafer using a laser beam and the like, is arranged in the rear of the measuring part 11. Besides, the semiconductor wafer in a wafer housing part 15 is loaded on the measuring part 11 after a prealignment operation has been performed thereon by a loading-unloading part 14.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハ上に形成されたICチップの電
極に探針を接触させて電気的な試験測定を行うプローブ
装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention is a probe device that performs electrical testing and measurement by bringing a probe into contact with an electrode of an IC chip formed on a semiconductor wafer. Regarding.

(従来の技術) −fiにプローブ装置は、半導体ウェハ上に多 。(Conventional technology) -Fi probe devices are mounted on the semiconductor wafer.

数形成されたICチップの電極に次々と探針を接触させ
て電気的な試験測定を行う。
Electrical test measurements are performed by bringing the probe into contact with the electrodes of several IC chips formed one after another.

第2図は、このような従来のプローブ装置の一例の構成
を示すもので、図示矢印A方向はプローブ装置1の前方
方向を示している。
FIG. 2 shows the configuration of an example of such a conventional probe device, and the direction of arrow A in the figure indicates the forward direction of the probe device 1. As shown in FIG.

半導体ウェハ上に形成されたICチップの電極パッドに
プローブカード2aの探針2bを接触させて電気的試験
測定を行う測定部2の前方には、インカーにより不良の
ICチップにマーキングを行うマーキング部3が配置さ
れており、マーキング部3のさらに前方には、レーザ光
等を用いて半導体ウェハの微細な位置調節を行う位置調
節部4が配置されている。
In front of the measurement section 2, which performs electrical test measurements by bringing the probes 2b of the probe card 2a into contact with the electrode pads of IC chips formed on a semiconductor wafer, there is a marking section that marks defective IC chips with an inker. Further ahead of the marking section 3, a position adjustment section 4 is disposed that finely adjusts the position of the semiconductor wafer using laser light or the like.

また、測定部1の側方には、ロード・アンロード部5が
配置されており、ロード・アンロード部5のさらに側方
には、ウェハ収容部6が配置されている。
Further, a load/unload section 5 is arranged on the side of the measurement section 1, and a wafer storage section 6 is arranged further on the side of the load/unload section 5.

なお、プローブ装置1の最前部には、スイッチ類、表示
ランプ等が配置された操作部1aが配置されている。
In addition, at the forefront of the probe device 1, an operating section 1a in which switches, indicator lamps, etc. are arranged is arranged.

上記構成の従来のプローブ装置では、ウェハ収容部6内
に収容された半導体ウェハは、ロード・アンロード部5
により、オリエンティションフラット検出等によるプリ
アライメントが行われた後、測定部2にロードされる。
In the conventional probe device having the above configuration, the semiconductor wafer accommodated in the wafer accommodating section 6 is transferred to the load/unload section 5.
After pre-alignment is performed by orientation flat detection etc., the data is loaded into the measurement unit 2.

次に、測定部2にロードされた半導体ウェハは、位置調
節部4に送られ、ここでレーザ光等を用いた微細な位置
調節が行われる。
Next, the semiconductor wafer loaded into the measurement section 2 is sent to the position adjustment section 4, where fine position adjustment is performed using a laser beam or the like.

この後、半導体ウェハは、再び測定部2へもどされ、こ
こで半導体ウェハ上に多数形成されたICチップの電極
パッドに、次々とプローブカード2aの探針2bを接触
させて電気的な試験測定が行われる。
After that, the semiconductor wafer is returned to the measurement section 2 again, where the probes 2b of the probe card 2a are brought into contact with the electrode pads of the IC chips formed in large numbers on the semiconductor wafer one after another to perform electrical test measurements. will be held.

この時、試験測定の結果ICチップが不良と判定される
と、半導体ウェハはマーキング部3に送られ、ここでイ
ンカーによるインキングが行われマーキングが行われる
At this time, if the IC chip is determined to be defective as a result of the test measurement, the semiconductor wafer is sent to the marking section 3, where marking is performed by inking with an inker.

なお、試@測定時には、測定部2上方にICチップの良
否を判定するテスターのテストヘッドが配置される。
In addition, at the time of trial@measurement, a test head of a tester for determining the quality of the IC chip is placed above the measurement section 2.

(発明が解決しようとする問題点) 上記説明の従来のプローブ装置では、マーキング部が位
置調節部と測定部との間の狭い空間内に配置されている
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional probe device described above, the marking section is arranged in a narrow space between the position adjustment section and the measurement section.

これは、試験測定時に、測定部上方にICチップの良否
を判定するテスターのテストヘッドが配置されるため、
測定部をある程度後方に配置し、装置最前部から測定部
中央部までの間隔を例えば40(llIIIl程度設け
、装置最前部に配置されたスイッチ類、表示ランプ等が
テストヘッドにより覆われることのないようにする必要
があること。および、試験測定時には、顕a鏡でプロー
ブカードの探針位置を確認するため、測定部を、例えば
装置最前部から測定部中央部までの間隔が500rnn
以上となるように後方に配置することができないためで
ある。
This is because the test head of the tester that determines the quality of the IC chip is placed above the measurement unit during test measurements.
The measuring section should be placed at a certain distance to the rear, and the distance from the frontmost part of the device to the center of the measuring section should be approximately 40 mm, for example, so that switches, indicator lamps, etc. placed at the very front of the device would not be covered by the test head. Also, during test measurements, in order to confirm the probe position of the probe card with a microscope, the distance between the measuring section and the center of the measuring section from the frontmost part of the device should be 500 rnn.
This is because it is not possible to arrange it so far back.

このため、従来のプローブ装置では、インキング用のイ
ンクの補充、インキング位置の調節が困難であるという
間醜と、インカーを1または2台程度しか配置すること
ができないという間趙がある。
For this reason, the conventional probe device has disadvantages in that it is difficult to replenish ink for inking and to adjust the inking position, and in that it is difficult to arrange only one or two inkers.

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来のプローブ装置に較べてインキング用のインクの
補充、インキング位置の調節等の操作を容易に行うこと
ができ、かつ、多数のインカーを配置することのできる
プローブ装置を提供しようとするものである。
The present invention has been made in response to such conventional circumstances, and allows operations such as replenishing ink for inking and adjusting the inking position to be performed more easily than conventional probe devices, and The present invention aims to provide a probe device in which a large number of inkers can be placed.

(発明の構成コ (問題点を解決するための手段〉 すなわち本発明は、表面にICチップを形成された半導
体ウェハの位置調節を行う位置調節部と、この位置調節
部によって所定の位置に調節された前記半導体ウェハ上
の前記ICチップの電極パッドに探針を接触させて電気
的試験測定を行う測定部と、この測定部によって測定さ
れた前記ICチップのうち不良のICチップにマーキン
グを行うマーキング部とを備えたプローブ装置において
、前記測定部より前方に前記マーキング部を配置し、後
方に前記位置調節部を配置したことを特徴とする。
(Structure of the Invention (Means for Solving the Problems)) In other words, the present invention provides a position adjustment section for adjusting the position of a semiconductor wafer having IC chips formed on its surface, and a position adjustment section that adjusts the position of a semiconductor wafer to a predetermined position. a measuring unit that performs an electrical test measurement by bringing a probe into contact with an electrode pad of the IC chip on the semiconductor wafer; and marking a defective IC chip among the IC chips measured by the measuring unit. The probe apparatus is characterized in that the marking section is disposed in front of the measuring section, and the position adjusting section is disposed behind the measuring section.

(作 用) 本発明のプローブ装置では、マーキング部が測定部より
前方に配置されており、位置調節部か測定部より後方に
配置されている。
(Function) In the probe device of the present invention, the marking section is arranged in front of the measurement section, and the position adjustment section is arranged behind the measurement section.

したがって、マーキング部を広くすることができ、イン
キング用のインクの補充、インキング位この調節等の操
作を容易に行うことができ、かつ、多数のインカーを配
置することができる。
Therefore, the marking portion can be made wider, operations such as replenishment of ink for inking and adjustment of the inking position can be easily performed, and a large number of inkers can be arranged.

また、測定部が前方に配置されて装置最前部に配置され
たスイッチ類、表示ランプ等がテストヘッドにより覆わ
れることもなく、測定部が後方に配置されて顕微鏡でプ
ローブカードの探針位置を確認することができなくなる
こともない。
In addition, the measurement section is placed at the front, so that the switches, indicator lamps, etc. placed at the front of the device are not covered by the test head, and the measurement section is placed at the rear, allowing the position of the probe card's tip to be measured using a microscope. You will never be able to confirm it.

(実施例) 以下本発明のプローブ装置を第1図を参照して実施例に
ついて説明する。
(Example) Hereinafter, an example of the probe device of the present invention will be described with reference to FIG.

この実施例のプローブ装置10では、半導体つエバ上に
形成されたICチップの電極パッドにプローブカードl
laの探針11bを接触させて電気的試験測定を行う測
定部11の前方には、インカーにより不良のICチップ
にマーキングを行うマーキング部12が配置されており
、測定部11の後方には、レーザ光等を用いて半導体ウ
ェハの畝細な位置調節を行う位置調節部13が配置され
ている。また、測定部11の側方には、ロード・アンロ
ード部14が配置されており、ロード・アンロード部1
4のさらに側方にはウェハ収容部15が配置されている
。なお、図示矢印A方向は、プローブ装210の前方方
向を示している。また、グローブ装置10の最前部には
、スイッチ類、表示ランプ等が配置された操作部10a
が配置されている。
In the probe device 10 of this embodiment, a probe card l is attached to an electrode pad of an IC chip formed on a semiconductor evaporator.
A marking section 12 for marking defective IC chips with an inker is arranged in front of the measuring section 11 that performs electrical test measurements by contacting the probe 11b of the probe 11b, and a marking section 12 for marking defective IC chips with an inker. A position adjustment section 13 is arranged that performs fine position adjustment of the semiconductor wafer using laser light or the like. Further, a loading/unloading section 14 is arranged on the side of the measuring section 11.
Further to the side of 4, a wafer accommodating section 15 is arranged. Note that the direction of arrow A in the figure indicates the forward direction of the probe device 210. Further, at the forefront of the glove device 10, an operation section 10a in which switches, indicator lamps, etc. are arranged.
is located.

上記構成のこの実施例のプローブ装置10では、ウェハ
収容部15内に収容された半導体ウェハは、ロード・ア
ンロード部14により、オリエンティションフラット検
出等によるプリアライメントを行われた後、測定部11
にロードされる。
In the probe device 10 of this embodiment having the above configuration, the semiconductor wafer accommodated in the wafer accommodating section 15 is pre-aligned by the loading/unloading section 14 by orientation flat detection, etc., and then transferred to the measuring section 11.
loaded into.

次に、測定部11にロードされた半導体ウェハは、位置
調節部13に送られ、ここでレーザ光等を用いたV&柵
な位置調節が行われる。
Next, the semiconductor wafer loaded into the measurement section 11 is sent to the position adjustment section 13, where V&bar position adjustment is performed using a laser beam or the like.

この後、半導体ウェハは、再び測定部11へもどされ、
ここで半導体ウェハ上に多数形成されたICチップの電
極に、次々とプローブカード11aの探針11bを接触
させて電気的な試験測定が行われる。
After that, the semiconductor wafer is returned to the measurement section 11 again,
Here, electrical test measurements are performed by bringing the probes 11b of the probe card 11a into contact with the electrodes of a large number of IC chips formed on the semiconductor wafer one after another.

この時、試験測定の結果ICチップが不良と判定される
と、半導体ウェハはマーキング部12に送られ、マーキ
ング部12のインカーによるインキングにより、マーキ
ングが行われる。
At this time, if the IC chip is determined to be defective as a result of the test measurement, the semiconductor wafer is sent to the marking section 12, and marking is performed by inking with an inker in the marking section 12.

すなわち、この実施例のプローブ装置10では、マーキ
ング部12が測定部11より前方に配置されており、位
置調節部13が測定部11より後方に配置されている。
That is, in the probe device 10 of this embodiment, the marking section 12 is arranged in front of the measuring section 11, and the position adjusting section 13 is arranged behind the measuring section 11.

したがって、インキング用のインクの補充、インキング
位置の調節等の操作を、プローブ装210の前方から容
易に行うことができる。また、このマーキング部12の
スペースを広くすることができるので、例えば4台〜8
台等多数のインカーを、例えば放射状、横−列等に配置
することができ、インキング時間の短縮を図ることがで
きる。
Therefore, operations such as replenishing ink for inking and adjusting the inking position can be easily performed from the front of the probe device 210. In addition, since the space of this marking section 12 can be widened, for example, 4 to 8
A large number of inkers such as tables can be arranged, for example, radially or in horizontal rows, and the inking time can be shortened.

また、プローブ装置10の最前部と測定部11の中央部
との間隔Bを例えば400111程度とすることができ
、測定部11が前方に配置されて装置最前部に配置され
たスイッチ類、表示ランプ等がテストヘッドにより覆わ
れることもなく、測定部11が後方に配置されて顕微鏡
でプローブカード11aの探針位W 1 l bを確認
することができなくなることもない。
Further, the distance B between the frontmost part of the probe device 10 and the center part of the measuring section 11 can be set to about 400111, for example, so that the measuring section 11 is arranged at the front and switches and display lamps are arranged at the frontmost part of the device. etc. are not covered by the test head, and the measurement unit 11 is not placed at the rear, making it impossible to confirm the probe position W 1 l b of the probe card 11a with a microscope.

[発明の効果] 上述のように、本発明のプローブ装置では、従来のプロ
ーブ装置に較べてインキング用のインクの補充、インキ
ング位置の調節等の操作を容易に行うことができ、かつ
、多数のインカーを配置することができる。
[Effects of the Invention] As described above, in the probe device of the present invention, operations such as replenishing ink for inking and adjusting the inking position can be performed more easily than in the conventional probe device, and, Multiple inkers can be placed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例のプローブ装置の構成を示す
上面図、第2図は従来のプローブ装置の構成を示す上面
図である。 10・・・・・・プローブ装置、11・・・・・・測定
部、11a・・・・・・探針、12・・・・・・マーキ
ング部、13・・・・・・位置調節部。
FIG. 1 is a top view showing the structure of a probe device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a top view showing the structure of a conventional probe device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Probe device, 11... Measurement part, 11a... Probe, 12... Marking part, 13... Position adjustment part .

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)表面にICチップを形成された半導体ウェハの位
置調節を行う位置調節部と、この位置調節部によって所
定の位置に調節された前記半導体ウェハ上の前記ICチ
ップの電極パッドに探針を接触させて電気的試験測定を
行う測定部と、この測定部によつて測定された前記IC
チップのうち不良のICチップにマーキングを行うマー
キング部とを備えたプローブ装置において、前記測定部
より前方に前記マーキング部を配置し、後方に前記位置
調節部を配置したことを特徴とするプローブ装置。
(1) A position adjustment section that adjusts the position of a semiconductor wafer with an IC chip formed on its surface, and a probe placed on the electrode pad of the IC chip on the semiconductor wafer adjusted to a predetermined position by the position adjustment section. a measuring section that performs electrical test measurements by contacting the IC;
A probe device comprising a marking section that marks a defective IC chip among the chips, wherein the marking section is arranged in front of the measurement section and the position adjustment section is arranged behind the measurement section. .
JP62064867A 1987-03-19 1987-03-19 Probe device Expired - Lifetime JP2598905B2 (en)

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JP62064867A JP2598905B2 (en) 1987-03-19 1987-03-19 Probe device

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JP2598905B2 JP2598905B2 (en) 1997-04-09

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290455A (en) * 1991-03-19 1992-10-15 Hitachi Electron Eng Co Ltd Wafer prealignment system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60211956A (en) * 1984-04-06 1985-10-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd Probing machine

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JP2598905B2 (en) 1997-04-09

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