JPS63222399A - Auxiliary ram test circuit - Google Patents

Auxiliary ram test circuit

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JPS63222399A
JPS63222399A JP62057049A JP5704987A JPS63222399A JP S63222399 A JPS63222399 A JP S63222399A JP 62057049 A JP62057049 A JP 62057049A JP 5704987 A JP5704987 A JP 5704987A JP S63222399 A JPS63222399 A JP S63222399A
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JP
Japan
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data
ram
parallel
input
address
Prior art date
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Application number
JP62057049A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideshi Maeno
秀史 前野
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To shorten the test time of a RAM by executing the change of writing data and the comparison of the writing data and reading data during one shift in. CONSTITUTION:Respective scanning paths are independently disposed so as to execute a shift operation and a data input. In the mass production step of the RAM 9, the data output of the RAM 9 is inputted to a comparator 13 in parallel, this input is compared with the parallel input of writing expected data from the scanning path 8c and the data output of the RAM 9 is checked according to the coincidence detection thereof. In a development step, at the time of checking the writing data at every bit of a designated address, the data output of the RAM 9 is directly inputted to the path 8c in parallel, input data is outputted serially by one and one bit to a terminal 7c and the writing data is checked at every bit. Further, a test using effectively all cycle series is carried out.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置のテスト容易化設計に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the testability design of semiconductor devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

先ず、スキャンパスの説明をする。第4図はスキャンパ
ス方式のテスト補助回路の一例を示す構成図である。図
において、1はスキャンレジスタ、2はパラレル入力端
子、3はパラレル出力端子、4はモード切換端子、5は
シリアル入力端子、6はクロック入力端子、7はシリア
ル出力端子である。スキャンレジスタ1は複数個直列に
接続されてシフトレジスタを構成している。
First, I will explain the scan path. FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a scan path type test auxiliary circuit. In the figure, 1 is a scan register, 2 is a parallel input terminal, 3 is a parallel output terminal, 4 is a mode switching terminal, 5 is a serial input terminal, 6 is a clock input terminal, and 7 is a serial output terminal. A plurality of scan registers 1 are connected in series to form a shift register.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

モード切換端子4をシリアルモードに設定することによ
り、クロック入力端子6にクロックが与えられる毎にシ
リアルシフトを行ない、シリアル出力端子7にシフトア
ウトビットを出力するとともにシリアル入力端子5から
データをシフトインする。一方、モード切換端子4をパ
ラレルモードに設定することにより、クロック入力端子
6にクロックが与えられる毎にパラレル入力端子2に与
えられているデータをスキャンレジスタに取り込む。ど
ちらのモードにおいてもスキャンレジスタの保持してい
るデータはパラレル出力端子3に出力されている。
By setting the mode switching terminal 4 to serial mode, a serial shift is performed every time a clock is applied to the clock input terminal 6, a shift out bit is output to the serial output terminal 7, and data is shifted in from the serial input terminal 5. do. On the other hand, by setting the mode switching terminal 4 to the parallel mode, data applied to the parallel input terminal 2 is taken into the scan register every time a clock is applied to the clock input terminal 6. In either mode, the data held by the scan register is output to the parallel output terminal 3.

スキャンバスは上記のような動作が行なえるので、シリ
アルモードでテスト用データをシフトインしパラレル出
力端子を通じて被テスト回路に加え、被テスト回路の応
答データをパラレルモードでスキャンレジスタに取り込
みシリアルモードでシリアル出力端子にシフトアウトす
ることができる。このため、テストに必要な端子数が少
なくて済む(例えば第4図回路の場合、モード切換端子
4、シリアル入力端子5.クロック入力端子6゜シリア
ル出力端子7の4端子で済む)ので、半導体装置を安価
に構成できテスト補助回路として利用されている。
The scan canvas can operate as described above, so test data can be shifted in in serial mode and applied to the circuit under test through the parallel output terminal, and response data from the circuit under test can be fetched into the scan register in parallel mode and can be run in serial mode. It can be shifted out to the serial output terminal. Therefore, the number of terminals required for testing is small (for example, in the case of the circuit shown in Figure 4, only four terminals are required: mode switching terminal 4, serial input terminal 5, clock input terminal 6, and serial output terminal 7). The device can be constructed at low cost and is used as a test auxiliary circuit.

次に、このスキャンバスを用いたランダムアクセスメモ
リ(以下、RAMと称す)のテスト補助回路を説明する
Next, a test auxiliary circuit for random access memory (hereinafter referred to as RAM) using this scan canvas will be explained.

第5図は従来のRAMテスト補助回路の一例を示す回路
図である。ここではアドレスnビット、データmビット
を持つRAMを示している。図において、8a、8b、
8cは第4図と同様のスキャンバス、5a、5bはシリ
アル入力端子、6はクロック入力端子、7a、7cはシ
リアル出力端子、9はRAM、10はアドレス端子、1
1はデータ入力端子、12はデータ出力端子である。ス
キャンバス8aはアドレス端子10d、スキャンバス8
bはデータ入力端子11に、スキャンバス8cはデータ
出力端子12に接続されている。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional RAM test auxiliary circuit. Here, a RAM having n address bits and m data bits is shown. In the figure, 8a, 8b,
8c is a scan canvas similar to that in FIG. 4, 5a and 5b are serial input terminals, 6 is a clock input terminal, 7a and 7c are serial output terminals, 9 is a RAM, 10 is an address terminal, 1
1 is a data input terminal, and 12 is a data output terminal. Scan canvas 8a has address terminal 10d, scan canvas 8
b is connected to the data input terminal 11, and the scan canvas 8c is connected to the data output terminal 12.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

テスト時にRAM9からのデータを読み出すには、シリ
アル入力端子5aに読み出しアドレスを1ビツトづつセ
ットしながらクロック入力端子6にクロックを加え、ス
キャンバス8aにアドレスがそろった時点でRAMの読
み出し動作を行ない、データ出力端子12に現れる出力
データをスキャンバス8Cをパラレルモードにして取り
込んだ後、該スキャンバス8cをシリアルモードにしク
ロック入力端子6にクロックを加えることによってシリ
アル出力端子7cからRAMの出力データを1ビツトづ
つ読み出す。従って、データの読み出しにはn+m回の
シフト動作が必要である。
To read data from the RAM 9 during a test, set the read address one bit at a time to the serial input terminal 5a while applying a clock to the clock input terminal 6, and when the address is aligned on the scan canvas 8a, read the RAM. After setting the scan canvas 8C in parallel mode and taking in the output data appearing at the data output terminal 12, the scan canvas 8C is set in the serial mode and a clock is applied to the clock input terminal 6, thereby outputting the RAM output data from the serial output terminal 7c. Read out one bit at a time. Therefore, n+m shift operations are required to read data.

また、テスト時にRAM9にデータを書き込むには、シ
リアル入力端子5aに書き込みアドレスを、シリアル入
力端子5bに書き込みデータを1ビツトづつセットしな
がらクロック入力端子6にクロックを加え、スキャンバ
ス8a及び8bにアドレス及びデータがそろった時点で
RAMの書き込み動作を行なう。従って、アドレス及び
データをそろえるにはmあるいはnのどちらか大きい方
のビット数分のシフト動作が必要である。
To write data to the RAM 9 during testing, a clock is applied to the clock input terminal 6 while setting the write address to the serial input terminal 5a and the write data to the serial input terminal 5b one bit at a time, and the scan canvases 8a and 8b are When the address and data are complete, the RAM write operation is performed. Therefore, in order to align the address and data, a shift operation for the number of bits, whichever is larger, m or n, is required.

RAMのテストを行なうには1アドレスに付き少なくと
も1回の書き込み及び読み出しを行なう必要があり、読
み出しデータのシフトアウトと同時に次のアドレス及び
書き込みデータをシフトインする方法を用いても1アウ
トに付きmあるいはnのどちらか大きい方のビット数分
のシフト動作が必要である。
To test RAM, it is necessary to write and read at least once per address. Shift operations for the number of bits, whichever is larger, m or n, are required.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来のRAMのテスト補助回路は以上のように構成され
ているので、テスト時に1アドレスに付き数回、即ち上
記の例では少なくともmあるいはnのどちらか大きい方
のビット数分のシフト動作が必要であり、テスト時間の
増加を招き、半導体装置のテストコストを増大させると
いう問題があった。
Since the conventional RAM test auxiliary circuit is configured as described above, during testing, it is necessary to perform a shift operation several times per address, that is, in the above example, at least the number of bits of m or n, whichever is larger, is required. Therefore, there is a problem that the test time increases and the test cost of the semiconductor device increases.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、RAMのテスト時に必要なシフト回数を減ら
してテスト時間を短縮させ、安価な半導体装置を得るこ
とを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and aims to shorten test time by reducing the number of shifts required when testing a RAM, and to obtain an inexpensive semiconductor device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係るRAMテスト補助回路は、RAMのアド
レス端子、データ入力端子、及びデータ出力端子に接続
されたスキャンバスをそれぞれ独立にシフト動作及びデ
ータ入力ができるように独立に設け、データ出力端子に
接続されたスキャンパスに入力される書き込み期待デー
タのパラレル出力とRAMの書き込みデータのパラレル
出力との情報の一致をヰ★出する比較回路を設けたもの
である。
In the RAM test auxiliary circuit according to the present invention, the scan canvases connected to the address terminal, data input terminal, and data output terminal of the RAM are provided independently so that shift operations and data input can be performed independently, and the scan canvases are connected to the data output terminal. A comparison circuit is provided to determine whether the parallel output of write expected data input to the connected scan paths and the parallel output of write data of the RAM match.

〔作用〕[Effect]

本発明においては、前述のような構成にすることにより
、全周期系列を効果的に用いたテストを行なうことがで
き、RAMのテスト時間を短縮することができる。
In the present invention, by adopting the above-mentioned configuration, it is possible to conduct a test using effectively all cycle sequences, and it is possible to shorten the RAM test time.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

゛第1図はこの発明の一実施例によるRAMのテスト補
助回路を示す。図において、3a、3b。
1 shows a RAM test auxiliary circuit according to an embodiment of the present invention. In the figure, 3a, 3b.

8cは第4図と同様のスキャンパスで、スキャンパス8
aは端子5aに入力されるアドレス信号を第1のクロッ
ク信号6aによりシリアル入力し、該入力されたアドレ
スデータをアドレス端子10にパラレル出力してRAM
9のアドレス指定を行い、スキャンパス8bは端子5b
に入力される書き込みデータを第2のクロック信号6b
によりシリアル入力し、該入力された書き込みデータを
データ入力端子11にパラレル出力して上記指定された
アドレスにデータの書き込みを行い、スキャンパス8c
はデータ出力端子12に接続され、端子5cに入力され
る上記書き込みデータと同一の書き込み期待データを第
3のクロック信号6cによりシリアル入力し、該入力さ
れた書き込み期待データをパラレル出力する。5a、5
b、5cはシリアル入力端子、6a、6b、6cはクロ
ック入力端子、7a、7b、7cはシリアル出力端子、
9はRAM、10はアドレス端子、11はデータ入力端
子、12はデータ出力端子、13は上記RAM9の書き
込みデータのパラレル出力と、上記第3のスキャンパス
の書き込み期待データのパラレル出力とを入力とし、該
2つの入力を比較してその一致を検出する比較回路、1
4は比較結果出力端子である。
8c is the same scan path as in Fig. 4, scan path 8
a serially inputs the address signal input to the terminal 5a using the first clock signal 6a, outputs the input address data in parallel to the address terminal 10, and then outputs the input address data to the address terminal 10 in parallel.
9, and scan path 8b is connected to terminal 5b.
The write data input to the second clock signal 6b
The input write data is output in parallel to the data input terminal 11 to write the data to the specified address, and the scan path 8c
is connected to the data output terminal 12, serially inputs the same expected write data as the write data inputted to the terminal 5c using the third clock signal 6c, and outputs the inputted expected write data in parallel. 5a, 5
b, 5c are serial input terminals, 6a, 6b, 6c are clock input terminals, 7a, 7b, 7c are serial output terminals,
9 is a RAM, 10 is an address terminal, 11 is a data input terminal, 12 is a data output terminal, and 13 is the input of the parallel output of the write data of the RAM 9 and the parallel output of the write expected data of the third scan path. , a comparison circuit that compares the two inputs and detects a match, 1
4 is a comparison result output terminal.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第1図の回路は、各スキャンパスをそれぞれ独立にシフ
ト動作及びデータ入力ができるように、RAMのアドレ
ス端子、データ入力端子、及びデータ出力端子の各端子
に接続して各々独立に設けたので、RAMの量産段階に
おいては、上述のようにRAMのデータ出力を比較回路
1−3にパラレル入力し、該入力と、スキャンパス8C
からの書き込み期待データのパラレル入力とを比較し、
その一致を検出することによってRAMのデータ出力の
チェックが行なえる。また、第1図回路は従来の第5図
の回路と同様の動作も行なえる。即ち、RAMの開発段
階においては、指定したアドレスの各ビット毎に書き込
みデータのチェックを行う必要があり、このような場合
にはRAMのデータ出力を直接スキャンバス8Cにパラ
レル入力し、入力されたデータを出力端子7Cに1ビツ
トずつシリアル出力することによって各ビット毎に書き
込みデータのチェ7りが行なえる。更にこの回路では全
周期系列を効果的に用いたテストを行なうことができる
The circuit shown in Figure 1 is connected to the address terminal, data input terminal, and data output terminal of the RAM so that each scan path can be independently shifted and input data. , at the mass production stage of RAM, the data output of the RAM is input in parallel to the comparator circuit 1-3 as described above, and the input and scan path 8C are
Compare the expected data written from the parallel input with the
By detecting the coincidence, the data output of the RAM can be checked. Further, the circuit of FIG. 1 can perform the same operation as the conventional circuit of FIG. 5. That is, in the development stage of RAM, it is necessary to check the write data for each bit of the specified address. In such a case, the data output of the RAM is directly input in parallel to the scan canvas 8C, By serially outputting data one bit at a time to the output terminal 7C, write data can be checked for each bit. Furthermore, this circuit allows tests to be performed effectively using full period sequences.

先ず、全周期系列について第2図を用いて説明する。n
ビットの全周期系列とは、連続するnビットの0から2
′−1の値全てを1回だけ含むビット系列である。第2
図は0001001101011110000という4
ビツトの全周期系列を示している。図において、000
1001101011110000というビット系列は
連続する4ビツトがOから15(−2’−1)の値全て
を1回だけ含んでいるということが分かる(10進表示
を参照の事)。一般にnビットの全周期系列が存在する
事が知られている。
First, the full period series will be explained using FIG. 2. n
A complete periodic sequence of bits is a sequence of n consecutive bits from 0 to 2.
It is a bit sequence that contains all the values of '-1 only once. Second
The diagram is 0001001101011110000 4
The full period sequence of bits is shown. In the figure, 000
It can be seen that the bit sequence 1001101011110000 contains all four consecutive bits from 0 to 15 (-2'-1) only once (see decimal representation). Generally, it is known that a full period sequence of n bits exists.

次に、この全周期系列を第1図の回路に通用すれば効果
的にRAMのテストが行なえることを説明する。
Next, it will be explained that if this full cycle sequence is applied to the circuit shown in FIG. 1, it is possible to effectively test the RAM.

第1図にはアドレスnビット、データmビットを持つR
AMを示している。このような構成のRAMはアドレス
nビットデータ1ビツトを持つRAMがm個接続された
ものと考えられるので、テスト時にはデータとしてOと
1の1ビツトだけを考慮すれば良い。
Figure 1 shows R with n address bits and m data bits.
It shows AM. Since a RAM having such a configuration is considered to be m RAMs each having n address bits and 1 bit of data connected, only 1 bit of 0 and 1 needs to be considered as data during testing.

以下、第1図においてn=4、m=5であるとして説明
を行なう。
The following explanation will be given assuming that n=4 and m=5 in FIG.

第1図のスキャンパス8aに対し第2図に示した全周期
系列を通用する。つまり、クロック入力端子6aにクロ
ックを加えながら、0001001101011110
000というビット系列をシリアル入力端子5aからシ
フトインすると、RAMのアドレス空間であるθ番地か
ら15番地の全ての番地を指定することができる(ただ
し、第2図に示したようにO番地、8番地、12番地、
、、、、1番地という順に指定される)。このことは、
わずか1回のシフトインでアドレスが更新できることを
示している。従って、このアドレス更新の為の1回のシ
フトインの間に、書き込みデータの変更と読み出しデー
タの比較が行なえれば短時間にRAMのテストを行なう
ことができる。
The entire cycle sequence shown in FIG. 2 is applied to the scan path 8a in FIG. 1. In other words, while applying a clock to the clock input terminal 6a, 0001001101011110
By shifting in the bit series 000 from the serial input terminal 5a, all addresses from θ to 15 in the RAM address space can be specified (however, as shown in FIG. Street number, number 12,
, , , address 1). This means that
This shows that the address can be updated with just one shift-in. Therefore, if the write data can be changed and the read data can be compared during one shift-in for updating the address, the RAM can be tested in a short time.

テスト時にはデータとして0と1の1ビツトだけを考慮
すれば良いことは既に示した。従って5(−m)ビット
のデータとしては01010と10101の2通りのみ
を考慮すれば良く、これらは1回のシフトインで互いに
もう一方の状態に移ることができる為、スキャンパス8
bや8Cに設定するのに通している。つまり、シリアル
入力端子5b及びクロック入力端子6bを制御すること
により、アドレス更新の為の1回のシフトインの間に書
き込みデータ(01010と10101のどちらか任意
)をスキャンパス8bに設定することができるし、シリ
アル入力端子5c及びクロック入力端子6Cを制御する
事により、アドレス更新の為の1回のシフトインの間に
読み出し期待データ(01010と10101のどちら
か任意)をスキャンパス8Cに設定することができる。
It has already been shown that only one bit, 0 and 1, needs to be considered as data during testing. Therefore, it is only necessary to consider two types of 5(-m) bit data, 01010 and 10101, and since these can be mutually transferred to the other state with one shift-in, the scan path 8
I use it to set it to b or 8C. In other words, by controlling the serial input terminal 5b and the clock input terminal 6b, it is possible to set write data (any one of 01010 and 10101) to the scan path 8b during one shift-in for address update. By controlling the serial input terminal 5c and the clock input terminal 6C, the expected read data (any one of 01010 and 10101) can be set in the scan path 8C during one shift-in for updating the address. be able to.

スキャンパス8Cには比較回路13が接続されているの
で、RAMのデータ出力端子12からの読み出しデータ
とスキャンパス8Cの保持している書き込み期待データ
とを瞬時に比較することができ、比較結果は比較結果出
力端子14に出力されるので、読み出しのためのシフト
動作は不要である。
Since the comparison circuit 13 is connected to the scan path 8C, it is possible to instantly compare the read data from the data output terminal 12 of the RAM and the write expected data held by the scan path 8C, and the comparison result is Since the comparison result is output to the output terminal 14, a shift operation for reading is not necessary.

このような本実施例では、全周期系列を用いて効果的に
テストを行なうことができるので、テスト時間を短縮で
き、テストコストを低減することができる。
In this embodiment, the test can be effectively performed using the full cycle sequence, so the test time can be shortened and the test cost can be reduced.

なお、上記実施例ではアドレス4ビツト、データ5ビツ
トを持つRAMについて示したが、これは一般のアドレ
スnビット、データmピントを持つRAMに対しても通
用することができる。
In the above embodiment, a RAM having 4 bits of address and 5 bits of data is shown, but this can also be applied to a general RAM having n bits of address and m pinpoints of data.

また上記実施例では1個のRAMに対するテスト補助回
路を示したが、複数個のRAMに対しては第3図に示す
ように第1図の回路を直列に接続することで上記実施例
と同様の効果が得られる。
Furthermore, although the above embodiment shows a test auxiliary circuit for one RAM, for multiple RAMs, the circuit shown in FIG. 1 can be connected in series as shown in FIG. The effect of this can be obtained.

(発明の効果〕 以上のようにこの発明に係るRAMテスト補助回路によ
れば、全周期系列を用いたアドレス更新の為の1回のシ
フトインの間に、書き込みデータの変更と、書き込みデ
ータ及び読み出しデータの比較を行なうようにしたので
、RAMのテスト時に必要なシフト動作の回数を減らず
ことができ、テスト時間を短縮し、生産コストを安価に
することができる効果がある。
(Effects of the Invention) As described above, according to the RAM test auxiliary circuit according to the present invention, during one shift-in for updating an address using a full cycle sequence, write data can be changed, and write data and Since the read data is compared, the number of shift operations required when testing the RAM can be avoided without reducing the number of shift operations, which has the effect of shortening the test time and reducing production costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるRAMテスト補助回
路を示す構成図、第2図は4ビツトの全周期系列の一例
を示す図、第3図はRAMが複数個ある場合のこの発明
の他の実施例によるRAMテスト補助回路を示す構成図
、第4図はスキャンパスの一例を示す構成図、第5図は
従来のRAMテスト補助回路を示す構成図である。 図において、1はスキャンレジスタ、2はパラレル入力
端子、3はパラレル出力端子、4はモード切換端子、5
,5a、5b、5cはシリアル入力端子、s、6a、6
b、6cはクロック入力端子、7.7a、7b、7c、
7d、7e、7fはシリアル出力端子、8a、8b、8
c、8d、8e、3fはスキャンパス、9はRAM、1
0はアドレス端子、11はデータ入力端子、12はデー
タ出力端子、13. 13 c、  13 rは比較回
路、14.14c、14fは比較結果出力端子である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing a RAM test auxiliary circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an example of a 4-bit full cycle sequence, and FIG. 3 is a diagram showing a RAM test auxiliary circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a scan path, and FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional RAM test auxiliary circuit. In the figure, 1 is a scan register, 2 is a parallel input terminal, 3 is a parallel output terminal, 4 is a mode switching terminal, and 5
, 5a, 5b, 5c are serial input terminals, s, 6a, 6
b, 6c are clock input terminals, 7.7a, 7b, 7c,
7d, 7e, 7f are serial output terminals, 8a, 8b, 8
c, 8d, 8e, 3f are scan paths, 9 is RAM, 1
0 is an address terminal, 11 is a data input terminal, 12 is a data output terminal, 13. 13c and 13r are comparison circuits, and 14.14c and 14f are comparison result output terminals. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)RAM(ランダム・アクセス・メモリ)テスト補
助回路において、 第1のクロック信号によりアドレス信号をシリアル入力
し、該入力されたアドレスデータを上記RAMのアドレ
ス端子にパラレル出力して上記RAMのアドレス指定を
行なう第1のスキャンパスと、 第2のクロック信号により書き込みデータをシリアル入
力し、該入力された書き込みデータを上記RAMのデー
タ入力端子にパラレル出力して上記指定されたアドレス
にデータの書き込みを行なう第2のスキャンパスと、 上記RAMのデータ出力端子に接続され上記第3のクロ
ック信号により上記書き込みデータと同一の書き込み期
待データをシリアル入力し、該入力された書き込み期待
データをパラレル出力する第3のスキャンパスと、 上記RAMの書き込みデータのパラレル出力と、上記第
3のスキャンパスの書き込み期待データのパラレル出力
とを入力とし、該2つの入力を比較してその一致を検出
する比較回路とを設けたことを特徴とするRAMテスト
補助回路。
(1) In a RAM (Random Access Memory) test auxiliary circuit, an address signal is serially inputted using a first clock signal, and the inputted address data is outputted in parallel to the address terminal of the RAM to determine the address of the RAM. Serially input write data using a first scan path for specifying and a second clock signal, output the input write data in parallel to the data input terminal of the RAM, and write data to the specified address. and a second scan path connected to the data output terminal of the RAM to serially input expected write data identical to the write data using the third clock signal, and output the input expected write data in parallel. a third scan path; a comparison circuit that receives as inputs the parallel output of the write data of the RAM and the parallel output of the expected write data of the third scan path, and compares the two inputs to detect a match; A RAM test auxiliary circuit characterized by comprising:
JP62057049A 1987-03-12 1987-03-12 Auxiliary ram test circuit Pending JPS63222399A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0566244A (en) * 1991-02-25 1993-03-19 Mitsubishi Electric Corp Scan path apparatus and semiconductor integrated circuit device containing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0566244A (en) * 1991-02-25 1993-03-19 Mitsubishi Electric Corp Scan path apparatus and semiconductor integrated circuit device containing the same

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