JPH0566244A - Scan path apparatus and semiconductor integrated circuit device containing the same - Google Patents

Scan path apparatus and semiconductor integrated circuit device containing the same

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JPH0566244A
JPH0566244A JP4035188A JP3518892A JPH0566244A JP H0566244 A JPH0566244 A JP H0566244A JP 4035188 A JP4035188 A JP 4035188A JP 3518892 A JP3518892 A JP 3518892A JP H0566244 A JPH0566244 A JP H0566244A
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data
scan register
scan
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Abstract

PURPOSE:To obtain a scan path apparatus which achieve a testing of an RAM built into a semiconductor integrated circuit device in a short time. CONSTITUTION:A group 10 of scan registers for addresses, groups 20 and 30 of scan registers for data and a selector 50 are connected in series between a serial input terminal SIB and a serial output terminal SOB to form a scan path with a bypassing function. A shift clock SCK applied to the group 10 of scan registers for addresses is separated from a shift clock applied to the groups 20 and 30 of scan registers for data to control the groups 10, 20 and 30 of scan registers so that the groups 20 and 30 of scan registers for data stop a shifting action while the group 10 of scan registers for addresses performs a shifting operation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はスキャンパス装置およ
びそれを含む半導体集積回路装置に関し、特にテスト容
易化設計方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanpath device and a semiconductor integrated circuit device including the same, and more particularly to a testability design method.

【0002】[0002]

【従来の技術】スキャンパスは、RAM(Random
Access Memory)等の半導体集積回路装
置のテストを行なうためのテスト補助回路(またはテス
ト回路)として用いられる。第1の従来技術として基本
的なスキャンパスを説明し、第2の従来技術としてバイ
パス機能付きスキャンパスを説明し、第3の従来技術と
してアドレス設定に全周期系列を用いるスキャンパスを
説明する。
2. Description of the Related Art A scan path is a RAM (Random).
It is used as a test auxiliary circuit (or a test circuit) for testing a semiconductor integrated circuit device such as an access memory. A basic scan path will be described as a first conventional technology, a scan path with a bypass function will be described as a second conventional technology, and a scan path using a full cycle sequence for address setting will be described as a third conventional technology.

【0003】(1) 第1の従来技術 (a) 基本的なスキャンパスの構成 図47は、RAMのためのテスト補助回路(スキャンパ
ス)の構成を示すブロック図である。
(1) First Prior Art (a) Basic Scan Path Structure FIG. 47 is a block diagram showing the structure of a test auxiliary circuit (scan path) for a RAM.

【0004】RAM2の周囲には、複数のアドレス用ス
キャンレジスタ(以下、ADスキャンレジスタと呼ぶ)
10a、複数のデータ入力用スキャンレジスタ(以下、
DIスキャンレジスタと呼ぶ)20aおよび複数のデー
タ出力用スキャンレジスタ(以下、DOスキャンレジス
タと呼ぶ)30aが配列されている。RAM2およびス
キャンレジスタ10a,20a,30aは、他のロジッ
ク回路(図示せず)とともに同一の半導体チップ上に形
成されている。これらのスキャンレジスタ10a,20
a,30aは、通常動作時には、半導体チップ上の他の
ロジック回路とRAM2とを接続し,RAM2のテスト
時には、半導体チップ上の他のロジック回路とRAM2
とを互いに分離する。
A plurality of address scan registers (hereinafter referred to as AD scan registers) are provided around the RAM 2.
10a, a plurality of data input scan registers (hereinafter,
A DI scan register) 20a and a plurality of data output scan registers (hereinafter, referred to as DO scan register) 30a are arranged. The RAM 2 and the scan registers 10a, 20a, 30a are formed on the same semiconductor chip together with other logic circuits (not shown). These scan registers 10a, 20
a and 30a connect the other logic circuit on the semiconductor chip and the RAM2 during the normal operation, and when the RAM2 is tested, the other logic circuit on the semiconductor chip and the RAM2.
And are separated from each other.

【0005】スキャンレジスタ10a,20a,30a
はシリアル入力端子SICとシリアル出力端子SOCと
の間に直列に接続され、スキャンパス(1種のシフトレ
ジスタ)を構成する。RAM2のテスト時には、スキャ
ンパスのシフト機能によって、アドレス信号およびデー
タのようなテストデータが、RAM2のアドレス入力端
子A0〜Am−1およびデータ入力端子DI1〜DIn
を介してRAM2に与えられる。RAM2のテスト結果
は、RAM2のデータ出力端子DO1〜DOnを介して
スキャンパスのDOスキャンレジスタ30aに取込まれ
る。
Scan registers 10a, 20a, 30a
Is connected in series between the serial input terminal SIC and the serial output terminal SOC, and constitutes a scan path (one type of shift register). At the time of testing the RAM2, test data such as address signals and data are transferred to the address input terminals A0 to Am-1 and the data input terminals DI1 to DIn of the RAM2 by the shift function of the scan path.
Via RAM to RAM2. The test result of the RAM2 is taken into the DO scan register 30a of the scan path via the data output terminals DO1 to DOn of the RAM2.

【0006】(b) ADスキャンレジスタ 図48は、ADスキャンレジスタ10aの回路構成を示
す。ADスキャンレジスタ10aは、NチャネルMOS
トランジスタN51〜N53およびインバータG51〜
G54を含む。インバータG51,G52はレシオ型ラ
ッチ回路を構成し、インバータG53,G54もレシオ
型ラッチ回路を構成する。インバータG52,G54
は、それぞれインバータG51,G53よりも小さい駆
動能力を有する。
(B) AD Scan Register FIG. 48 shows a circuit configuration of the AD scan register 10a. The AD scan register 10a is an N channel MOS
Transistors N51-N53 and inverters G51-
Including G54. The inverters G51 and G52 form a ratio type latch circuit, and the inverters G53 and G54 also form a ratio type latch circuit. Inverters G52, G54
Have a driving capability smaller than that of the inverters G51 and G53, respectively.

【0007】ADスキャンレジスタ10aは、シリアル
入力端子SI、シリアル出力端子SO、パラレル入力端
子PI1およびパラレル出力端子PO1を有する。ま
た、ADスキャンレジスタ10aは、パラレルクロック
PCK1を受けるパラレルクロック端子pck1、アド
レス用第1のシリアルシフトクロックSCK1Aを受け
るシリアルクロック端子sck1a、およびアドレス用
第2のシリアルシフトクロックSCK2Aを受けるシリ
アルクロック端子sck2aを有する。
The AD scan register 10a has a serial input terminal SI, a serial output terminal SO, a parallel input terminal PI1 and a parallel output terminal PO1. Further, the AD scan register 10a receives a parallel clock terminal pck1 that receives the parallel clock PCK1, a serial clock terminal sck1a that receives the first serial shift clock SCK1A for address, and a serial clock terminal sck2a that receives the second serial shift clock SCK2A for address. Have.

【0008】RAM2の通常動作時には、シリアルクロ
ック端子sck1aの電位が“L”に設定され、パラレ
ルクロック端子pck1の電位が“H”に設定される。
それにより、パラレル入力端子PI1からパラレル出力
端子PO1へアドレス信号が伝達される。このとき、シ
リアルクロック端子sck2aの電位は“H”および
“L”のいずれに設定してもよい。
During normal operation of the RAM 2, the potential of the serial clock terminal sck1a is set to "L" and the potential of the parallel clock terminal pck1 is set to "H".
As a result, the address signal is transmitted from the parallel input terminal PI1 to the parallel output terminal PO1. At this time, the potential of the serial clock terminal sck2a may be set to either "H" or "L".

【0009】RAM2のテスト時には、パラレルクロッ
ク端子pck1の電位が“L”に設定される。それによ
り、RAM2が他のロジック回路と分離される。また、
シリアルクロック端子sck1a,sck2aに与えら
れる第1相および第2相のクロックSCK1A,SCK
2Aによりシフト動作が行なわれる。それにより、AD
スキャンレジスタ10aにテスト用アドレスが設定され
る。
At the time of testing the RAM2, the potential of the parallel clock terminal pck1 is set to "L". As a result, the RAM 2 is separated from other logic circuits. Also,
First-phase and second-phase clocks SCK1A, SCK provided to the serial clock terminals sck1a, sck2a
The shift operation is performed by 2A. Thereby, AD
A test address is set in the scan register 10a.

【0010】(c) DIスキャンレジスタ 図49は、DIスキャンレジスタ20aの回路構成を示
す。DIスキャンレジスタ20aは、図48のADスキ
ャンレジスタ10aと同じ構成を有し、同一または相当
部分には同一符号が付される。DIスキャンレジスタ2
0aは、第1のシリアルシフトクロックSCK1を受け
るシリアルクロック端子sck1および第2のシリアル
シフトクロックSCK2を受けるシリアルクロック端子
sck2を有する。
(C) DI Scan Register FIG. 49 shows the circuit configuration of the DI scan register 20a. The DI scan register 20a has the same configuration as the AD scan register 10a in FIG. 48, and the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals. DI scan register 2
0a has a serial clock terminal sck1 that receives the first serial shift clock SCK1 and a serial clock terminal sck2 that receives the second serial shift clock SCK2.

【0011】RAM2の通常動作時には、シリアルクロ
ック端子sck1の電位が“L”に設定され、パラレル
クロック端子pck1の電位が“H”に設定される。そ
れにより、パラレル入力端子PI1からパラレル出力端
子PO1へデータが伝達される。このとき、シリアルク
ロック端子sck2の電位は“H”および“L”のいず
れに設定してもよい。
During normal operation of the RAM 2, the potential of the serial clock terminal sck1 is set to "L" and the potential of the parallel clock terminal pck1 is set to "H". Thereby, the data is transmitted from the parallel input terminal PI1 to the parallel output terminal PO1. At this time, the potential of the serial clock terminal sck2 may be set to either "H" or "L".

【0012】RAM2のテスト時には、パラレルクロッ
ク端子pck1の電位が“L”に設定される。それによ
り、RAM2が他のロジック回路から分離される。ま
た、シリアルクロック端子sck1,sck2に与えら
れる第1相および第2相のシフトクロックSCK1A,
SCK2Aによりシフト動作が行なわれる。それによ
り、DIスキャンレジスタ20aにテスト用入力データ
が設定される。
At the time of testing the RAM2, the potential of the parallel clock terminal pck1 is set to "L". As a result, the RAM 2 is separated from other logic circuits. Further, the first-phase and second-phase shift clocks SCK1A, which are given to the serial clock terminals sck1, sck2,
The shift operation is performed by SCK2A. As a result, the test input data is set in the DI scan register 20a.

【0013】(d) DOスキャンレジスタ 図50は、DOスキャンレジスタ30aの回路構成を示
す。DOスキャンレジスタ30aにおいて、ADスキャ
ンレジスタ10aおよびDIスキャンレジスタ20aと
同一または相当部分には同一符号が付される。DOスキ
ャンレジスタ30aは、NチャネルMOSトランジスタ
N61〜N64、インバータG61〜G64、イクスク
ルーシブNOR回路G65およびNOR回路G66を含
む。また、DOスキャンレジスタ30aは、反転テスト
クロック/TCKを受ける反転テストクロック端子/t
ckを有している。
(D) DO Scan Register FIG. 50 shows the circuit configuration of the DO scan register 30a. In the DO scan register 30a, the same or corresponding parts as those of the AD scan register 10a and the DI scan register 20a are designated by the same reference numerals. DO scan register 30a includes N-channel MOS transistors N61 to N64, inverters G61 to G64, an exclusive NOR circuit G65 and a NOR circuit G66. Further, the DO scan register 30a has an inverted test clock terminal / t for receiving the inverted test clock / TCK.
have ck.

【0014】RAM2の通常動作時には、シリアルクロ
ック端子sck1の電位が“L”に設定され、パラレル
クロック端子pck1およびシリアルクロック端子sc
k2の電位が“H”に設定される。それにより、パラレ
ル入力端子PIからパラレル出力端子POへRAM2の
出力データが伝達される。このとき、反転テストクロッ
ク端子/tckの電位は“H”および“L”のいずれに
設定してもよい。
During normal operation of the RAM 2, the potential of the serial clock terminal sck1 is set to "L", the parallel clock terminal pck1 and the serial clock terminal sc
The potential of k2 is set to "H". As a result, the output data of the RAM 2 is transmitted from the parallel input terminal PI to the parallel output terminal PO. At this time, the potential of the inverted test clock terminal / tck may be set to either "H" or "L".

【0015】RAM2のテスト時には、パラレルクロッ
ク端子pck1の電位が“L”に設定され、反転テスト
クロック端子/tckの電位が“H”に設定される。そ
れにより、RAM2が他のロジック回路から分離され
る。また、シリアルクロック端子sck1,sck2に
与えられる第1相および第2相のシフトクロックSCK
1,SCK2によりシフト動作が行なわれる。それによ
り、テスト結果が読出される。
At the time of testing the RAM2, the potential of the parallel clock terminal pck1 is set to "L" and the potential of the inverted test clock terminal / tck is set to "H". As a result, the RAM 2 is separated from other logic circuits. Further, the first-phase and second-phase shift clocks SCK supplied to the serial clock terminals sck1 and sck2
The shift operation is performed by 1 and SCK2. Thereby, the test result is read.

【0016】(e) スキャンパスの動作 図51は、図47のスキャンパスのシフト動作を示すタ
イミング図である。各スキャンレジスタ10a,20
a,30aのシリアルクロック端子sck1,sck1
aには第1相のクロックが与えられ、シリアルクロック
端子sck2,sck2aには、第2相のクロックが与
えられる。
(E) Scan Path Operation FIG. 51 is a timing chart showing the shift operation of the scan path of FIG. Each scan register 10a, 20
a, 30a serial clock terminals sck1, sck1
The first-phase clock is applied to a, and the second-phase clock is applied to the serial clock terminals sck2 and sck2a.

【0017】各スキャンレジスタのシリアル入力端子S
Iのデータは、第1相のクロックによってスキャンレジ
スタ内のノードAに取込まれる。ノードAのデータは反
転され、第2のクロックによってノードBに転送され
る。ノードBのデータは反転され、シリアル出力端子S
Oに与えられる。
Serial input terminal S of each scan register
The data of I is taken into the node A in the scan register by the clock of the first phase. The data at node A is inverted and transferred to node B by the second clock. The data of the node B is inverted and the serial output terminal S
Given to O.

【0018】結果として、シリアル入力端子SIからシ
リアル出力端子SOへ1ビットのシフト動作が行なわれ
る。このように、2相のクロックによってシフト動作が
行なわれ、テストデータの設定およびテスト結果の読出
しが行なわれる。
As a result, a 1-bit shift operation is performed from serial input terminal SI to serial output terminal SO. In this way, the shift operation is performed by the two-phase clock, and the test data is set and the test result is read.

【0019】図52は、図47のスキャンパスのテスト
時の動作を示すタイミング図である。スキャンレジスタ
20a,30aのシリアルクロック端子sck1,sc
k2にはシリアルシフトクロックSCK1,SCK2が
与えられ、ADスキャンレジスタ10aのシリアルクロ
ック端子sck1a,sck2aには、別のシリアルシ
フトクロックSCK1A,SCK2Aが与えられる。そ
れにより、テストアドレスの更新が行なわれる。
FIG. 52 is a timing chart showing the operation at the time of testing the scan path of FIG. Serial clock terminals sck1 and sc of the scan registers 20a and 30a
The serial shift clocks SCK1 and SCK2 are given to k2, and the other serial shift clocks SCK1A and SCK2A are given to the serial clock terminals sck1a and sck2a of the AD scan register 10a. As a result, the test address is updated.

【0020】DOスキャンレジスタ30aのパラレル出
力端子POには読出し期待値が設定されている。イクス
クルーシブNOR回路G65によって、RAM2からパ
ラレル入力端子PIに読出されたデータが読出し期待値
と比較される。また、データが読出されるごとに、反転
テストクロック端子/tckに反転テストクロック/T
CKが与えられる。そのため、フェイルデータ(誤った
データ)が読出されると、NOR回路G66の出力ノー
ドに反転テストクロック/tckを反転することにより
得られるクロックPCK2が発生する。その結果、パラ
レル入力端子PIのデータがノードA(PO2)に取込
まれる。
A read expected value is set to the parallel output terminal PO of the DO scan register 30a. The exclusive NOR circuit G65 compares the data read from the RAM 2 to the parallel input terminal PI with the read expected value. In addition, every time data is read, the inverted test clock / Tck is applied to the inverted test clock / Tck.
CK is given. Therefore, when fail data (wrong data) is read, clock PCK2 obtained by inverting the inverted test clock / tck is generated at the output node of NOR circuit G66. As a result, the data of the parallel input terminal PI is taken into the node A (PO2).

【0021】ノードPO2には、予めシフト動作によっ
てパラレル出力端子POのデータと同じデータが設定さ
れている。したがって、フェイルデータが読出される
と、ノードPO2のデータは反転する。
The same data as the data of the parallel output terminal PO is previously set in the node PO2 by the shift operation. Therefore, when the fail data is read, the data at node PO2 is inverted.

【0022】複数のアドレスについて上記の動作が行な
われた後、再び図51に示すシフト動作を行なうことに
より、シリアル出力端子SOからテスト結果が読出され
る。このように、ラッチ回路により保持されるデータが
反転したか否かに基づいて、読出し期待値と異なるデー
タがパラレル入力端子PIに与えられたかどうかを、知
ることができる。 (2) 第2の従来技術 図53は、バイパス機能付きスキャンパスを含む半導体
集積回路装置の構成を示すブロック図である。
After the above operation is performed for a plurality of addresses, the shift operation shown in FIG. 51 is performed again to read the test result from serial output terminal SO. In this way, it can be known whether or not the data different from the expected read value is given to the parallel input terminal PI based on whether or not the data held by the latch circuit is inverted. (2) Second Prior Art FIG. 53 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device including a scan path with a bypass function.

【0023】半導体チップ1a上に複数の回路ブロック
2aが設けられる。各回路ブロック2aは、たとえばR
AM、ROM(Read Only Memory)ま
たは乗算器を含む。各回路ブロック2aの周囲にはテス
ト回路3aが設けられる。テスト回路3aは直列に接続
された複数のスキャンレジスタ31およびセレクタ32
を含む。
A plurality of circuit blocks 2a are provided on the semiconductor chip 1a. Each circuit block 2a is, for example, R
It includes an AM, a ROM (Read Only Memory) or a multiplier. A test circuit 3a is provided around each circuit block 2a. The test circuit 3a includes a plurality of scan registers 31 and a selector 32 connected in series.
including.

【0024】セレクタ32は、モード制御信号MDに応
答して初段のスキャンレジスタ31への入力および最終
段のスキャンレジスタ31からの出力のうちいずれか一
方を選択的に出力する。セレクタ32が“1”の側に設
定されると、セレクタ32は初段のスキャンレジスタ3
1への入力を選択する。これをバイパス状態と呼ぶ。ま
た、セレクタ32が“0”の側に設定されると、セレク
タ32は最終段のスキャンレジスタ31の出力を選択す
る。これを非バイパス状態と呼ぶ。
In response to the mode control signal MD, the selector 32 selectively outputs either the input to the scan register 31 at the first stage or the output from the scan register 31 at the final stage. When the selector 32 is set to the “1” side, the selector 32 causes the first stage scan register 3
Select the input to 1. This is called a bypass state. When the selector 32 is set to the “0” side, the selector 32 selects the output of the scan register 31 at the final stage. This is called a non-bypass state.

【0025】複数の回路ブロック2aに対応する複数の
テスト回路3aがシリアル入力端子SICとシリアル出
力端子SOCとの間に直列に接続され、半導体チップ1
a上でスキャンパスを構成する。
A plurality of test circuits 3a corresponding to a plurality of circuit blocks 2a are connected in series between the serial input terminal SIC and the serial output terminal SOC, and the semiconductor chip 1
Configure a scan path on a.

【0026】通常、テストの対象となっていない回路ブ
ロック2aに対応するセレクタ32はバイパス状態に設
定され、テストの対象となっている回路ブロック2aに
対応するセレクタ32は非バイパス状態に設定される。
それにより、テストデータはテストの対象となっている
回路ブロック2aに対応するスキャンレジスタ31のみ
を通過する。したがって、テストデータがすべてのスキ
ャンレジスタ31を通過する場合に比べて、シフト動作
の回数が少なくなり、テスト時間が短縮される。
Normally, the selector 32 corresponding to the circuit block 2a which is not the test target is set to the bypass state, and the selector 32 corresponding to the circuit block 2a which is the test target is set to the non-bypass state. ..
As a result, the test data passes only the scan register 31 corresponding to the circuit block 2a that is the test target. Therefore, as compared with the case where the test data passes through all the scan registers 31, the number of shift operations is reduced and the test time is shortened.

【0027】図54は、回路ブロックがRAM2である
場合のテスト回路の構成の一例を示すブロック図であ
る。
FIG. 54 is a block diagram showing an example of the configuration of the test circuit when the circuit block is RAM2.

【0028】テスト回路3aは、アドレス用スキャンレ
ジスタ群(以下ADスキャンレジスタ群と呼ぶ)10、
データ入力用スキャンレジスタ群(以下DIスキャンレ
ジスタ群と呼ぶ)20、データ出力用スキャンレジスタ
群(以下DOスキャンレジスタ群と呼ぶ)30およびセ
レクタ50を含む。ADスキャンレジスタ群10、DI
スキャンレジスタ群20、DOスキャンレジスタ群30
およびセレクタ50は、シリアル入力端子SIとシリア
ル出力端子SOとの間に直列に接続され、スキャンパス
を構成する。ADスキャンレジスタ群10、DIスキャ
ンレジスタ群20およびDOスキャンレジスタ群30に
は共通のシフトクロックSCKが与えられ、セレクタ5
0にはモード制御信号MDが与えられる。図54のセレ
クタ50は図53のセレクタ32に相当する。
The test circuit 3a includes an address scan register group (hereinafter referred to as an AD scan register group) 10,
It includes a data input scan register group (hereinafter referred to as DI scan register group) 20, a data output scan register group (hereinafter referred to as DO scan register group) 30, and a selector 50. AD scan register group 10, DI
Scan register group 20, DO scan register group 30
The selector 50 is connected in series between the serial input terminal SI and the serial output terminal SO to form a scan path. The common shift clock SCK is applied to the AD scan register group 10, the DI scan register group 20, and the DO scan register group 30, and the selector 5
A mode control signal MD is applied to 0. The selector 50 of FIG. 54 corresponds to the selector 32 of FIG.

【0029】なお、シフトクロックSCKは、1相シフ
トクロックまたは2相シフトクロックである。
The shift clock SCK is a one-phase shift clock or a two-phase shift clock.

【0030】図54に示される1つのRAM2がテスト
されるときには、その他の回路ブロックに対応するテス
ト回路はバイパス状態に設定される。この状態は、その
RAM2に対応するテスト回路3aのシリアル入力端子
SIおよびシリアル出力端子SOが、それぞれ図53に
示される半導体チップ1aのシリアル入力端子SICお
よびシリアル出力端子SOCに接続されていることと等
価になる。したがって、テスト時間に関しては図54の
テスト回路3aのシフト動作を考慮すればよく、他の回
路ブロックのテスト回路のシフト動作は考慮する必要が
ない。
When one RAM 2 shown in FIG. 54 is tested, the test circuits corresponding to the other circuit blocks are set to the bypass state. In this state, the serial input terminal SI and the serial output terminal SO of the test circuit 3a corresponding to the RAM 2 are connected to the serial input terminal SIC and the serial output terminal SOC of the semiconductor chip 1a shown in FIG. 53, respectively. Will be equivalent. Therefore, regarding the test time, the shift operation of the test circuit 3a in FIG. 54 may be taken into consideration, and it is not necessary to consider the shift operation of the test circuits of the other circuit blocks.

【0031】しかし、テストの対象となっている回路ブ
ロックに関してはスキャンパスのシフト動作によってテ
ストが行なわれる。したがって、テスト時間がシフト回
数に比例して増大するという問題がある。この問題は、
回路ブロックがRAMである場合にも存在する。次にテ
スト時間の増大の問題を説明するために、RAMの一般
的なテストアルゴリズムであるマーチテストを一例とし
て説明する。 (3) 一般的なマーチテスト 一般的なマーチテストのテストアルゴリズムの処理手順
を以下に示す。
However, the circuit block to be tested is tested by the shift operation of the scan path. Therefore, there is a problem that the test time increases in proportion to the number of shifts. This problem,
It is also present when the circuit block is RAM. Next, in order to explain the problem of increase in test time, the march test, which is a general test algorithm for RAM, will be described as an example. (3) General March Test The processing procedure of the general march test test algorithm is shown below.

【0032】(手順1)全アドレスに“0”書込みを行
なう。
(Procedure 1) "0" is written to all addresses.

【0033】(手順2)アドレスを0番地から最終番地
まで順に増加させながら、各アドレスについて、“0”
読出しの後“1”書込を行なう。
(Procedure 2) "0" is added to each address while sequentially increasing the addresses from 0 to the final address.
After reading, "1" is written.

【0034】(手順3)アドレスを最終番地から0番地
まで順に減少させながら、各アドレスについて、“1”
読出しの後“0”書込みを行なう。
(Procedure 3) "1" is set for each address while sequentially decreasing the address from the last address to the 0th address.
After reading, "0" is written.

【0035】(手順4)全アドレスに“1”書込みを行
なう。
(Procedure 4) "1" is written to all addresses.

【0036】(手順5)アドレスを0番地から最終番地
まで順に増加させながら、各アドレスについて、“1”
読出しの後“0”書込みを行なう。
(Procedure 5) "1" is added to each address while sequentially increasing the addresses from 0 to the final address.
After reading, "0" is written.

【0037】(手順6)アドレスを最終番地から0番地
まで順に減少させながら、各アドレスについて、“0”
読出しの後“1”書込みを行なう。
(Procedure 6) "0" is set for each address while sequentially decreasing the address from the last address to the 0th address.
After reading, "1" is written.

【0038】たとえば、図55に示されるRAM2をテ
ストする場合を考える。RAM2にはアドレス信号A
(0)〜A(n−1)、チップイネーブル信号CE、ラ
イトイネーブル信号WEおよびデータDI(0)〜DI
(m−1)が入力され、RAM2からデータDO(0)
〜DO(m−1)が出力される。
For example, consider the case of testing the RAM 2 shown in FIG. The address signal A is sent to the RAM2.
(0) to A (n-1), chip enable signal CE, write enable signal WE, and data DI (0) to DI
(M-1) is input, and data DO (0) is output from RAM2.
~ DO (m-1) is output.

【0039】手順1,4では、図56に示される書込み
動作が行なわれる。また、手順2,3,5,6では、図
57に示される読出し・書込み動作が行なわれる。図5
6に示される書込み動作では、ローアクティブなライト
イネーブルWEに応答してデータDI(i)が書込まれ
る。図57に示される読出し・書込み動作では、ローア
クティブのチップイネーブル信号CEに応答して読出さ
れたデータDO(i)が、テスタストローブタイミング
で外部テスタにより所定の期待値データと比較され、そ
の後ローアクティブなライトイネーブル信号WEに応答
してデータDI(i)が書込まれる。ここで、iは0〜
m−1を表わしている。図57に示される読出し・書込
み動作では、読出し動作と書込み動作とが同一のテスト
サイクル内で行なわれる。
In steps 1 and 4, the write operation shown in FIG. 56 is performed. Further, in steps 2, 3, 5 and 6, the read / write operation shown in FIG. 57 is performed. Figure 5
In the write operation shown in 6, the data DI (i) is written in response to the low-active write enable WE. In the read / write operation shown in FIG. 57, the data DO (i) read in response to the low active chip enable signal CE is compared with predetermined expected value data by the external tester at the tester strobe timing, and then the low Data DI (i) is written in response to the active write enable signal WE. Where i is 0
It represents m-1. In the read / write operation shown in FIG. 57, the read operation and the write operation are performed in the same test cycle.

【0040】たとえば、1024ワード×8ビットのR
AMを考察する。手順1,4では、図56の書込み動作
がそれぞれ1024回繰り返され、手順2,3,5,6
では、図57の読出し・書込み動作がそれぞれ1024
回繰り返される。したがって、マーチテストは合計61
44テストサイクルで実現されることになる。
For example, R of 1024 words × 8 bits
Consider AM. In steps 1 and 4, the write operation of FIG. 56 is repeated 1024 times, and steps 2, 3, 5, 6
Then, the read / write operation of FIG.
Repeated times. Therefore, the march test is 61 in total.
It will be realized in 44 test cycles.

【0041】一般に2n ワードのRAMに関するマーチ
テストは6×2n テストサイクルで実現される。この試
算は、図55に示されるRAM2のように、各種信号が
外部から直接制御および観測できる場合に当てはまる。
A march test for a 2 n word RAM is generally implemented in 6 × 2 n test cycles. This trial calculation is applicable when various signals can be directly controlled and observed from the outside like the RAM 2 shown in FIG.

【0042】このマーチテストを図53および図54に
示されるバイパス機能付きスキャンパスを用いて行なう
と、個々のRAMのテストは通常のスキャンテストによ
り行なわれる。スキャンテストではRAM2の読出し動
作および書込み動作をシフト動作のテストサイクル内で
行なうことができるので、以下の説明ではシフト動作の
テストサイクルの数のみを考慮する。
When this march test is performed using the scan path with the bypass function shown in FIGS. 53 and 54, the test of each RAM is performed by the normal scan test. In the scan test, the read operation and the write operation of the RAM 2 can be performed within the test cycle of the shift operation. Therefore, in the following description, only the number of test cycles of the shift operation will be considered.

【0043】図54を参照して以下の説明を行なう。上
記のように、RAM2が1024ワード×8ビット構成
を有する場合には、ADスキャンレジスタ群10は10
個のスキャンレジスタを含み、DIスキャンレジスタ群
20は8個のスキャンレジスタを含み、DOスキャンレ
ジスタ群30は8個のスキャンレジスタを含む。
The following description will be made with reference to FIG. As described above, when the RAM 2 has a configuration of 1024 words × 8 bits, the AD scan register group 10 has 10
DI scan register group 20 includes 8 scan registers, and DO scan register group 30 includes 8 scan registers.

【0044】手順1,4では、各アドレスについてアド
レス信号および書込みデータをシフト動作により設定す
る必要がある。そのため、DIスキャンレジスタ群20
に書込みデータを設定するために8回のシフト動作が必
要であり、さらにADスキャンレジスタ群10にアドレ
ス信号を設定するために10回のシフト動作が必要であ
る。以下の説明では、1回のシフト動作も1テストサイ
クルで行なわれるものと仮定する。手順1,4では、こ
のテストサイクルが1024回繰り返されるので、それ
ぞれ(10+8)×1024=18432テストサイク
ルが必要となる。
In steps 1 and 4, it is necessary to set the address signal and the write data for each address by the shift operation. Therefore, the DI scan register group 20
It is necessary to perform eight shift operations in order to set the write data in, and ten shift operations in order to set the address signal in the AD scan register group 10. In the following description, it is assumed that one shift operation is also performed in one test cycle. In procedures 1 and 4, this test cycle is repeated 1024 times, so that (10 + 8) × 1024 = 18432 test cycles are required respectively.

【0045】また、手順2,3,5,6では、各アドレ
スについて、書込みデータおよびアドレス信号をシフト
動作により設定し、さらに読出しデータをシフト動作に
より取出す必要がある。そのため、DIスキャンレジス
タ群20に書込みデータを設定するために8回のシフト
動作が必要であり、ADスキャンレジスタ群10にアド
レス信号を設定するために10回のシフト動作が必要で
あり、さらにDOスキャンレジスタ群30内の読出しデ
ータを取出すために8回のシフト動作が必要となる。手
順2,3,5,6では、このテストサイクルが1024
回繰り返されるので、それぞれ(10+8+8)×10
24=26624テストサイクルが必要となる。
Further, in steps 2, 3, 5 and 6, it is necessary to set the write data and the address signal for each address by the shift operation and fetch the read data by the shift operation. Therefore, eight shift operations are required to set the write data in the DI scan register group 20, ten shift operations are required to set the address signal in the AD scan register group 10, and DO is further required. Eight shift operations are required to retrieve the read data in the scan register group 30. In steps 2, 3, 5 and 6, this test cycle is 1024
Since it is repeated twice, (10 + 8 + 8) × 10
24 = 26624 test cycles are required.

【0046】結果として、マーチテストを行なうために
は、(18432×2+26624×4)=14336
0テストサイクルが必要となる。
As a result, in order to perform the march test, (18432 × 2 + 26624 × 4) = 14336
0 test cycle is required.

【0047】このように、スキャンテストに必要なテス
トサイクルは、上記の一般的なマーチテストに必要なテ
ストサイクル(6144テストサイクル)に比較して、
約23倍になっている。つまり、バイパス機能付きスキ
ャンパスを用いても、個々のRAMのテストを通常のス
キャンテストにより行なえば、テスト時間の増大(この
例では約23倍)は避けられない。 (4) 第3の従来技術 次に、全周期系列をアドレスの設定に用いるテスト回路
を説明する。
As described above, the test cycle required for the scan test is compared with the test cycle required for the general march test (6144 test cycle).
It is about 23 times. That is, even if the scan path with the bypass function is used, an increase in the test time (about 23 times in this example) cannot be avoided if the test of each RAM is performed by the normal scan test. (4) Third Prior Art Next, a test circuit that uses the full-cycle sequence for address setting will be described.

【0048】全周期系列とは、特殊なビット列であり、
このビット列をスキャンパスにシフトインすることによ
りRAMのテストアドレスを効率よく設定することがで
きる。“0000111101011001000”は
4次の全周期系列の一例である。
The full-cycle sequence is a special bit string,
By shifting this bit string into the scan path, the test address of the RAM can be set efficiently. "0000111101011001000" is an example of a fourth-order full-cycle sequence.

【0049】このビット列を4ビットのシフトレジスタ
に入力すると、シフト動作ごとにシフトレジスタが保持
するデータは変化する。その結果、ランダムな順序では
あるが、すべての可能な16状態を設定することができ
る。シフトレジスタが保持する値をRAMのテストアド
レスであると仮定すれば、ランダムな順序ではあるが、
図58に示すように、0番地から15番地までの全アド
レスを設定することができる。
When this bit string is input to the 4-bit shift register, the data held in the shift register changes every shift operation. As a result, all possible 16 states can be set, albeit in a random order. Assuming that the value held by the shift register is the RAM test address, although in random order,
As shown in FIG. 58, all addresses from 0 to 15 can be set.

【0050】図58に示す全周期系列は“000011
1101011001000”であり、この順序で1ビ
ットずつ4ビットのシフトレジスタにシフトインするこ
とを仮定している。それにより、最初の“0000”を
シフトインしたときに、アドレスは0番地になる。その
後、残りの111101011001000”を順にシ
フトインすると、アドレスは8番地、12番地、14番
地、…1番地というように変化する。このときに必要な
テストサイクルは(4−1)+24 =19テストサイク
ルである。
The full-cycle sequence shown in FIG. 58 is "000011."
1101011001000 ", and it is assumed that one bit is shifted into the four-bit shift register in this order. Therefore, when the first" 0000 "is shifted in, the address becomes the address 0. , And the remaining 111101011001000 "are sequentially shifted in, the address changes to 8th address, 12th address, 14th address, ... The test cycle required at this time is (4-1) +2 4 = 19 test cycles.

【0051】一般にn本のアドレス線を有するRAMの
テストにはn次の全周期系列が用いられる。この場合に
全テストアドレスの設定のためには、(n−1)+2n
テストサイクルが必要である。最初の(n−1)回のシ
フト動作ではアドレスが不確定であるためにテストを開
始することができない。その後の2n 回のシフト動作で
はアドレスが確定しているのでRAMの読出し動作およ
び書込み動作を行なうことができる。 (5) ランダムマーチテスト 全周期系列をアドレスの設定に用いるテストアルゴリズ
ムの一例としてランダムマーチテストの処理手順を以下
に示す。
Generally, an nth-order full-cycle sequence is used for testing a RAM having n address lines. In this case, to set all test addresses, (n-1) +2 n
A test cycle is needed. In the first (n-1) shift operation, the test cannot be started because the address is uncertain. Since the address is fixed in the subsequent 2 n shift operations, the RAM read operation and write operation can be performed. (5) Random March Test The procedure of the random march test is shown below as an example of a test algorithm that uses the entire periodic sequence for address setting.

【0052】(手順1)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、全アドレスについて“0”書込み
を行なう。
(Procedure 1) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "0" is written for all addresses.

【0053】(手順2)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“0”読出
しの後“1”書込みを行なう。
(Procedure 2) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "1" is written after reading "0" for each address.

【0054】(手順3)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“1”読出
しの後“0”書込みを行なう。
(Procedure 3) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "0" is written after reading "1" for each address.

【0055】(手順4)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、全アドレスについて“1”書込み
を行なう。
(Procedure 4) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "1" is written for all addresses.

【0056】(手順5)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“1”読出
しの後“0”書込みを行なう。
(Procedure 5) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "0" is written after reading "1" for each address.

【0057】(手順6)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“0”読出
しの後“1”書込みを行なう。
(Procedure 6) Addresses are set while shifting in the entire cycle sequence, and "1" is written after "0" is read for each address.

【0058】なお、手順1〜6ごとに異なる全周期系列
を用いてもよい。
Note that different full cycle sequences may be used for each of steps 1 to 6.

【0059】このランダムマーチテストを考慮したテス
ト回路を図59および図60に示す。図59の例では、
1つのRAM2に対応して、1つのADスキャンレジス
タ群10、1つのDIスキャンレジスタ群20、1つの
DOスキャンレジスタ群30および1つの比較回路80
が設けられる。図60の例では、複数のRAM2に対応
して、複数のADスキャンレジスタ群10、複数のDI
スキャンレジスタ群20、複数のDOスキャンレジスタ
群30および複数の比較回路80が設けられる。
A test circuit considering this random march test is shown in FIGS. 59 and 60. In the example of FIG. 59,
Corresponding to one RAM 2, one AD scan register group 10, one DI scan register group 20, one DO scan register group 30, and one comparison circuit 80.
Is provided. In the example of FIG. 60, a plurality of AD scan register groups 10 and a plurality of DIs are provided corresponding to a plurality of RAMs 2.
A scan register group 20, a plurality of DO scan register groups 30, and a plurality of comparison circuits 80 are provided.

【0060】ここでは、図59を参照しながらランダム
マーチテストに必要なテストサイクルを考察する。
Here, the test cycle required for the random march test will be considered with reference to FIG.

【0061】全周期系列をADスキャンレジスタ群10
にシフトインすれば、1回のシフト動作によりアドレス
信号を更新することができる。したがって、一般的なマ
ーチテストのようにアドレスごとにアドレス信号の全ビ
ットをシフトインする必要はない。
AD scan register group 10
If the shift-in is performed, the address signal can be updated by one shift operation. Therefore, it is not necessary to shift in all the bits of the address signal for each address as in the general march test.

【0062】また、各手順において書込みデータや読出
しデータは変化しないので、全周期系列のシフト動作に
より書込みデータが変化しないようにスキャンパスを分
割する必要がある。そのため、図59に示すように、シ
リアル入力端子SI1とシリアル出力端子SO1との間
にADスキャンレジスタ群10が接続され、シリアル入
力端子SI2とシリアル出力端子SO2との間にDIス
キャンレジスタ群20およびDOスキャンレジスタ群3
0が直列に接続される。ADスキャンレジスタ群10に
はシフトクロックSCKAが与えられ、DIスキャンレ
ジスタ群20およびDOスキャンレジスタ群30にはシ
フトクロックSCKDが与えられる。
Further, since the write data and the read data do not change in each procedure, it is necessary to divide the scan path so that the write data does not change due to the shift operation of the entire period series. Therefore, as shown in FIG. 59, the AD scan register group 10 is connected between the serial input terminal SI1 and the serial output terminal SO1, and the DI scan register group 20 and the DI scan register group 20 are connected between the serial input terminal SI2 and the serial output terminal SO2. DO scan register group 3
0s are connected in series. The AD scan register group 10 is supplied with the shift clock SCKA, and the DI scan register group 20 and the DO scan register group 30 are supplied with the shift clock SCKD.

【0063】また、読出しデータのシフトアウトが不要
になるように比較回路80が設けられている。比較回路
80は、DOスキャンレジスタ群30が保持するデータ
(読出し期待値データ)とRAM2からの読出しデータ
とを比較し、一致/不一致を示すPASS/FAIL信
号を出力する。このため、読出し期待値データが変化し
ない限り、DOスキャンレジスタ群30のシフト動作は
必要でない。
Further, the comparison circuit 80 is provided so that the read out data need not be shifted out. The comparison circuit 80 compares the data (read expected value data) held by the DO scan register group 30 with the read data from the RAM 2 and outputs a PASS / FAIL signal indicating a match / mismatch. Therefore, the shift operation of the DO scan register group 30 is not necessary unless the read expected value data changes.

【0064】ランダムマーチテストでは、各手順におい
て、アドレスが更新されている間に書込みデータや読出
し期待値データが変化することはない。したがって、D
Iスキャンレジスタ群20およびDOスキャンレジスタ
群30のシフト動作の回数はADスキャンレジスタ群1
0のシフト動作の回数と比較して非常に少ない。
In the random march test, the write data and the read expected value data do not change while the address is updated in each procedure. Therefore, D
The number of shift operations of the I scan register group 20 and the DO scan register group 30 is the same as the AD scan register group 1
It is very small compared to the number of 0 shift operations.

【0065】たとえば、1024ワード×8ビットのR
AMのテストに必要なテストサイクルを試算する。この
場合、ワード数が210=1024であるので、n=10
となる。したがって、10次の全周期系列を用いる。
For example, R of 1024 words × 8 bits
Estimate the test cycle required to test AM. In this case, since the number of words is 2 10 = 1024, n = 10
Becomes Therefore, a tenth-order full-cycle sequence is used.

【0066】各手順においてアドレスが確定するまでに
9回の余分なシフト動作が必要である。その後は、1回
のシフト動作でアドレスを更新しかつテストを行なうこ
とができる。
In each procedure, 9 extra shift operations are required before the address is determined. After that, the address can be updated and the test can be performed by one shift operation.

【0067】シフト動作は読出し動作または読出し・書
込み動作と同じテストサイクル内で行なうことができる
ので、手順1,4ではシフト動作および書込み動作が同
一のテストサイクルで行なわれ、手順2,3,5,6で
はシフト動作および読出し・書込み動作が同一のテスト
サイクルで行なわれるものとして、以下の説明を行な
う。
Since the shift operation can be performed in the same test cycle as the read operation or the read / write operation, in steps 1 and 4, the shift operation and the write operation are performed in the same test cycle, and steps 2, 3, 5 are performed. , 6 will be described below assuming that the shift operation and the read / write operation are performed in the same test cycle.

【0068】手順1,4では、アドレスの確定までに9
回のシフト動作が必要であり、さらに1024回のテス
トサイクルが必要である。また、DIスキャンレジスタ
群20に書込みデータを設定するために8回のシフト動
作が必要であるが、これらのシフト動作はアドレスの確
定までの9回のシフト動作と同時に行なうことができ
る。したがって、手順1,4では、それぞれ9+102
4=1033テストサイクルが必要となる。
In steps 1 and 4, it takes 9 steps to determine the address.
One shift operation is required, and 1024 test cycles are required. Further, eight shift operations are required to set the write data in the DI scan register group 20, but these shift operations can be performed simultaneously with the nine shift operations until the address is fixed. Therefore, in steps 1 and 4, respectively, 9 + 102
4 = 1033 test cycles are required.

【0069】また、手順2,3,5,6では、アドレス
の確定までに9回のシフト動作が必要であり、さらに1
024回のテストサイクルが必要である。また、読出し
期待値データをDOスキャンレジスタ群30に設定する
ために8回のシフト動作が必要であり、書込みデータを
DIスキャンレジスタ群20に設定するために8回のシ
フト動作が必要である。読出し期待値データおよび書込
みデータの設定のためのシフト動作中にアドレスの確定
までの9回のシフト動作を実行することができる。した
がって、手順2,3,5,6では、それぞれ16+10
24=1040テストサイクルが必要となる。
Further, in steps 2, 3, 5, and 6, it is necessary to perform the shift operation 9 times until the address is fixed.
024 test cycles are required. Further, eight shift operations are required to set the read expected value data in the DO scan register group 30, and eight shift operations are required to set the write data in the DI scan register group 20. During the shift operation for setting the read expected value data and the write data, the shift operation can be performed 9 times until the address is determined. Therefore, in steps 2, 3, 5 and 6, each 16 + 10
24 = 1040 test cycles are required.

【0070】結果として、ランダムマーチテストには、
(1033×2+1040×4)=6226テストサイ
クルが必要となる。
As a result, in the random march test,
(1033 x 2 + 1040 x 4) = 6226 test cycles are required.

【0071】このように、ランダムマーチテストに必要
なテストサイクルは、一般的なマーチテストに必要なテ
ストサイクル(6144テストサイクル)と比較して、
1.3%しか増加しない。したがって、テスト時間の増
加の抑制に効果がある。 (6) 公知文献の引用 従来のスキャンパスの一例が、特開昭63−22239
9号公報および対応のアメリカ特許4,926,424
号に示されている。
As described above, the test cycle required for the random march test is compared with the test cycle required for the general march test (6144 test cycle).
Only increase by 1.3%. Therefore, it is effective in suppressing an increase in test time. (6) Citation of known document An example of a conventional scan path is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-22239.
No. 9 and corresponding US Pat. No. 4,926,424
No.

【0072】全周期系列をアドレス設定に用いる図59
および図60のテスト回路は、H.Maeno et
al.,“TESTING OF EMBEDDED
RAM USING EXHAUSTIVE RAND
OM SEQUENCES”,1987 Intern
ational Test ConferencePa
per4.2,pp.105−110に示されている。
FIG. 59 in which the entire cycle sequence is used for address setting
60 and the test circuit of FIG. Maeno et
al. , "TESTING OF EMBEDDED
RAM USING EXHAUSTIVE RAND
OM SEQUENCES ", 1987 Intern
national Test ConferencePa
per4.2, pp. 105-110.

【0073】[0073]

【発明が解決しようとする課題】図47に示されるテス
ト補助回路(スキャンパス)では、RAM2の各データ
入力端子および各データ出力端子にDIスキャンレジス
タ20aおよびDOスキャンレジスタ30aをそれぞれ
接続する必要がある。そのため、テスト補助回路の規模
が大きくなる。
In the test auxiliary circuit (scan path) shown in FIG. 47, it is necessary to connect the DI scan register 20a and the DO scan register 30a to each data input terminal and each data output terminal of the RAM2. is there. Therefore, the scale of the test auxiliary circuit becomes large.

【0074】また、各DIスキャンレジスタ20aおよ
び各DOスキャンレジスタ30aを構成する2つのラッ
チ回路は、テスト時にのみ使用され、通常動作時にはデ
ータを通過させるのみである。そのため、通常動作時に
不要なテスト補助回路のために半導体集積回路装置のチ
ップ面積が増大し、製造コストが増大するという問題が
ある。
The two latch circuits forming each DI scan register 20a and each DO scan register 30a are used only during a test and only pass data during a normal operation. Therefore, there is a problem that the chip area of the semiconductor integrated circuit device increases due to an unnecessary test auxiliary circuit during normal operation and the manufacturing cost increases.

【0075】図59および図60に示されるテスト回路
では、スキャンパスが2系統すなわちアドレス用スキャ
ンパスとデータ用スキャンパスとに分離されている。そ
のため、各テスト回路に2つのシリアル入出力端子が必
要となる。その結果、これらの端子に接続されるシリア
ルシフト経路の配線が複雑化するという問題がある。
In the test circuit shown in FIGS. 59 and 60, the scan paths are separated into two systems, that is, an address scan path and a data scan path. Therefore, each test circuit requires two serial input / output terminals. As a result, the wiring of the serial shift path connected to these terminals becomes complicated.

【0076】この発明の目的は、スキャンパス装置(テ
スト補助回路)の規模を小さくすることである。
An object of the present invention is to reduce the scale of the scanpath device (test auxiliary circuit).

【0077】この発明の他の目的は、スキャンパス装置
を含む半導体集積回路装置のチップ面積および製造コス
トを低減することである。
Another object of the present invention is to reduce the chip area and manufacturing cost of a semiconductor integrated circuit device including a scan path device.

【0078】この発明のさらに他の目的は、スキャンパ
ス装置の配線を簡略化し、かつテストの効率化を図るこ
とである。
Still another object of the present invention is to simplify the wiring of the scan path device and to improve the efficiency of the test.

【0079】この発明のさらに他の目的は、バイパス機
能付きスキャンパス装置において回路構成を複雑にする
ことなくモード設定を行なうことを可能にし、テストの
効率化を図ることである。
Still another object of the present invention is to enable mode setting in a scanpath device with a bypass function without complicating the circuit structure and to improve the efficiency of the test.

【0080】この発明のさらに他の目的は、記憶手段を
含む半導体集積回路装置において配線を複雑化すること
なくテスト時間を短縮することである。
Still another object of the present invention is to shorten the test time without complicating the wiring in the semiconductor integrated circuit device including the storage means.

【0081】[0081]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係るスキャ
ンパス装置は、直列に接続された複数のスキャンレジス
タを含む。複数のスキャンレジスタの各々は、シリアル
入力端子、シリアル出力端子、第1および第2のパラレ
ル入力端子、第1および第2のパラレル出力端子、第1
および第2の保持手段、第1、第2、第3および第4の
伝達手段、比較手段、および能動化手段を備える。
A scanpath device according to a first invention includes a plurality of scan registers connected in series. Each of the plurality of scan registers includes a serial input terminal, a serial output terminal, first and second parallel input terminals, first and second parallel output terminals, and a first parallel output terminal.
And second holding means, first, second, third and fourth transmitting means, comparing means and activating means.

【0082】第1および第2の保持手段は、与えられる
データを保持して出力する。第1の伝達手段は、第1の
パラレル入力端子のデータを第1の保持手段に伝達す
る。第2の伝達手段は、シリアル入力端子のデータを第
1および第2の保持手段の一方に伝達する。第3の伝達
手段は、第2のパラレル入力端子のデータを第2の保持
手段に伝達する。第4の伝達手段は、第1および第2の
保持手段の前記一方から出力されるデータを第1および
第2の保持手段の他方に伝達する。
The first and second holding means hold and output the given data. The first transmission means transmits the data of the first parallel input terminal to the first holding means. The second transfer means transfers the data of the serial input terminal to one of the first and second holding means. The third transfer means transfers the data of the second parallel input terminal to the second holding means. The fourth transmission means transmits the data output from the one of the first and second holding means to the other of the first and second holding means.

【0083】第1のパラレル出力端子は、第1の保持手
段から出力されるデータを受ける。第2のパラレル出力
端子は、第2の保持手段から出力されるデータを受け
る。シリアル出力端子は、第1および第2の保持手段の
前記他方から出力されるデータを受ける。
The first parallel output terminal receives the data output from the first holding means. The second parallel output terminal receives the data output from the second holding unit. The serial output terminal receives the data output from the other of the first and second holding means.

【0084】比較手段は、第2のパラレル入力端子のデ
ータを第1の保持手段から出力されるデータと比較す
る。能動化手段は、比較手段の比較結果に従って第3の
伝達手段を能動化または非能動化する。各スキャンレジ
スタのシリアル入力端子は前段のスキャンレジスタのシ
リアル出力端子に接続される。
The comparing means compares the data at the second parallel input terminal with the data output from the first holding means. The activation means activates or deactivates the third transmission means according to the comparison result of the comparison means. The serial input terminal of each scan register is connected to the serial output terminal of the previous scan register.

【0085】第2の発明に係るスキャンパス装置は、直
列に接続された複数のスキャンレジスタを含む。複数の
スキャンレジスタの各々は、シリアル入力端子、シリア
ル出力端子、第1および第2のパラレル入力端子、第1
および第2のパラレル出力端子、第1および第2の保持
手段、第1、第2、第3および第4の伝達手段、比較手
段、第1および第2の能動化手段、および強制手段を備
える。
The scanpath device according to the second invention includes a plurality of scan registers connected in series. Each of the plurality of scan registers includes a serial input terminal, a serial output terminal, first and second parallel input terminals, and a first parallel input terminal.
And a second parallel output terminal, first and second holding means, first, second, third and fourth transmitting means, comparing means, first and second activating means, and forcing means. ..

【0086】第1および第2の保持手段は、与えられる
データを保持して出力する。第1の伝達手段は、第1の
パラレル入力端子のデータを第1の保持手段に伝達す
る。第2の伝達手段は、シリアル入力端子のデータを第
1および第2の保持手段の一方に伝達する。第3の伝達
手段は、第2のパラレル入力端子のデータを第2の保持
手段に伝達する。第4の伝達手段は、第1および第2の
保持手段の前記一方から出力されるデータを第1および
第2の保持手段の他方に伝達する。
The first and second holding means hold and output the given data. The first transmission means transmits the data of the first parallel input terminal to the first holding means. The second transfer means transfers the data of the serial input terminal to one of the first and second holding means. The third transfer means transfers the data of the second parallel input terminal to the second holding means. The fourth transmission means transmits the data output from the one of the first and second holding means to the other of the first and second holding means.

【0087】第1のパラレル出力端子は、第1の保持手
段から出力されるデータを受ける。第2のパラレル出力
端子は、第2の保持手段から出力されるデータを受け
る。シリアル出力端子は、第1および第2の保持手段の
前記他方から出力されるデータを受ける。
The first parallel output terminal receives the data output from the first holding means. The second parallel output terminal receives the data output from the second holding unit. The serial output terminal receives the data output from the other of the first and second holding means.

【0088】比較手段は、第2のパラレル入力端子のデ
ータを第1の保持手段から出力されるデータと比較す
る。第1の能動化手段は、第1の伝達手段を能動化また
は非能動化する。第2の能動化手段は、比較手段の比較
結果に従って第3の伝達手段を能動化または非能動化す
る。強制手段は、所定の信号に応答して、比較手段の比
較結果にかかわらず第1の能動化手段に同期して第3の
伝達手段を能動化または非能動化するように第2の能動
化手段を強制する。各スキャンレジスタのシリアル入力
端子は前段のスキャンレジスタのシリアル出力端子に接
続される。第3の発明に係るスキャンパス装置は、直列
に接続された複数のスキャンレジスタを含む第1のスキ
ャンレジスタ群、および第1のスキャンレジスタ群の出
力に直列に接続された複数のスキャンレジスタを含む第
2のスキャンレジスタ群を備える。そのスキャンパス装
置は、第2のスキャンレジスタ群がシフト動作を停止し
かつ第1のスキャンレジスタ群がシフト動作を行なうよ
うに第1および第2のスキャンレジスタ群を制御する手
段をさらに備える。
The comparing means compares the data at the second parallel input terminal with the data output from the first holding means. The first activation means activates or deactivates the first transmission means. The second activation means activates or deactivates the third transmission means according to the comparison result of the comparison means. The forcing means is responsive to the predetermined signal to activate or deactivate the third transmitting means in synchronization with the first activating means regardless of the comparison result of the comparing means. Force means. The serial input terminal of each scan register is connected to the serial output terminal of the previous scan register. A scan path device according to a third aspect of the present invention includes a first scan register group including a plurality of scan registers connected in series, and a plurality of scan registers connected in series to an output of the first scan register group. A second scan register group is provided. The scan path device further includes means for controlling the first and second scan register groups so that the second scan register group stops the shift operation and the first scan register group performs the shift operation.

【0089】第4の発明に係るスキャンパス装置は、シ
リアルなデータを受ける入力端子、入力端子に直列に接
続された複数のスキャンレジスタを含む第1のスキャン
レジスタ群、第1のスキャンレジスタ群の出力に直列に
接続された複数のスキャンレジスタを含む第2のスキャ
ンレジスタ群、出力端子、選択手段および第1の制御手
段を含む。
A scanpath device according to a fourth aspect of the present invention includes an input terminal for receiving serial data, a first scan register group including a plurality of scan registers serially connected to the input terminal, and a first scan register group. It includes a second scan register group including a plurality of scan registers serially connected to the output, an output terminal, a selection unit, and a first control unit.

【0090】選択手段は、入力端子のデータおよび第2
のスキャンレジスタ群から出力されたデータのいずれか
一方を選択し、その選択されたデータを出力端子に与え
る。第1の制御手段は、選択手段により入力端子のデー
タが選択されているときに第2のスキャンレジスタ群が
シフト動作を停止しかつ第1のスキャンレジスタ群がシ
フト動作を行なうように第1および第2のシフトレジス
タ群を制御する。
The selection means includes the data of the input terminal and the second
One of the data output from the scan register group is selected, and the selected data is given to the output terminal. The first control means sets the first and second scan register groups so that the second scan register group stops the shift operation and the first scan register group performs the shift operation when the data of the input terminal is selected by the selection means. The second shift register group is controlled.

【0091】第5の発明に係るスキャンパス装置は、第
2の制御手段をさらに備える。第2の制御手段は、第1
および第2のスキャンレジスタ群に含まれるいずれかの
スキャンレジスタからデータを受け、そのデータに応答
して選択手段を制御する。
The scanpath apparatus according to the fifth aspect of the present invention further comprises second control means. The second control means is the first
And receiving data from any one of the scan registers included in the second scan register group, and controlling the selecting means in response to the data.

【0092】第6の発明に係る半導体集積回路装置は、
記憶手段およびスキャンパス手段を備える。スキャンパ
ス手段は、シリアルなデータを受ける入力端子、第1の
スキャンレジスタ群、第2のスキャンレジスタ群、選択
手段および第1の制御手段を含む。
A semiconductor integrated circuit device according to the sixth invention is
Storage means and scan path means are provided. The scan path means includes an input terminal for receiving serial data, a first scan register group, a second scan register group, a selecting means and a first control means.

【0093】第1のスキャンレジスタ群は、直列に接続
された複数のスキャンレジスタを含み、入力端子からシ
リアルに与えられたデータをアドレス信号として記憶手
段に並列に与える。第2のスキャンレジスタ群は、直列
に接続された複数のスキャンレジスタを含み、第1のス
キャンレジスタ群からシリアルに与えられたデータを記
憶手段に並列に与えまたは記憶手段から出力されたデー
タを並列に受ける。
The first scan register group includes a plurality of scan registers connected in series, and the data serially applied from the input terminal is applied in parallel to the storage means as an address signal. The second scan register group includes a plurality of scan registers connected in series, and the data serially given from the first scan register group is given to the storage means in parallel or the data output from the storage means is given in parallel. To receive.

【0094】選択手段は、入力端子のデータおよび第2
のスキャンレジスタ群から出力されたデータのいずれか
一方を選択し、その選択されたデータを出力する。第1
の制御手段は、選択手段により入力端子のデータが選択
されているときに第2のスキャンレジスタ群がシフト動
作を停止しかつ第1のスキャンレジスタ群がシフト動作
を行なうように第1および第2のスキャンレジスタ群を
制御する。
The selection means includes the data of the input terminal and the second
One of the data output from the scan register group is selected, and the selected data is output. First
The control means of the first and second scan register groups stops the shift operation of the second scan register group and the first scan register group performs the shift operation when the data of the input terminal is selected by the selection means. Control the scan register group of.

【0095】第7の発明に係る半導体集積回路装置は、
第2の制御手段をさらに備える。第2の制御手段は、第
1および第2のスキャンレジスタ群に含まれるいずれか
のスキャンレジスタから与えられるデータを受け、その
データに応答して選択手段を制御する。
A semiconductor integrated circuit device according to the seventh invention is
It further comprises a second control means. The second control means receives the data given from any one of the scan registers included in the first and second scan register groups, and controls the selection means in response to the data.

【0096】第8の発明に係る半導体集積回路装置は、
保持手段および第2の制御手段をさらに備える。保持手
段は、第1および第2のスキャンレジスタ群に直列に設
けられ、モード設定用データを保持する。第2の制御手
段は、保持手段に保持されたモード設定用データに応答
して選択手段を制御する。
A semiconductor integrated circuit device according to the eighth invention is
Further provided is a holding means and a second control means. The holding unit is provided in series with the first and second scan register groups and holds the mode setting data. The second control means controls the selection means in response to the mode setting data held in the holding means.

【0097】[0097]

【作用】第1および第2の発明に係るスキャンパス装置
においては、テスト時に、シリアル入力端子のデータが
第2の伝達手段により第1および第2の保持手段の一方
に与えられ、第1および第2の保持手段の一方から出力
されるデータが第1および第2の保持手段の他方に与え
られ、シリアル出力端子から出力される。このようにし
て、シフト動作が行なわれる。
In the scan path device according to the first and second aspects of the present invention, the data of the serial input terminal is given to one of the first and second holding means by the second transmitting means during the test, The data output from one of the second holding means is given to the other of the first and second holding means and output from the serial output terminal. In this way, the shift operation is performed.

【0098】このシフト動作により第1および第2の保
持手段に期待値データが設定され、読出しデータが第2
のパラレル入力端子に与えられる。第2のパラレル入力
端子の読出しデータは比較手段により第1の保持手段に
保持された期待値データと比較される。この比較結果に
従って第3の伝達手段が能動化または非能動化される。
第3の伝達手段が能動化されると、第2のパラレル入力
端子の読出しデータが第2の保持手段に与えられる。第
3の伝達手段が能動化されないと、第2の保持手段の期
待値データは変化しない。
By this shift operation, the expected value data is set in the first and second holding means, and the read data is set to the second data.
It is given to the parallel input terminal of. The read data from the second parallel input terminal is compared with the expected value data held in the first holding means by the comparing means. The third transmission means is activated or deactivated according to the comparison result.
When the third transfer means is activated, the read data from the second parallel input terminal is given to the second holding means. If the third transmission means is not activated, the expected value data of the second holding means does not change.

【0099】第1の発明に係るスキャンパス装置におい
ては、通常動作時に、第1のパラレル入力端子のデータ
が第1の伝達手段により第1の保持手段に与えられ、第
1のパラレル出力端子から出力される。また、第2のパ
ラレル入力端子のデータが第3の伝達手段により第2の
保持手段に与えられ、第2のパラレル出力端子から出力
される。
In the scanpath device according to the first aspect of the present invention, during the normal operation, the data of the first parallel input terminal is given to the first holding means by the first transmission means, and the data is supplied from the first parallel output terminal. Is output. Further, the data of the second parallel input terminal is given to the second holding means by the third transmitting means, and is output from the second parallel output terminal.

【0100】第2の発明に係るスキャンパス装置におい
ては、通常動作時に、第1の能動化手段によって第1の
伝達手段が能動化または非能動化され、第2の能動化手
段により第3の伝達手段が能動化または非能動化され
る。これにより、第1および第2の保持手段がラッチ回
路として動作する。
In the scanpath device according to the second aspect of the present invention, during the normal operation, the first activating means activates or deactivates the first transmitting means, and the second activating means activates the third transmitting means. The transmission means is activated or deactivated. As a result, the first and second holding means operate as a latch circuit.

【0101】このように、第1および第2の発明に係る
スキャンパス装置においては、各スキャンレジスタに含
まれる第1および第2の保持手段のうち一方がパラレル
データの入力のために用いられ、それらの他方がパラレ
ルデータの出力のために用いられる。したがって、1つ
のスキャンレジスタでデータの入力および出力を行なう
ことが可能となり、スキャンパス装置の規模が小さくな
る。
As described above, in the scanpath device according to the first and second inventions, one of the first and second holding means included in each scan register is used for inputting parallel data, The other of them is used for outputting parallel data. Therefore, it becomes possible to input and output data with one scan register, and the size of the scan path device is reduced.

【0102】特に、第2の発明に係るスキャンパス装置
においては、各スキャンレジスタに含まれる第1および
第2の保持手段を通常動作時にラッチ回路として利用す
ることができる。そのため、従来通常動作時に必要であ
ったラッチ回路を設ける必要がなくなる。
In particular, in the scanpath device according to the second invention, the first and second holding means included in each scan register can be used as a latch circuit during normal operation. Therefore, it is no longer necessary to provide a latch circuit, which was conventionally required during normal operation.

【0103】第3、第4および第5の発明に係るスキャ
ンパス装置および第6、第7および第8の発明に係る半
導体集積回路装置に含まれるスキャンパス手段において
は、第2のスキャンレジスタ群のシフト動作を抑制した
状態で第1のスキャンレジスタ群にシフト動作を行なわ
せることができる。
In the scan path device included in the scan path device according to the third, fourth and fifth inventions and the semiconductor integrated circuit device according to the sixth, seventh and eighth inventions, the second scan register group is provided. It is possible to cause the first scan register group to perform the shift operation in a state where the shift operation is suppressed.

【0104】それにより、第2のスキャンレジスタ群の
データを変更することなく第1のスキャンレジスタ群に
データをシリアルに入力することができる。したがっ
て、テストの効率化が図られる。また、第1および第2
のスキャンレジスタ群が1本の経路を構成しているの
で、シリアルシフト経路の配線が簡略化される。
As a result, the data can be serially input to the first scan register group without changing the data of the second scan register group. Therefore, the efficiency of the test can be improved. Also, the first and second
Since the scan register group of 1 constitutes one path, the wiring of the serial shift path is simplified.

【0105】第4および第5の発明に係るスキャンパス
装置は、入力端子のデータを第1のスキャンレジスタ群
にシリアルに入力するとともにそのデータを出力端子か
らシリアル出力するバイパス状態および入力端子のデー
タを第1のスキャンレジスタ群にシリアルに入力すると
ともに第2のスキャンレジスタ群から出力されるデータ
を出力端子からシリアルに出力する非バイパス状態に設
定可能である。スキャンパス装置がバイパス状態に設定
されたときには、第2のスキャンレジスタ群のデータを
変更することなく第1のスキャンレジスタ群にデータを
シリアルに入力することができる。したがって、テスト
の効率化が図られる。
In the scanpath device according to the fourth and fifth inventions, the data in the input terminal is serially input to the first scan register group and the data is serially output from the output terminal. Can be set to a non-bypass state in which data is output to the first scan register group serially and data output from the second scan register group is output serially from the output terminal. When the scan path device is set to the bypass state, the data can be serially input to the first scan register group without changing the data of the second scan register group. Therefore, the efficiency of the test can be improved.

【0106】第5の発明に係るスキャンパス装置におい
ては、選択手段が第1または第2のスキャンレジスタ群
に入力されたデータに基づいて制御されるので、制御信
号のための配線が簡略化される。
In the scanpath device according to the fifth aspect of the present invention, since the selecting means is controlled based on the data input to the first or second scan register group, the wiring for the control signal is simplified. It

【0107】第6、第7および第8の発明に係る半導体
集積回路装置においては、スキャンパス手段がバイパス
状態および非バイパス状態に選択的に設定可能である。
スキャンパス手段がバイパス状態に設定されると、第2
のスキャンレジスタ群に保持されるデータを変更するこ
となく第1のスキャンレジスタ群にアドレスデータをシ
リアルに入力することができる。それにより、アドレス
信号を容易に更新することができ、テスト時間が短縮さ
れる。
In the semiconductor integrated circuit device according to the sixth, seventh and eighth inventions, the scan path means can be selectively set to the bypass state and the non-bypass state.
When the scan path means is set to the bypass state, the second
Address data can be serially input to the first scan register group without changing the data held in the first scan register group. As a result, the address signal can be easily updated, and the test time can be shortened.

【0108】第7の発明に係る半導体集積回路装置にお
いては、選択手段が第1および第2のスキャンレジスタ
群に入力されたデータに基づいて制御されるので、制御
信号のための配線が簡略化される。
In the semiconductor integrated circuit device according to the seventh invention, the selecting means is controlled based on the data input to the first and second scan register groups, so that the wiring for the control signal is simplified. To be done.

【0109】第8の発明に係る半導体集積回路装置にお
いては、選択手段が、保持手段に保持されたモード設定
用データに基づいて制御されるので、制御信号のための
配線が簡略化される。
In the semiconductor integrated circuit device according to the eighth aspect of the present invention, since the selecting means is controlled based on the mode setting data held in the holding means, the wiring for the control signal can be simplified.

【0110】[0110]

【実施例】【Example】

(1) 概略的な構成および動作 図1は第1の実施例による半導体集積回路装置に含まれ
るテスト回路の概略的な構成を示すブロック図であり、
図2は半導体集積回路装置の全体の構成を示すブロック
図である。
(1) Schematic Configuration and Operation FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a test circuit included in the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a block diagram showing the overall configuration of the semiconductor integrated circuit device.

【0111】まず、図2を参照する。半導体チップ1上
には複数のRAM2、複数のRAM2に対応する複数の
テスト回路3およびロジック回路4が設けられる。各R
AM2は対応するテスト回路3を介してロジック回路4
に接続される。複数のテスト回路3はシリアル入力端子
SICとシリアル出力端子SOCとの間に直列に接続さ
れ、スキャンパスを構成する。
First, reference will be made to FIG. A plurality of RAMs 2, a plurality of test circuits 3 and a logic circuit 4 corresponding to the plurality of RAMs 2 are provided on the semiconductor chip 1. Each R
AM2 is connected to the logic circuit 4 via the corresponding test circuit 3.
Connected to. The plurality of test circuits 3 are connected in series between the serial input terminal SIC and the serial output terminal SOC to form a scan path.

【0112】各テスト回路3には、テストバスTBを介
してリセット信号RST、モード設定信号MDSET、
シフトクロックSCK、ストローブ信号STB、テスト
モード信号TM、テスト用チップイネーブル信号TCE
およびテスト用ライトイネーブル信号TWEが与えられ
る。この実施例では、シフトクロックSCKは第1相シ
フトクロックSCK1および第2相シフトクロックSC
K2を含む2相クロックである。シフトクロックSCK
が1相クロックであってもよい。
Each test circuit 3 has a reset signal RST, a mode setting signal MDSET, and a mode setting signal MDSET via a test bus TB.
Shift clock SCK, strobe signal STB, test mode signal TM, test chip enable signal TCE
And a test write enable signal TWE. In this embodiment, the shift clock SCK is the first phase shift clock SCK1 and the second phase shift clock SC.
It is a two-phase clock including K2. Shift clock SCK
May be a one-phase clock.

【0113】次に図1を参照する。テスト回路3のシリ
アル入力端子SIBとシリアル出力端子SOBとの間
に、ADスキャンレジスタ群10、DIスキャンレジス
タ群20、DOスキャンレジスタ群30、モード設定用
スキャンレジスタ40およびセレクタ50が直列に接続
され、スキャンパスを構成する。
Next, referring to FIG. An AD scan register group 10, a DI scan register group 20, a DO scan register group 30, a mode setting scan register 40, and a selector 50 are connected in series between the serial input terminal SIB and the serial output terminal SOB of the test circuit 3. , Configure the scan path.

【0114】テスト回路3は、ゲート回路60およびモ
ード制御ラッチ70をさらに含む。シフトクロックSC
KはADスキャンレジスタ群10に与えられ、かつゲー
ト回路60の一方の入力端子に与えられる。ゲート回路
60の他方の入力端子にはモード制御ラッチ70から出
力されるモード制御信号MDが与えられる。ゲート回路
60の出力はDIスキャンレジスタ群20、DOスキャ
ンレジスタ群30およびモード設定用スキャンレジスタ
40に与えられる。
Test circuit 3 further includes a gate circuit 60 and a mode control latch 70. Shift clock SC
K is given to the AD scan register group 10 and to one input terminal of the gate circuit 60. The mode control signal MD output from the mode control latch 70 is applied to the other input terminal of the gate circuit 60. The output of the gate circuit 60 is given to the DI scan register group 20, the DO scan register group 30, and the mode setting scan register 40.

【0115】モード制御信号MDが“1”のときにはセ
レクタ50がバイパス状態に設定される。このとき、ゲ
ート回路60からはシフトクロックSCKが出力されな
い。それにより、DIスキャンレジスタ群20、DOス
キャンレジスタ群30およびモード設定用レジスタ40
のシフト動作が停止する。
When the mode control signal MD is "1", the selector 50 is set to the bypass state. At this time, the shift clock SCK is not output from the gate circuit 60. As a result, the DI scan register group 20, the DO scan register group 30, and the mode setting register 40
Shift operation stops.

【0116】したがって、ランダムマーチテストを実施
する際に、DIスキャンレジスタ群20およびDOスキ
ャンレジスタ群30が書込みデータや読出し期待値デー
タを保持したままで、ADスキャンレジスタ群10に全
周期系列をシフトインしてアドレスを更新することがで
きる。
Therefore, when carrying out the random march test, the entire period series is shifted to the AD scan register group 10 while the DI scan register group 20 and the DO scan register group 30 hold write data and read expected value data. You can update the address by logging in.

【0117】一方、モード制御信号MDが“0”である
ときには、セレクタ50が非バイパス状態に設定され
る。このとき、DIスキャンレジスタ群20、DOスキ
ャンレジスタ群30およびモード設定用レジスタ40に
はゲート回路60を介してADスキャンレジスタ群10
と同様にシフトクロックSCKが与えられる。したがっ
て、シリアル入力端子SIBとシリアル出力端子SOB
との間のスキャンレジスタが通常のスキャンパスとして
動作する。
On the other hand, when the mode control signal MD is "0", the selector 50 is set to the non-bypass state. At this time, the AD scan register group 10 is provided to the DI scan register group 20, the DO scan register group 30, and the mode setting register 40 via the gate circuit 60.
Similarly to the shift clock SCK is given. Therefore, the serial input terminal SIB and the serial output terminal SOB
The scan register between and operates as a normal scan path.

【0118】モード制御ラッチ70には、モード設定信
号MDSTとリセット信号RSTとが与えられる。また
モード制御ラッチ70にはモード設定用スキャンレジス
タ40からデータが入力される。モード制御ラッチ70
は、モード設定信号MDST、リセット信号RSTおよ
びモード設定用スキャンレジスタ40からのデータに応
答して、モード制御信号MDを出力する。
A mode setting signal MDST and a reset signal RST are applied to the mode control latch 70. Data is input to the mode control latch 70 from the mode setting scan register 40. Mode control latch 70
Outputs the mode control signal MD in response to the mode setting signal MDST, the reset signal RST, and the data from the mode setting scan register 40.

【0119】リセット信号RSTが与えられると、モー
ド制御信号MDは“0”に設定される。それにより、セ
レクタ50は非バイパス状態になる。このとき、スキャ
ンレジスタ群10,20,30,40は、シフトクロッ
クSCKによりシフト動作可能な状態になる。この場
合、図2に示される半導体チップ1上のすべてのテスト
回路3のスキャンレジスタ10,20,30,40が直
列に接続される。
When the reset signal RST is applied, the mode control signal MD is set to "0". As a result, the selector 50 enters the non-bypass state. At this time, the scan register groups 10, 20, 30, and 40 are put into a shiftable state by the shift clock SCK. In this case, the scan registers 10, 20, 30, 40 of all the test circuits 3 on the semiconductor chip 1 shown in FIG. 2 are connected in series.

【0120】その後のシフト動作により、各テスト回路
3内のモード設定用スキャンレジスタ40にデータ
“1”または“0”が設定される。この後、モード設定
信号MDSTが与えられると、各テスト回路3内のモー
ド設定用スキャンレジスタ40に保持されたデータ
“1”または“0”がモード制御ラッチ70に取込ま
れ、それがモード制御信号MDとして出力される。その
結果、各テスト回路3内のセレクタ50を非バイパス状
態またはバイパス状態に選択的に設定することができ
る。
By the subsequent shift operation, data "1" or "0" is set in the mode setting scan register 40 in each test circuit 3. After that, when the mode setting signal MDST is applied, the data “1” or “0” held in the mode setting scan register 40 in each test circuit 3 is taken into the mode control latch 70, and the data is controlled by the mode control latch 70. It is output as the signal MD. As a result, the selector 50 in each test circuit 3 can be selectively set to the non-bypass state or the bypass state.

【0121】なお、図1には、読出しデータの圧縮方法
については示されていないが、図59および図60に示
されるように比較回路80を設けてもよい。
Although the compression method of read data is not shown in FIG. 1, a comparison circuit 80 may be provided as shown in FIGS. 59 and 60.

【0122】ランダムマーチテストで全周期系列をテス
トの対象となるRAM2に対応するテスト回路3にシフ
トインするときには、書込みデータおよび読出し期待値
データが変化してはならない。したがって、テストの対
象となるRAM2のテスト回路3はバイパス状態に設定
する必要がある。また、テスト時間の短縮のために、他
の回路ブロックに対応するテスト回路3もバイパス状態
に設定する必要がある。結果として、すべての回路ブロ
ックがバイパス状態に設定される。
In the random march test, when shifting the entire period series into the test circuit 3 corresponding to the RAM 2 to be tested, the write data and the read expected value data must not change. Therefore, the test circuit 3 of the RAM 2 to be tested needs to be set to the bypass state. Further, in order to reduce the test time, it is necessary to set the test circuits 3 corresponding to other circuit blocks in the bypass state. As a result, all circuit blocks are set to the bypass state.

【0123】この状態は、半導体チップ1のシリアル入
力端子SICから入力される全周期系列がすべてのテス
ト回路3に共通に入力されるのと等価である。したがっ
て、ワード数が同じであれば、複数のRAM2に対して
同時に全周期系列をアドレスとして設定することができ
る。このことは、複数のRAM2の同時テストが可能で
あることを意味する。 (2) ランダムマーチテスト 再び、全周期系列をアドレス設定に用いるランダムマー
チテストの処理手順を以下に示す。
This state is equivalent to the case where the entire period series input from the serial input terminal SIC of the semiconductor chip 1 is commonly input to all the test circuits 3. Therefore, if the number of words is the same, it is possible to simultaneously set the entire cycle sequence as an address for a plurality of RAMs 2. This means that it is possible to simultaneously test a plurality of RAMs 2. (2) Random March Test Again, the processing procedure of the random march test using the entire periodic sequence for address setting is shown below.

【0124】(手順1)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、全アドレスについて“0”書込み
を行なう。
(Procedure 1) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "0" is written for all addresses.

【0125】(手順2)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“0”読出
しの後“1”書込みを行なう。
(Procedure 2) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "1" is written after reading "0" for each address.

【0126】(手順3)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“1”読出
しの後“0”書込みを行なう。
(Procedure 3) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "0" is written after reading "1" for each address.

【0127】(手順4)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、全アドレスについて“1”書込み
を行なう。
(Procedure 4) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "1" is written for all addresses.

【0128】(手順5)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“1”読出
しの後“0”書込みを行なう。
(Procedure 5) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "0" is written after reading "1" for each address.

【0129】(手順6)全周期系列をシフトインしなが
らアドレスを設定し、各アドレスについて、“0”読出
しの後“1”書込みを行なう。
(Procedure 6) Addresses are set while shifting in the entire period series, and "1" is written after reading "0" for each address.

【0130】次に、図1のテスト回路3を用いてランダ
ムマーチテストを行なう場合のテストサイクルの見積を
以下に考察する。
Next, the estimation of the test cycle when performing the random march test using the test circuit 3 of FIG. 1 will be considered below.

【0131】ここでは、RAM2が1024ワード×8
ビット構成を有する場合を考える。ワード数が210=1
024であるので、n=10となる。したがって、10
次の全周期系列を用いる。ランダムマーチテストの各手
順においてアドレスが確定するまでに9回の余分なシフ
ト動作が必要である。その後は、1回のシフト動作ごと
にアドレスを更新してテストを行なうことができる。
Here, the RAM 2 has 1024 words × 8.
Consider the case of having a bit configuration. Number of words is 2 10 = 1
Since it is 024, n = 10. Therefore, 10
The following full cycle sequence is used. In each procedure of the random march test, 9 extra shift operations are required before the address is determined. After that, the test can be performed by updating the address for each shift operation.

【0132】シフト動作は、RAM2の書込み動作また
は読出し・書込み動作と同一のテストサイクル内で行な
うことができる。したがって、手順1,4では、シフト
動作および書込み動作を同一のテストサイクル内で行な
い、その他の手順では、シフト動作および読出し・書込
み動作を同一のテストサイクル内で行なうものと仮定す
る。
The shift operation can be performed in the same test cycle as the write operation or read / write operation of RAM 2. Therefore, it is assumed that in steps 1 and 4, the shift operation and the write operation are performed in the same test cycle, and in the other procedures, the shift operation and the read / write operation are performed in the same test cycle.

【0133】手順1,4では、DIスキャンレジスタ群
20に書込みデータを設定するために8回のシフト動作
が必要であり、アドレスの確定までに9回のシフト動作
が必要であり、さらに1024のアドレスの各々につい
てシフト動作および書込み動作が必要である。したがっ
て、手順1,4では、それぞれ8+9+1024=10
41テストサイクルが必要となる。
In steps 1 and 4, eight shift operations are required to set the write data in the DI scan register group 20, nine shift operations are required until the address is fixed, and further 1024 operations are required. Shift and write operations are required for each of the addresses. Therefore, in steps 1 and 4, 8 + 9 + 1024 = 10
Forty-one test cycles are required.

【0134】手順2,3,5,6では、DOスキャンレ
ジスタ群30に読出し期待値データを設定するために8
回のシフト動作が必要であり、DIスキャンレジスタ群
20に書込みデータを設定するために8回のシフト動作
が必要である。また、アドレスの確定までに9回のシフ
ト動作が必要であり、さらに1024のアドレスの各々
についてシフト動作および読出し・書込み動作が必要で
ある。したがって、手順2,3,5,6では、それぞれ
16+9+1024=1049テストサイクルが必要と
なる。
In steps 2, 3, 5 and 6, 8 is used to set the read expected value data in the DO scan register group 30.
The shift operation is required eight times, and the shift operation is required eight times in order to set the write data in the DI scan register group 20. Further, it is necessary to perform the shift operation 9 times until the address is determined, and further, the shift operation and the read / write operation are required for each of the 1024 addresses. Therefore, in the procedures 2, 3, 5 and 6, 16 + 9 + 1024 = 1049 test cycles are required.

【0135】結果として、ランダムマーチテストには、
(1041×2+1049×4)=6278テストサイ
クルが必要となる。 (3) 特有の効果 この実施例によるランダムマーチテストの必要なテスト
サイクルは、一般的なマーチテストに必要なテストサイ
クル(6144テストサイクル)と比較して、2.2%
増加するにすぎず、テスト時間の増加の抑制に十分な効
果がある。
As a result, the random march test
(1041 × 2 + 1049 × 4) = 6278 test cycles are required. (3) Unique effect The test cycle required for the random march test according to this example is 2.2% compared with the test cycle required for a general march test (6144 test cycle).
It only increases, and has a sufficient effect in suppressing the increase in test time.

【0136】この実施例では、シフトクロックSCKが
ゲート回路60を介してDIスキャンレジスタ群20お
よびDOスキャンレジスタ群30に与えられるので、こ
れらのスキャンレジスタ群20,30のために特別なシ
フトクロックを与える必要がない。したがって、シフト
クロック端子が増加せず、配線の混雑を抑制することが
できる。
In this embodiment, since the shift clock SCK is applied to the DI scan register group 20 and the DO scan register group 30 via the gate circuit 60, a special shift clock is provided for these scan register groups 20 and 30. No need to give. Therefore, the number of shift clock terminals does not increase and wiring congestion can be suppressed.

【0137】この実施例では、各テスト回路3に独立の
モード制御信号MDを与える必要はなく、共通のモード
設定信号MDSTおよび共通のリセット信号RSTをす
べてのテスト回路3に与えることができる。したがっ
て、配線の混雑をさらに抑制することができる。 (4) 各部の詳細な構成 (a) テスト回路3 テスト回路3とRAM2との関係を図3に示し、テスト
回路3の詳細な構成を図4に示す。
In this embodiment, it is not necessary to apply the independent mode control signal MD to each test circuit 3, and the common mode setting signal MDST and the common reset signal RST can be applied to all the test circuits 3. Therefore, wiring congestion can be further suppressed. (4) Detailed Configuration of Each Part (a) Test Circuit 3 The relationship between the test circuit 3 and the RAM 2 is shown in FIG. 3, and the detailed configuration of the test circuit 3 is shown in FIG.

【0138】図3に示すように、テスト回路3には、ロ
ジック回路4(図2参照)からアドレス信号AX(n−
1)〜AX(0)、チップイネーブル信号CEX、ライ
トイネーブル信号WEXおよび書込みデータDIX(m
−1)〜DIX(0)が与えられる。また、テスト回路
3は、ロジック回路4に読出しデータDOX(m−1)
〜DOX(0)を与える。さらに、テスト回路3は、R
AM2にアドレス信号A(n−1)〜A(0)、チップ
イネーブル信号CE、ライトイネーブル信号WEおよび
書込みデータDI(m−1)〜DI(0)を与える。テ
スト回路3には、RAM2から読出しデータDO(m−
1)〜DO(0)が与えられる。
As shown in FIG. 3, the test circuit 3 includes the address signal AX (n-) from the logic circuit 4 (see FIG. 2).
1) to AX (0), chip enable signal CEX, write enable signal WEX, and write data DIX (m
-1) to DIX (0) are given. Further, the test circuit 3 causes the logic circuit 4 to read the read data DOX (m-1).
Give ~ DOX (0). Furthermore, the test circuit 3 is
Address signals A (n-1) to A (0), chip enable signal CE, write enable signal WE, and write data DI (m-1) to DI (0) are applied to AM2. In the test circuit 3, the read data DO (m-
1) to DO (0) are given.

【0139】図4に示すように、テスト回路3は、AD
スキャンレジスタ群100、チップイネーブル用スキャ
ンレジスタ(以下CEスキャンレジスタと呼ぶ)20
0、ライトイネーブル用スキャンレジスタ(以下WEス
キャンレジスタと呼ぶ)300、データ入出力用スキャ
ンレジスタ群(以下DIOスキャンレジスタ群と呼ぶ)
400、ダミースキャンレジスタ(以下DMYスキャン
レジスタと呼ぶ)500、リセット付きラッチ回路60
0およびマルチプレクサ700を含む。テスト回路3
は、インバータ回路G1,G2、2入力AND回路G3
〜G5および3入力AND回路G6をさらに含む。
As shown in FIG. 4, the test circuit 3 has AD
Scan register group 100, chip enable scan register (hereinafter referred to as CE scan register) 20
0, write enable scan register (hereinafter referred to as WE scan register) 300, data input / output scan register group (hereinafter referred to as DIO scan register group)
400, dummy scan register (hereinafter referred to as DMY scan register) 500, latch circuit with reset 60
0 and multiplexer 700. Test circuit 3
Is an inverter circuit G1, G2, a two-input AND circuit G3
.About.G5 and a 3-input AND circuit G6 are further included.

【0140】ADスキャンレジスタ群100は図1のA
Dスキャンレジスタ群10に相当し、DIOスキャンレ
ジスタ群400は図1のDIスキャンレジスタ群20お
よびDOスキャンレジスタ群30に相当する。DMYス
キャンレジスタ500は図1のモード設定用スキャンレ
ジスタ40に相当し、マルチプレクサ700は図1のセ
レクタ50に相当し、リセット付きラッチ回路600は
図1のモード制御ラッチ70に相当する。
The AD scan register group 100 is A in FIG.
The D scan register group 10 corresponds to the D scan register group 10, and the DIO scan register group 400 corresponds to the DI scan register group 20 and the DO scan register group 30 in FIG. The DMY scan register 500 corresponds to the mode setting scan register 40 of FIG. 1, the multiplexer 700 corresponds to the selector 50 of FIG. 1, and the reset latch circuit 600 corresponds to the mode control latch 70 of FIG.

【0141】図5に、テスト回路3の構成の他の例を示
す。図5のテスト回路3が図4のテスト回路3と異なる
のは次の点である。DMY500が設けられておらず、
ADスキャンレジスタ群100に含まれる複数のスキャ
ンレジスタのうちいずれか1つの出力がリセット付きラ
ッチ回路600に与えられている。
FIG. 5 shows another example of the configuration of the test circuit 3. The test circuit 3 of FIG. 5 differs from the test circuit 3 of FIG. 4 in the following points. DMY500 is not provided,
The output of any one of the plurality of scan registers included in the AD scan register group 100 is given to the latch circuit with reset 600.

【0142】(b) ADスキャンレジスタ群100 図6に、ADスキャンレジスタ群100の構成を示す。
ADスキャンレジスタ群100はn個のアドレス用スキ
ャンレジスタ(以下ADスキャンレジスタと呼ぶ)11
0を含む。これらのADスキャンレジスタ110はシリ
アル入力端子SIAとシリアル出力端子SOAとの間に
直列に接続され、短いスキャンパス(nビットのスキャ
ンパス)を構成する。各ADスキャンレジスタ110の
シリアル出力端子SORは次段のADスキャンレジスタ
110のシリアル入力端子SIRに接続される。
(B) AD Scan Register Group 100 FIG. 6 shows the configuration of the AD scan register group 100.
The AD scan register group 100 includes n address scan registers (hereinafter referred to as AD scan registers) 11
Including 0. These AD scan registers 110 are connected in series between the serial input terminal SIA and the serial output terminal SOA to form a short scan path (n-bit scan path). The serial output terminal SOR of each AD scan register 110 is connected to the serial input terminal SIR of the AD scan register 110 at the next stage.

【0143】テスト時には、ADスキャンレジスタ群1
00にシフト動作によりRAM2のテストアドレスが設
定される。
During the test, AD scan register group 1
The test address of the RAM 2 is set to 00 by the shift operation.

【0144】(c) ADスキャンレジスタ110 図7に、ADスキャンレジスタ110の詳細な構成を示
す。ADスキャンレジスタ110は、ラッチ回路L1お
よび2入力ラッチ回路L2を含む。
(C) AD Scan Register 110 FIG. 7 shows the detailed structure of the AD scan register 110. The AD scan register 110 includes a latch circuit L1 and a 2-input latch circuit L2.

【0145】ラッチ回路L1は次のような動作を行な
う。イネーブル端子ENに与えられるシフトクロックS
CK2がイネーブル状態になると、入力端子Dからデー
タを取込み、それを保持するとともに出力端子Qからそ
のデータを出力する。
Latch circuit L1 operates as follows. Shift clock S given to enable terminal EN
When CK2 is enabled, it takes in data from the input terminal D, holds it, and outputs the data from the output terminal Q.

【0146】2入力ラッチ回路L2は次のような動作を
行なう。第1のイネーブル端子EN1に与えられるチッ
プイネーブル信号CEAがイネーブル状態になると、第
1の入力端子D1からデータを取込み、それを保持する
とともに出力端子Qからそのデータを出力する。また、
第2のイネーブル端子EN2に与えられるシフトクロッ
クSCK1がイネーブル状態になると、第2の入力端子
D2からデータを取込み、それを保持するとともに出力
端子Qからそのデータを出力する。ただし、第1のイネ
ーブル端子EN1および第2のイネーブル端子EN2に
同時にイネーブル状態の信号が与えられることは禁止さ
れる。
Two-input latch circuit L2 operates as follows. When the chip enable signal CEA applied to the first enable terminal EN1 is enabled, the data is taken in from the first input terminal D1, the data is held and the data is output from the output terminal Q. Also,
When the shift clock SCK1 applied to the second enable terminal EN2 is enabled, it takes in data from the second input terminal D2, holds it, and outputs the data from the output terminal Q. However, it is prohibited to simultaneously apply the signals in the enable state to the first enable terminal EN1 and the second enable terminal EN2.

【0147】ADスキャンレジスタ110の入力端子a
xiには、ロジック回路4(図2参照)からアドレス信
号AX(i)が与えられる。チップイネーブル信号CE
Aがイネーブル状態になると、このアドレス信号AX
(i)は2入力ラッチ回路L2に取込まれるとともに、
出力端子aiからアドレス信号A(i)として出力され
る。すなわち、チップイネーブル信号CEAがイネーブ
ル状態にある間、アドレス信号は入力端子axiから出
力端子aiに伝達される。この状態では、ロジック回路
4とRAM2とのアドレス端子は論理的に接続されてい
る。
Input terminal a of AD scan register 110
The address signal AX (i) is applied to xi from the logic circuit 4 (see FIG. 2). Chip enable signal CE
When A is enabled, this address signal AX
(I) is taken into the 2-input latch circuit L2, and
The address signal A (i) is output from the output terminal ai. That is, the address signal is transmitted from the input terminal axi to the output terminal ai while the chip enable signal CEA is in the enabled state. In this state, the address terminals of the logic circuit 4 and the RAM 2 are logically connected.

【0148】逆にイネーブル信号CEAがディスエーブ
ル状態であるときには、ロジック回路4およびRAM2
のアドレス端子は互いに非接続状態になる。このとき、
イネーブル端子EN2,ENにオーバラップしない2相
のシフトクロックSCK1,SCK2を与えると、シフ
ト動作を行なうことができる。まず、2入力ラッチ回路
L2のイネーブル端子EN2に1相目のシフトクロック
SCK1が与えられると、シリアル入力端子SIR上の
データが2入力ラッチ回路L2に取込まれる。2入力ラ
ッチ回路L2の出力端子Qはラッチ回路L1の入力端子
Dに接続されているので、次にイネーブルENに2相目
のシフトクロックSCK2が与えらると、このデータは
ラッチ回路L1に取込まれ、シリアル出力端子SORに
出力される。このようにして、シリアル入力端子SIR
からシリアル出力端子SORへ1ビットのシフト動作が
行なわれる。
Conversely, when the enable signal CEA is in the disabled state, the logic circuit 4 and the RAM 2 are
The address terminals of are disconnected from each other. At this time,
If the two-phase shift clocks SCK1 and SCK2 that do not overlap are applied to the enable terminals EN2 and EN, the shift operation can be performed. First, when the first-phase shift clock SCK1 is applied to the enable terminal EN2 of the 2-input latch circuit L2, the data on the serial input terminal SIR is taken into the 2-input latch circuit L2. Since the output terminal Q of the 2-input latch circuit L2 is connected to the input terminal D of the latch circuit L1, when the second-phase shift clock SCK2 is applied to the enable EN, this data is transferred to the latch circuit L1. And is output to the serial output terminal SOR. In this way, the serial input terminal SIR
From 1 to serial output terminal SOR is performed.

【0149】(d) CEスキャンレジスタ200 図8に、CEスキャンレジスタ200の詳細な構成を示
す。CEスキャンレジスタ200は、ADスキャンレジ
スタ110と同様にラッチ回路L1および2入力ラッチ
回路L2を含み、さらにインバータ回路G11,G12
および2入力NAND回路G13を含む。
(D) CE Scan Register 200 FIG. 8 shows a detailed configuration of the CE scan register 200. The CE scan register 200 includes a latch circuit L1 and a two-input latch circuit L2 similarly to the AD scan register 110, and further includes inverter circuits G11 and G12.
And a 2-input NAND circuit G13.

【0150】CEスキャンレジスタ200のシフト動作
は、ADスキャンレジスタ110のシフト動作と同様で
ある。ただし、シフトクロックとして、ADスキャンレ
ジスタ110のシフトクロックとは異なるシフトクロッ
クSCK1M,SCK2Mが用いられる。
The shift operation of the CE scan register 200 is similar to the shift operation of the AD scan register 110. However, as the shift clock, shift clocks SCK1M and SCK2M different from the shift clock of the AD scan register 110 are used.

【0151】通常動作時には、イネーブル信号TCEが
“L”に設定され、イネーブル信号STBMは“H”に
設定される。その結果、イネーブル信号CEXはインバ
ータ回路G12、2入力ラッチ回路L2およびNAND
回路G13を経由して出力端子ceに伝達される。イネ
ーブル信号CEXはインバータ回路G12により反転さ
れた後、NAND回路G13により反転されるので、結
果としてイネーブルCEおよびイネーブル信号CEXの
論理レベルは同じになる。
In the normal operation, the enable signal TCE is set to "L" and the enable signal STBM is set to "H". As a result, the enable signal CEX is output to the inverter circuit G12, the 2-input latch circuit L2 and the NAND
It is transmitted to the output terminal ce via the circuit G13. Since the enable signal CEX is inverted by the inverter circuit G12 and then inverted by the NAND circuit G13, as a result, the logic levels of the enable CE and the enable signal CEX become the same.

【0152】テスト時には、イネーブル信号STBMが
“L”に設定され、イネーブル信号TCEが“L”とな
る。ここでは、イネーブル信号STBMおよびイネーブ
ル信号TCEはローアクティブであると仮定している。
In the test, the enable signal STBM is set to "L" and the enable signal TCE becomes "L". Here, it is assumed that the enable signal STBM and the enable signal TCE are low active.

【0153】シフト動作により2入力ラッチ回路L2の
出力端子Qの出力信号が“H”に設定されているときに
は、イネーブル信号CEは“L”となる。それにより、
RAM2が動作する。2入力ラッチ回路L2の出力端子
Qの出力信号が“L”に設定されているときには、イネ
ーブル信号TCEが出力端子ceには伝わらず、イネー
ブル信号CEは“H”を保持する。したがって、RAM
2は待機状態になる。
When the output signal of the output terminal Q of the 2-input latch circuit L2 is set to "H" by the shift operation, the enable signal CE becomes "L". Thereby,
RAM2 operates. When the output signal of the output terminal Q of the 2-input latch circuit L2 is set to "L", the enable signal TCE is not transmitted to the output terminal ce, and the enable signal CE holds "H". Therefore RAM
2 goes into a standby state.

【0154】このように、CEスキャンレジスタ200
に設定されたデータにより、RAM2の動作を制御する
ことが可能となる。
As described above, the CE scan register 200
It is possible to control the operation of the RAM 2 by the data set in.

【0155】したがって、図2に示すように複数のRA
M2が半導体チップ1上に集積化されている場合には、
シフト動作により所望のデータを各テスト回路3のCE
スキャンレジスタ200に設定すれば、所望のRAM2
を選択的に動作させてテストすることができる。
Therefore, as shown in FIG.
When M2 is integrated on the semiconductor chip 1,
The desired data is transferred to the CE of each test circuit 3 by the shift operation
If set in the scan register 200, the desired RAM 2
Can be selectively operated and tested.

【0156】図8のCEスキャンレジスタ200では、
イネーブル信号STBMがイネーブル信号CEAとして
出力端子ceaから出力され、ADスキャンレジスタ1
10に与えられる。
In the CE scan register 200 of FIG.
The enable signal STBM is output from the output terminal cea as the enable signal CEA, and the AD scan register 1
Given to 10.

【0157】図9に、CEスキャンレジスタ200の構
成の他の例を示す。このCEスキャンレジスタ200で
は、2入力AND回路G14が付加されている。それに
より、通常動作時に、ADスキャンレジスタ110をア
ドレスラッチとして用いることができる。
FIG. 9 shows another example of the configuration of the CE scan register 200. In this CE scan register 200, a 2-input AND circuit G14 is added. This allows the AD scan register 110 to be used as an address latch during normal operation.

【0158】イネーブル信号STBMは、通常動作時は
“H”に設定され、テスト時は“L”に設定される。し
たがって、通常動作時は、イネーブル信号CEAおよび
イネーブル信号CEの論理レベルは同じになる。
The enable signal STBM is set to "H" in the normal operation and set to "L" in the test. Therefore, during normal operation, the enable signal CEA and the enable signal CE have the same logic level.

【0159】通常動作時には、イネーブル信号CEX
(ローアクティブ)は出力端子ceに伝わると同時に出
力端子ceaにも伝わる。イネーブル信号CEAが
“L”になると、図7に示されるADスキャンレジスタ
110の2入力ラッチ回路L2は保持状態になる(アド
レス信号をラッチする)。
In normal operation, the enable signal CEX
(Low active) is transmitted to the output terminal ce and simultaneously to the output terminal cea. When the enable signal CEA becomes "L", the two-input latch circuit L2 of the AD scan register 110 shown in FIG. 7 enters the holding state (latches the address signal).

【0160】このように、図9に示されるCEスキャン
レジスタ200を用いれば、通常動作時にADスキャン
レジスタ110をアドレスラッチとして用いることがで
きる。
As described above, by using the CE scan register 200 shown in FIG. 9, the AD scan register 110 can be used as an address latch during normal operation.

【0161】図8のCEスキャンレジスタ200はこの
ようなアドレスラッチ機能を有さない。図8および図9
のCEスキャンレジスタ200は、必要に応じて使い分
ける。
The CE scan register 200 of FIG. 8 does not have such an address latch function. 8 and 9
The CE scan register 200 is used properly according to need.

【0162】(e) WEスキャンレジスタ300 図10に、WEスキャンレジスタ300の詳細な構成を
示す。このWEスキャンレジスタ300の構成は、図8
に示されるCEスキャンレジスタ200の構成と同様で
ある。
(E) WE Scan Register 300 FIG. 10 shows a detailed structure of the WE scan register 300. The configuration of this WE scan register 300 is shown in FIG.
The configuration is similar to that of the CE scan register 200 shown in FIG.

【0163】このWEスキャンレジスタ300のシフト
動作は、ADスキャンレジスタ110(図7参照)と同
様である。ただし、シフトクロックとして、図8のCE
スキャンレジスタ200と同様に、シフトクロックSC
K1M,SCK2Mが用いられる。
The shift operation of the WE scan register 300 is similar to that of the AD scan register 110 (see FIG. 7). However, as the shift clock, the CE of FIG.
Like the scan register 200, the shift clock SC
K1M and SCK2M are used.

【0164】通常動作時には、イネーブル信号TWEが
“L”に設定されてイネーブル信号STBMが“H”に
設定される。その結果、イネーブル信号WEXがインバ
ータ回路G12、2入力ラッチ回路L2およびNAND
回路G13を経由して出力端子weに伝達される。イネ
ーブル信号WEXはインバータ回路G12により反転さ
れた後、NAND回路G13により反転されるので、結
果としてイネーブル信号WEおよびイネーブル信号WE
Xの論理レベルは同じになる。
In the normal operation, the enable signal TWE is set to "L" and the enable signal STBM is set to "H". As a result, the enable signal WEX changes to the inverter circuit G12, the 2-input latch circuit L2 and the NAND circuit.
It is transmitted to the output terminal we via the circuit G13. Since the enable signal WEX is inverted by the inverter circuit G12 and then inverted by the NAND circuit G13, as a result, the enable signal WE and the enable signal WE are obtained.
The logic level of X will be the same.

【0165】テスト時には、イネーブル信号STBMが
“L”に設定され、イネーブル信号TWEは“L”とな
る。ここでは、イネーブル信号TWEはローアクティブ
であると仮定している。
In the test, the enable signal STBM is set to "L" and the enable signal TWE becomes "L". Here, it is assumed that the enable signal TWE is low active.

【0166】シフト動作により2入力ラッチ回路L2の
出力端子Qの出力信号が“H”に設定されているときに
は、イネーブル信号TWEが出力端子weに伝達され
る。したがって、RAM2のイネーブル信号CE(図3
参照)がイネーブル状態であれば、書込み動作が行なわ
れる。2入力ラッチ回路L2の出力端子Qの出力信号が
“L”に設定されているときには、イネーブル信号TW
Eは出力端子WEには伝わらず、イネーブル信号WEは
“H”を保持する。したがって、RAM2の書込み動作
は行なわれない。
When the output signal of output terminal Q of 2-input latch circuit L2 is set to "H" by the shift operation, enable signal TWE is transmitted to output terminal we. Therefore, the enable signal CE of the RAM 2 (see FIG.
(See) is enabled, the write operation is performed. When the output signal of the output terminal Q of the 2-input latch circuit L2 is set to "L", the enable signal TW
E is not transmitted to the output terminal WE, and the enable signal WE holds "H". Therefore, the write operation of RAM 2 is not performed.

【0167】このように、WEスキャンレジスタ300
に設定されたデータにより、RAM2の書込み動作を制
御することが可能となる。
Thus, the WE scan register 300
It is possible to control the write operation of the RAM 2 with the data set to.

【0168】(f) DIOスキャンレジスタ群400 図11に、DIOスキャンレジスタ群400の詳細な構
成を示す。DIOスキャンレジスタ群400は、m個の
DIOスキャンレジスタ410を含む。これらのDIO
スキャンレジスタ410に、書込みデータDIX(m−
1)〜DIX(0)および読出しデータDO(m−1)
〜DO(0)が入力される。これらのDIOスキャンレ
ジスタ410から、読出しデータDOX(m−1)〜D
OX(0)および書込みデータDI(m−1)〜DI
(0)が出力される。
(F) DIO Scan Register Group 400 FIG. 11 shows the detailed structure of the DIO scan register group 400. The DIO scan register group 400 includes m DIO scan registers 410. These DIO
The write data DIX (m-
1) to DIX (0) and read data DO (m-1)
~ DO (0) is input. From these DIO scan registers 410, read data DOX (m-1) to DOX (m-1)
OX (0) and write data DI (m-1) to DI
(0) is output.

【0169】DIOスキャンレジスタ410は、シリア
ル入力端子SIDとシリアル出力端子SODとの間に直
列に接続されてお、短いスキャンパス(mビットのスキ
ャンパス)を構成する。各DIOスキャンレジスタ41
0のシリアル出力端子SORは次段のDIOスキャンレ
ジスタ410のシリアル入力端子SIRに接続される。
The DIO scan register 410 is connected in series between the serial input terminal SID and the serial output terminal SOD to form a short scan path (m-bit scan path). Each DIO scan register 41
The serial output terminal SOR of 0 is connected to the serial input terminal SIR of the DIO scan register 410 at the next stage.

【0170】(g) DIOスキャンレジスタ410 図12に、DIOスキャンレジスタ410の詳細な構成
を示す。DIOスキャンレジスタ410は、2入力ラッ
チ回路L2a,L2b、インバータ回路G15,G1
6、2入力NAND回路G17,G18およびエクスク
ルーシブOR回路G19を含む。入力端子dixには、
ロジック回路4(図2参照)から書込みデータDIX
(i)が与えられる。出力端子doxにはRAM2(図
2参照)からのデータまたはこのスキャンレジスタ41
0が保持するデータが出力され、ロジック回路4に与え
られる。
(G) DIO Scan Register 410 FIG. 12 shows the detailed structure of the DIO scan register 410. The DIO scan register 410 includes two-input latch circuits L2a and L2b and inverter circuits G15 and G1.
It includes 6, 2-input NAND circuits G17 and G18 and an exclusive OR circuit G19. In the input terminal dix,
Write data DIX from the logic circuit 4 (see FIG. 2)
(I) is given. Data from the RAM 2 (see FIG. 2) or the scan register 41 is output to the output terminal dox.
The data held by 0 is output and given to the logic circuit 4.

【0171】シフト動作は、2入力ラッチ回路L2a,
L2bの第2のイネーブル端子EN2に2相のシフトク
ロックSCK1M,SCK2Mを与えることにより行な
われる。シフト動作時には、イネーブル信号STBMお
よび比較信号CMPを“L”に設定しかつテストモード
信号TMを“H”に設定する必要がある。この設定によ
り、NAND回路G18の出力は“H”となり、NAN
D回路G17の出力は“L”となる。したがって、2入
力ラッチ回路L2a,L2bの第1のイネーブル端子E
N1の電位はともに“L”となる。
The shift operation is performed by the 2-input latch circuit L2a,
This is performed by applying two-phase shift clocks SCK1M and SCK2M to the second enable terminal EN2 of L2b. During the shift operation, it is necessary to set the enable signal STBM and the comparison signal CMP to "L" and the test mode signal TM to "H". With this setting, the output of the NAND circuit G18 becomes "H", and the NAN
The output of the D circuit G17 becomes "L". Therefore, the first enable terminal E of the two-input latch circuits L2a and L2b is
The potentials of N1 are both "L".

【0172】シフトクロックSCK1Mが与えられる
と、シリアル入力端子SIRから1段目の2入力ラッチ
回路L2aにデータが取込まれる。このデータは、イン
バータ回路G15により反転され、2段目の2入力ラッ
チ回路L2bの第2の入力端子D2に与えられる。次に
シフトクロックSCK2Mが与えられると、その反転さ
れたデータは2段目の2入力ラッチ回路L2bに取込ま
れる。このデータは、インバータ回路G16により再び
反転され、シリアル出力端子SORに出力される。
When the shift clock SCK1M is applied, data is taken in from the serial input terminal SIR to the first-stage two-input latch circuit L2a. This data is inverted by the inverter circuit G15 and given to the second input terminal D2 of the second-stage two-input latch circuit L2b. Next, when the shift clock SCK2M is applied, the inverted data is taken into the second-stage two-input latch circuit L2b. This data is inverted again by the inverter circuit G16 and output to the serial output terminal SOR.

【0173】このように、2相のシフトクロックSCK
1M,SCK2Mにより、1ビットのシフト動作が行な
われる。シリアルデータは、インバータ回路G15,G
16により2回反転されるので、シリアル入力端子SI
Rのデータおよびシリアル出力端子SORのデータは同
じ論理レベルとなる。
Thus, the two-phase shift clock SCK
A 1-bit shift operation is performed by 1M and SCK2M. The serial data is the inverter circuits G15, G
Since it is inverted twice by 16, the serial input terminal SI
The data of R and the data of the serial output terminal SOR have the same logic level.

【0174】通常動作時には、イネーブル信号STBM
が“H”に設定され、テストモード信号TMが“L”に
設定される。この設定により、2入力ラッチ回路L2
a,L2bの第1のイネーブル端子EN1の電位はとも
に“H”となる。このとき、入力端子dixに与えられ
た書込みデータDIX(i)は、2入力ラッチ回路L2
aに取込まれるとともに、出力端子diに伝達される。
また、入力端子doに与えられた読出しデータDO
(i)は、2入力ラッチ回路L2bに取込まれるととも
に出力端子doxに伝達される。
In normal operation, the enable signal STBM
Is set to "H" and the test mode signal TM is set to "L". With this setting, the 2-input latch circuit L2
The potentials of the first enable terminals EN1 of a and L2b both become "H". At this time, the write data DIX (i) given to the input terminal dix is the 2-input latch circuit L2.
It is taken in by a and transmitted to the output terminal di.
In addition, the read data DO given to the input terminal do
(I) is taken into the 2-input latch circuit L2b and transmitted to the output terminal dox.

【0175】この状態では、RAM2およびロジック回
路4のデータ入出力端子が互いに論理的に接続されてい
る。
In this state, the data input / output terminals of RAM 2 and logic circuit 4 are logically connected to each other.

【0176】テスト時には、テストモード信号TMが
“H”に設定される。テスト時には、シフト動作によ
り、RAM2へ与えられる書込みデータおよび読出し期
待値データがDIOスキャンレジスタ410に設定され
る。書込みデータは2入力ラッチ回路L2aに設定さ
れ、インバータ回路G15により反転されたデータが読
出し期待値データとなる。シフト動作により2入力ラッ
チ回路L2a,L2bが保持するデータは、互いに逆の
論理になる。したがって、読出し期待値データは、2入
力ラッチ回路L2bにも設定される。
At the time of testing, test mode signal TM is set to "H". At the time of test, the write operation and the read expected value data provided to the RAM 2 are set in the DIO scan register 410 by the shift operation. The write data is set in the 2-input latch circuit L2a, and the data inverted by the inverter circuit G15 becomes the read expected value data. The data held in the two-input latch circuits L2a and L2b due to the shift operation have opposite logics. Therefore, the read expected value data is also set in the 2-input latch circuit L2b.

【0177】RAM2から与えられる読出しデータDO
(i)は入力端子doに与えられる。この読出しデータ
DO(i)はイクスクルーシブOR回路G19により読
出し期待値データ(インバータ回路G15の出力)と比
較される。RAM2が正常なときには、イクスクルーシ
ブOR回路G19の出力は“L”になる。RAM2に故
障がある場合には(読出し期待値データと異なるデータ
がRAM2から読出された場合)、イクスクルーシブO
R回路G19の出力は“H”になる。
Read data DO provided from RAM2
(I) is given to the input terminal do. The read data DO (i) is compared with the read expected value data (output of the inverter circuit G15) by the exclusive OR circuit G19. When the RAM2 is normal, the output of the exclusive OR circuit G19 is "L". When the RAM2 has a failure (when data different from the read expected value data is read from the RAM2), the exclusive O
The output of the R circuit G19 becomes "H".

【0178】この状態で比較信号CMPが“H”とな
る。RAM2が正常なときには、NAND回路G18の
出力が“H”に保持される。RAM2に故障がある場合
には、NAND回路G18の出力端子にローアクティブ
なクロックが発生する。NAND回路G18の出力はN
AND回路G17により反転されて2入力ラッチ回路L
2bの第1のイネーブル端子EN1に与えられる。した
がって、RAM2が正常なときには、第1のイネーブル
端子EN1の電位が“L”に保持され、RAM2に故障
があるときには、第1のイネーブル端子EN1にはハイ
アクティブなクロックが与えられる。
In this state, the comparison signal CMP becomes "H". When the RAM 2 is normal, the output of the NAND circuit G18 is held at "H". When the RAM 2 has a failure, a low active clock is generated at the output terminal of the NAND circuit G18. The output of the NAND circuit G18 is N
Two-input latch circuit L inverted by AND circuit G17
2b to the first enable terminal EN1. Therefore, when the RAM2 is normal, the potential of the first enable terminal EN1 is held at "L", and when the RAM2 has a failure, a high active clock is applied to the first enable terminal EN1.

【0179】このように、読出し期待値データと異なる
データがRAM2から読出されたときには、2入力ラッ
チ回路L2bの第1のイネーブル端子EN1にハイアク
ティブなクロックが与えられる。それにより、RAM2
からの読出しデータ(読出し期待値データとは逆の論理
のデータ)が2入力ラッチ回路L2bに取込まれる。そ
の結果、2入力ラッチ回路L2bが保持するデータは反
転する。RAM2が正常なときには、このような保持デ
ータの反転は生じない。したがって、2入力ラッチ回路
L2bはRAM2のテスト結果を保持していることにな
る。
As described above, when the data different from the read expected value data is read from the RAM 2, a high active clock is applied to the first enable terminal EN1 of the 2-input latch circuit L2b. As a result, RAM2
The read data (data having a logic opposite to the read expected value data) is taken into the 2-input latch circuit L2b. As a result, the data held by the 2-input latch circuit L2b is inverted. When the RAM 2 is normal, such inversion of the held data does not occur. Therefore, the 2-input latch circuit L2b holds the test result of the RAM2.

【0180】図13に、DIOスキャンレジスタ410
の構成の他の例を示す。図13のDIOスキャンレジス
タ410では、図12のDIOスキャンレジスタ410
とは逆に、2入力ラッチ回路L2bが1段目のラッチ回
路となり、2入力ラッチ回路L2aが2段目のラッチ回
路となる。このDIOスキャンレジスタ410では、2
段目の2入力ラッチ回路L2aが書込みデータおよび読
出し期待値データを保持し、1段目の2入力ラッチ回路
L2bがテスト結果を保持する。
FIG. 13 shows the DIO scan register 410.
Another example of the configuration will be shown. In the DIO scan register 410 of FIG. 13, the DIO scan register 410 of FIG.
On the contrary, the 2-input latch circuit L2b serves as the first-stage latch circuit and the 2-input latch circuit L2a serves as the second-stage latch circuit. In this DIO scan register 410, 2
The 2-input latch circuit L2a in the first stage holds the write data and the expected read value data, and the 2-input latch circuit L2b in the first stage holds the test result.

【0181】図11のDIOスキャンレジスタ群400
は、図12および図13のDIOスキャンレジスタ41
0のいずれかを用いて構成される。
The DIO scan register group 400 of FIG.
Is the DIO scan register 41 of FIGS.
It is configured by using one of 0.

【0182】なお、これらのDIOスキャンレジスタ4
10は、この発明の重要な構成要素の1つである。この
ように、図12および図13に示されるDIOスキャン
レジスタ410は、一方の2入力ラッチ回路が書込みデ
ータおよび読出し期待値データ(書込みデータの反転デ
ータ)を保持しかつ他方の2入力ラッチ回路がテスト結
果を保持するという特徴を持っている。
Incidentally, these DIO scan registers 4
10 is one of the important components of the present invention. As described above, in the DIO scan register 410 shown in FIGS. 12 and 13, one 2-input latch circuit holds write data and read expected value data (inverted data of write data) and the other 2-input latch circuit It has the feature of retaining test results.

【0183】(h) DMYスキャンレジスタ500 図14に、DMYスキャンレジスタ500の詳細な構成
を示す。このDMYスキャンレジスタ500は、ラッチ
回路L1a,L1bを含む。このDMYスキャンレジス
タ500は、2相のシフトクロックで動作する単純なシ
フトレジスタである。
(H) DMY Scan Register 500 FIG. 14 shows the detailed structure of the DMY scan register 500. The DMY scan register 500 includes latch circuits L1a and L1b. The DMY scan register 500 is a simple shift register that operates with a two-phase shift clock.

【0184】まず、1相目のシフトクロックSCK1M
が与えられると、シリアル入力端子SIR上のデータが
ラッチ回路L1aに取込まれる。ラッチ回路L1aの出
力端子Qはラッチ回路L1bの入力端子Dに接続されて
いるので、次に2相目のシフトクロックSCK2Mが与
えられると、このデータはラッチ回路L1bに取込ま
れ、シリアル出力端子SORに出力される。
First, the first-phase shift clock SCK1M
Is given, the data on the serial input terminal SIR is taken into the latch circuit L1a. Since the output terminal Q of the latch circuit L1a is connected to the input terminal D of the latch circuit L1b, when the second-phase shift clock SCK2M is applied next, this data is taken into the latch circuit L1b and the serial output terminal Output to SOR.

【0185】このようにして、シリアル入力端子SIR
からシリアル出力端子SORへ1ビットのシフト動作が
行なわれる。
In this way, the serial input terminal SIR
From 1 to serial output terminal SOR is performed.

【0186】(i) ラッチ回路L1 図15に、ラッチ回路L1の構成の一例(CMOS回路
の例)を示す。ラッチ回路L1は、Nチャネルトランジ
スタN1〜N3、PチャネルトランジスタP1〜P3お
よびインバータ回路G20〜G22を含む。
(I) Latch Circuit L1 FIG. 15 shows an example of the configuration of the latch circuit L1 (an example of a CMOS circuit). Latch circuit L1 includes N-channel transistors N1 to N3, P-channel transistors P1 to P3, and inverter circuits G20 to G22.

【0187】イネーブル端子ENに“H”の信号が与え
られると、インバータ回路G20の出力は“L”にな
る。その結果、トランジスタN3,P3がオンし、トラ
ンジスタP1,N1がオフする。入力端子Dに与えられ
たデータは、トランジスタN3,P3を通過し、インバ
ータ回路G21により反転され、再びインバータ回路G
22により反転されて出力端子Qに伝達される。したが
って、入力端子Dおよび出力端子Q間でデータの反転は
生じない。
When the enable terminal EN is supplied with a signal of "H", the output of the inverter circuit G20 becomes "L". As a result, the transistors N3 and P3 are turned on and the transistors P1 and N1 are turned off. The data given to the input terminal D passes through the transistors N3 and P3, is inverted by the inverter circuit G21, and is again inverted by the inverter circuit G.
It is inverted by 22 and transmitted to the output terminal Q. Therefore, no inversion of data occurs between the input terminal D and the output terminal Q.

【0188】イネーブル端子ENに“L”の信号が与え
られると、インバータ回路G20の出力は“H”にな
る。その結果、トランジスタN3,P3がオフし、トラ
ンジスタP1,N1がオンする。したがって、トランジ
スタP2のソースに電源電位VDDが与えられ、トラン
ジスタN2のソースに接地電位GNDが与えられる。ト
ランジスタN2,P2のゲートは互いに接続され、かつ
それらのドレインも互いに接続されているので、トラン
ジスタN2,P2のペアはインバータ回路として機能す
る。
When a signal of "L" is applied to the enable terminal EN, the output of the inverter circuit G20 becomes "H". As a result, the transistors N3 and P3 are turned off and the transistors P1 and N1 are turned on. Therefore, the power supply potential VDD is applied to the source of the transistor P2, and the ground potential GND is applied to the source of the transistor N2. Since the gates of the transistors N2 and P2 are connected to each other and their drains are also connected to each other, the pair of transistors N2 and P2 functions as an inverter circuit.

【0189】このとき構成されるインバータ回路は、イ
ンバータ回路G21とともに記憶ループを構成する。す
なわち、互いに、一方の出力が他方の入力に供給され
る。出力端子Qにはこの記憶ループが保持しているデー
タが出力される。
The inverter circuit configured at this time constitutes a storage loop together with the inverter circuit G21. That is, one output is supplied to the other input to each other. The data held in this storage loop is output to the output terminal Q.

【0190】記憶ループに保持されるデータは、イネー
ブル端子ENの信号が“L”に変化する直前に入力端子
Dに与えられていたデータである。
The data held in the storage loop is the data given to the input terminal D immediately before the signal at the enable terminal EN changes to "L".

【0191】(j) リセット付きラッチ回路600 図16に、リセット付きラッチ回路600の詳細な構成
を示す。リセット付きラッチ回路600が図15のラッ
チ回路L1と異なるのは、インバータ回路G21の代わ
りに2入力NAND回路G23を設けたことである。
(J) Latch Circuit with Reset 600 FIG. 16 shows a detailed configuration of the latch circuit with reset 600. The reset latch circuit 600 is different from the latch circuit L1 of FIG. 15 in that a two-input NAND circuit G23 is provided instead of the inverter circuit G21.

【0192】リセット端子Rに“H”の信号が与えられ
ると、NAND回路G23はインバータ回路として機能
する。したがって、この状態では、リセット付きラッチ
回路600は、図15のラッチ回路L1と同じ動作を行
なう。すなわち、イネーブル端子ENに“H”の信号が
与えられると、入力端子Dに与えられたデータが出力端
子Qに伝達される。イネーブル端子ENに“L”の信号
が与えられると、イネーブル端子ENの信号が“L”に
変化する直前に入力端子Dに与えられていたデータが保
持される。
When a "H" signal is applied to the reset terminal R, the NAND circuit G23 functions as an inverter circuit. Therefore, in this state, reset-equipped latch circuit 600 operates in the same manner as latch circuit L1 in FIG. That is, when the enable terminal EN is given a signal of "H", the data given to the input terminal D is transmitted to the output terminal Q. When the signal of "L" is given to the enable terminal EN, the data given to the input terminal D immediately before the signal of the enable terminal EN changes to "L" is held.

【0193】リセット端子Rに“L”の信号が与えられ
ると、NAND回路G23の出力は“H”になり、出力
端子Qにはその出力の反転信号である“L”の信号が出
力される。すなわち、リセット付きラッチ回路600は
リセットされたことになる。このように、このリセット
付きラッチ回路600のリセット端子Rはローアクティ
ブになっている。
When an "L" signal is applied to the reset terminal R, the output of the NAND circuit G23 becomes "H", and the output terminal Q outputs an "L" signal which is an inverted signal of the output. .. That is, the latch circuit with reset 600 is reset. In this way, the reset terminal R of the latch circuit with reset 600 is active low.

【0194】(k) 2入力ラッチ回路L2 図17に、2入力ラッチ回路L2の構成の一例(CMO
S回路の例)を示す。この2入力ラッチ回路L2は、N
チャネルトランジスタN1〜N5、Pチャネルトランジ
スタP1〜P5およびインバータ回路G20,G21,
G22,G24を含む。
(K) Two-Input Latch Circuit L2 FIG. 17 shows an example of the configuration of the two-input latch circuit L2 (CMO
An example of the S circuit) is shown. This 2-input latch circuit L2 has N
Channel transistors N1 to N5, P channel transistors P1 to P5 and inverter circuits G20, G21,
Includes G22 and G24.

【0195】第1および第2のイネーブル端子EN1,
EN2はハイアクティブとなっており、両方の電位を同
時に“H”に設定することは禁止されている。
First and second enable terminals EN1,
EN2 is high active, and it is prohibited to set both potentials to "H" at the same time.

【0196】第1および第2のイネーブル端子EN1,
EN2の両方に“L”の信号が与えられると、インバー
タ回路G20,G24の出力はともに“H”となる。そ
の結果、トランジスタN3,P3,N5,P5がオフ
し、トランジスタP1,N1,P4,N4がオンする。
したがって、トランジスタP2のソースに電源電位VD
Dが与えられ、トランジスタN2のソースに接地電位G
NDが与えられる。トランジスタN2,P2のゲートは
互いに接続され、それらのドレインも互いに接続されて
いるので、トランジスタN2,P2のペアはインバータ
回路として機能する。
First and second enable terminals EN1,
When the "L" signal is applied to both EN2, the outputs of the inverter circuits G20 and G24 both become "H". As a result, the transistors N3, P3, N5 and P5 are turned off, and the transistors P1, N1, P4 and N4 are turned on.
Therefore, the source of the transistor P2 is connected to the power supply potential VD.
D is given, and the ground potential G is applied to the source of the transistor N2.
ND is given. Since the gates of the transistors N2 and P2 are connected to each other and their drains are also connected to each other, the pair of transistors N2 and P2 functions as an inverter circuit.

【0197】このとき構成されるインバータ回路はイン
バータ回路G21とともに記憶ループを構成する。すな
わち、互いに、一方の出力が他方の入力に供給される。
出力端子Qにはこの記憶ループが保持しているデータが
出力される。
The inverter circuit configured at this time constitutes a storage loop together with the inverter circuit G21. That is, one output is supplied to the other input to each other.
The data held in this storage loop is output to the output terminal Q.

【0198】記憶ループに保持されるデータは第1およ
び第2のイネーブル端子EN1,EN2の信号のどちら
かが“H”のときに第1または第2の入力端子D1,D
2に与えられていたデータである。
The data held in the storage loop is the first or second input terminal D1, D when either of the signals of the first and second enable terminals EN1, EN2 is "H".
This is the data given in 2.

【0199】第1のイネーブル端子EN1に“H”の信
号が与えられると、インバータ回路G24の出力は
“L”となる。その結果、トランジスタN5,P5がオ
ンし、トランジスタP4,N4がオフする。第1の入力
端子D1に与えられたデータはトランジスタN5,P5
を通過し、インバータ回路G21により反転され、再び
インバータ回路G22により反転されて出力端子Qに伝
達される。したがって、第1の入力端子D1と出力端子
Qとの間でデータの反転は生じない。
When the signal of "H" is applied to the first enable terminal EN1, the output of the inverter circuit G24 becomes "L". As a result, the transistors N5 and P5 are turned on and the transistors P4 and N4 are turned off. The data given to the first input terminal D1 is the data of the transistors N5 and P5.
, Is inverted by the inverter circuit G21, is inverted by the inverter circuit G22, and is transmitted to the output terminal Q. Therefore, inversion of data does not occur between the first input terminal D1 and the output terminal Q.

【0200】第2のイネーブル端子EN2に“H”の信
号が与えられると、インバータ回路G20の出力は
“L”となる。その結果、トランジスタN3,P3はオ
ンし、トランジスタP1,N1がオフする。第2の入力
端子D2に与えられたデータはトランジスタN3,P3
を通過し、インバータ回路G21により反転され、再び
インバータ回路G22により反転されて出力端子Qに伝
達される。したがって、第2の入力端子D2と出力端子
Qとの間でデータの反転は生じない。 (5) テスト回路3(図4)の動作 図4のテスト回路3の動作を説明する。リセット付きラ
ッチ回路600の出力端子Qからはモード制御信号MD
が出力される。モード制御信号MDが“0”の場合を非
バイパス状態と呼び、モード制御信号MDが“1”の場
合をバイパス状態と呼ぶ。インバータ回路G2はモード
制御信号MDの反転信号を出力する。
When the signal of "H" is applied to the second enable terminal EN2, the output of the inverter circuit G20 becomes "L". As a result, the transistors N3 and P3 are turned on and the transistors P1 and N1 are turned off. The data given to the second input terminal D2 is the data of the transistors N3 and P3.
, Is inverted by the inverter circuit G21, is inverted by the inverter circuit G22, and is transmitted to the output terminal Q. Therefore, no inversion of data occurs between the second input terminal D2 and the output terminal Q. (5) Operation of Test Circuit 3 (FIG. 4) The operation of the test circuit 3 of FIG. 4 will be described. The mode control signal MD is output from the output terminal Q of the latch circuit with reset 600.
Is output. The case where the mode control signal MD is "0" is called a non-bypass state, and the case where the mode control signal MD is "1" is called a bypass state. The inverter circuit G2 outputs an inverted signal of the mode control signal MD.

【0201】(a) バイパス状態の動作 マルチプレクサ700は、シリアル入力端子SIBのデ
ータを選択し、そのデータをシリアル出力端子SOBに
与える。すなわち、シリアルデータはスキャンレジスタ
群100,200,300,400,500をバイパス
する。このとき、インバータ回路G2の出力は“0”と
なり、AND回路G4,G5,G6の出力は“0”に固
定される。したがって、シフトクロックSCK1,SC
K2が与えられても、これらがCEスキャンレジスタ2
00、WEスキャンレジスタ300、DIOスキャンレ
ジスタ群400およびDMYスキャンレジスタ500に
与えられることはない。したがって、これらのスキャン
レジスタ群200,300,400,500が保持する
データは変化しない。
(A) Operation in Bypass State The multiplexer 700 selects the data of the serial input terminal SIB and gives the data to the serial output terminal SOB. That is, the serial data bypasses the scan register groups 100, 200, 300, 400, 500. At this time, the output of the inverter circuit G2 becomes "0", and the outputs of the AND circuits G4, G5, G6 are fixed to "0". Therefore, the shift clocks SCK1, SC
Even if K2 is given, these are CE scan register 2
00, WE scan register 300, DIO scan register group 400, and DMY scan register 500. Therefore, the data held by these scan register groups 200, 300, 400, 500 does not change.

【0202】これに対して、ADスキャンレジスタ群1
00にはシフトクロックSCK1,SCK2が直接与え
られる。したがって、バイパス状態でもADスキャンレ
ジスタ群100はシフト動作を行なうことができる。
On the other hand, AD scan register group 1
The shift clocks SCK1 and SCK2 are directly applied to 00. Therefore, the AD scan register group 100 can perform the shift operation even in the bypass state.

【0203】また、ローアクティブなストローブ信号S
TBが与えられると、ハイアクティブな比較信号CMP
が発生するが、イネーブル信号STBMは“0”に固定
される。なお、この比較信号CMPはRAM2のテスト
時に用いられる。
In addition, the low active strobe signal S
When TB is applied, the high active comparison signal CMP
However, the enable signal STBM is fixed to "0". The comparison signal CMP is used when testing the RAM 2.

【0204】(b) 非バイパス状態の動作 マルチプレクサ700は、DMY500のシリアル出力
端子SOR(図14参照)のデータを選択し、そのデー
タをシリアル出力端子SOBに与える。すなわち、シリ
アルデータはスキャンレジスタ群100,200,30
0,400,500を通過する。
(B) Operation in Non-Bypass State The multiplexer 700 selects the data of the serial output terminal SOR (see FIG. 14) of the DMY 500 and supplies the data to the serial output terminal SOB. That is, the serial data includes scan register groups 100, 200, 30.
Pass 0,400,500.

【0205】インバータ回路G2の出力は“1”にな
る。テストモード信号TMが“1”に設定されかつシフ
トクロックSCK1,SCK2が与えられると、これら
のシフトクロックSCK1,SCK2はAND回路G
5,G6を通過してシフトクロック信号SCK1M,S
CK2Mとしてスキャンレジスタ群200,300,4
00,500に与えられる。それにより、これらのスキ
ャンレジスタ群200,300,400,500はシフ
ト動作を行なう。
The output of the inverter circuit G2 becomes "1". When the test mode signal TM is set to "1" and the shift clocks SCK1 and SCK2 are given, these shift clocks SCK1 and SCK2 are AND circuit G.
5 and G6 and shift clock signals SCK1M, S
Scan register groups 200, 300, 4 as CK2M
Given to 00,500. As a result, these scan register groups 200, 300, 400, 500 perform a shift operation.

【0206】このとき、ADスキャンレジスタ群100
にはシフトクロックSCK1,SCK2が直接与えられ
るので、ADスキャンレジスタ群100は他のスキャン
レジスタ群200,300,400,500と同時にシ
フト動作を行なう。なお、非バイパス状態では、比較信
号CMPは“0”に固定される。
At this time, the AD scan register group 100
Since the shift clocks SCK1 and SCK2 are directly supplied to the AD scan register group 100, the AD scan register group 100 performs the shift operation simultaneously with the other scan register groups 200, 300, 400 and 500. In the non-bypass state, the comparison signal CMP is fixed at "0".

【0207】(c) 動作の要約 バイパス状態では、シリアルデータはシリアル入力端子
SIBから直接シリアル出力端子SOBに伝わり、AD
スキャンレジスタ群100のみがシフト動作を行なう。
非バイパス状態では、シリアル入力端子SIBのシリア
ルデータはテスト回路3内のすべてのスキャンレジスタ
内をシフトされ、シリアル出力端子SOBに伝わる。R
AM2のテスト時には、マルチプレクサ700がバイパ
ス状態に設定されるとともにローアクティブなストロー
ブ信号STBが与えられて比較信号CMPが発生され
る。 (6) ランダムマーチテスト時の動作 次に、図4のテスト回路3を用いたランダムマーチテス
トを説明する。
(C) Summary of Operation In the bypass state, serial data is directly transmitted from the serial input terminal SIB to the serial output terminal SOB, and AD
Only the scan register group 100 performs the shift operation.
In the non-bypass state, the serial data at the serial input terminal SIB is shifted in all the scan registers in the test circuit 3 and transmitted to the serial output terminal SOB. R
At the time of testing AM2, multiplexer 700 is set to the bypass state and strobe signal STB which is low active is applied to generate a comparison signal CMP. (6) Operation during Random March Test Next, a random march test using the test circuit 3 of FIG. 4 will be described.

【0208】(a) 初期化動作(図18参照) リセットサイクル(ステップS1;図19参照) まず、リセット信号RSTが“L”になる。これによ
り、ラッチ回路600から出力されるモード制御信号M
Dが“0”になる。それにより、テスト回路3は非バイ
パス状態に設定される。したがって、すべてのスキャン
レジスタがシフト可能な状態になる。
(A) Initialization operation (see FIG. 18) Reset cycle (step S1; see FIG. 19) First, the reset signal RST becomes "L". This causes the mode control signal M output from the latch circuit 600.
D becomes "0". As a result, the test circuit 3 is set to the non-bypass state. Therefore, all the scan registers are in a shiftable state.

【0209】 スキャンインサイクル(ステップS
2,S3;図20参照) 図2に示されるような複数のテスト回路3は直列に接続
され、長いスキャンパスを構成する。これらの複数のテ
スト回路3はすべて非バイパス状態になり、すべてのス
キャンレジスタがシフト可能な状態になる。したがっ
て、シフト動作により各テスト回路3内の任意の位置の
スキャンレジスタに所望のデータを設定することができ
る。これを、スキャンイン動作と呼ぶ。図20は、1ビ
ット分のスキャンイン動作を示す。
Scan In Cycle (Step S
2, S3; see FIG. 20) A plurality of test circuits 3 as shown in FIG. 2 are connected in series to form a long scan path. All of the plurality of test circuits 3 are in the non-bypass state, and all the scan registers are in the shiftable state. Therefore, desired data can be set in the scan register at an arbitrary position in each test circuit 3 by the shift operation. This is called a scan-in operation. FIG. 20 shows a scan-in operation for 1 bit.

【0210】RAM2のテスト前には、スキャンイン動
作により各スキャンレジスタに初期値が設定される。す
べてのテスト回路3内のDMYスキャンレジスタ500
には“1”が設定される。テストの対象となるRAM2
のテスト回路3内のCEスキャンレジスタ200および
WEスキャンレジスタ300には“1”が設定され、A
Dスキャンレジスタ群100に所望の初期値(たとえば
0番地)が設定され、DIOスキャンレジスタ群400
に書込みデータが設定される。
Before the RAM 2 is tested, an initial value is set in each scan register by the scan-in operation. DMY scan register 500 in all test circuits 3
Is set to "1". RAM2 to be tested
“1” is set in the CE scan register 200 and the WE scan register 300 in the test circuit 3 of
A desired initial value (for example, address 0) is set in the D scan register group 100, and the DIO scan register group 400
Write data is set to.

【0211】 モードセットサイクル(ステップS
4;図21参照) 次に、“H”のパルスを有するモード設定信号MDST
が与えられる。これにより、すべてのテスト回路3内の
リセット付きラッチ回路600から出力されるモード制
御信号MDが“1”になり、すべてのテスト回路3はバ
イパス状態に設定される。この状態では、すべてのテス
ト回路3のシリアル入力端子SIBには同じデータ(シ
リアル入力端子SICのデータ)が与えられる。
Mode Set Cycle (Step S
4; see FIG. 21) Next, the mode setting signal MDST having a pulse of “H”
Is given. As a result, the mode control signal MD output from the latch circuits with reset 600 in all the test circuits 3 becomes "1", and all the test circuits 3 are set to the bypass state. In this state, the same data (data of the serial input terminal SIC) is given to the serial input terminals SIB of all the test circuits 3.

【0212】バイパス状態においても、ADスキャンレ
ジスタ群100はシフト動作を行なうことができるの
で、シリアル入力端子SICのデータを各テスト回路3
のADスキャンレジスタ群100にスキャンインするこ
とができる。
Since the AD scan register group 100 can perform the shift operation even in the bypass state, the data of the serial input terminal SIC is transferred to each test circuit 3.
Can be scanned in to the AD scan register group 100.

【0213】ランダムマーチテストでは、全周期系列を
ADスキャンレジスタ群100にスキャンインすること
によりテストアドレスが更新される。
In the random march test, the test address is updated by scanning the entire period series into the AD scan register group 100.

【0214】(b) ライトオール動作(図22参照) ランダムマーチテストでは、全周期系列のスキャンイン
によりアドレスを更新しながら全アドレスについて書込
みを行なう手順がある。これを、ライトオール動作と呼
ぶ(ステップS11,S12;図23参照)。
(B) Write-all operation (see FIG. 22) In the random march test, there is a procedure for performing writing on all addresses while updating the addresses by scan-in of the entire period series. This is called a write-all operation (steps S11 and S12; see FIG. 23).

【0215】シフトクロックSCK1,SCK2を与え
ることによりADスキャンレジスタ群100の内容が更
新される。シフトクロックSCK1のタイミングでアド
レス信号A(i)が確定する。したがって、ローアクテ
ィブなイネーブル信号TCEが与えられると、RAM2
はこのアドレス信号に基づいて動作を開始する。さら
に、イネーブル信号TCEがアクティブな間にローアク
ティブなイネーブル信号TWEが与えられると、RAM
2はそのアドレス信号に基づいて書込み動作を行なう。
The contents of the AD scan register group 100 are updated by applying the shift clocks SCK1 and SCK2. The address signal A (i) is determined at the timing of the shift clock SCK1. Therefore, when the low active enable signal TCE is applied, the RAM 2
Starts operation based on this address signal. Further, when the low-active enable signal TWE is applied while the enable signal TCE is active, the RAM
2 performs a write operation based on the address signal.

【0216】(c) リード・ライトオール動作(図2
4参照) ランダムマーチテストでは、全周期系列のスキャンイン
によりアドレスを更新しながら全アドレスについて読出
しおよび書込みを行なう手順がある。これをリード・ラ
イトオール動作と呼ぶ。
(C) Read / write all operation (see FIG. 2)
(See 4) In the random march test, there is a procedure of performing reading and writing for all addresses while updating the addresses by scan-in of the entire period series. This is called a read / write all operation.

【0217】 リード・ライトサイクル(ステップS
21,S22;図25参照) シフトクロックSCK1,SCK2を与えることにより
ADスキャンレジスタ群100の内容は更新される。シ
フトクロックSCK1のタイミングでアドレス信号A
(i)は確定する。したがって、ローアクティブなイネ
ーブル信号TCEが与えられると、RAM2はこのアド
レス信号に基づいて動作を開始する。一定の遅延の後、
RAM2から読出しデータDO(i)が出力される。
Read / Write Cycle (Step S
21, S22; see FIG. 25) The contents of the AD scan register group 100 are updated by applying the shift clocks SCK1 and SCK2. Address signal A at the timing of shift clock SCK1
(I) is confirmed. Therefore, when the low active enable signal TCE is applied, the RAM 2 starts its operation based on this address signal. After a certain delay,
The read data DO (i) is output from the RAM 2.

【0218】その後、ローアクティブなストローブ信号
STBが与えられると、読出しデータDO(i)とDI
Oスキャンレジスタ群400が保持する読出し期待値デ
ータ(書込みデータの逆の論理)とが比較され、その結
果がDIOスキャンレジスタ群400に格納される。
After that, when the low active strobe signal STB is applied, the read data DO (i) and DI
The read expected value data (the reverse logic of the write data) held by the O scan register group 400 is compared, and the result is stored in the DIO scan register group 400.

【0219】その後、イネーブル信号TCEがアクティ
ブな間にローアクティブなイネーブル信号TWEが与え
られると、RAM2はこのアドレス信号に基づいて書込
み動作を行なう。
Thereafter, when the low-active enable signal TWE is applied while the enable signal TCE is active, the RAM 2 performs the write operation based on this address signal.

【0220】 リセットサイクル(ステップS23;
図19参照) リセット信号RSTが“L”になり、すべてのテスト回
路3が非バイパス状態に設定される。
Reset cycle (step S23;
The reset signal RST becomes "L", and all the test circuits 3 are set to the non-bypass state.

【0221】 アジャストサイクル(ステップS2
4;図26参照) テスト結果は各DIOスキャンレジスタ410の2入力
ラッチ回路L2bに保持されているので、図13のDI
Oスキャンレジスタ410を用いる場合には、リセット
サイクルの後にアジャストサイクルが必要である。
Adjust Cycle (Step S2
4; refer to FIG. 26) Since the test result is held in the 2-input latch circuit L2b of each DIO scan register 410, DI of FIG.
When using the O-scan register 410, an adjustment cycle is necessary after the reset cycle.

【0222】アジャストサイクルでは、シフトクロック
SCK1を与えずにシフトクロックSCK2のみを与え
る。これにより、2入力ラッチ回路L2aにテスト結果
が転送され、シリアル出力端子SORに与えられる。
In the adjust cycle, only the shift clock SCK2 is applied without applying the shift clock SCK1. As a result, the test result is transferred to the 2-input latch circuit L2a and given to the serial output terminal SOR.

【0223】なお、図12のDIOスキャンレジスタ4
10においてはテスト結果はシリアル出力端子SORに
出力されているので、アジャストサイクルは必要ではな
い。
It should be noted that the DIO scan register 4 of FIG.
In 10, the test result is output to the serial output terminal SOR, so the adjust cycle is not necessary.

【0224】 スキャンアウトサイクル(ステップS
25,S26;図27参照) DIOスキャンレジスタ群400に保持されたテスト結
果は、シフト動作により取出される。これをスキャンア
ウト動作と呼ぶ。シフトクロックSCK2に同期してシ
リアル出力端子SOCにすべてのスキャンレジスタのデ
ータが順に現われる。外部のLSIテスタによりテスタ
ストローブタイミングでシリアル出力端子SOCのデー
タをテストする。 (7) ランダムマーチテストの全体動作 ランダムマーチテストでは、データ“0”/“1”を変
えながら同じ手順で2回テスト動作を行なう。データが
“0”の場合のテスト手順を図28に示し、データが
“1”の場合のテスト手順を図29に示す。これらのテ
スト手順は初期化動作のスキャンインデータが異なるだ
けである。すなわち、DIOスキャンレジスタ群400
に初期データとして“0”を設定するか“1”を設定す
るかのみが異なる。これにより、RAM2への書込みデ
ータおよび読出し期待値データを変化させる。
Scan Out Cycle (Step S
25, S26; see FIG. 27) The test result held in the DIO scan register group 400 is taken out by the shift operation. This is called a scan-out operation. The data of all the scan registers appear in order on the serial output terminal SOC in synchronization with the shift clock SCK2. An external LSI tester tests the data of the serial output terminal SOC at the tester strobe timing. (7) Overall operation of random march test In the random march test, the test operation is performed twice in the same procedure while changing the data "0" / "1". The test procedure when the data is "0" is shown in FIG. 28, and the test procedure when the data is "1" is shown in FIG. These test procedures differ only in the scan-in data of the initialization operation. That is, the DIO scan register group 400
The only difference is that "0" or "1" is set as the initial data. As a result, the write data to the RAM 2 and the read expected value data are changed.

【0225】図28のテスト手順を説明する。The test procedure of FIG. 28 will be described.

【0226】 初期化動作(0)(ステップS31) DIOスキャンレジスタ群400に書込みデータ“0”
を設定する。
Initialization operation (0) (step S31) Write data “0” to the DIO scan register group 400.
To set.

【0227】 ライトオール動作(ステップS32) すべてのアドレスについて“0”書込みを行なう。Write All Operation (Step S32) "0" is written for all addresses.

【0228】 初期化動作(1)(ステップS33) DIOスキャンレジスタ群400に書込みデータ“1”
を設定する。これにより、読出し期待値データとして
“0”が設定される。
Initialization operation (1) (step S33) Write data “1” to the DIO scan register group 400.
To set. As a result, "0" is set as the read expected value data.

【0229】 リードライトオール動作(ステップS
34) すべてのアドレスについて、“0”読出しおよび“1”
書込みを行なう。このとき、読出しデータはDIOスキ
ャンレジスタ群400内で読出し期待値データと比較さ
れる。
Read / write all operation (step S
34) Read "0" and "1" for all addresses
Write. At this time, the read data is compared with the read expected value data in the DIO scan register group 400.

【0230】 初期化動作(0)(ステップS35) DIOスキャンレジスタ群400に書込みデータ“0”
を設定する。これにより、読出し期待値データとして
“1”が設定される。
Initialization operation (0) (step S35) Write data “0” to the DIO scan register group 400.
To set. As a result, "1" is set as the read expected value data.

【0231】 リード・ライトオール動作(ステップ
S36) すべてのアドレスについて、“1”読出しおよび“0”
書込みを行なう。このとき、読出しデータはDIOスキ
ャンレジスタ群400内で読出し期待値データと比較さ
れる。
Read / Write All Operation (Step S36) “1” read and “0” for all addresses
Write. At this time, the read data is compared with the read expected value data in the DIO scan register group 400.

【0232】図29のテスト手順では、ステップS41
〜S46が図28のステップS31〜S36に対応し、
データの“0”/“1”が異なるだけである。 (8) テスト回路3(図5)の動作 次に図5のテスト回路3の動作を説明する。バイパス状
態および非バイパス状態を制御するモード制御信号MD
の設定方法を除いて、図5のテスト回路3の動作は図4
のテスト回路3の動作と同様である。したがって、モー
ド制御信号MDの設定方法のみを説明する。
In the test procedure of FIG. 29, step S41
~ S46 corresponds to steps S31 to S36 of FIG. 28,
Only "0" / "1" of the data is different. (8) Operation of Test Circuit 3 (FIG. 5) Next, the operation of the test circuit 3 of FIG. 5 will be described. Mode control signal MD for controlling bypass state and non-bypass state
The operation of the test circuit 3 of FIG. 5 is the same as that of FIG.
The operation is the same as that of the test circuit 3. Therefore, only the method of setting the mode control signal MD will be described.

【0233】図4のテスト回路3ではスキャンイン動作
によってDMYスキャンレジスタ500に設定されたデ
ータがラッチ回路600に取込まれる。これに対して、
図5のテスト回路3ではADスキャンレジスタ群100
内の所定のADスキャンレジスタ110に設定されたデ
ータがラッチ回路600に取込まれる。したがって、初
期化動作の際に所望のデータをこのADスキャンレジス
タ110に設定すれば、モード設定信号MDSTが与え
られたときにこのデータがラッチ回路600に設定され
る。それにより、各テスト回路3のモード(バイパス状
態/非バイパス状態)が決定される。
In the test circuit 3 of FIG. 4, the data set in the DMY scan register 500 is taken into the latch circuit 600 by the scan-in operation. On the contrary,
In the test circuit 3 of FIG. 5, the AD scan register group 100
The data set in a predetermined AD scan register 110 therein is taken into the latch circuit 600. Therefore, if desired data is set in the AD scan register 110 during the initialization operation, this data is set in the latch circuit 600 when the mode setting signal MDST is applied. Thereby, the mode (bypass state / non-bypass state) of each test circuit 3 is determined.

【0234】なお、図5では、ラッチ回路600がAD
スキャンレジスタ群100内の最終段のADスキャンレ
ジスタ110のシリアル出力端子SORに接続されてい
るが、ADスキャンレジスタ群100内の他のADスキ
ャンレジスタ110のシリアル出力端子SORに接続さ
れてもよい。
In FIG. 5, the latch circuit 600 is AD
Although it is connected to the serial output terminal SOR of the AD scan register 110 at the final stage in the scan register group 100, it may be connected to the serial output terminal SOR of another AD scan register 110 in the AD scan register group 100.

【0235】図5のテスト回路3においてはDMYスキ
ャンレジスタ500が不要であるので、図4のテスト回
路3に比べてテスト回路の規模を小さくすることができ
る。ただし、図5のテスト回路3では1つのADスキャ
ンレジスタ110にモード設定用データおよび初期アド
レスが格納されるので、これらを独立に設定することが
できない。したがって、図4のテスト回路3および図5
のテスト回路3を必要に応じて使い分ける。 (9) 他の適用例 図4および図5のテスト回路3はシングルポートRAM
だけでなく、マルチポートRAMにも適用することがで
きる。図30に、これらのテスト回路3をデュアルポー
トRAM2bに適用する場合を示す。デュアルポートR
AM2bの2つのポート(ポートA,ポートB)にテス
ト回路3を1つずつ割当てる。
Since the DMY scan register 500 is unnecessary in the test circuit 3 of FIG. 5, the scale of the test circuit can be made smaller than that of the test circuit 3 of FIG. However, in the test circuit 3 of FIG. 5, since one AD scan register 110 stores the mode setting data and the initial address, these cannot be set independently. Therefore, the test circuit 3 of FIG.
The test circuit 3 is used properly according to need. (9) Other application examples The test circuit 3 shown in FIGS. 4 and 5 is a single-port RAM.
Not only can it be applied to a multi-port RAM. FIG. 30 shows a case where these test circuits 3 are applied to the dual port RAM 2b. Dual port R
The test circuit 3 is assigned to each of the two ports (port A and port B) of the AM 2b.

【0236】各テスト回路3にはシリアル入力端子SI
B、シリアル出力端子SOBおよび各種制御信号RS
T,MDST,SCK1,SCK2,STB,TM,T
CE,TWEのための制御端子は独立に設けられ、半導
体チップ内で接続される。各ポートにおいて、シングル
ポートRAMの場合と同様に、ランダムマーチテストを
行なうことができる。
Each test circuit 3 has a serial input terminal SI
B, serial output terminal SOB and various control signals RS
T, MDST, SCK1, SCK2, STB, TM, T
Control terminals for CE and TWE are provided independently and are connected in the semiconductor chip. At each port, a random march test can be performed as in the case of single port RAM.

【0237】(10) テスト回路3の他の例 図31に、テスト回路3の構成のさらに他の例を示す。
図31のテスト回路3が図4のテスト回路3と異なるの
は次の点である。OR回路G7およびインバータG8が
さらに設けられている。
(10) Another Example of Test Circuit 3 FIG. 31 shows still another example of the configuration of the test circuit 3.
The test circuit 3 of FIG. 31 differs from the test circuit 3 of FIG. 4 in the following points. An OR circuit G7 and an inverter G8 are further provided.

【0238】イネーブル信号CEAはインバータG8を
介してOR回路G7の一方の入力端子に与えられる。O
R回路G7の他方の入力端子にはテストモード信号TM
が与えられる。OR回路G7の出力がテストモードイネ
ーブル信号TMCEAとしてDIOスキャンレジスタ群
400に与えられる。DIOスキャンレジスタ群400
には、イネーブル信号STBMが与えられず、代わりに
イネーブル信号CEAが与えられる。
The enable signal CEA is applied to one input terminal of the OR circuit G7 via the inverter G8. O
The test mode signal TM is applied to the other input terminal of the R circuit G7.
Is given. The output of the OR circuit G7 is applied to the DIO scan register group 400 as the test mode enable signal TMCEA. DIO scan register group 400
Is not given the enable signal STBM, but is instead given the enable signal CEA.

【0239】図32に、テスト回路3の構成のさらに他
の例を示す。図32のテスト回路3が図31のテスト回
路3と異なるのは、イネーブル信号CEAがインバータ
G8の代わりに通過配線を介してOR回路G7に与えら
れることである。他の部分の構成は、図15のテスト回
路3の構成と同様である。
FIG. 32 shows still another example of the configuration of the test circuit 3. The test circuit 3 of FIG. 32 is different from the test circuit 3 of FIG. 31 in that the enable signal CEA is applied to the OR circuit G7 via a passage wiring instead of the inverter G8. The configuration of the other parts is similar to that of the test circuit 3 of FIG.

【0240】(a) DIOスキャンレジスタ群400
の他の例 図33に、図31および図32のテスト回路3に用いら
れるDIOスキャンレジスタ群400の構成を示す。
(A) DIO scan register group 400
Another Example FIG. 33 shows the configuration of the DIO scan register group 400 used in the test circuit 3 of FIGS. 31 and 32.

【0241】図33のDIOスキャンレジスタ群400
が図11のDIOスキャンレジスタ群400と異なるの
は、各DIOスキャンレジスタ410にイネーブル信号
STBMの代わりにイネーブル信号CEAが与えられ、
テストモード信号TMの代わりにテストモードイネーブ
ル信号TMCEAが与えられる点である。他の部分の構
成は、図11に示されるDIOスキャンレジスタ群40
0の構成と同様である。
The DIO scan register group 400 of FIG.
Is different from the DIO scan register group 400 of FIG. 11, the enable signal CEA is applied to each DIO scan register 410 instead of the enable signal STBM,
The point is that the test mode enable signal TMCEA is applied instead of the test mode signal TM. The configuration of the other part is the same as that of the DIO scan register group 40 shown in FIG.
It is similar to the configuration of 0.

【0242】(b) DIOスキャンレジスタ410の
他の例 図34に、図33のDIOスキャンレジスタ群400に
含まれるDIOスキャンレジスタ410の詳細な構成を
示す。
(B) Another Example of DIO Scan Register 410 FIG. 34 shows a detailed configuration of the DIO scan register 410 included in the DIO scan register group 400 of FIG.

【0243】図34のDIOスキャンレジスタ410が
図12のDIOスキャンレジスタ410と異なるのは、
2入力ラッチ回路L2aの第1のイネーブル端子EN1
にイネーブル信号STBMの代わりにイネーブル信号C
EAが与えられ、NAND回路G17にテストモード信
号TMの代わりにテストモードイネーブル信号TMCE
Aが与えられる点である。他の部分の構成は、図12の
DIOスキャンレジスタ410の構成と同様である。
The DIO scan register 410 of FIG. 34 is different from the DIO scan register 410 of FIG.
First enable terminal EN1 of the 2-input latch circuit L2a
Enable signal C instead of enable signal STBM
EA is applied to the NAND circuit G17, instead of the test mode signal TM, the test mode enable signal TMCE is supplied.
This is the point where A is given. The configuration of the other parts is similar to the configuration of the DIO scan register 410 of FIG.

【0244】上述のように、図9のCEスキャンレジス
タ200を用いれば、図7のADスキャンレジスタ11
0が通常動作時にはアドレスラッチ回路として動作す
る。図34のDIOスキャンレジスタ400の2入力ラ
ッチ回路には図7のADスキャンレジスタ110と同様
にイネーブル信号CEAが与えられているので、通常動
作時には2入力ラッチ回路L2aがデータ入力ラッチと
して動作する。
As described above, if the CE scan register 200 of FIG. 9 is used, the AD scan register 11 of FIG.
When 0 is in normal operation, it operates as an address latch circuit. Since the enable signal CEA is applied to the 2-input latch circuit of the DIO scan register 400 of FIG. 34 similarly to the AD scan register 110 of FIG. 7, the 2-input latch circuit L2a operates as a data input latch during normal operation.

【0245】一方、2入力ラッチ回路L2bに与えられ
るテストモードイネーブル信号TMCEAは、図31に
示されるようにインバータG8およびOR回路G7から
構成されるゲート回路により生成される。
On the other hand, test mode enable signal TMCEA applied to 2-input latch circuit L2b is generated by a gate circuit formed of an inverter G8 and an OR circuit G7 as shown in FIG.

【0246】通常動作時にテストモード信号TMは
“L”であるので、テストモードイネーブル信号TMC
EAはイネーブル信号CEAの反転信号となる。また、
通常動作時に比較信号CMPは“L”に設定されている
ので、2入力NAND回路G18の出力は“H”とな
る。それにより、テストモードイネーブル信号TMCE
Aは2入力NAND回路G17により反転され、2入力
ラッチ回路L2bの第1のイネーブル端子EN1に伝達
される。
Since the test mode signal TM is "L" in the normal operation, the test mode enable signal TMC is used.
EA becomes an inverted signal of the enable signal CEA. Also,
Since the comparison signal CMP is set to "L" during normal operation, the output of the 2-input NAND circuit G18 becomes "H". As a result, the test mode enable signal TMCE
A is inverted by the 2-input NAND circuit G17 and transmitted to the first enable terminal EN1 of the 2-input latch circuit L2b.

【0247】イネーブル信号CEAは図31に示される
インバータG8により反転され、その後2入力NAND
回路G17により反転されるので、結果として、イネー
ブル信号CEAは2入力ラッチ回路L2bの第1のイネ
ーブル端子EN1に非反転信号として伝達される。した
がって、通常動作時には、2入力ラッチ回路L2bはデ
ータ出力ラッチとして動作する。
The enable signal CEA is inverted by the inverter G8 shown in FIG.
Since it is inverted by the circuit G17, as a result, the enable signal CEA is transmitted to the first enable terminal EN1 of the 2-input latch circuit L2b as a non-inverted signal. Therefore, in the normal operation, the 2-input latch circuit L2b operates as a data output latch.

【0248】このラッチ動作はイネーブル信号CEA
(イネーブル信号CEX)の立下がりに応答して行なわ
れる。
This latch operation is performed by the enable signal CEA.
This is performed in response to the fall of (enable signal CEX).

【0249】テスト時にはテストモード信号TMは
“H”であるので、テストモードイネーブル信号TMC
EAはイネーブル信号CEAにかかわらず“H”とな
る。そのため、2入力NAND回路G17が活性化さ
れ、比較信号CMPに応答してテスト動作が行なわれ
る。
Since the test mode signal TM is "H" during the test, the test mode enable signal TMC is used.
EA becomes "H" regardless of the enable signal CEA. Therefore, 2-input NAND circuit G17 is activated and a test operation is performed in response to comparison signal CMP.

【0250】図32のテスト回路3を用いると、通常動
作時にはイネーブル信号CEAの反転信号が図34の2
入力ラッチ回路L2bの第1のイネーブル端子EN1に
伝達される。したがって、2入力ラッチ回路L2bはイ
ネーブル信号CEA(イネーブル信号CEX)の立上が
りに応答して入力端子doのデータをラッチする。図3
1のテスト回路3および図32のテスト回路3を必要に
応じて使い分ける。 (11) 他の実施例 図35に、この発明の第2の実施例の主要部の構成を示
す。この実施例が図1の実施例と異なるのは、モード制
御ラッチ70が設けられず、モード制御信号MDが外部
から直接与えられる点である。
When the test circuit 3 of FIG. 32 is used, the inverted signal of the enable signal CEA is 2 in FIG.
It is transmitted to the first enable terminal EN1 of the input latch circuit L2b. Therefore, the 2-input latch circuit L2b latches the data at the input terminal do in response to the rising of the enable signal CEA (enable signal CEX). Figure 3
The test circuit 3 of No. 1 and the test circuit 3 of FIG. 32 are selectively used as needed. (11) Other Embodiments FIG. 35 shows the configuration of the main part of the second embodiment of the present invention. This embodiment differs from the embodiment of FIG. 1 in that the mode control latch 70 is not provided and the mode control signal MD is directly applied from the outside.

【0251】図36に、この発明の第3の実施例の主要
部の構成を示す。この実施例では、ADスキャンレジス
タ群10にシフトクロックSCKAが与えられ、DIス
キャンレジスタ群20およびDOスキャンレジスタ群3
0にシフトクロックSCKDが与えられる。シフトクロ
ックSCKAおよびシフトクロックSCKDが分離され
ているので、DIスキャンレジスタ群20およびDOス
キャンレジスタ群30の動作を停止した状態で、ADス
キャンレジスタ群10がシフト動作を行なうことができ
る。
FIG. 36 shows the structure of the main part of the third embodiment of the present invention. In this embodiment, the shift clock SCKA is applied to the AD scan register group 10, and the DI scan register group 20 and the DO scan register group 3 are supplied.
The shift clock SCKD is applied to 0. Since the shift clock SCKA and the shift clock SCKD are separated, the AD scan register group 10 can perform the shift operation while the operations of the DI scan register group 20 and the DO scan register group 30 are stopped.

【0252】図1、図35および図36のテスト回路3
は、図53の半導体集積回路にも適用することができ
る。
Test circuit 3 of FIGS. 1, 35 and 36
Can also be applied to the semiconductor integrated circuit of FIG.

【0253】(12) 第4の実施例 (a) 全体の構成 図37は、第4の実施例による半導体集積回路装置のス
キャンパス装置(テスト補助回路)の構成を示すブロッ
ク図である。
(12) Fourth Embodiment (a) Overall Structure FIG. 37 is a block diagram showing the structure of the scanpath device (test auxiliary circuit) of the semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment.

【0254】RAM2の周囲には、複数のADスキャン
レジスタ10aおよび複数のデータ入出力用スキャンレ
ジスタ(以下、DIOスキャンレジスタと呼ぶ)25a
が配置されている。各ADスキャンレジスタ10aの構
成は、図48に示されるADスキャンレジスタ10aの
構成と同様である。
Around the RAM 2, a plurality of AD scan registers 10a and a plurality of data input / output scan registers (hereinafter referred to as DIO scan registers) 25a.
Are arranged. The configuration of each AD scan register 10a is similar to the configuration of the AD scan register 10a shown in FIG.

【0255】これらのスキャンレジスタ10a,25a
は、RAM2の通常動作時には、半導体チップ上の他の
ロジック回路(図示せず)とRAM2とを接続し、RA
M2のテスト時には、他のロジック回路とRAM2とを
互いに分離する。
These scan registers 10a and 25a
Is connected to another logic circuit (not shown) on the semiconductor chip and RAM2 during normal operation of RAM2,
At the time of testing M2, the other logic circuits and RAM2 are separated from each other.

【0256】これらのスキャンレジスタ10a,25a
はシリアル入力端子SICとシリアル出力端子SOCと
の間に直列に接続され、スキャンパスを構成する。スキ
ャンパスのシフト機能によって、アドレス信号およびデ
ータのようなテストデータがRAM2に与えられる。R
AM2のテスト結果は、スキャンパス内のDIOスキャ
ンレジスタ25aに取込まれる。
These scan registers 10a and 25a
Are serially connected between the serial input terminal SIC and the serial output terminal SOC to form a scan path. Test data such as address signals and data are provided to RAM 2 by the scan path shift function. R
The test result of AM2 is taken into the DIO scan register 25a in the scan path.

【0257】(b) DIOスキャンレジスタの第1の
例 図38に、DIOスキャンレジスタ25aの第1の例が
示される。このスキャンレジスタ25aは、図12に示
されるスキャンレジスタ410と同じ構成を有する。
(B) First Example of DIO Scan Register FIG. 38 shows a first example of the DIO scan register 25a. The scan register 25a has the same structure as the scan register 410 shown in FIG.

【0258】シリアル入力端子SIは第1のラッチ回路
L2aの入力端子D2に接続され、第1のパラレル入力
端子PI1は第1のラッチ回路L2aの入力端子D1に
接続され、第1のパラレル出力端子PO1は第1のラッ
チ回路L2aの出力端子Qに接続される。第2のパラレ
ル入力端子PI2は第2のラッチ回路L2bの入力端子
D1に接続され、第2のパラレル出力端子PO2は第2
のラッチ回路L2bの出力端子Qに接続され、シリアル
出力端子SOはインバータG16の出力端子に接続され
る。
The serial input terminal SI is connected to the input terminal D2 of the first latch circuit L2a, the first parallel input terminal PI1 is connected to the input terminal D1 of the first latch circuit L2a, and the first parallel output terminal. PO1 is connected to the output terminal Q of the first latch circuit L2a. The second parallel input terminal PI2 is connected to the input terminal D1 of the second latch circuit L2b, and the second parallel output terminal PO2 is the second
Is connected to the output terminal Q of the latch circuit L2b, and the serial output terminal SO is connected to the output terminal of the inverter G16.

【0259】第1相のシリアルシフトクロックSCK1
を受けるシリアルクロック端子sck1は第1のラッチ
回路L2aのイネーブル端子EN2に接続され、第2相
のシリアルシフトクロックSCK2を受けるシリアルク
ロック端子sck2は第2のラッチ回路L2bのイネー
ブル端子EN2に接続される。パラレルクロックPCK
1を受けるパラレルクロック端子pck1は第1のラッ
チ回路L2aのイネーブル端子EN1に接続される。テ
ストクロックTCKを受けるテストクロック端子tck
はNAND回路G18の一方の入力端子に接続され、テ
ストモード信号TMを受けるテストモード端子tmはN
AND回路G17の一方の入力端子に接続される。
First phase serial shift clock SCK1
The serial clock terminal sck1 receiving the second latch circuit L2b is connected to the enable terminal EN2 of the first latch circuit L2a, and the serial clock terminal sck2 receiving the second phase serial shift clock SCK2 is connected to the enable terminal EN2 of the second latch circuit L2b. .. Parallel clock PCK
The parallel clock terminal pck1 receiving 1 is connected to the enable terminal EN1 of the first latch circuit L2a. Test clock terminal tck for receiving the test clock TCK
Is connected to one input terminal of the NAND circuit G18, and the test mode terminal tm for receiving the test mode signal TM is N
It is connected to one input terminal of the AND circuit G17.

【0260】第1のラッチ回路L2aには、シリアル入
力端子SIのデータおよび第1のパラレル入力端子PI
1のデータが入力され、第2ラッチ回路L2bには、第
1のラッチ回路L2aの出力を反転することにより得ら
れるデータおよび第2のパラレル入力端子PI2のデー
タが入力される。
The data of the serial input terminal SI and the first parallel input terminal PI are provided in the first latch circuit L2a.
The data of 1 is input, and the data obtained by inverting the output of the first latch circuit L2a and the data of the second parallel input terminal PI2 are input to the second latch circuit L2b.

【0261】第2のパラレル入力端子PI2のデータ
は、第1のラッチ回路L2aに保持されたデータの反転
データと、イクスクルーシブOR回路G19により比較
される。その比較結果はNAND回路G18の他方の入
力端子に与えられる。NAND回路G18の出力はNA
ND回路G17の他方の入力端子に与えられる。NAN
D回路G17の出力PCK2(第2のテストクロック)
は、ラッチイネーブル信号として第2のラッチ回路L2
bのイネーブル端子EN1に与えられる。
The data of the second parallel input terminal PI2 is compared with the inverted data of the data held in the first latch circuit L2a by the exclusive OR circuit G19. The comparison result is given to the other input terminal of the NAND circuit G18. The output of the NAND circuit G18 is NA
It is given to the other input terminal of the ND circuit G17. NAN
Output PCK2 of D circuit G17 (second test clock)
Is a second latch circuit L2 as a latch enable signal.
It is given to the enable terminal EN1 of b.

【0262】RAM2の1組のデータ入力端子およびデ
ータ出力端子が1つのDIOスキャンレジスタ25aに
割当てられる。各DIOスキャンレジスタ25aの第2
のパラレル入力端子PI2がRAM2のデータ出力端子
DOi(i=1,…,n)に接続される。ここで、nは
自然数である。各DIOスキャンレジスタ25aの第1
のパラレル出力端子PO1が、RAM2のデータ入力端
子DIiに接続される。すなわち、図38のDIOスキ
ャンレジスタ25aでは、RAM2への入力データがマ
スタラッチに割当てられ、RAM2からの出力データが
スレーブラッチに割当てられる。
A set of data input terminal and data output terminal of RAM 2 is assigned to one DIO scan register 25a. The second of each DIO scan register 25a
The parallel input terminal PI2 of is connected to the data output terminal DOi (i = 1, ..., N) of the RAM2. Here, n is a natural number. First of each DIO scan register 25a
The parallel output terminal PO1 of is connected to the data input terminal DIi of the RAM2. That is, in the DIO scan register 25a of FIG. 38, the input data to the RAM2 is assigned to the master latch and the output data from the RAM2 is assigned to the slave latch.

【0263】図39は、図38のDIOスキャンレジス
タ25aと同様の機能を有するDIOスキャンレジスタ
25aをMOS回路で構成した例を示す。図39のDI
Oスキャンレジスタ25aは、NチャネルMOSトラン
ジスタN31〜N34およびインバータG31〜G34
を含む。インバータG31,G32はレシオ型ラッチ回
路L31を構成し、インバータG33,G34もレシオ
型ラッチ回路L32を構成する。インバータG32,G
34は、それぞれインバータG31,G33よりも小さ
い駆動能力を有する。図38および図39において同一
符号が付された部分は同一または相当部分を示す。
FIG. 39 shows an example in which the DIO scan register 25a having the same function as the DIO scan register 25a of FIG. 38 is constituted by a MOS circuit. DI of FIG. 39
The O scan register 25a includes N channel MOS transistors N31 to N34 and inverters G31 to G34.
including. The inverters G31 and G32 form a ratio type latch circuit L31, and the inverters G33 and G34 also form a ratio type latch circuit L32. Inverter G32, G
34 has a driving capability smaller than that of the inverters G31 and G33, respectively. 38 and 39, the parts to which the same reference numerals are assigned indicate the same or corresponding parts.

【0264】なお、図39に示されるようにNチャネル
MOSトランジスタを用いる代わりに、PチャネルMO
Sトランジスタを用いてもよい。
Note that instead of using the N-channel MOS transistor as shown in FIG. 39, a P-channel MO transistor is used.
An S transistor may be used.

【0265】また、図39のレシオ型ラッチ回路の代わ
りに図40および図41に示されるようにCMOS2入
力ラッチ回路を用いても図38のDIOスキャンレジス
タ25aと同様の機能を有するDIOスキャンレジスタ
25aを構成することができる。
Even if a CMOS 2-input latch circuit is used as shown in FIGS. 40 and 41 in place of the ratio type latch circuit of FIG. 39, the DIO scan register 25a having the same function as the DIO scan register 25a of FIG. 38 is obtained. Can be configured.

【0266】図40のDIOスキャンレジスタ25aで
は、ノードBに直接第2のパラレル出力端子PO2が接
続される。一方、図41のDIOスキャンレジスタ25
aでは、ノードBが2つのインバータを介して第2のパ
ラレル出力端子PO2に接続される。図40および図4
1において、図38および図39と同一符号が付された
部分は同一または相当部分を示す。
In the DIO scan register 25a of FIG. 40, the node B is directly connected to the second parallel output terminal PO2. On the other hand, the DIO scan register 25 of FIG.
At a, node B is connected to the second parallel output terminal PO2 via two inverters. 40 and 4
In FIG. 1, the parts denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 38 and 39 indicate the same or corresponding parts.

【0267】(c) DIOスキャンレジスタの動作 DIOスキャンレジスタ25aの動作を図39を参照し
ながら説明する。
(C) Operation of DIO Scan Register The operation of the DIO scan register 25a will be described with reference to FIG.

【0268】RAM2の通常動作時には、シリアルクロ
ック端子sck1,sck2およびテストモード端子t
mの電位が“L”に設定され、パラレルクロック端子p
ck1の電位が“H”に設定される。それにより、第1
のパラレル入力端子PI1から第1のパラレル出力端子
PO1へRAM2に入力されるべきデータが伝達され
る。
During normal operation of the RAM2, the serial clock terminals sck1 and sck2 and the test mode terminal t
The potential of m is set to "L", and the parallel clock terminal p
The potential of ck1 is set to "H". Thereby, the first
The data to be input to the RAM2 is transmitted from the parallel input terminal PI1 to the first parallel output terminal PO1.

【0269】また、第2のテストクロックPCKが
“H”になる。それにより、第2のパラレル入力端子P
I2から第2のパラレル出力端子PO2へRAM2から
出力されるデータが伝達される。このとき、テストクロ
ック端子tckの電位は“H”および“L”のいずれに
設定してもよい。
Further, the second test clock PCK becomes "H". Thereby, the second parallel input terminal P
The data output from the RAM2 is transmitted from I2 to the second parallel output terminal PO2. At this time, the potential of the test clock terminal tck may be set to either "H" or "L".

【0270】RAM2のテスト時には、パラレルクロッ
ク端子pck1の電位が“L”に設定され、テストクロ
ック端子tckの電位が“L”に設定され、テストモー
ド端子tmの電位が“H”に設定される。それにより、
RAM2が他のロジック回路から分離される。また、シ
リアルクロック端子sck1,sck2に与えられる第
1相および第2相のクロックSCK1,SCK2により
シフト動作が行なわれ、テスト結果が読出される。
At the time of testing the RAM2, the potential of the parallel clock terminal pck1 is set to "L", the potential of the test clock terminal tck is set to "L", and the potential of the test mode terminal tm is set to "H". .. Thereby,
RAM2 is separated from other logic circuits. The shift operation is performed by the first-phase and second-phase clocks SCK1 and SCK2 applied to the serial clock terminals sck1 and sck2, and the test result is read.

【0271】(d) 第4の実施例の動作 図42は、図37のスキャンパス装置のシフト動作を示
すタイミング図である。各ADスキャンレジスタ10a
のシリアルクロック端子sck1aおよび各DIOスキ
ャンレジスタ25aのシリアルクロック端子sck1に
は第1相のクロックが与えられ、各ADスキャンレジス
タ10aのシリアルクロック端子sck2aおよび各D
IOスキャンレジスタ25aのシリアルクロック端子s
ck2には第2相のクロックが与えられる。
(D) Operation of the Fourth Embodiment FIG. 42 is a timing chart showing the shift operation of the scanpath device of FIG. Each AD scan register 10a
To the serial clock terminal sck1a of each DIO scan register 25a and the serial clock terminal sck1a of each AD scan register 10a.
Serial clock terminal s of IO scan register 25a
The second phase clock is applied to ck2.

【0272】各スキャンレジスタのシリアル入力端子S
Iへのデータは、第1相のクロックによってそのスキャ
ンレジスタ内のノードAに取込まれる。ノードAのデー
タは反転され、第2相のクロックによってノードBに転
送される。ノードBのデータは反転されてシリアル出力
端子SOに与えられる。
Serial input terminal S of each scan register
Data for I is taken into node A in its scan register by the first phase clock. The data of the node A is inverted and transferred to the node B by the second phase clock. The data of the node B is inverted and given to the serial output terminal SO.

【0273】結果として、シリアル入力端子SIからシ
リアル出力端子SOへ1ビットのシフト動作が行なわれ
る。このように、第1相および第2相のクロックによっ
てシフト動作が行なわれ、テストデータの設定およびテ
スト結果の読出しが行なわれる。
As a result, a 1-bit shift operation is performed from serial input terminal SI to serial output terminal SO. In this way, the shift operation is performed by the clocks of the first phase and the second phase, and the test data is set and the test result is read.

【0274】図43は、図37のスキャンパス装置のテ
スト時の動作を示すタイミング図である。RAMのテス
ト時には、テストモード端子tmの電位が“H”に設定
される。DIOスキャンレジスタ25aのシリアルクロ
ック端子sck1,sck2には第1相および第2相の
シフトクロックSCK1,SCK2が与えられる。AD
スキャンレジスタ10aのシリアルクロック端子sck
1a,sck2aにはシフトクロックSCK1,SCK
2とは異なる第1相および第2相のシフトクロックSC
K1a,SCK2aが与えられる。それにより、テスト
アドレスの更新が行なわれる。
FIG. 43 is a timing chart showing an operation at the time of testing the scan path device of FIG. At the time of testing the RAM, the potential of the test mode terminal tm is set to "H". The serial clock terminals sck1 and sck2 of the DIO scan register 25a are supplied with the first-phase and second-phase shift clocks SCK1 and SCK2. AD
Serial clock terminal sck of the scan register 10a
1a and sck2a have shift clocks SCK1 and SCK
First-phase and second-phase shift clocks SC different from 2
K1a and SCK2a are given. As a result, the test address is updated.

【0275】また、第1のパラレル出力端子PO1に
は、読出し期待値の反転データが設定される。インバー
タG15(図39ではインバータG31)によりその反
転データがさらに反転される。それにより、読出し期待
値が、RAM2から第2のパラレル入力端子PI2へ読
出されたデータと、イクスクルーシブOR回路G19に
よって比較される。
Further, the inverted data of the read expected value is set to the first parallel output terminal PO1. The inverted data is further inverted by the inverter G15 (inverter G31 in FIG. 39). As a result, the read expected value is compared with the data read from the RAM 2 to the second parallel input terminal PI2 by the exclusive OR circuit G19.

【0276】RAM2からデータが読出されるごとにテ
ストクロック端子tckにテストクロックTCKが与え
られる。そのため、RAM2からフェイルデータ(誤っ
たデータ)が読出されると、テストクロック端子tck
のテストクロックTCKと同相の第2のテストクロック
PCK2が発生する。その結果、第2のパラレル入力端
子PI2のデータがノードBを介して第2のパラレル出
力端子PO2へ伝達される。
Each time data is read from RAM 2, test clock TCK is applied to test clock terminal tck. Therefore, when fail data (wrong data) is read from the RAM 2, the test clock terminal tck
The second test clock PCK2 having the same phase as the test clock TCK of is generated. As a result, the data of the second parallel input terminal PI2 is transmitted to the second parallel output terminal PO2 via the node B.

【0277】ノードBには予めシフト動作によって読出
し期待値(第1のパラレル出力端子PO1の反転データ
とは逆のデータ)が設定されている。したがって、RA
M2からフェイルデータが読出されると、第2のパラレ
ル出力端子PO2のデータは反転する。
A read expectation value (data opposite to the inverted data of the first parallel output terminal PO1) is set in advance in the node B by the shift operation. Therefore, RA
When the fail data is read from M2, the data at the second parallel output terminal PO2 is inverted.

【0278】複数のアドレスについて上記の動作が行な
われた後、再び図42に示されるシフト動作を行なうこ
とによりテスト結果が読出される。これにより、DIO
スキャンレジスタ25a内のラッチ回路により保持され
るデータが反転したか否かに基づいて、読出し期待値と
異なるデータが第2のパラレル入力端子PI2へ与えら
れたかどうかを、知ることができる。
After the above operation is performed for a plurality of addresses, the shift operation shown in FIG. 42 is performed again to read the test result. This allows DIO
Based on whether or not the data held by the latch circuit in the scan register 25a is inverted, it is possible to know whether or not the data different from the expected read value is given to the second parallel input terminal PI2.

【0279】(e) DIOスキャンレジスタの第2の
例 図44は、DIOスキャンレジスタ25aの他の例を示
す回路図である。図44のDIOスキャンレジスタ25
aは、図13のDIOスキャンレジスタ410と同じ構
成を有する。図44において図38と同一符号が付され
る部分は同一または相当部分を示す。
(E) Second Example of DIO Scan Register FIG. 44 is a circuit diagram showing another example of the DIO scan register 25a. The DIO scan register 25 of FIG.
The a has the same configuration as the DIO scan register 410 of FIG. In FIG. 44, the same reference numerals as those in FIG. 38 denote the same or corresponding parts.

【0280】第2のラッチ回路L2bには、シリアル入
力端子SIのデータおよび第2のパラレル入力端子PI
2のデータが入力される。第1のラッチ回路L2aに
は、第2のラッチ回路L2bの出力の反転データ、およ
び第1のパラレル入力端子PI1のデータが入力され
る。
The second latch circuit L2b has the data of the serial input terminal SI and the second parallel input terminal PI.
The data of 2 is input. The inverted data of the output of the second latch circuit L2b and the data of the first parallel input terminal PI1 are input to the first latch circuit L2a.

【0281】第2のパラレル入力端子PI2のデータ
が、第1のラッチ回路L2aに保持されたデータの反転
データと、イクスクルーシブOR回路G19により比較
される。その比較結果は、NAND回路G18に与えら
れる。NAND回路G18の出力はNAND回路G17
に与えられる。NAND回路G17の出力PCK2(第
2のテストクロック)は、ラッチイネーブル信号として
第2のラッチ回路L2bのイネーブル端子EN1に与え
られる。
The data of the second parallel input terminal PI2 is compared with the inverted data of the data held in the first latch circuit L2a by the exclusive OR circuit G19. The comparison result is given to the NAND circuit G18. The output of the NAND circuit G18 is the NAND circuit G17.
Given to. The output PCK2 (second test clock) of the NAND circuit G17 is given to the enable terminal EN1 of the second latch circuit L2b as a latch enable signal.

【0282】第2のパラレル入力端子PI2はRAM2
のデータ出力端子に接続され、第1のパラレル出力端子
PO1はRAM2のデータ入力端子に接続されている。
The second parallel input terminal PI2 is the RAM2
Data output terminal, and the first parallel output terminal PO1 is connected to the data input terminal of RAM2.

【0283】図38のDIOスキャンレジスタ25aで
は、RAM2へのデータ入力がマスタラッチに割当てら
れ、RAM2からのデータ出力がスレーブラッチに割当
てられているのに対して、図44のDIOスキャンレジ
スタ25aでは、RAM2からのデータ出力がマスタラ
ッチに割当てられ、RAM2へのデータ入力がスレーブ
ラッチに割当てられる。
In the DIO scan register 25a of FIG. 38, the data input to the RAM2 is assigned to the master latch and the data output from the RAM2 is assigned to the slave latch, whereas in the DIO scan register 25a of FIG. The data output from RAM2 is assigned to the master latch and the data input to RAM2 is assigned to the slave latch.

【0284】図45は、図44のDIOスキャンレジス
タ25aと同様の機能を有するDIOスキャンレジスタ
をレシオ型ラッチを用いて構成した例を示す。図45に
おいて図38と同一符号が付された部分は同一または相
当部分を示す。
FIG. 45 shows an example in which a DIO scan register having a function similar to that of the DIO scan register 25a shown in FIG. 44 is constructed using a ratio type latch. In FIG. 45, the same reference numerals as those in FIG. 38 denote the same or corresponding parts.

【0285】図45のDIOスキャンレジスタ25aの
動作は、図38〜図41のDIOスキャンレジスタ25
aの動作とほとんど同様である。ただし、図44および
図45のスキャンレジスタ25aでは、テスト結果がマ
スタラッチに保持されているので、シフト動作によるテ
スト結果の読出しの際に注意が必要である。すなわち、
テスト結果を非破壊で読出すためには、まずシリアルク
ロック端子sck2にシフトクロックを与えることによ
りスレーブラッチにテスト結果を転送し、その後図42
に示すようなシフト動作を行なう必要がある。
The operation of the DIO scan register 25a shown in FIG. 45 is the same as that of the DIO scan register 25 shown in FIGS.
It is almost the same as the operation a. However, in the scan register 25a shown in FIGS. 44 and 45, the test result is held in the master latch, so that care must be taken when reading the test result by the shift operation. That is,
In order to read the test result nondestructively, first, the shift clock is applied to the serial clock terminal sck2 to transfer the test result to the slave latch, and then the test result shown in FIG.
It is necessary to perform the shift operation as shown in.

【0286】(f) 比較回路およびラッチイネーブル
回路の他の例 図38〜図45の例では、第2のパラレル入力端子PI
2 のデータと第1のラッチ回路L2aに保持されたデー
タとを比較する比較回路としてイクスクルーシブOR回
路G19が用いられ、かつその比較結果に基づいて第2
のラッチ回路L2bに第2のパラレル入力端子PI2の
データをラッチさせるラッチイネーブル回路としてNA
ND回路G17,G18か使用されている。しかし、比
較回路およびラッチイネーブル回路はこのような論理回
路の組合せに限定されない。
(F) Other Examples of Comparison Circuit and Latch Enable Circuit In the examples of FIGS. 38 to 45, the second parallel input terminal PI is used.
The exclusive OR circuit G19 is used as a comparison circuit for comparing the data stored in the first latch circuit L2a with the data stored in the second latch circuit L2a.
NA as a latch enable circuit for making the latch circuit L2b of the above latch the data of the second parallel input terminal PI2.
Only the ND circuits G17 and G18 are used. However, the comparison circuit and the latch enable circuit are not limited to such a combination of logic circuits.

【0287】たとえば、図46に示されるように、比較
回路としてイクスクルーシブNOR回路G41を用いて
ラッチイネーブル回路としてNOR回路G42およびO
R回路G43を使用してもよい。NOR回路G42の一
方の入力端子はイクスクルーシブNOR回路G41の出
力端子に接続され、他方の入力端子は反転テストクロッ
ク/TCKを受ける反転テストクロック端子/tckに
接続される。OR回路G43の一方の入力端子はNOR
回路G42の出力端子に接続され、他方のニューロンユ
ニットトモード信号/TMを受ける反転テストモード端
子/tmに接続される。
For example, as shown in FIG. 46, an exclusive NOR circuit G41 is used as a comparison circuit, and NOR circuits G42 and O are used as a latch enable circuit.
The R circuit G43 may be used. One input terminal of the NOR circuit G42 is connected to the output terminal of the exclusive NOR circuit G41, and the other input terminal is connected to the inverted test clock terminal / tck that receives the inverted test clock / TCK. One input terminal of the OR circuit G43 is NOR
It is connected to the output terminal of the circuit G42 and is connected to the inversion test mode terminal / tm which receives the other neuron unit mode signal / TM.

【0288】(g) 第4の実施例の利点 第4の実施例によれば、各スキャンレジスタを構成する
2つのラッチ回路の一方がデータ入力に割当てられ、そ
れらの他方がデータ出力に割当てられる。そのため、1
つのスキャンレジスタでデータの入力および出力を行な
うことができる。したがって、半導体集積回路装置のス
キャンパス装置の規模を小さくできる。
(G) Advantages of the Fourth Embodiment According to the fourth embodiment, one of the two latch circuits forming each scan register is assigned to the data input and the other of them is assigned to the data output. .. Therefore, 1
Data can be input and output with one scan register. Therefore, the scale of the scan path device of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.

【0289】特に、図38および図44に示されるよう
に、各スキャンレジスタを2つのレシオ型ラッチ回路に
より構成すると、使用される素子数が極めて少なくな
る。したがって、回路規模の縮小には非常に有効であ
る。
In particular, if each scan register is formed of two ratio type latch circuits as shown in FIGS. 38 and 44, the number of elements used is extremely small. Therefore, it is very effective in reducing the circuit scale.

【0290】(h) 他の適用例 第4の実施例では、テストの対象となる回路がRAM2
であり、特にそのRAM2のデータ出力端子がスキャン
パス装置に接続されている。しかし、この発明によるス
キャンパス装置は、複数のRAMに接続されたデータバ
スに接続されてもよい。
(H) Other Application Examples In the fourth embodiment, the circuit to be tested is RAM2.
In particular, the data output terminal of the RAM 2 is connected to the scan path device. However, the scanpath device according to the present invention may be connected to a data bus connected to a plurality of RAMs.

【0291】テストの対象となる回路はRAMに限定さ
れない。この発明によるスキャンパス装置は、連続的に
データ“0”または“1”を出力するいかなる回路にも
適用することができ、同様の効果が得られる。
The circuit to be tested is not limited to RAM. The scanpath device according to the present invention can be applied to any circuit that continuously outputs data "0" or "1", and similar effects can be obtained.

【0292】[0292]

【発明の効果】第1および第2の発明によれば、1つの
スキャンレジスタでデータの入力および出力を行なうこ
とが可能となり、スキャンパス装置の規模が小さくな
る。
According to the first and second aspects of the present invention, it is possible to input and output data with one scan register, and the scale of the scan path device is reduced.

【0293】特に、第2の発明によれば、スキャンパス
装置の大部分を通常動作時に利用することができる。し
たがって、スキャンパス装置の付加による半導体集積回
路装置のチップ面積および製造コストの増大を抑制する
ことができる。
In particular, according to the second invention, most of the scan path device can be used during normal operation. Therefore, it is possible to suppress an increase in chip area and manufacturing cost of the semiconductor integrated circuit device due to the addition of the scan path device.

【0294】第3ないし第9の発明によれば、配線を複
雑化することなく、テスト時間を短縮することができ
る。
According to the third to ninth inventions, the test time can be shortened without complicating the wiring.

【0295】特に、第4および第6の発明によれば、テ
ストの効率がさらに向上する。また、第5、第7および
第8の発明によれば、さらに配線が簡略化される。
Particularly, according to the fourth and sixth inventions, the efficiency of the test is further improved. Further, according to the fifth, seventh and eighth inventions, the wiring is further simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施例の主要部の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a main part of a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第1の実施例の全体の構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing the overall configuration of the first embodiment of the present invention.

【図3】テスト回路とRAMとの関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a test circuit and a RAM.

【図4】テスト回路の構成の一例を示すブロック図であ
る。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a configuration of a test circuit.

【図5】テスト回路の構成の他の例を示すブロック図で
ある。
FIG. 5 is a block diagram showing another example of the configuration of the test circuit.

【図6】ADスキャンレジスタ群の構成を示すブロック
図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of an AD scan register group.

【図7】ADスキャンレジスタの構成を示すブロック図
である。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of an AD scan register.

【図8】CEスキャンレジスタの構成の一例を示すブロ
ック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing an example of a configuration of a CE scan register.

【図9】CEスキャンレジスタの構成の他の例を示すブ
ロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing another example of the configuration of the CE scan register.

【図10】WEスキャンレジスタの構成を示すブロック
図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a WE scan register.

【図11】DIOスキャンレジスタ群の構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a DIO scan register group.

【図12】DIOスキャンレジスタの構成の一例を示す
ブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing an example of a configuration of a DIO scan register.

【図13】DIOスキャンレジスタの構成の他の例を示
すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing another example of the configuration of a DIO scan register.

【図14】DMYスキャンレジスタの構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a DMY scan register.

【図15】ラッチ回路の構成を示す回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration of a latch circuit.

【図16】リセット付きラッチ回路の構成を示す回路図
である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a latch circuit with reset.

【図17】2入力ラッチ回路の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 17 is a circuit diagram showing a configuration of a 2-input latch circuit.

【図18】初期化動作を説明するためのフローチャート
である。
FIG. 18 is a flowchart for explaining an initialization operation.

【図19】リセットサイクルを示す波形図である。FIG. 19 is a waveform diagram showing a reset cycle.

【図20】スキャンインサイクルを示す波形図である。FIG. 20 is a waveform diagram showing a scan-in cycle.

【図21】モードセットサイクルを示す波形図である。FIG. 21 is a waveform diagram showing a mode set cycle.

【図22】ライトオール動作を説明するためのフローチ
ャートである。
FIG. 22 is a flowchart for explaining a write all operation.

【図23】ライトサイクルを示す波形図である。FIG. 23 is a waveform diagram showing a write cycle.

【図24】リード・ライトオール動作を説明するための
フローチャートである。
FIG. 24 is a flowchart for explaining a read / write all operation.

【図25】リード・ライトサイクルを示す波形図であ
る。
FIG. 25 is a waveform chart showing a read / write cycle.

【図26】アジャストサイクルを示す波形図である。FIG. 26 is a waveform diagram showing an adjust cycle.

【図27】スキャンアウトサイクルを示す波形図であ
る。
FIG. 27 is a waveform chart showing a scan-out cycle.

【図28】ランダムマーチテストを説明するためのフロ
ーチャートである。
FIG. 28 is a flowchart for explaining a random march test.

【図29】ランダムマーチテストを説明するためのフロ
ーチャートである。
FIG. 29 is a flowchart for explaining a random march test.

【図30】この発明の他の適用例を示すブロック図であ
る。
FIG. 30 is a block diagram showing another application example of the present invention.

【図31】テスト回路の構成のさらに他の例を示すブロ
ック図である。
FIG. 31 is a block diagram showing still another example of the configuration of the test circuit.

【図32】テスト回路の構成のさらに他の例を示すブロ
ック図である。
FIG. 32 is a block diagram showing still another example of the configuration of the test circuit.

【図33】図31および図32テスト回路に用いられる
DIOスキャンレジスタ群の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 33 is a block diagram showing a configuration of a DIO scan register group used in the test circuits of FIGS. 31 and 32.

【図34】図33のDIOスキャンレジスタ群に含まれ
るDIOスキャンレジスタの構成を示すブロック図であ
る。
34 is a block diagram showing a configuration of a DIO scan register included in the DIO scan register group of FIG. 33.

【図35】この発明の第2の実施例の主要部の構成を示
すブロック図である。
FIG. 35 is a block diagram showing a configuration of a main part of a second embodiment of the present invention.

【図36】この発明の第3の実施例の主要部の構成を示
すブロック図である。
FIG. 36 is a block diagram showing a configuration of a main part of a third embodiment of the present invention.

【図37】この発明の第4の実施例を示すブロック図で
ある。
FIG. 37 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図38】DIOスキャンレジスタの構成の一例を示す
回路図である。
FIG. 38 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a DIO scan register.

【図39】DIOスキャンレジスタの構成の他の例を示
す回路図である。
FIG. 39 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the DIO scan register.

【図40】DIOスキャンレジスタの構成の他の例を示
す回路図である。
FIG. 40 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the DIO scan register.

【図41】DIOスキャンレジスタの構成の他の例を示
す回路図である。
FIG. 41 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the DIO scan register.

【図42】スキャンパス装置のシフト動作を示すタイミ
ング図である。
FIG. 42 is a timing chart showing the shift operation of the scan path device.

【図43】スキャンパス装置のテスト時の動作を示すタ
イミング図である。
FIG. 43 is a timing chart showing an operation during a test of the scan path device.

【図44】DIOスキャンレジスタの構成の他の例を示
す回路図である。
FIG. 44 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the DIO scan register.

【図45】DIOスキャンレジスタの構成の他の例を示
す回路図である。
FIG. 45 is a circuit diagram showing another example of the configuration of the DIO scan register.

【図46】比較回路およびラッチイネーブル回路の構成
の他の例を示す図である。
FIG. 46 is a diagram showing another example of configurations of a comparison circuit and a latch enable circuit.

【図47】第1の従来技術を示すブロック図である。FIG. 47 is a block diagram showing a first conventional technique.

【図48】ADスキャンレジスタの構成を示す回路図で
ある。
FIG. 48 is a circuit diagram showing a configuration of an AD scan register.

【図49】DIスキャンレジスタの構成を示す回路図で
ある。
FIG. 49 is a circuit diagram showing a configuration of a DI scan register.

【図50】DOスキャンレジスタの構成を示す回路図で
ある。
FIG. 50 is a circuit diagram showing a configuration of a DO scan register.

【図51】第1の従来技術におけるシフト動作を示すタ
イミング図である。
FIG. 51 is a timing diagram showing a shift operation in the first conventional technique.

【図52】第1の従来技術におけるテスト時の動作を示
すタイミング図である。
FIG. 52 is a timing diagram showing an operation during a test in the first conventional technique.

【図53】第2の従来技術を示すブロック図である。FIG. 53 is a block diagram showing a second conventional technique.

【図54】第2の従来技術におけるテスト回路の構成を
示すブロック図である。
FIG. 54 is a block diagram showing a configuration of a test circuit according to a second conventional technique.

【図55】RAMの一例を示す図である。FIG. 55 is a diagram showing an example of a RAM.

【図56】書込み動作を示す波形図である。FIG. 56 is a waveform chart showing a write operation.

【図57】読出し・書込み動作を示す波形図である。FIG. 57 is a waveform chart showing a read / write operation.

【図58】全周期系列を説明するための図である。FIG. 58 is a diagram for explaining a full cycle sequence.

【図59】第3の従来技術における構成の一例を示すブ
ロック図である。
FIG. 59 is a block diagram showing an example of a configuration of a third conventional technique.

【図60】第3の従来技術における構成の他の例を示す
ブロック図である。
FIG. 60 is a block diagram showing another example of the configuration of the third conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 2 RAM 3 テスト回路 10 ADスキャンレジスタ群 20 DIスキャンレジスタ群 30 DOスキャンレジスタ群 40 モード設定用スキャンレジスタ 50 セレクタ 60 ゲート回路 70 モード制御ラッチ 100 ADスキャンレジスタ群 400 DIOスキャンレジスタ群 410 DIOスキャンレジスタ 500 DMYスキャンレジスタ 600 リセット付きラッチ回路 700 マルチプレクサ L2a,L2b 2入力ラッチ回路 G17,G18 NAND回路 G19 イクスクルーシブOR回路 dix,do 入力端子 di,dox 出力端子 SIR シリアル入力端子 SOR シリアル出力端子 SCK,SCK1M,SCK2M シフトクロック なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 1 semiconductor chip 2 RAM 3 test circuit 10 AD scan register group 20 DI scan register group 30 DO scan register group 40 mode setting scan register 50 selector 60 gate circuit 70 mode control latch 100 AD scan register group 400 DIO scan register group 410 DIO Scan register 500 DMY Scan register 600 Latch circuit with reset 700 Multiplexer L2a, L2b Two-input latch circuit G17, G18 NAND circuit G19 Exclusive OR circuit dix, do input terminal di, dox output terminal SIR serial input terminal SOR serial output terminal SCK , SCK1M, SCK2M Shift clocks In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直列に接続された複数のスキャンレジス
タを含み、 前記複数のスキャンレジスタの各々は、 シリアル入力端子、 第1のパラレル入力端子、 第2のパラレル入力端子、 与えられるデータを保持して出力する第1の保持手段、 与えられるデータを保持して出力する第2の保持手段 前記第1のパラレル入力端子のデータを前記第1の保持
手段に伝達する第1の伝達手段、 前記シリアル入力端子のデータを前記第1および第2の
保持手段の一方に伝達する第2の伝達手段、 前記第2のパラレル入力端子のデータを前記第2の保持
手段に伝達する第3の伝達手段、 前記第1および第2の保持手段の前記一方から出力され
るデータを前記第1および第2の保持手段の他方に伝達
する第4の伝達手段、 前記第1の保持手段から出力されるデータを受ける第1
のパラレル出力端子、 前記第2の保持手段から出力されるデータを受ける第2
のパラレル出力端子、 前記第1および第2の保持手段の前記他方から出力され
るデータを受けるシリアル出力端子、 前記第2のパラレル入力端子のデータを前記第1の保持
手段から出力されるデータと比較する比較手段、および
前記比較手段の比較結果に従って前記第3の伝達手段を
能動化または非能動化する能動化手段を含み、 各スキャンレジスタの前記シリアル入力端子は前段のス
キャンレジスタの前記シリアル出力端子に接続される、
スキャンパス装置。
1. A plurality of scan registers connected in series, each of the plurality of scan registers including: a serial input terminal, a first parallel input terminal, a second parallel input terminal, and holding applied data. Holding means for outputting given data, second holding means for holding and outputting given data, first transmitting means for transmitting data of the first parallel input terminal to the first holding means, the serial Second transmitting means for transmitting the data of the input terminal to one of the first and second holding means, a third transmitting means for transmitting the data of the second parallel input terminal to the second holding means, Fourth transmitting means for transmitting data output from the one of the first and second holding means to the other of the first and second holding means, and output from the first holding means First receive the data 1
Second parallel output terminal for receiving data output from the second holding means
A parallel output terminal, a serial output terminal for receiving data output from the other of the first and second holding means, and a data output from the first holding means for data of the second parallel input terminal Comparing comparing means and activating means for activating or deactivating the third transmitting means according to the comparison result of the comparing means, wherein the serial input terminal of each scan register is the serial output of the preceding scan register. Connected to the terminal,
Scan campus equipment.
【請求項2】 直列に接続された複数のスキャンレジス
タを含み、 前記複数のスキャンレジスタの各々は、 シリアル入力端子、 第1のパラレル入力端子、 第2のパラレル入力端子 与えられるデータを保持して出力する第1の保持手段、 与えられるデータを保持して出力する第2の保持手段、 前記第1のパラレル入力端子のデータを前記第1の保持
手段に伝達する第1の伝達手段、 前記シリアル入力端子のデータを前記第1および第2の
保持手段の一方に伝達する第2の伝達手段、 前記第2のパラレル入力端子のデータを前記第2の保持
手段に伝達する第3の伝達手段、 前記第1および第2の保持手段の前記一方から出力され
るデータを前記第1および第2の保持手段の他方に伝達
する第4の伝達手段、 前記第1の保持手段から出力されるデータを受ける第1
のパラレル出力端子、 前記第2の保持手段から出力されるデータを受ける第2
のパラレル出力端子、 前記第1および第2の保持手段の前記他方から出力され
るデータを受けるシリアル出力端子、 前記第2のパラレル入力端子のデータを前記第1の保持
手段から出力されるデータと比較する比較手段、 前記第1の伝達手段を能動化または非能動化する第1の
能動化手段、 前記比較手段の比較結果に従って前記第3の伝達手段を
能動化または非能動化する第2の能動化手段、および所
定の信号に応答して、前記比較手段の比較結果にかかわ
らず、前記第1の能動化手段に同期して前記第3伝達手
段を能動化または非能動化するように前記第2の能動化
手段を強制する強制手段を含み、 各スキャンレジスタの前記シリアル入力端子は前段のス
キャンレジスタの前記シリアル出力端子に接続される、
スキャンパス装置。
2. A plurality of scan registers connected in series, wherein each of the plurality of scan registers holds a serial input terminal, a first parallel input terminal, and a second parallel input terminal. First holding means for outputting, second holding means for holding and outputting given data, first transmitting means for transmitting data of the first parallel input terminal to the first holding means, the serial Second transmitting means for transmitting the data of the input terminal to one of the first and second holding means, a third transmitting means for transmitting the data of the second parallel input terminal to the second holding means, Fourth transmitting means for transmitting data output from the one of the first and second holding means to the other of the first and second holding means, and output from the first holding means First receive the data 1
Second parallel output terminal for receiving data output from the second holding means
A parallel output terminal, a serial output terminal for receiving data output from the other of the first and second holding means, and a data output from the first holding means for data of the second parallel input terminal Comparing means for comparing, first activating means for activating or deactivating the first transmitting means, second for activating or deactivating the third transmitting means according to the comparison result of the comparing means Activating means and responsive to a predetermined signal to activate or deactivate the third transmitting means in synchronization with the first activating means irrespective of the comparison result of the comparing means. Including a forcing means for forcing a second activating means, wherein the serial input terminal of each scan register is connected to the serial output terminal of the previous scan register,
Scan campus equipment.
【請求項3】 直列に接続された複数のスキャンレジス
タを含む第1のスキャンレジスタ群、 前記第1のスキャンレジスタ群の出力に直列に接続され
た複数のスキャンレジスタを含む第2のスキャンレジス
タ群、および前記第2のスキャンレジスタ群がシフト動
作を停止しかつ前記第1のスキャンレジスタ群がシフト
動作を行なうように前記第1および第2のスキャンレジ
スタ群を制御する手段を備えた、スキャンパス装置。
3. A first scan register group including a plurality of scan registers connected in series, and a second scan register group including a plurality of scan registers connected in series to an output of the first scan register group. , And a means for controlling the first and second scan register groups such that the second scan register group stops the shift operation and the first scan register group performs the shift operation. apparatus.
【請求項4】 シリアルなデータを受ける入力端子、 前記入力端子に直列に接続された複数のスキャンレジス
タを含む第1のスキャンレジスタ群、 前記スキャンレジスタ群の出力に直列に接続された複数
のスキャンレジスタを含む第2のスキャンレジスタ群、 出力端子、 前記入力端子のデータおよび前記第2のスキャンレジス
タ群から出力されたデータのいずれか一方を選択し、そ
の選択されたデータを前記出力端子に与える選択手段、
および前記選択手段により前記入力端子のデータが選択
されているときに前記第2のスキャンレジスタ群がシフ
ト動作を停止しかつ前記第1のスキャンレジスタ群がシ
フト動作を行なうように前記第1および第2のシフトレ
ジスタ群を制御する第1の制御手段を備えた、スキャン
パス装置。
4. An input terminal for receiving serial data, a first scan register group including a plurality of scan registers serially connected to the input terminal, and a plurality of scans serially connected to an output of the scan register group. A second scan register group including a register, an output terminal, data of the input terminal and data output from the second scan register group are selected, and the selected data is given to the output terminal. Selection means,
And when the data of the input terminal is selected by the selecting means, the second scan register group stops the shift operation and the first scan register group performs the shift operation. A scanpath device comprising first control means for controlling the second shift register group.
【請求項5】 前記第1および第2のスキャンレジスタ
群に含まれるいずれかのスキャンレジスタからデータを
受け、そのデータに応答して前記選択手段を制御する第
2の制御手段をさらに含む、請求項4に記載のスキャン
パス装置。
5. A second control means for receiving data from one of the scan registers included in the first and second scan register groups and controlling the selecting means in response to the data. Item 4. The scan path device according to Item 4.
【請求項6】 データを記憶する記憶手段およびスキャ
ンパス手段を含み、 前記スキャンパス手段は、 シリアルなデータを受ける入力端子、 直列に接続された複数のスキャンレジスタを含み、前記
入力端子からシリアルに与えられたデータをアドレス信
号として前記記憶手段に並列に与える第1のスキャンレ
ジスタ群、 直列に接続された複数のスキャンレジスタを含み、前記
第1のスキャンレジスタ群からシリアルに与えられたデ
ータを前記記憶手段に並列に与えまたは前記記憶手段か
ら出力されたデータを並列に受ける第2のスキャンレジ
スタ群、 前記入力端子のデータおよび前記第2のスキャンレジス
タ群から出力されたデータのいずれか一方を選択し、そ
の選択されたデータを出力する選択手段、および前記選
択手段により前記入力端子のデータが選択されていると
きに前記第2のスキャンレジスタ群がシフト動作を停止
しかつ前記第1のスキャンレジスタ群がシフト動作を行
なうように前記第1および第2のスキャンレジスタ群を
制御する第1の制御手段を含む、半導体集積回路装置。
6. A storage means for storing data and a scan path means, wherein the scan path means includes an input terminal for receiving serial data, a plurality of scan registers connected in series, and serially from the input terminal. A first scan register group for giving the given data as an address signal to the storage means in parallel; and a plurality of scan registers connected in series, wherein the data serially given from the first scan register group is A second scan register group which is given to the storage means in parallel or receives data output from the storage means in parallel, one of data of the input terminal and data output from the second scan register group is selected. Selecting means for outputting the selected data, and the input by the selecting means. Control the first and second scan register groups so that the second scan register group stops the shift operation and the first scan register group performs the shift operation when the child data is selected. A semiconductor integrated circuit device including first control means for controlling the semiconductor integrated circuit device.
【請求項7】 前記スキャンパス手段は、 前記第1および第2のスキャンレジスタ群に含まれるい
ずれかのスキャンレジスタから与えられるデータを受
け、そのデータに応答して前記選択手段を制御する第2
の制御手段をさらに含む、請求項6に記載の半導体集積
回路装置。
7. The second scan path means receives data provided from one of the scan registers included in the first and second scan register groups, and controls the selection means in response to the data.
The semiconductor integrated circuit device according to claim 6, further comprising:
【請求項8】 前記スキャンパス手段は、 前記第1および第2のスキャンレジスタ群に直列に設け
られ、モード設定用データを保持する保持手段、および
前記保持手段に保持されたモード設定用データに応答し
て前記選択手段を制御する第2の制御手段をさらに含
む、請求項6に記載の半導体集積回路装置。
8. The scan path means is provided in series with the first and second scan register groups and holds a mode setting data, and a mode setting data held in the holding means. 7. The semiconductor integrated circuit device according to claim 6, further comprising second control means that responds to control the selection means.
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