JPS63215016A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
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- JPS63215016A JPS63215016A JP62049252A JP4925287A JPS63215016A JP S63215016 A JPS63215016 A JP S63215016A JP 62049252 A JP62049252 A JP 62049252A JP 4925287 A JP4925287 A JP 4925287A JP S63215016 A JPS63215016 A JP S63215016A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するためのコン
デンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依存性非直線抵
抗体磁器組成物に関するものである。
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するためのコン
デンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依存性非直線抵
抗体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧の吸
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電圧
依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、Zn
O系バリスタなどが使用されていた。このようなバリス
タの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すことが
できる。
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電圧
依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、Zn
O系バリスタなどが使用されていた。このようなバリス
タの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すことが
できる。
1=(V/C)a
ここで、■は電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
、αは電圧非直線指数である。
、αは電圧非直線指数である。
SiCバリスタのαは2〜7程度、ZnO系バリスタで
はαが50にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低(、固有の静電容量が小さいためバリスタ
電圧以下の比較的低い電圧の吸収に対してはほとんど効
果を示さず、また誘電損失tanδが5〜10%と大き
い。
はαが50にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低(、固有の静電容量が小さいためバリスタ
電圧以下の比較的低い電圧の吸収に対してはほとんど効
果を示さず、また誘電損失tanδが5〜10%と大き
い。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が5×10程度で、tanδが1%前後の半導体
コンデンサが利用されている。しかし、このような半導
体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧ま
たは電流が印加されると、破壊したりしてコンデンサと
しての機能を果たさな(なったりする。
誘電率が5×10程度で、tanδが1%前後の半導体
コンデンサが利用されている。しかし、このような半導
体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧ま
たは電流が印加されると、破壊したりしてコンデンサと
しての機能を果たさな(なったりする。
そこで最近になって、5rTi03を主成分とし、バリ
スタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが
開発され、マイク凸コンピュータなどの電子機器におけ
るIC,LSIなどの半導体素子の保護に使用されてい
る。
スタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが
開発され、マイク凸コンピュータなどの電子機器におけ
るIC,LSIなどの半導体素子の保護に使用されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
上記の5rTi03を主成分とするバリスタはZnO系
バリスタに比べ誘電率が約10倍と大きいが、電圧非直
線指数(a)やサージ耐量が小さく、粒内抵抗が高いた
め、高周波のノイズなどを十分に吸収できないといった
欠点を有していた。
バリスタに比べ誘電率が約10倍と大きいが、電圧非直
線指数(a)やサージ耐量が小さく、粒内抵抗が高いた
め、高周波のノイズなどを十分に吸収できないといった
欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が太き(αが大きいと共に、
サージ耐量が大きく、粒内抵抗が低い電圧依存性非直線
抵抗体磁器組成物を提供することを目的とする。
サージ耐量が大きく、粒内抵抗が低い電圧依存性非直線
抵抗体磁器組成物を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、Sr、、T
iO3,(CaxSr+−x)bTi03(0.001
≦x≦0.5)。
iO3,(CaxSr+−x)bTi03(0.001
≦x≦0.5)。
(Ba、Sr+−y )cTi03(0.001≦y≦
0.5)。
0.5)。
(MgzSr+−z)dTi03(0.001≦z≦0
.5)(0.950≦a、b、c、d<1.000)(
以下第一成分と呼ぶ〉のうち少なくとも1種類以上を9
0.000−99.998mo HlNbgOs *
Ta2es 、 WO3*D!/、Nd2O3. Y2
O3,La2O3,CeO2、Sm2O3、Pr6O1
、Nd2O3,Pr60++。
.5)(0.950≦a、b、c、d<1.000)(
以下第一成分と呼ぶ〉のうち少なくとも1種類以上を9
0.000−99.998mo HlNbgOs *
Ta2es 、 WO3*D!/、Nd2O3. Y2
O3,La2O3,CeO2、Sm2O3、Pr6O1
、Nd2O3,Pr60++。
Nd、Nd2O3(以下第二成分と呼ぶ)のうち少なく
とも1種類以上をQ、Qol−3、0OOioli!、
CrN (以下第三成分と呼ぶ)を0.001−5.
000mol$含有してなるか、または第一成分を80
.000−99.997molK、第二成分ヲ0.00
1−5.000mol零、第三成分を0.001=5.
000mol!J、Al2O3、Sm2O3、Pr6O
b、Nd2O3. Bad、 Bed、 PbO,B2
O3,CeO2゜Cr2O3、Fe2O3、CdO、に
、Nd2O 、 CaO、Co2O3、Cub。
とも1種類以上をQ、Qol−3、0OOioli!、
CrN (以下第三成分と呼ぶ)を0.001−5.
000mol$含有してなるか、または第一成分を80
.000−99.997molK、第二成分ヲ0.00
1−5.000mol零、第三成分を0.001=5.
000mol!J、Al2O3、Sm2O3、Pr6O
b、Nd2O3. Bad、 Bed、 PbO,B2
O3,CeO2゜Cr2O3、Fe2O3、CdO、に
、Nd2O 、 CaO、Co2O3、Cub。
Cu2O,Li2O,MgO,MnO2,MoO3,N
a2O,Nip。
a2O,Nip。
Rh2O3,SeO2,Ag2O、Sm2O3、Pr6
Oif2. SiC,SrO,Tl2O。
Oif2. SiC,SrO,Tl2O。
ThOx、 TiO2,V2O3、Bi2O3,WO3
,ZnO,ZrO2、Sm2O3、Pr6On02(以
下第四成分と呼ぶ)のうち少なくとも1種類以上を0.
00)40.0OOmo目含有してなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物を得ることにより、問題を解決しよ
うとするものである。
,ZnO,ZrO2、Sm2O3、Pr6On02(以
下第四成分と呼ぶ)のうち少なくとも1種類以上を0.
00)40.0OOmo目含有してなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物を得ることにより、問題を解決しよ
うとするものである。
作用
上記発明において第一成分は主成分であり、第二成分は
主に半導体化を促進する金属酸化物である。また、第三
成分は誘電率及び粒内抵抗の改善に寄与するものであり
、第四成分は誘電率、α。
主に半導体化を促進する金属酸化物である。また、第三
成分は誘電率及び粒内抵抗の改善に寄与するものであり
、第四成分は誘電率、α。
サージ耐量の改善に寄与する。特に、第三成分は素子全
体に均一に分散し、添加時点では窒化物であるが、還元
焼成後に空気中で熱処理することにより酸化物に変わり
、電子を放出する反応がおこる。すなわち、粒界部分で
は拡散してきた多量の酸素により酸化物が形成され、放
出された電子は酸素イオンに捕獲され粒界は絶縁化され
る。一方、粒子内部は酸素の拡散が起こりにくいため大
部分のCrNが窒化物のままで存在し、仮に粒子内部ま
で酸素が拡散してきても原子価が変わることによって電
子を放出するため、酸化による高抵抗化を抑制する作用
をする。このため、粒子内部を低抵抗にすることができ
る。
体に均一に分散し、添加時点では窒化物であるが、還元
焼成後に空気中で熱処理することにより酸化物に変わり
、電子を放出する反応がおこる。すなわち、粒界部分で
は拡散してきた多量の酸素により酸化物が形成され、放
出された電子は酸素イオンに捕獲され粒界は絶縁化され
る。一方、粒子内部は酸素の拡散が起こりにくいため大
部分のCrNが窒化物のままで存在し、仮に粒子内部ま
で酸素が拡散してきても原子価が変わることによって電
子を放出するため、酸化による高抵抗化を抑制する作用
をする。このため、粒子内部を低抵抗にすることができ
る。
実施例
以下に本発明の実施例を上げて具体的に説明する。
まず、SrCO3,CaCO3,BaCO3,MgCO
3,Ti12を下記の第1表の組成比になるように秤量
し、ボールミルなどで40時間混合し、乾燥した後、1
000℃で15時間仮焼する。こうして得られた仮焼物
にZrNと添加物を下記の第1表の組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで24時間混合し、乾燥した後
、ポリビニルアルコールなどのバインダーを10wt$
添加して造粒した後、1(t/cd)のプレス圧力で1
0φXlt(m)の円板状に成形する。その後、空気中
で1100℃、1時間仮焼脱バインダーを行った後、N
2: H2=9 : 1の混合ガス中で15、Nd2O
℃、3時間焼成する。さらに、空気中で1100℃、1
2時間焼成し、このようにして得られた第1図、第2図
に示す焼結体1の両平面に外周を残すようにしてAgな
どの導電性ペーストをスクリーン印刷などにより塗布し
、600℃、5分間焼成し、電極2,3を形成する。
3,Ti12を下記の第1表の組成比になるように秤量
し、ボールミルなどで40時間混合し、乾燥した後、1
000℃で15時間仮焼する。こうして得られた仮焼物
にZrNと添加物を下記の第1表の組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで24時間混合し、乾燥した後
、ポリビニルアルコールなどのバインダーを10wt$
添加して造粒した後、1(t/cd)のプレス圧力で1
0φXlt(m)の円板状に成形する。その後、空気中
で1100℃、1時間仮焼脱バインダーを行った後、N
2: H2=9 : 1の混合ガス中で15、Nd2O
℃、3時間焼成する。さらに、空気中で1100℃、1
2時間焼成し、このようにして得られた第1図、第2図
に示す焼結体1の両平面に外周を残すようにしてAgな
どの導電性ペーストをスクリーン印刷などにより塗布し
、600℃、5分間焼成し、電極2,3を形成する。
次に、半田などによりリード線(図示せず)を取付け、
エポキシなどの樹脂(図示せず)を塗装する。このよう
にして得られた素子の特性を以下の第2表に示す。なお
、誘電率はIKHzでの静電容量から計算したものであ
り、粒内抵抗(ESR)は共振周波数でのインピーダン
スにより評価し、αは a = 1 / Log (V +os^/ V II
IA )(ただし、VIOIIAI V+m^l;!ソ
レソtL 10+nA。
エポキシなどの樹脂(図示せず)を塗装する。このよう
にして得られた素子の特性を以下の第2表に示す。なお
、誘電率はIKHzでの静電容量から計算したものであ
り、粒内抵抗(ESR)は共振周波数でのインピーダン
スにより評価し、αは a = 1 / Log (V +os^/ V II
IA )(ただし、VIOIIAI V+m^l;!ソ
レソtL 10+nA。
1mAの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧であ
る。〉で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電流
を印加した後のvl、、^の変化が±10零以内である
時の最大のパルス性電流値により評価している。
る。〉で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電流
を印加した後のvl、、^の変化が±10零以内である
時の最大のパルス性電流値により評価している。
(以 下 余 白 )
また、第一成分のSr、TiO3゜
(CaxSr I−x )bTi03(0.001≦x
≦0.5)。
≦0.5)。
(Ba、Sr+−y)、Ti03(0.001≦y≦0
.5)。
.5)。
(MgzSr l−z )d−z)dTiO3(0.0
01≦Z−≦0.5)(0.950≦a、b、c、d<
1.000)のx、y、zの範囲を規定したのは、o、
ooi未満では効果を示さず、0.5を越えると粒成長
及び半導体化が抑制され特性が劣化するためである。ま
た、a、b、c、dの範囲を規定したのは、1.0では
格子欠陥が発生しにくいため半導体化が促進されず、0
.95より小さくなるとTiが過剰となりすぎてTiO
2の結晶が生成し、組織が不均一になり特性が劣化する
ためである。また、第二成分は0.001moH未満で
は効果を示さず、5.000mol零を越えると粒界に
偏析して粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第二相を形成
するため特性が劣化するものである。さらに第三成分は
0.001mol$未満では効果を示さず、5.000
mol$を越えると粒界に第二相を形成するため特性が
劣化するものである。そして第四成分は0.0旧、ta
o lf+未満では効果を示さず、5.000101零
を越えると粒界に第二相を形成し粒成長が抑制され、粒
界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるため、静電□
容量が小さくなり、バリスタ電圧が高くなり、サージに
対して弱(なることによる。
01≦Z−≦0.5)(0.950≦a、b、c、d<
1.000)のx、y、zの範囲を規定したのは、o、
ooi未満では効果を示さず、0.5を越えると粒成長
及び半導体化が抑制され特性が劣化するためである。ま
た、a、b、c、dの範囲を規定したのは、1.0では
格子欠陥が発生しにくいため半導体化が促進されず、0
.95より小さくなるとTiが過剰となりすぎてTiO
2の結晶が生成し、組織が不均一になり特性が劣化する
ためである。また、第二成分は0.001moH未満で
は効果を示さず、5.000mol零を越えると粒界に
偏析して粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第二相を形成
するため特性が劣化するものである。さらに第三成分は
0.001mol$未満では効果を示さず、5.000
mol$を越えると粒界に第二相を形成するため特性が
劣化するものである。そして第四成分は0.0旧、ta
o lf+未満では効果を示さず、5.000101零
を越えると粒界に第二相を形成し粒成長が抑制され、粒
界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるため、静電□
容量が小さくなり、バリスタ電圧が高くなり、サージに
対して弱(なることによる。
なお、本実施例では一部の添加物の組み合わせについて
のみ示したが、その他の添加物の組み合わせについても
同様の効果があることを確認した。
のみ示したが、その他の添加物の組み合わせについても
同様の効果があることを確認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば誘電率、αが大きく
、粒内抵抗が小さいため、サージ電流が印加された後の
発熱が少ないため、素子の劣化が小さく、サージ耐量が
太き(なるという効果が得られる。
、粒内抵抗が小さいため、サージ電流が印加された後の
発熱が少ないため、素子の劣化が小さく、サージ耐量が
太き(なるという効果が得られる。
第1図は本発明による素子を示す上面図、第2図は本発
明による素子の断面図である。 1・・・・・・焼結体、2,3・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1−焼紹体 2.3−電 擾 第1図 第2図
明による素子の断面図である。 1・・・・・・焼結体、2,3・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1−焼紹体 2.3−電 擾 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)Sr_aTiO_3、(Ca_xSr_1_−_
x)_bTiO_3(0.001≦x≦0.5)、(B
a_ySr_1_−_y)_cTiO_3(0.001
≦y≦0.5)、(Mg_zSr_1_−_z)_dT
iO_3(0.001≦z≦0.5)(0.950≦a
、b、c、d<1.000)のうち少なくとも1種類以
上を90.000〜99.998mol%、Nb_2O
_5、Ta_2O_5、WO_3、Dy_2O_3、Y
_2O_3、La_2O_3、CeO_2、Sm_2O
_3、Pr_6O_1_1、Nd_2O_3のうち少な
くとも1種類以上を0.001〜5.000mol%、
CrNを0.001〜5.000mol%含有してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 - (2)Sr_aTiO_3、(Ca_xSr_1_−_
x)_bTiO_3(0.001≦x≦0.5)、(B
a_ySr_1_−_y)_cTiO_3(0.001
≦y≦0.5)、(Mg_zSr_1_−_z)_dT
iO_3(0.001≦z≦0.5)(0.950≦a
、b、c、d<1.000)のうち少なくとも1種類以
上を80.000〜99.997mol%、Nb_2O
_5、Ta_2O_5、WO_3、Dy_2O_3、Y
_2O_3、La_2O_3、CeO_2、Sm_2O
_3、Pr_6O_1_1、Nd_2O_3のうち少な
くとも1種類以上を0.001〜5.000mol%、
CrNを0.001〜5.000mol%、Al_2O
_3、Sb_2O_3、BaO、BeO、PbO、B_
2O_3、CeO_2、Cr_2O_3、Fe_2O_
3、CdO、K_2O、CaO、Co_2O_3、Cu
O、Cu_2O、Li_2O、MgO、MnO_2、M
oO_3、Na_2O、NiO、Rh_2O_3、Se
O_2、Ag_2O、SiO_2、SiC、SrO、T
l_2O、ThO_2、TiO_2、V_2O_5、B
i_2O_3、WO_3、ZnO、ZrO_2、SnO
_2のうち少なくとも1種類以上を0.001〜10.
000mol%含有してなる電圧依存性非直線抵抗体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62049252A JPS63215016A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62049252A JPS63215016A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63215016A true JPS63215016A (ja) | 1988-09-07 |
Family
ID=12825650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62049252A Pending JPS63215016A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63215016A (ja) |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62049252A patent/JPS63215016A/ja active Pending
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