JPS63227102A - バラクタ同調セラミックｔｅｍ共振器帯域フイルタ - Google Patents
バラクタ同調セラミックｔｅｍ共振器帯域フイルタInfo
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- JPS63227102A JPS63227102A JP63041794A JP4179488A JPS63227102A JP S63227102 A JPS63227102 A JP S63227102A JP 63041794 A JP63041794 A JP 63041794A JP 4179488 A JP4179488 A JP 4179488A JP S63227102 A JPS63227102 A JP S63227102A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、全体的にいえば、マイクロ波ＲＦフィルタに
関するものである。より詳細にいえば、本発明はバラク
タ同調を行なうことができ・るセラミックＴＥＭ共振器
帯域フィルタに関するものである。
関するものである。より詳細にいえば、本発明はバラク
タ同調を行なうことができ・るセラミックＴＥＭ共振器
帯域フィルタに関するものである。
（従来の技術〕
近年、セラミック・フィルタがますます用いられてきて
いる。セラミック横波電磁界（ＴＥＭ）共振器帯域フィ
ルタは、マイクＯ′ａＲＦ産業の分野において、広く用
いられている。たくさんある応用例の中から１つを挙け
ると、低損失プリセレクタ帯域フィルタがある。このよ
うな応用例において、広帯域のアンテナから典型的なマ
イクロ波受信器の狭帯域の装置へ接続する時、一定の周
波数領域、通常それは狭い帯域であるが、この狭い周波
数領域だけを透過することが要求され、一方向時に、こ
の帯域内での信号強度の損失が極めて小さいということ
が要求されることが多い。
いる。セラミック横波電磁界（ＴＥＭ）共振器帯域フィ
ルタは、マイクＯ′ａＲＦ産業の分野において、広く用
いられている。たくさんある応用例の中から１つを挙け
ると、低損失プリセレクタ帯域フィルタがある。このよ
うな応用例において、広帯域のアンテナから典型的なマ
イクロ波受信器の狭帯域の装置へ接続する時、一定の周
波数領域、通常それは狭い帯域であるが、この狭い周波
数領域だけを透過することが要求され、一方向時に、こ
の帯域内での信号強度の損失が極めて小さいということ
が要求されることが多い。
セラミックＴＥＭ共振各フィルタを製造する１つの方法
は、セラミック誘電体ブロック体にそれを１通する一連
の穴をあけ、それから、このセラミック・ブロック体の
上表面だけを除き、穴の内側面を含めたセラミック・ブ
ロック体の全表面を金属被覆体で被覆覆る。この上表面
に、ＴＥＭ共振器穴のおのおのに対しメタライゼーショ
ン工程により、集中したコンデンサが作成される。この
集中コンアンすにより、ＴＥＭ共娠共振ィルタの各共振
器に典型的に付随する静電容量かえられる。
は、セラミック誘電体ブロック体にそれを１通する一連
の穴をあけ、それから、このセラミック・ブロック体の
上表面だけを除き、穴の内側面を含めたセラミック・ブ
ロック体の全表面を金属被覆体で被覆覆る。この上表面
に、ＴＥＭ共振器穴のおのおのに対しメタライゼーショ
ン工程により、集中したコンデンサが作成される。この
集中コンアンすにより、ＴＥＭ共娠共振ィルタの各共振
器に典型的に付随する静電容量かえられる。
ある応用例では、各共畿器の共振周波数を急速に変える
ために、そしてそれによりフィルタの帯域周波数を急速
に変えるために、これらのコンデンサの静電容量値を急
速に変えることができることが要望される。１つの製造
法では、これらの集中コンデンサがバラクタ・ダイオー
ドで置き替えられる。このバラクタ・ダイオードは、セ
ラミック・ブロック体の上表面上に同じようにして作成
される。
ために、そしてそれによりフィルタの帯域周波数を急速
に変えるために、これらのコンデンサの静電容量値を急
速に変えることができることが要望される。１つの製造
法では、これらの集中コンデンサがバラクタ・ダイオー
ドで置き替えられる。このバラクタ・ダイオードは、セ
ラミック・ブロック体の上表面上に同じようにして作成
される。
４プれども、これらの製造法には欠点がいくつかある。
主な欠点は、セラミック・ブロック体の上表面上にバラ
クタが配置されると、共ｆｆ！器間の結合が乱されるこ
とである。バラクタはセラミック構造体の中のＥＭｆｆ
ｉ磁界を乱し、したがって、このフィルタが要求された
周波数に同調するさいに種々の問題点を生ずる。
クタが配置されると、共ｆｆ！器間の結合が乱されるこ
とである。バラクタはセラミック構造体の中のＥＭｆｆ
ｉ磁界を乱し、したがって、このフィルタが要求された
周波数に同調するさいに種々の問題点を生ずる。
したがって、バラクタ同調セラミックＴＥＭ共振器帯域
フィルタを改良して、バラクタによりセラミックの中の
ＥＭｆｆｉ界が乱され、それにより共振器間の結合に影
響を与える効果を少なくすることが要請されている。
フィルタを改良して、バラクタによりセラミックの中の
ＥＭｆｆｉ界が乱され、それにより共振器間の結合に影
響を与える効果を少なくすることが要請されている。
本発明の１つの目的は、改良された共振器間結合特性を
有するバラクタ同調セラミックＴＥＭ共振器帯域フィル
タを得ることである。
有するバラクタ同調セラミックＴＥＭ共振器帯域フィル
タを得ることである。
本発明の１つの特徴は、共振器穴の中に配置されたバラ
クタ・ダイオードを有することである。
クタ・ダイオードを有することである。
本発明の１つの利点は、共振器間の結合に妨害を与える
バラクタにより生ずるＥＭ電磁界の乱れが小さくなるこ
とである。
バラクタにより生ずるＥＭ電磁界の乱れが小さくなるこ
とである。
本発明により、前記要請を満たし、かつ、前記目的が達
成され、かつ、前記特徴と利点がえられる、バラクタ同
調ＴＥＭ共振器セラミック帯域フィルタが得られる。本
発明により、共振器間結合に妨害を与えるバラクタによ
り生ずるＥＭ電磁界の乱れがないように製造された、バ
ラクタで同調をとることができるセラミ７９７６Ｍ共振
器帯域フィルタが得られる。
成され、かつ、前記特徴と利点がえられる、バラクタ同
調ＴＥＭ共振器セラミック帯域フィルタが得られる。本
発明により、共振器間結合に妨害を与えるバラクタによ
り生ずるＥＭ電磁界の乱れがないように製造された、バ
ラクタで同調をとることができるセラミ７９７６Ｍ共振
器帯域フィルタが得られる。
したがって、本発明は、ＴＥＭ共蛋器穴の中に配置され
るが、共振器穴の中の金属被覆体のなお上に配置された
バラクタを右する、バラクタ同調ＴＥＭ共＠器セラミッ
ク帯域フィルタに関するものである。
るが、共振器穴の中の金属被覆体のなお上に配置された
バラクタを右する、バラクタ同調ＴＥＭ共＠器セラミッ
ク帯域フィルタに関するものである。
第１図は、１００で全体的に示された、セラミック・バ
ラクタ同調帯域フィルタ・ブロック体１０２の図面であ
る。ブロック体１０２は第１共振器穴１０４と、第２共
振器穴１０６と、第３ Ｊｉ−振器穴１０８とを有する
。これらの共振器穴は、１” Ｅ Ｍ共振器に典型的に
付随する共振器を得るために部分的に使用され、そして
その内部に下記で説明される保持器管が配置される。お
のＪ３のの共振穴は共振器穴１０４と同じ構造を有する
。これらの共振器穴は、セラミック・ブロック体１０２
の中に、その上表面１１０からその下表面１１２まで貫
通して、穴をあけることによって作成される。導電被覆
体１１４が、穴１０４．１０６および１０８の内側面を
含めて、セラミック・ブロック体１０２のすべての表面
を被覆する。ただし、穴の内側面を被覆する導電被覆体
は、下表面１１２から上表面１１０までに完全には達し
ていない。
ラクタ同調帯域フィルタ・ブロック体１０２の図面であ
る。ブロック体１０２は第１共振器穴１０４と、第２共
振器穴１０６と、第３ Ｊｉ−振器穴１０８とを有する
。これらの共振器穴は、１” Ｅ Ｍ共振器に典型的に
付随する共振器を得るために部分的に使用され、そして
その内部に下記で説明される保持器管が配置される。お
のＪ３のの共振穴は共振器穴１０４と同じ構造を有する
。これらの共振器穴は、セラミック・ブロック体１０２
の中に、その上表面１１０からその下表面１１２まで貫
通して、穴をあけることによって作成される。導電被覆
体１１４が、穴１０４．１０６および１０８の内側面を
含めて、セラミック・ブロック体１０２のすべての表面
を被覆する。ただし、穴の内側面を被覆する導電被覆体
は、下表面１１２から上表面１１０までに完全には達し
ていない。
この導電被覆体１１４は銅の厚い膜であることが好まし
い。図面では、被覆体１１４の厚さが誇張されて示され
ている。実際には、被覆体１１４の厚さはフィルタの他
の寸法に比べて極めて小さい。
い。図面では、被覆体１１４の厚さが誇張されて示され
ている。実際には、被覆体１１４の厚さはフィルタの他
の寸法に比べて極めて小さい。
その厚さは、表皮効果による侵入深さの゛数倍であるこ
とが好ましい。共振器穴の中の被覆体で被覆されていな
い領域に、バラクタ１１８．１２０および１２２が配置
される。バラクタ１１８がこの領域１１６の中で垂直に
配置される時、バラクタ・ダイオードは共振器間結合Ｅ
Ｍ１１ｉ磁界を乱すことが最も少ない。この設計は、そ
の全長が被覆された共振器を有する典型的なセラミック
・フィルタの上表面上にバラクタを単に直接に配置する
のに比べて、好ましいものである。それは、そのように
設計すると、バラクタはセラミックス体により接近しか
つセラミックス体と同じ面内にあり、したがって、共成
器間結合を大幅に乱すからである。典型的な回路基板１
２４がフィルタ１０２に取り付けられる。フィルタ１０
２は金属ケース１２６の中に収納される。の回路基板は
また回路基板１２４の下側面にハンダ付けすることもで
きる。バラクタ１１８．１２０および１２２は、それぞ
れ、バラクタ・ダイオード保持管１２８．１３０および
１３２に取り付りられる。これらの管により、バラクタ
を容易にかつ確実に配置することができる。これらの管
は下記でさらに説明される。
とが好ましい。共振器穴の中の被覆体で被覆されていな
い領域に、バラクタ１１８．１２０および１２２が配置
される。バラクタ１１８がこの領域１１６の中で垂直に
配置される時、バラクタ・ダイオードは共振器間結合Ｅ
Ｍ１１ｉ磁界を乱すことが最も少ない。この設計は、そ
の全長が被覆された共振器を有する典型的なセラミック
・フィルタの上表面上にバラクタを単に直接に配置する
のに比べて、好ましいものである。それは、そのように
設計すると、バラクタはセラミックス体により接近しか
つセラミックス体と同じ面内にあり、したがって、共成
器間結合を大幅に乱すからである。典型的な回路基板１
２４がフィルタ１０２に取り付けられる。フィルタ１０
２は金属ケース１２６の中に収納される。の回路基板は
また回路基板１２４の下側面にハンダ付けすることもで
きる。バラクタ１１８．１２０および１２２は、それぞ
れ、バラクタ・ダイオード保持管１２８．１３０および
１３２に取り付りられる。これらの管により、バラクタ
を容易にかつ確実に配置することができる。これらの管
は下記でさらに説明される。
第２図は代表的な共振器構造体の拡大分解図である。こ
の共振器構造体はバラクタ１１８を有する。バラクタ１
１８の形式、形状は、フィルタに要求される特性に応じ
て、変えることができる。
の共振器構造体はバラクタ１１８を有する。バラクタ１
１８の形式、形状は、フィルタに要求される特性に応じ
て、変えることができる。
ただし、そこで選定されたバラクタは、柱状体１３４の
上部に挿入できるものでなければならない。
上部に挿入できるものでなければならない。
この柱状体の上端部１３８はそこにバラクタ・ダイオー
ドが入るねじ１３６を有する。柱状体１３４は外側にね
じ１４０を有する事実上の棒であるが、その上端に円錐
形上端部部１３８を有し、この円錐形上端部の内側は空
洞１３６になっている。
ドが入るねじ１３６を有する。柱状体１３４は外側にね
じ１４０を有する事実上の棒であるが、その上端に円錐
形上端部部１３８を有し、この円錐形上端部の内側は空
洞１３６になっている。
柱状体１３４は適当な導電材料で作成することができる
が、その好ましい材料は銀メッキされたベリリウム・銅
である。柱状体の外側ねじ１４０はバラクタ・ダイオー
ド保持管１２８の内側ねじと噛み合う。バラクタ・ダイ
オード保持管１２８は柱状体１３４と同じ材料で作成さ
れる。管１２８は事実上円筒であって、その内側表面に
ねじ１４２を有し、その外側表面１４４は比較的滑らか
である。管１２８の外側の直径は共振器穴１０４の直ｔ
ｙによって定まり、一方、内側の直径１４６は柱状体１
３６の直径によって定まる。管１２８の高さは穴１０４
の中の金属被覆体１１４の高さに等しいことが好ましい
。管１２８は穴１０４の中の金属被覆体１１４に接合さ
れる。この接合は、管１２８と金属被覆体１１４との間
に電気的接続が得られるものであれば適当な方法で行っ
てよい。
が、その好ましい材料は銀メッキされたベリリウム・銅
である。柱状体の外側ねじ１４０はバラクタ・ダイオー
ド保持管１２８の内側ねじと噛み合う。バラクタ・ダイ
オード保持管１２８は柱状体１３４と同じ材料で作成さ
れる。管１２８は事実上円筒であって、その内側表面に
ねじ１４２を有し、その外側表面１４４は比較的滑らか
である。管１２８の外側の直径は共振器穴１０４の直ｔ
ｙによって定まり、一方、内側の直径１４６は柱状体１
３６の直径によって定まる。管１２８の高さは穴１０４
の中の金属被覆体１１４の高さに等しいことが好ましい
。管１２８は穴１０４の中の金属被覆体１１４に接合さ
れる。この接合は、管１２８と金属被覆体１１４との間
に電気的接続が得られるものであれば適当な方法で行っ
てよい。
この接合によって、管１２８と共振器穴１０４とが機械
的に取り付けられる。好ましい接合法は、ハンダ接合ま
たは銀エポキシによる接合である。
的に取り付けられる。好ましい接合法は、ハンダ接合ま
たは銀エポキシによる接合である。
管１２８が金属被覆体１１４に機械的に取り付けられた
時、機械的な取り付けと電気的な接続を完全に得るため
に、必要ならば、柱状体１３４とそれに取り付けられた
バラクタ１１８が上方または下方に操作される。
時、機械的な取り付けと電気的な接続を完全に得るため
に、必要ならば、柱状体１３４とそれに取り付けられた
バラクタ１１８が上方または下方に操作される。
第３図は本発明のフィルタとその周辺の典型的な回路の
平面概要図である。第３図において、３００で全体的に
示された多重共蚤器フィルタのうちの２個の共振器３０
２ ａ３よび３０４が示されている。共振器３０４はダ
イオード保持管３０８の上部にバラクタ３０６を有する
。ダイオード保持管３０８は共振器３０４に挿入され、
そして金属被覆体３１０と接触する。バラクタ３０６の
１つの端子は導電体３１２に電気的に接続される。導電
体３１２は、典型的には、フィルタ３００に使用される
回路基板の上に作成される。共振器３０２は共振３３０
４と同じに構成される。、導電体３１２は、コンデンサ
３１４を通してＲＦ知絡することにより、基準電圧３１
３に接続される。導電体３１２は、ＲＦチョーク３１６
を通して、可変電圧源にさらに接続される。ＲＦチョー
ク３１６はまた印刷された１／４波長伝送線路であるこ
とができる。本発明は、本発明の等価回路概要図を見る
ことによって、さらに明確に理解することができる。
平面概要図である。第３図において、３００で全体的に
示された多重共蚤器フィルタのうちの２個の共振器３０
２ ａ３よび３０４が示されている。共振器３０４はダ
イオード保持管３０８の上部にバラクタ３０６を有する
。ダイオード保持管３０８は共振器３０４に挿入され、
そして金属被覆体３１０と接触する。バラクタ３０６の
１つの端子は導電体３１２に電気的に接続される。導電
体３１２は、典型的には、フィルタ３００に使用される
回路基板の上に作成される。共振器３０２は共振３３０
４と同じに構成される。、導電体３１２は、コンデンサ
３１４を通してＲＦ知絡することにより、基準電圧３１
３に接続される。導電体３１２は、ＲＦチョーク３１６
を通して、可変電圧源にさらに接続される。ＲＦチョー
ク３１６はまた印刷された１／４波長伝送線路であるこ
とができる。本発明は、本発明の等価回路概要図を見る
ことによって、さらに明確に理解することができる。
第４図は本発明のフィルタの等価回路とその周辺の回路
との概要図である。４００で金体的に示された３個のＴ
ＥＭ共振器フィルタが示されている。このＴＥＭ共撮共
振ィルタは第１ＴＥＭ共振器４０２と、第２ＴＥＭ共振
器４０４と、第３ＴＥＭ共振器４０６とを有する。共振
器４０２゜４０４ Ｊ３よび４０６は共通の基準電圧４
０７を有する。信号人力４０８と入カランヂング・コン
デン＋Ｊ ４１０が示されている。コンデンサ４１０に
より、第１ＴＥＭ共振器４０２に対する必要な静電容量
による結合がえられる。出力ランチング・コンデンサ４
１２がまた示されている。コンデンサ４１２により、信
号出力４１４と第３ＴＥＭ共振器４０６との間の必要な
静゛電容吊結合がえられる。共振器４０２．４０４およ
び４０６のおのおのには、それぞれ、バラクタ・ダイオ
ード４１６４１８および４２０が接続される。バラクタ
４１６．４１８および４２０の制御１１電圧は、可変電
圧源４２２から平等に供給される。バラクタ制御電圧源
４２２を不必要なＲＦ倍信号ら分離するために、バラク
タ４１６，４１８および４２０は、ＲＦ倍信号通さない
インダクタ４３０，４３２および４３４をそれぞれ通し
て、可変電圧源４２２に接続される。共振器４０２．４
０４および４０７のＲＦアースは、それぞれ、コンデン
サ４２４４２６および４２８によって得られる。
との概要図である。４００で金体的に示された３個のＴ
ＥＭ共振器フィルタが示されている。このＴＥＭ共撮共
振ィルタは第１ＴＥＭ共振器４０２と、第２ＴＥＭ共振
器４０４と、第３ＴＥＭ共振器４０６とを有する。共振
器４０２゜４０４ Ｊ３よび４０６は共通の基準電圧４
０７を有する。信号人力４０８と入カランヂング・コン
デン＋Ｊ ４１０が示されている。コンデンサ４１０に
より、第１ＴＥＭ共振器４０２に対する必要な静電容量
による結合がえられる。出力ランチング・コンデンサ４
１２がまた示されている。コンデンサ４１２により、信
号出力４１４と第３ＴＥＭ共振器４０６との間の必要な
静゛電容吊結合がえられる。共振器４０２．４０４およ
び４０６のおのおのには、それぞれ、バラクタ・ダイオ
ード４１６４１８および４２０が接続される。バラクタ
４１６．４１８および４２０の制御１１電圧は、可変電
圧源４２２から平等に供給される。バラクタ制御電圧源
４２２を不必要なＲＦ倍信号ら分離するために、バラク
タ４１６，４１８および４２０は、ＲＦ倍信号通さない
インダクタ４３０，４３２および４３４をそれぞれ通し
て、可変電圧源４２２に接続される。共振器４０２．４
０４および４０７のＲＦアースは、それぞれ、コンデン
サ４２４４２６および４２８によって得られる。
動作のさいには、信号は信号入力４０８を通して入力し
、そしてランチング・コンデンサ４１０によって、バラ
クタ同調セラミック帯域フィルタ４００に静電容量によ
って結合される。フィルタ４００の帯域周波数は、バラ
クタ４１６．４１８および４２０に供給されるバラクタ
制御可変電圧源４２２からの電圧によって、変えること
ができる。バラクタに供給される電圧によってバラクタ
の静電容量が変わり、それにより各共振器の共振周波数
が変わる。フィルタ作用を受りた信号は、出力ランチン
グ・コンデンサ４１２と信号出力４１４とを通して、静
電容量による結合によって外部回路に送られる。要約を
すると、入力４０８から入ってフィルタ４００を通過し
出力４１４から出ていく周波数は、電源４２２を調節す
ることによって制御することができる。
、そしてランチング・コンデンサ４１０によって、バラ
クタ同調セラミック帯域フィルタ４００に静電容量によ
って結合される。フィルタ４００の帯域周波数は、バラ
クタ４１６．４１８および４２０に供給されるバラクタ
制御可変電圧源４２２からの電圧によって、変えること
ができる。バラクタに供給される電圧によってバラクタ
の静電容量が変わり、それにより各共振器の共振周波数
が変わる。フィルタ作用を受りた信号は、出力ランチン
グ・コンデンサ４１２と信号出力４１４とを通して、静
電容量による結合によって外部回路に送られる。要約を
すると、入力４０８から入ってフィルタ４００を通過し
出力４１４から出ていく周波数は、電源４２２を調節す
ることによって制御することができる。
本発明のフィルタとそれが持つ多くの利点は前記説明に
より理解されるであろう。本発明の範囲内で、本発明の
利点を損うことなく、形式、構成および部品の配置を種
々に変更しうろことは明らかである。本発明の前記実施
例は好ましい実施例を単に例示したものである。
より理解されるであろう。本発明の範囲内で、本発明の
利点を損うことなく、形式、構成および部品の配置を種
々に変更しうろことは明らかである。本発明の前記実施
例は好ましい実施例を単に例示したものである。
第１図は本発明の３個共振器セラミック帯域フィルタの
横断面図であって、各共振器はバラクタ・ダイオードを
有し、第２図は本発明のダイオード、柱状体およびダイ
オード保持管の拡大分解立体図、第３図は本発明のフィ
ルタとそれが取り付けられている回路基板との概要平面
図、第４図は本発明の好ましい実施例の概要等価回路図
。 〔符号の説明〕 １０２・・・・・・セラミック・ブロック体１１８．１
２０，１２２，３０６，４１６゜４１８．４２０
・・・・・・バラクタ・ダイオード、１２８．１３０．
３０８・・・・・・ダイオード保持管、１３４・・・・
・・外ねじ何杯、柱状体、１２８・・・・・・内ねじ付
スリーブ、保持管。
横断面図であって、各共振器はバラクタ・ダイオードを
有し、第２図は本発明のダイオード、柱状体およびダイ
オード保持管の拡大分解立体図、第３図は本発明のフィ
ルタとそれが取り付けられている回路基板との概要平面
図、第４図は本発明の好ましい実施例の概要等価回路図
。 〔符号の説明〕 １０２・・・・・・セラミック・ブロック体１１８．１
２０，１２２，３０６，４１６゜４１８．４２０
・・・・・・バラクタ・ダイオード、１２８．１３０．
３０８・・・・・・ダイオード保持管、１３４・・・・
・・外ねじ何杯、柱状体、１２８・・・・・・内ねじ付
スリーブ、保持管。
Claims (7)
- （１）おのおのが上端部と下端部を有し金属被覆体で被
覆された共振器穴が貫通している金属被覆体で被覆され
たセラミック・ブロック体と、共振器の上端部の金属被
覆体で被覆されていない部分の中に取り付けられたバラ
クタ・ダイオードとを有するバラクタ同調セラミックＴ
ＥＭ共振器帯域フィルタ。 - （２）特許請求の範囲第１項において、共振器穴の金属
被覆体で被覆された部分の中に挿入されかつ前記金属被
覆体と接触しかつバラクタ・ダイオードを保持すること
ができるダイオード保持管をさらに有する、前記バラク
タ同調セラミックＴＥＭ共振器帯域フィルタ。 - （３）上側面と、下側面と、前記上側面から前記下側面
までを貫通している複数個の穴とを有し、かつ、前記上
側面近傍の前記穴の内側面を除き前記下側面のところの
前記穴の内側面を含めたすべての表面が導電材料で完全
に被覆されている、セラミック・ブロック体と、 複数個の前記穴のおのおのの中に配置された複数個のバ
ラクタ・ダイオードと、 前記バラクタ・ダイオードを前記穴の中に保持する装置
と、 前記バラクタ・ダイオードを前記下側面のところの前記
穴の中の導電被覆体とを電気的に接続する装置と、 を有する装置。 - （４）特許請求の範囲第３項において、前記穴の中に前
記バラクタを保持する前記装置が前記穴の中に挿入され
かつ前記穴の中の前記導電被覆体と前記下側面のところ
で電気的に接触する円筒形バラクタ保持管を有し、かつ
、前記保持管が上端部と下端部を有し、かつ、前記バラ
クタが前記保持管の前記上端部に保持される、前記装置
。 - （５）（イ）セラミック・ブロック体に複数個の穴をあ
ける段階と、 （ロ）前記穴の内側面を含めて前記セラミック・ブロッ
ク体を導電材料の層で被覆する段階と、（ハ）複数個の
前記穴のうちのすべての前記穴の上部において前記導電
材料被覆体を除去する段階と、 （ニ）前記穴の中の前記導電材料被覆体が除去された領
域の中にバラクタ・ダイオードを配置する段階と、 （ホ）前記バラクタ・ダイオードと前記穴の中に残つて
いる前記導電被覆体とを電気的に接続する３段階と、 を有するバラクタ同調セラミックＴＥＭ共振器帯域フィ
ルタの製造法。 - （６）（イ）上端部と、下端部とを有し、外側にねじが
切つてある棒と、 （ロ）前記上端部が前記ダイオードがその内部に入る内
側にねじが切つてある空洞を有し、 （ハ）上端部と、下端部とを有し、内側にねじが切つて
あるスリーブと、 （ニ）前記スリーブの前記上端部の前記内側ねじが前記
棒の前記外側ねじと噛み合うことができること、 を有する、ダイオードを共振器管の中に保持する装置。 - （７）特許請求の範囲第６項において、前記ダイオード
が前記内側ねじ付空洞と噛み合うねじ付部分をそなえた
バラクタ・ダイオードでさらに構成されている、前記ダ
イオードを共振器管の中に保持する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19399 | 1987-02-25 | ||
| US07/019,399 US4721932A (en) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | Ceramic TEM resonator bandpass filters with varactor tuning |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227102A true JPS63227102A (ja) | 1988-09-21 |
| JPH0566041B2 JPH0566041B2 (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=21792998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041794A Granted JPS63227102A (ja) | 1987-02-25 | 1988-02-24 | バラクタ同調セラミックｔｅｍ共振器帯域フイルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4721932A (ja) |
| JP (1) | JPS63227102A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02283101A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | Sharp Corp | 可変共振回路 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0406962A3 (en) * | 1989-07-07 | 1991-04-17 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | A filter |
| EP0431234A1 (en) * | 1989-12-07 | 1991-06-12 | ELETTRONICA S.p.a. | Band-pass speedy tunable filter of the combline-type |
| GB2247125B (en) * | 1990-08-16 | 1995-01-11 | Technophone Ltd | Tunable bandpass filter |
| DE69320576T2 (de) * | 1992-09-29 | 1999-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Frequenzabstimmbarer Resonator mit einem Varaktor |
| CA2138033A1 (en) * | 1993-05-06 | 1994-11-24 | Darioush Agahi-Kesheh | Tunable filter circuit and method therefor |
| JP3613156B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2005-01-26 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置 |
| US6801104B2 (en) * | 2000-08-22 | 2004-10-05 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable combline filters tuned by tunable dielectric capacitors |
| US7342470B2 (en) * | 2001-11-02 | 2008-03-11 | Fred Bassali | Circuit board microwave filters |
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| US8230564B1 (en) | 2010-01-29 | 2012-07-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of making a millimeter wave transmission line filter |
| DE102011109507A1 (de) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Hochschule Lausitz (Fh) | Elektronisch abstimmbarer Hohlraumresonator |
| CN102569976B (zh) * | 2012-03-13 | 2014-12-03 | 华为技术有限公司 | 一种谐振管及其制造方法、腔体滤波器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61119405U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-28 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3869681A (en) * | 1972-08-30 | 1975-03-04 | Johnson Service Co | Microwave cavity oscillator having a frequency tuning element |
| US4179673A (en) * | 1977-02-14 | 1979-12-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Interdigital filter |
| JPS5535560A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coaxial type filter |
| JPS5717201A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Dielectric substance filter |
| US4431977A (en) * | 1982-02-16 | 1984-02-14 | Motorola, Inc. | Ceramic bandpass filter |
| US4523162A (en) * | 1983-08-15 | 1985-06-11 | At&T Bell Laboratories | Microwave circuit device and method for fabrication |
-
1987
- 1987-02-25 US US07/019,399 patent/US4721932A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041794A patent/JPS63227102A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915304A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
| JPS61119405U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-28 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02283101A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | Sharp Corp | 可変共振回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4721932A (en) | 1988-01-26 |
| JPH0566041B2 (ja) | 1993-09-21 |
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