JPS63227101A

JPS63227101A - セラミック・フイルタ

Info

Publication number: JPS63227101A
Application number: JP63041792A
Authority: JP
Inventors: ジェームス　ビー．ウエスト; ジェームス　シー．コジー
Original assignee: Rockwell International Corp
Current assignee: Boeing North American Inc
Priority date: 1987-02-25
Filing date: 1988-02-24
Publication date: 1988-09-21
Also published as: US4745379A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、全体的に云えば、マイクロ波ＲＦフィルタに
関するものである。さらに具体的に云えば、本発明はセ
ラミック櫛形ライン・マイクロ波ＲＦフィルタに関する
ものである。

［従来の技術１近年、マイクロ波ＲＦ技術の分野において、櫛形ライン
・フィルタの全体の寸法を小さくすることと、その回路
基板取り付は表面領域の寸法を小さくすることが、特に
強（要請されるようになってきた。これらのフィルタは
、マイクロ波ＲＦ産業の全分野において、広く用いられ
ている。数多くある応用例のうちの１つを例として挙げ
れば、低損失プリセレクタ帯域フィルタがある。このよ
うな分野に用いられる場合、広帯域のアンテナから典型
的なマイクロ波受信器のような狭帯域装置に）妄続され
る時、一定の周波数領域だけを透過すると同時に、通常
それは狭い帯域だけを透過するが、それと共に、この帯
域内で信号強度の損失が極めて小さいということが、し
ばしば強く要請される。

マイクロ波ＲＦＩ学の要請に応える帯域フィルタを作製
する１つの方法は、次の書籍、ＧｅｏｒｇｅＬ、Ｈａｔ
ｔｈａｅｉ、Ｌｃｏ　ｖｏｕｎｇ、および［、Ｈ，Ｔ、
ＪＱｎＱＳ著「Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　［ｉ１℃ｅｒ、　
ＩＩＩｌｐ１３ｄａｎＣｅ−ＨａｔＣｈｉｎ（ＩＮｅｔ
ｗｏｒｋｓ、ａｎｄ　ＣｏｕｐｌｉｎｇＳｔｒｕｃｔｕ
ｒｅｓＪ　　（ＨｃＧｒａｗＨｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　Ｃ０
ＩＤａｎｌ／、ニューヨーク、１９６４年出版）に開示
されている。この書籍の第８．１３節と第８．１４節が
本発明において参考として取り入れられている。そこに
開示されている空気誘電体フィルタが、従来、帯域透過
フィルタ作用を実行するのに用いられてきた。けれども
、このようなフィルタは、最近、小形化する傾向にある
ので、従来の空気誘電体の代りにセラミック材料が使わ
れるようになってきた。

帯域フィルタを作製するまた別の方法も試みられている
。この別の方法は次の論文、＾ｔｓｕｓｈｉＦｕｋａｓ
ａｗａ著［＾ｎａｌｙｓｉｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ　ｏｆ　ａＮｅｗ　ＨｉＣｒｏｗａＶｅ　Ｆｉ
ｌｔｅｒ　ｃｏｎｒｔｇｕｒａｔｔｏｎ　ＷｉｔｈＩｎ
ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍｅ
ｄｉｕｍ　Ｊ　　（ＩＥ［ＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　
ｏｎ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｔｈｅｏｒｙ　ａｎｄＴＯ
ＣｈｎｉＱｕｅＳ、第ＭＴＴ−３０巻、第９号、１９８
２年９月）に開示されている。この文献も本発明におい
て参考として取り入れられている。

Ｆｕｋａｓａｗａは数個の共振器を使用している。これ
らの共振器のおのおのはセラミック誘電体によって取り
囲まれており、そして通常の型枠構造体によって、相互
に一定の距離を保って配置される。

このような装置、またはそれらを変更した装置、が、マ
イクロ波ＲＦ信号のフィルタとして広く用いられている
が、これらの装置は多くの重大な欠点を有している。空
気誘電体を有する従来の櫛形フィルタの１つの大きな問
題点は、その全体としての寸法である。このようなフィ
ルタが回路基板の上で占める表面領域が、極めて好まし
くない程、大きいことがよくある。これらのフィルタの
また別の欠点は、同調用コンデンサがしばしば必要なこ
とである。これらのコンデンサはフィルタ構造体に種々
の問題点を引き起こす。それは、セラミック・フィルタ
共振器の特性インピーダンスが、空気誘電体を、そなえ
た典型的な共振器のインピーダンスの１／６であるから
である。このために、共振器の同調を得るには、大きな
値の集中コンデンサが必要になる。このように大きなコ
ンデンサを調節すると、それは共振器の結合係数を乱し
勝ちであり、したがって、フィルタの同調を得るのがよ
り間離になる。さらに、外部コンデンサは、フィルタの
寿命の期間内に、ドリフトするという問題点がある。Ｆ
ｕｋａｓａｗａ方式で設計されたセラミック・フィルタ
の１つの大きな欠点は、たとえそれが典型的な空気誘電
体フィルタよりは小形であっても、その全体的な寸法と
必要な表面領域の大きさである。Ｆｕｋａｓａｗａ方式
で設計されたセラミック・フィルタのまた別の欠点は、
個々の共振器を要求された位置に保持するのに、型枠Ｉ
Ｉ構造体必要であることである。この型枠構造体のため
に、装置は大変厄介なものとなり、そして取り扱いが面
倒になる。Ｆｕｋａｓａｗａ方式の設計によるセラミッ
ク・フィルタのまた別の欠点は、このフィルタと他の回
路素子とを結合するために、補助共振器が必要であるこ
とである。最後に、ＦｕｋａＳａＶＩａ方式の設計によ
るセラミック・フィルタのまた別の欠点は、このような
フィルタを回路基板に集積化することが難しいことと、
およびこのような集積にかなりのコストがかかることで
ある。

したがって、全体的な寸法が小さくかつ取りイ１けのた
めに必要な面積が小さく、かつ、回路基板へ集積化する
ことがより容易におよびより安価にでき、かつ、このフ
ィルタを最初により容易に同調させることができる、改
良された櫛形マイクロ波ＲＦフィルタが現われることに
対する要請が存在していた。

［発明の目的と要約］本発明の１つの目的は、マイクロ波ＲＦフィルタの全体
の寸法を小さくし、かつ、必要な表面領域の大きさを小
さくすることである。

本発明の１つの特徴は、複数個の整合した共振器の典型
的には両端に配置される、ランチャ共振器を省略できる
ことである。このランチャ共振器は、典型的には、一連
の共振器の両端の共振器の中に電気プローブを備えてお
り、それにより、同軸静電容量が作られて結合を行なう
ものである。

本発明の１つの利点は、共振器フィルタの表面上に作ら
れるべき平行板コンデンサが不必要になることである。

本発明の１つの目的は、各共振器に付随するコンデンサ
を省略することができる、一体化されたマイクロ波ＲＦ
共振器フィルタを得ることである。

本発明の１つの特徴は、セラミック誘電体全体の表面上
に典型的な導電被覆体を有するが、そこでさらに、導電
被覆体を有しない複数個の切り欠きを有することである
。

本発明の１つの利点は、各共振器に付随する上表面コン
デンサを省略することができることであり、かつ同時に
、複数個の共振器を分傾するのに型枠構造体を備えなく
てもよいことである。

本発明により、前記要請と前記目的を満たし、かつ、前
記特徴と前記利点とを有する、セラミック櫛形共振器フ
ィルタが得られる。マイクロ波ＲＦ信号は、櫛形フィル
タにおいて典型的に見られる端部ランチャ共振器がモノ
リシック共振器フィルタにおいて省略されているという
意味で、かつ、櫛形フィルタの各横波電磁波（ＴＥＭ）
共振器に付随する典型的な集中コンデンサがまたモノリ
シック共振器フィルタにおいて省略されるという意味で
、「ランチャ共振器なし」および１集中コンデンサなし
」の単一体共振器フィルタによって、フィルタ作用が行
なわれる。その代り、入力同軸静電容量と出力同軸静電
容量は、端部ＴＦＭ共振器のおのおのの中に電気プロー
ブを挿入することによって得られる。共振器間の結合は
、セラミック材料体の上表面以外のすべての表面をａｍ
している典型的な金３被覆体の中に、金属被覆体で被覆
されていない複数個の切り欠きを備えることによって得
られる。共振器の長さはほぼ１／４波長であるので、金
属被覆体で被覆されていない切り火さという不均等を導
入することによって、始めて、電磁的結合が可能になる
。さらに、端部共振器の中に２個の電気プローブを挿入
することが必要であるけれども、セラミック体／共振器
・組立体の上表面に静電容量用の金属被覆体がないので
、このフィルタを回路基板に取り付けることが大いに可
能となる。また、本発明のフィルタによって、製造がよ
り容易になり、かつ、最初の同調調整がより容易になる
。

したがって、本発明はマイクロ波ＲＦ信号にフィルタ作
用を行なう装置と方法に関するものである。この装置は
、セラミック誘電体と、このセラミック誘電体の表面上
の金属被覆体の中に金属被覆体で被覆されていない複数
個の切り欠きと、両端の共振器の中に配置されたコンデ
ンサ・プローブと、をそなえた櫛形フィルタを有する。

［実施例１本発明は図面を参照しながらの下記説明によって最もよ
く理解することができる。

第１図は先行技術による不均等セラミック・フィルタの
図面である。このフィルタは１０で全体的に示されてお
り、第１横電磁波（Ｔ　Ｅ　Ｍ　）共振器１１と、第２
　’ｒ　Ｅ　Ｍ共振器１２と、第３ＴＥＭ共振器１３と
、第４ＴＥＭ共振器１４と、第５ＴＥＭ共振器１５と、
第１ランチヤ共振器１６と、第２ランチヤ共振器１７と
を有する。これらの共振器はいずれもセラミック媒体を
有するものである。型枠装？ｉ１８によって、これらの
共振器が一定の間隔をもって所定の位置に固定される。

したがって、共振器の間には、１９のような空隙が存在
する。

第２図は本発明のモノリシツ・り不均等セラミック・フ
ィルタの分解図であって、典型的な回路基板も一緒に示
されている。このフィルタは全体的に２００で示されて
おり、そしてセラミック体２０２と、３個のＴＥＭ共振
器穴２０２，２１０゜２１２を有する。セラミック体２
０２は上側面２０４と、下側面２０６とを有し、そして
３個のＴＥＭ共振器穴２０２，２１０．２１２Ｌｔ上側
面２０４から下側面２０６までセラミック体２０２を貫
通している。セラミック体２０２は、そのおのおのの縦
側面上に、複数個の切り欠きを有する。

これらの切り欠きはセラミック体２０２の内部へ切り込
ま机ており、そしてざらに上側面２０４から下側面２０
６までに渡って作成されている。セラミック体２０２は
、穴２０８，２１０，２１２を含めた全表面が、金属被
覆体２１４で覆われている。ただし、上側面２０４と切
り欠きの側面は覆われていない。上側面２０４と下側面
２０６の間の距離は、このフィルタに要求される周波数
の関数ひある。この距離の典型的な大きさは１／４波長
よりもわずかに小さい程度である。

３個のメッキされた３個の穴２０８．２１０８よび２１
２のおのおのは下側面２０６のところで電気的に接続さ
れ、そして上表面２０４では電気的に接続されない、端
にある穴２０８および２１２には、それぞれ、絶縁体ス
リーブ２２４および２２６が入っている。これらのスリ
ーブの材料として好ましいものはポリテトラ・フロロエ
チレンまたはポリスチレンである。スリーブ２２４は上
＠２２８と下端２３０とを有する。スリーブ２２４が穴
２０８の中に挿入された時、スリーブ２２４の下端２３
０とセラミック体の下側面２０６とが揃い、一方、上端
２２８は上側面２０４と揃う。

スリーブ２２６は上端２３２と下端２３４とを有し、そ
してスリーブ２２４とその穴２０８の場合と同じように
、スリーブ２２６は穴２１２の中に入るように設計され
る。スリーブ２２４はその上端２２８のところにコンデ
ンサ・プローブ２３６が入る穴があけられており、そし
てスリーブ２２６【よその上端のところにコンデンＦす
・プローブ２３８が入る穴があけられている。これらの
コンデンサ・プローブ２３６および２３８は回路基板２
４０の一部分である。プロ一ブ２３６および２３８の長
さは可変であり、そして入力と出力の静電容量結合の大
きさはこのプローブの長さで定まる。

動作のさいには、プローブ２３６および２３８と、それ
と一定の距離をもって並置された穴２０８および２１２
の中の金属被覆体２１４との間の静電容量によって、フ
ィルタ２００と回路基板２４ｏが結合する。一方、共振
器の間の結合は、金属被覆体によって被覆されていない
切り欠き２１６．２１８，２２０および２２２によって
得られる。

第３図は第２図のモノリシック不均等セラミック誘電体
フィルタの拡大図である。３００で全体的に示されてい
るフィルタはセラミック体３０２を有する。このセラミ
ック体３０２は、３８の領域内でｅをもつ誘電率の大き
な誘電体であることが好ましい。２つの好ましいセラミ
ック材料を挙げれば、４チタン酸バリウム（Ｂ　ａ　Ｔ
　ｉ　、ｓ　Ｏｇ　）およびチタン酸ジルコニウム・ス
ズである。セラミック体３０２は、上側面３０４と、下
側１ｌｉ１１３０６と、第１端部３０８と、第２端部３
１０と、第１側面３１２と、第２側面３１４とを有する
。セラミック体３０２は、上側面３０４以外のすべての
表面上に、金属被覆体３１６を有する。この金属被覆体
３１６は適当な導電材料であることができるが、銅合金
であることが好ましい。第１側面３１２は第１側面第１
切り欠き３１８と、第１側面第２切り火きとを有する。

切り欠き３１８および３２０はセラミック体３０２の一
部分を除去す　゛ることによって作られることが好まし
い。これらの切り欠きは共振器間結合を得るためのもの
であって、それらの寸法、容積および形状はフィルタの
具体的特性に応じて定められる。もしフィルタの中にＮ
個の共振器があるならば、２組の切り欠きがあるであろ
う。すなわち、フィルタのそれぞれの側面に１組ずつが
そなえられ、そしておのおのの組はＮ−１個の切り欠き
を有することが好ましい。第２側面３１４は第２側面第
１切り欠き３２２と、第２側面第２切り欠き３２４を有
する。

切り火き３２２および３２４Ｇよ切り欠き３１８および
３２０と同じ構造を有する。セラミック体３ｏ２は第１
共振器穴３２６と、第２共娠器穴３２８と、中央共振器
穴３３０とを有する。共振器穴３２６．３２８および３
３０はセラミック体３０２の上表面３０４から下表面３
０６まで１通している。これらの共振器穴３２６．３２
８および３３ｏはセラミック体３０２に穴をあけること
によって作成されることが好ましい。

金属被覆体３１６は共振器穴３２６，３２８および３３
０のおのおのの側面にも存在する。中央共振器穴３３０
は、穴３３０のまわりの側面３゜４の上に、導電体バッ
ド３３２を有することが好ましい。このバッド３３２は
穴３３０の側面のまわりにある金属被覆体３１６と電気
的に接続されている。バッド３３２は中央共振器に対し
付加電気長を得るためのものであって、それにより端部
共振器に関する結合用静電容量を補償する。バッド３３
２の寸法、形状および大きさは、このフィルタに要求さ
れる特性に応じて変えることができる。切り欠き３１８
，３２０．３２２および３２４はセラミック体３０２の
中に作成され、そしてこれらの切り欠きにより、共ｆｆ
！器管３２６，３２８および３３０の間の結合がえられ
る。上側面３０４と上側面３０６との間の距離は変える
ことができ、そしてこの距離により、このフィルタは周
波数が決定される。典型的な場合としては、３゜４と３
０６の間の距離は要求された周波数の波長の１／４より
もいくらか小さくされる。

第４図は、第３図のフィルタを下側面から児た図面であ
る。このフィルタは４００で全体的に示されており、そ
してセラミック体４０２と、上側面４０４と、下側面４
０６と、第１端部４０８と、第２端部４１０と、第１側
面４１２と、第２側面４１４とを有する。セラミック体
４０２は、上側面４０４以外のすべての表面−ヒに、金
属被覆体４１６を有する。さらに、複数個の切り欠きが
、側面４１２および４１４に沿って、金属被覆体４１６
を通してセラミック体４０２の中に作られる。

セラミック体４０２は３個の穴４２６．４３０および４
２８を有している。これらの穴は、上側面４０４から下
側面４０６まで、セラミック体４゜２をｎ通している。

金属被覆体４１６は、下側面４０６と、穴４２６．４２
８および４３ｏとの全表面を被覆している。

第５図は、本発明のまた別の実施例のモノリシック均等
誘電体フィルタの分解図である。５００で全体的に示さ
れているこのフィルタは、セラミック体５０２を有する
。セラミック体５０２は、上側面５０４と、下側面５０
６と、第１端部５０８と、第２端部５１０と、第１側面
５１２と、第２側面５１４とを有する。セラミック体５
０２は第１　ＴＥＭ共振器穴５１６と、第２ＴＥＭ共振
器穴５１８と、中央ＴＥＭ共ｆｆ１５穴５２０とを有す
る。穴５１６．５１８および５２０は、上側面５０４か
ら下側面５０６まで、セラミック体５０２を貝通してい
る。これらの穴は、セラミック体５０２に穴あけ工程に
より作成されることが好ましい。金属被覆体５２２は、
穴５１６．５１８および５２０の内面を含めて、セラミ
ック体５０２の全表面を被覆する。ただし、上表面５０
４だけは、金属被覆体５２２で被覆されない。上表面５
０４は、第１コンデンサ・パッド５２４と、第２コンデ
ンナ・パッド５２６と、中央コンデンサ・パッド５２８
とをさらに有する。これらのコンデンサ・パッドにより
、古典的なＩ型フィルタの各共振器に典型的に付随する
静電容Ｒがえられる。これらのパッドの寸法と、容積と
、位置と、形状は、フィルタ５００に要求される特性に
応じて変えることができる。中央の穴５２０のまわりの
上側面５０４上に、導電体パッド５３０が配置される。

この導電体パッド５３０は穴５２０の中の金属被覆体５
２２と電気的に接続される。導電体パッド５３０の寸法
と、形状と、配置は、フィルタ５゜Ｏに要求される特性
に応じて変えることができる。

第１ＴＥＭ共振器穴５１６の長さと第２共娠器穴５１８
の長さとは、フィルタ５００に要求される特性に応じて
変えられる。これらの穴の典型的な長さは、フィルタ５
００の要求された波１まの１／４よりかなり短い長さで
ある。第５図に、第１　ＴＥＭ共振共振細穴絶縁体スリ
ーブ５３２第２ＴＥＭ共振器穴絶縁体スリーブ５３４と
がまた示されている。スリーブ５３２および５３４の中
には、回路基板５４０に取り付けられているコンデンサ
・プローブ５３６および５３８が挿入される。

動作のさいには、フィルタ５００は、コンデンサ・プロ
ーブ５３６と穴５１６の中の金属被覆体５２２とによっ
て作られる静電容量と、コンデンサ・プローブ５３８と
穴５１８の中の金属被覆体５２２とによって作られる静
電容量とにより、回路基板５４０に静電容量により結合
される。共振器５１６．５１８および５２０の相互間の
電磁的結合は、これらの共振器が１／４波長より小さい
ので、セラミック体を通して行なわれる。

本発明のモノリシック・セラミック・フィルタとその製
造法は、およびそれらに付随する多くの利点は、前記説
明により理解されるであろう。本発明の範囲内において
、本発明のフィルタの一部分またはその製造法の一部分
を、本発明の特徴を損うことなく、種々に変更しうるこ
とは明らかであろう。前記実施例は例示された好ましい
実施例であって、本発明がそれに限定されるものではな
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行技術の不均等誘電体フィルタ装置の平面図
、第２図は本発明のモノリシック不均等セラミック・フ
ィルタの概要分解図、第３図は本発明のモノリシック不
均等セラミック・フィルタの上平面と側面の拡大立体図
、第４図は本発明のモノリシック不均等セラミック・フ
ィルタの上平面と側面の拡大立体図、第５図は本発明の
また別の実施例のモノリシック均等セラミック・フィル
タの概要分解図。［符号の説明］２００．３００，４００，５００　　セラミックＲＦフ
ィルタ２０２．３０２，４０２，５０２　　、ｌｆｆ１体７０
ツク体２０４．３０４，４０４，５０４　　上表面、上側面２０６．３０６，４０６，５０６　　Ｆａ面、下側面２０８．２１０，２１２，３２６　　ＴＥＭ共振３２８
．３３０，４２８，４２８　　器穴４３０、　５１６．
　５１８．　５２０２１６．　２１８．　２２０．　２
２２３１８，３２０，３２２．３２４　　　　　　　　
　　　　　　切り欠き２１４．３１６，４１６．５１２
　　導電材料被覆体、導電体波覆体２３６．２３８，５３６，５３８　　コンデンサ・プロ
ーブ２２４．２２６，５３２，５３４　　円筒形絶縁体スリ
ーブ２０８．３２６，４２６．５１６　　第１端部共撮器穴２１２．３２８，４２８，５１８　　ｍ２ｏａ部共振器
穴

Claims

【特許請求の範囲】

（１）（イ）上表面と、下表面と、空間的に相互に予め
定められた距離だけ隔てられて配置されかつ前記上表面から前記下表面まで貫通している複数個のＴＥＭ共振器穴と、を有する誘電体ブロック体と、（ロ）前記誘電体ブロック体が前記上表面から前記下表面に渡つて作成されている複数個の切り欠きを有し、（ハ）前記誘電体ブロック体が、前記上表面と前記切り欠きのすべての側面とだけを除いて、複数個の前記穴を含むすべての表面の上に導電材料被覆体を有し、（ニ）複数個の前記共振器穴の中に配置されかつ回路基板に取り付けることが可能な複数個のコンデンサ・プローブと、（ホ）複数個の前記共振器穴の内面を被覆している前記被覆体と前記コンデンサ・プローブとの間に配置された複数個の円筒形絶縁体スリーブと、を有する前記回路板に典型的には取り付けられる形式の
セラミックＲＦフィルタ。
（２）特許請求の範囲第１項において、複数個の前記Ｔ
ＥＭ共振器穴が（イ）第１端部共振器穴と、（ロ）第２端部共振器穴と、（ハ）前記第１端部共振器穴と前記第２端部共振器穴との間に配置された複数個の中央共振器穴と、をさらに有する前記セラミックＲＦフィルタ。
（３）特許請求の範囲第２項において、前記上表面の上
に配置されかつ複数個の中央共振器穴のうちの１つの共
振器穴と電気的に接続された複数個の導電体パッドをさ
らに有する、前記セラミックＲＦフィルタ。
（４）特許請求の範囲第１項において、前記誘電体ブロ
ック体が第１端部と、第２端部と、正面側面と、裏面側
面とをさらに有する、前記セラミックＲＦフィルタ。
（５）特許請求の範囲第４項において、複数個の前記共
振器穴が第１ＴＥＭ共振器穴と、第２ＴＥＭ共振器穴と
、中央ＴＥＭ共振器穴とを有する、前記セラミックＲＦ
フィルタ。
（６）特許請求の範囲第５項において、複数個の前記コ
ンデンサ・プローブが、前記第１共振器穴の中に配置さ
れた第１コンデンサ・プローブと、前記第２共振器穴の
中に配置された第２コンデンサ・プローブとをさらに有
する、前記セラミックＲＦフィルタ。
（７）特許請求の範囲第６項において、複数個の前記円
筒形絶縁体スリーブが前記第１コンデンサ・プローブと
前記第１共振器穴との間に配置された第１絶縁体スリー
ブと、前記第２コンデンサ・プローブと前記第２共振器
穴との間に配置された第２絶縁体スリーブとをさらに有
する、前記セラミックＲＦフィルタ。
（８）特許請求の範囲第７項において、前記上表面の上
に配置されかつ前記中央共振器穴の内側を被覆している
前記被覆体と電気的に接続された導電体パッドをさらに
有する、前記セラミックＲＦフィルタ。
（９）（イ）上表面と、下表面と、第１端部と、第２端
部と、前記上表面から前記下表面に渡つて作成されている複数個の切り欠きを有する正面側面および裏面側面とを有する１個の誘電体ブロック体と、（ロ）前記誘電体ブロック体が、ＴＥＭ共振器を作成するために、空間的に相互に予め定められた距離だけ隔てられて配置されかつ前記上表面から前記下表面まで貫通した複数個の穴をさらに有し、（ハ）前記誘電体ブロック体が、前記上表面と前記切り欠きのすべての側面だけを除いて、複数個の前記穴の側面を含むすべての表面の上に作成された導電材料被覆体をさらに有し、（ニ）複数個の前記穴のうちの１つの穴の中に配置されかつ回路基板に取り付けることが可能な第１コンデンサ・プローブと、（ホ）複数個の前記穴のうちの他の穴の中に配置されかつ回路基板に取り付けることが可能な第２コンデンサ・プローブと、（ヘ）前記第１コンデンサ・プローブと前記穴のうちの前記１つの穴との間に配置された第１円筒形絶縁体スリーブと、（ト）前記第２コンデンサ・プローブと前記穴のうちの前記他の穴との間に配置された第２円筒形絶縁体スリーブと、を有する回路基板に取り付けることが可能な形式のモノ
リシック不均等誘電体セラミックＲＦフィルタ。
（１０）特許請求の範囲第９項において、前記正面側面
の中の複数個の前記切り欠きの総数が複数個の前記共振
器穴の総数よりも１個だけ少ない前記モノリシック不均
等誘電体セラミックＲＦフィルタ。
（１１）特許請求の範囲第１０項において、複数個の前
記共振器穴が、第１共振器穴と、第２共振器穴と、中央
共振器穴とで構成される、前記モノリシック不均等誘電
体セラミックＲＦフィルタ。
（１２）特許請求の範囲第１１項において、前記中央穴
のまわりの前記上表面上に作成された導電体パッドをさ
らに有し、かつ、前記導電体パッドが前記中央穴の中の
前記導電材料被覆体とさらに電気的に接続されている、
前記モノリシック不均等誘電体セラミックＲＦフィルタ
。
（１３）（イ）上表面と、下表面と、第１端部と、第２
端部と、正面側面と、裏面側面とを有する単一の誘電体ブロック体と、（ロ）前記誘電体ブロック体が、ＴＥＭ共振器を作成するために、空間的に相互に予め定められた距離だけ隔てられて配置されかつ前記上表面から前記下表面まで貫通している複数個の共振器穴をさらに有し、（ハ）前記誘電体ブロック体が、前記上表面だけを除いて、複数個の前記共振器穴の側面を含むすべての表面の上に導電材料被覆体をさらに有し、（ニ）複数個の前記共振器穴のうちの１つの共振器穴の中に配置されかつ回路基板に取り付けることが可能な第１コンデンサ・プローブと、（ホ）複数個の前記共振器穴のうちの他の共振器穴の中に配置されかつ回路基板に取り付けることが可能な第２コンデンサ・プローブと、（ヘ）前記第１コンデンサ・プローブと前記共振器穴のうちの前記１つの共振器穴との間に配置された第１円筒形絶縁体スリーブと、（ト）前記第２コンデンサ・プローブと前記共振器穴のうちの前記他の共振器穴との間に配置された第２円筒形絶縁体スリーブと、を有するモノリシック・セラミック誘電体ＲＦフィルタ
。
（１４）特許請求の範囲第１３項において、複数個の前
記共振器穴のうちの前記１つの共振器穴と複数個の前記
共振器穴のうちの前記他の共振器穴とを除き複数個のす
べての前記共振器穴のまわりの前記上表面の上に作成さ
れた導電体パッドをさらに有し、かつ、前記導電体パッ
ドが前記導電材料被覆体とさらに電気的に接続されてい
る、前記モノリシック・セラミック誘電体ＲＦフィルタ
。