JPS63214321A - 珪素化合物を含むガスの処理方法 - Google Patents
珪素化合物を含むガスの処理方法Info
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- JPS63214321A JPS63214321A JP62046448A JP4644887A JPS63214321A JP S63214321 A JPS63214321 A JP S63214321A JP 62046448 A JP62046448 A JP 62046448A JP 4644887 A JP4644887 A JP 4644887A JP S63214321 A JPS63214321 A JP S63214321A
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高純度珪素製造工程等において排出されるガス
に含まれるシラン、クロルシラン、四塩化珪素等の珪素
化合物をアルカリ水溶液で洗浄、除去する排ガスの処理
方法に関するものである。
に含まれるシラン、クロルシラン、四塩化珪素等の珪素
化合物をアルカリ水溶液で洗浄、除去する排ガスの処理
方法に関するものである。
（従来の技術）
高純度珪素製造工程等において排出されるガス（水素ガ
ス）中には、シラン（ＳｉＨ４）、クロルシラン（Ｓｉ
Ｈａ−ｎｃｌｉ） 、四塩化珪素（ＳｉＣ１ｉ）等の珪
素化合物ガスと塩化水素（ＨＣＩ）ガスが含まれている
。゛しかるに、このような珪素化合物は下記のように水
と反応して二酸化珪素（Ｓｌｏｗ）が生成する。
ス）中には、シラン（ＳｉＨ４）、クロルシラン（Ｓｉ
Ｈａ−ｎｃｌｉ） 、四塩化珪素（ＳｉＣ１ｉ）等の珪
素化合物ガスと塩化水素（ＨＣＩ）ガスが含まれている
。゛しかるに、このような珪素化合物は下記のように水
と反応して二酸化珪素（Ｓｌｏｗ）が生成する。
ＳｉＨ４＋ ２ Ｈ＊Ｏ→５ｉｎｓ ＋ ４Ｈ＊５
ｉＨａ−ｎｃｌｎ ＋２１１ｔＯ−＊ ５ＩＯＬ＋（
４−ｎ）Ｈ＊＋ｎＨＣｌ５ｉｃｔ本 ＋ ２
Ｈ＊０ → ｓｉｏ＊ ＋ ４）ＩＣＩ
従来よりこのような珪素化合物を含むガスを処理する方
法としては、ガスを苛性ソーダ（ＮａＯＨ）水溶液で洗
浄（気液接触）し、これらの珪素化合物をＳｉＨａに分
解し、同時にＨＣＩを中和する方法が行はれているが、
生成したＳｔＯ，は酸性〜弱アルカリ性ではゲル状で析
出し装置、機器等の表面に付着し目詰り、閉塞、圧力損
失増大の原因となるため洗浄液のＩ） Ｈを１３〜１４
に調整しＳｉｎ、をＮ ａｍｓｌＯｓ（メタ珪酸ナトリ
ウム）にする必要がある。
ｉＨａ−ｎｃｌｎ ＋２１１ｔＯ−＊ ５ＩＯＬ＋（
４−ｎ）Ｈ＊＋ｎＨＣｌ５ｉｃｔ本 ＋ ２
Ｈ＊０ → ｓｉｏ＊ ＋ ４）ＩＣＩ
従来よりこのような珪素化合物を含むガスを処理する方
法としては、ガスを苛性ソーダ（ＮａＯＨ）水溶液で洗
浄（気液接触）し、これらの珪素化合物をＳｉＨａに分
解し、同時にＨＣＩを中和する方法が行はれているが、
生成したＳｔＯ，は酸性〜弱アルカリ性ではゲル状で析
出し装置、機器等の表面に付着し目詰り、閉塞、圧力損
失増大の原因となるため洗浄液のＩ） Ｈを１３〜１４
に調整しＳｉｎ、をＮ ａｍｓｌＯｓ（メタ珪酸ナトリ
ウム）にする必要がある。
Ｓｉｎｇ ＋ ２１１ａＯＨ４ＰＩａ＊５ｉＯｓ →
−Ｈ，０従って、非常に大量の苛性ソーダを必要とする
という問題がある。
−Ｈ，０従って、非常に大量の苛性ソーダを必要とする
という問題がある。
゛ １、
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記のような従来法の問題点を解決し、処理
費が極めて低廉な高純度珪素製造工程等より排出される
珪素化合物を含むガスの処理方法を提供することを目的
とするものである。
費が極めて低廉な高純度珪素製造工程等より排出される
珪素化合物を含むガスの処理方法を提供することを目的
とするものである。
（問題点を解決するための手段）
従来法が珪素化合物を含むガスをＮａＯＨ水溶液を使用
しＩ）Ｈ＝１３〜１４で洗浄するに対し、本発明は水酸
化カルシウム［Ｃａ（ＯＨ）ｔ］懸濁水を使用し液のＰ
Ｈを９．５〜１Ｏ０５に保持しつつ洗浄するしのであ
る。
しＩ）Ｈ＝１３〜１４で洗浄するに対し、本発明は水酸
化カルシウム［Ｃａ（ＯＨ）ｔ］懸濁水を使用し液のＰ
Ｈを９．５〜１Ｏ０５に保持しつつ洗浄するしのであ
る。
本発明者等は種々実験研究の結果、高純度珪素製造工程
から排出される珪素化合物を含むガスをＣａ（ＯＨ）を
懸濁水で洗浄（気液接触）すると、まずガス中に含まれ
る珪素化合物は水と反応しＳｔＯ，が生成すると共にＨ
ＣＩはＣａ（ＯＨ） ！により中和され、このときＳｉ
ｎ、はゲル状で析出するが、洗浄水のＩ） Ｈを９．５
〜１Ｏ０５に保持することにより析出した５ｉｄｅとＣ
ａ（ＯＨ）ｔが反応し、Ｃａ（Ｈ３ＩＯ，）、となりゲ
ル状５ＩＯ１を伴って極めて沈降しやすいスラリーとな
ることを知り本発明を完成したしので、ｌ’Ｈ９，５以
ドではゲル状物質が残り沈降分離が困難で１）ＨＩｏ、
５以上ではＣａ（ＯＨ） ＊を余分に消費するのみで特
別の効果は認められない。
から排出される珪素化合物を含むガスをＣａ（ＯＨ）を
懸濁水で洗浄（気液接触）すると、まずガス中に含まれ
る珪素化合物は水と反応しＳｔＯ，が生成すると共にＨ
ＣＩはＣａ（ＯＨ） ！により中和され、このときＳｉ
ｎ、はゲル状で析出するが、洗浄水のＩ） Ｈを９．５
〜１Ｏ０５に保持することにより析出した５ｉｄｅとＣ
ａ（ＯＨ）ｔが反応し、Ｃａ（Ｈ３ＩＯ，）、となりゲ
ル状５ＩＯ１を伴って極めて沈降しやすいスラリーとな
ることを知り本発明を完成したしので、ｌ’Ｈ９，５以
ドではゲル状物質が残り沈降分離が困難で１）ＨＩｏ、
５以上ではＣａ（ＯＨ） ＊を余分に消費するのみで特
別の効果は認められない。
すなわち、本発明は高純度珪素製造工程等より排出され
るシラン、クロルシラン、四塩化珪素等の珪素化合物の
少なくとも監成分を含むガスと水酸化カルシウム懸濁水
とをＩ）Ｈ９，５〜１Ｏ０５で気液接触させた後、生成
したスラリーを沈降、分離すると共に、その母液に水酸
化カルシウムを添加してＰＨを調整し循環再使用する。
るシラン、クロルシラン、四塩化珪素等の珪素化合物の
少なくとも監成分を含むガスと水酸化カルシウム懸濁水
とをＩ）Ｈ９，５〜１Ｏ０５で気液接触させた後、生成
したスラリーを沈降、分離すると共に、その母液に水酸
化カルシウムを添加してＰＨを調整し循環再使用する。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
図面は本発明の実施例のフローシートを示すもので、（
１）はジェットスクラバ、（２）は循環槽、（３）は沈
降分離槽である。
１）はジェットスクラバ、（２）は循環槽、（３）は沈
降分離槽である。
珪素化合物を含む被処理ガスはガス導入管（４）を経て
ジェットスクラバ（１）に導入され、ここで管（５）を
経て導入される、後記する循環液と気液接触し、ガス中
の珪素化合物はＳｉｎ、、Ｃａ（ｌＩｓｉＯｓ）＊に変
化し循環槽（２）に送られ、次いで生成したスラリーを
含む循環槽内液はポンプ（６）を介し、管（７）を経て
沈降分離槽（３）に導かれ、ここで沈降、分離したスラ
リーは管（８）を経てポンプ（９）により糸外に取り出
され、その上澄み液は管（ｌＧ）を経て循環槽（２）へ
還流される。
ジェットスクラバ（１）に導入され、ここで管（５）を
経て導入される、後記する循環液と気液接触し、ガス中
の珪素化合物はＳｉｎ、、Ｃａ（ｌＩｓｉＯｓ）＊に変
化し循環槽（２）に送られ、次いで生成したスラリーを
含む循環槽内液はポンプ（６）を介し、管（７）を経て
沈降分離槽（３）に導かれ、ここで沈降、分離したスラ
リーは管（８）を経てポンプ（９）により糸外に取り出
され、その上澄み液は管（ｌＧ）を経て循環槽（２）へ
還流される。
一方、循環液と気液接触し珪素化合物、およびＨＣｌガ
スを除去されたガスは管（１１）を経て系外に取り出さ
れる。
スを除去されたガスは管（１１）を経て系外に取り出さ
れる。
（１２）はＩ）Ｈ＃ｌｉ出器で循環槽内液のＰ Ｈを検
出し連動するバルブ（１３）を作動し管（１４）よりＣ
ａ（ＯＨ） ｔスラリーを循環槽に注入し、槽内液のＩ
） Ｈは９．５〜ｌ０１５に調整され、その槽内液は循
環液としてポンプ（１５）により管（５）を経て、前記
したようにジェットスクラバ（１）に導入され、ガス導
入管（４）を経て導入される被処理ガスと気液接触する
。以上の連続操作によって処理が進行する。（１６）は
補給水供給管を示°４°。
出し連動するバルブ（１３）を作動し管（１４）よりＣ
ａ（ＯＨ） ｔスラリーを循環槽に注入し、槽内液のＩ
） Ｈは９．５〜ｌ０１５に調整され、その槽内液は循
環液としてポンプ（１５）により管（５）を経て、前記
したようにジェットスクラバ（１）に導入され、ガス導
入管（４）を経て導入される被処理ガスと気液接触する
。以上の連続操作によって処理が進行する。（１６）は
補給水供給管を示°４°。
なお、上記実施例において気液接触装置としてジェット
スクラバを使用したが、もれ棚等の他の型式の気液接触
装置を使用してもよい。
スクラバを使用したが、もれ棚等の他の型式の気液接触
装置を使用してもよい。
（発明の効果）
以上の説明で明らかなように、従来法によれ（２装置、
機器等の１詰まり・、閉塞等の障害を防ｌヒｉ−るため
には、ＮａＯＨを使用し循環液のＰ Ｈを１３〜１４に
保持し、生成したゲル状のＳｌｏｗをＮａｔＳｉＯｓ
＋こする必要があり、そのため高価なＮａＯＨを多は必
要とするが、本発明によれば安価なＣａ（ＯＨ） ｔを
使用し循環液のＰＨを９．５〜１０．５に保持すること
により、ゲル状のＳｌｏｗは生成したＣａ（Ｈ３ｉＯｓ
）＊との共仔により極めて沈降し易いスラリーとなって
容易に沈降、分離できるため、装置、機器等に付着し、
目詰まり、閉塞等をおこすことなく安定な運転をするこ
とが可能で、Ｃａ（ＯＨ） ＊の消費量はＳｉＯ＊１モ
ルに対して１／２モル以下で充分で、且つ、Ｃａ（ＯＨ
）、の購入単価はＮａＯＨに比較しはるかに安価である
から、従来法に比較し本発明方法によればその処理費は
極めて低廉である。
機器等の１詰まり・、閉塞等の障害を防ｌヒｉ−るため
には、ＮａＯＨを使用し循環液のＰ Ｈを１３〜１４に
保持し、生成したゲル状のＳｌｏｗをＮａｔＳｉＯｓ
＋こする必要があり、そのため高価なＮａＯＨを多は必
要とするが、本発明によれば安価なＣａ（ＯＨ） ｔを
使用し循環液のＰＨを９．５〜１０．５に保持すること
により、ゲル状のＳｌｏｗは生成したＣａ（Ｈ３ｉＯｓ
）＊との共仔により極めて沈降し易いスラリーとなって
容易に沈降、分離できるため、装置、機器等に付着し、
目詰まり、閉塞等をおこすことなく安定な運転をするこ
とが可能で、Ｃａ（ＯＨ） ＊の消費量はＳｉＯ＊１モ
ルに対して１／２モル以下で充分で、且つ、Ｃａ（ＯＨ
）、の購入単価はＮａＯＨに比較しはるかに安価である
から、従来法に比較し本発明方法によればその処理費は
極めて低廉である。
（実施例）
図面に示すフローシートにしたがって、下記条件で行っ
た。
た。
（１）被処理ガスの成分
５ｉＣ１４０，０２１ｍｏｌ／ｌ’
５ｉＨＣ１ａ Ｏ，００１”
５ｉＨｔＣ１ｔ Ｏ，０１３”
ＨＣＩ ０．３７ 〃
（その他 ＩＩ、ガス）
（２）ガスＤｔ ３ＯＮｍ’／Ｈｒ（３）循環
液［１４，２０ｍ’／Ｈｒ （４）循環液のＰＨ１０，０ 」―記条件で、約１１１時間連続運転した結果、Ｃａ（
ＯＨ） ｔの消費屯はガ’Ｚ ｌｏｏｍ’当たり２．１
Ｋｇで、装置、機器類には付着物なく、安定な運転が可
能で、出口ガス中の各珪素化合物の含イｆｍはＴｒａｃ
ｏであった。
液［１４，２０ｍ’／Ｈｒ （４）循環液のＰＨ１０，０ 」―記条件で、約１１１時間連続運転した結果、Ｃａ（
ＯＨ） ｔの消費屯はガ’Ｚ ｌｏｏｍ’当たり２．１
Ｋｇで、装置、機器類には付着物なく、安定な運転が可
能で、出口ガス中の各珪素化合物の含イｆｍはＴｒａｃ
ｏであった。
尚、比較試験として上記ガスを従来法で処理した場合、
ＮａＯＨの消費ｍはガス１００ｍ３当たり２．５Ｋｇで
あった。
ＮａＯＨの消費ｍはガス１００ｍ３当たり２．５Ｋｇで
あった。
従って、本発明方法によれば従来法に比較し処理費は著
しく紙庫である。
しく紙庫である。
図面は本発明を説明４゛るための実施例のフローノート
図である。 ！・・ジェットスクラバ、 ２・・循環槽、３・・沈
降分離槽、 ４・・ガス導入管、 １１・・ガス取出管
、 １２・・１）１１検出器出願人 高純度シリコン株
式会社 木村化工機株式会もＬ １；−・ 代理人 弁理士 小泉静夫；、゛ｊ ゛°、 、−
図である。 ！・・ジェットスクラバ、 ２・・循環槽、３・・沈
降分離槽、 ４・・ガス導入管、 １１・・ガス取出管
、 １２・・１）１１検出器出願人 高純度シリコン株
式会社 木村化工機株式会もＬ １；−・ 代理人 弁理士 小泉静夫；、゛ｊ ゛°、 、−
Claims (1)
- シラン、クロルシラン、四塩化珪素等の珪素化合物の少
なくとも１成分を含むガスと、水酸化カルシウム懸濁水
とをＰＨ９．５〜１０．５で気液接触させた後、生成し
たスラリーを沈降、分離すると共に、その母液に水酸化
カルシウムを添加してＰＨを調整し循環再使用すること
を特徴とする珪素化合物を含むガスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046448A JPH0749093B2 (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 珪素化合物を含むガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046448A JPH0749093B2 (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 珪素化合物を含むガスの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63214321A true JPS63214321A (ja) | 1988-09-07 |
| JPH0749093B2 JPH0749093B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=12747436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046448A Expired - Lifetime JPH0749093B2 (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 珪素化合物を含むガスの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749093B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02157020A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ガスを処理する方法 |
| JP2002346336A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-03 | Tousetsu:Kk | 有毒ガスの除害装置 |
| KR100795693B1 (ko) | 2005-07-15 | 2008-01-17 | 주식회사 소디프신소재 | 모노실란의 정제방법 |
| CN103100295A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种酸性气体的处理方法及其系统 |
| JP2013522001A (ja) * | 2010-03-12 | 2013-06-13 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | ヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法 |
| JP2016520505A (ja) * | 2013-04-09 | 2016-07-14 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ | クロロシラン含有液体を処理する装置及び方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794323A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-11 | Stanley Electric Co Ltd | Treating method for waste gas of cvd apparatus |
| JPS58128146A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-07-30 | Nippon Sanso Kk | 吸収処理剤 |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62046448A patent/JPH0749093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794323A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-11 | Stanley Electric Co Ltd | Treating method for waste gas of cvd apparatus |
| JPS58128146A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-07-30 | Nippon Sanso Kk | 吸収処理剤 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02157020A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ガスを処理する方法 |
| JPH0714452B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1995-02-22 | 電気化学工業株式会社 | ガスを処理する方法 |
| JP2002346336A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-03 | Tousetsu:Kk | 有毒ガスの除害装置 |
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