JPS632138B2 - - Google Patents
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路を製造する場合に用
い得るＸ線露光用マスクの製法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for manufacturing an X-ray exposure mask that can be used in manufacturing semiconductor integrated circuits.
従来の技術
従来、次に述べるＸ線露光用マスクの製法が提
案されている。BACKGROUND ART Conventionally, the following method for manufacturing an X-ray exposure mask has been proposed.
すなわち、第１図に示すように、例えば、Siで
なるウエフア１上にＸ線を透過させる性質を有す
る例えばガラスでなる基板本体２を配している基
板３を予め用意し（第１図Ａ）、その基板３の基
板本体２上に、AuでなるＸ線吸収体層４を形成
する（第１図Ｂ）。 That is, as shown in FIG. 1, a substrate 3 is prepared in advance, in which a substrate body 2 made of, for example, glass and having a property of transmitting X-rays is arranged on a wafer 1 made of, for example, Si (see FIG. 1A). ), an X-ray absorber layer 4 made of Au is formed on the substrate body 2 of the substrate 3 (FIG. 1B).
次に、Ｘ線吸収体層４上に、Ti、Ta等でなる
金属層５を形成する（第１図Ｃ）。 Next, a metal layer 5 made of Ti, Ta, etc. is formed on the X-ray absorber layer 4 (FIG. 1C).
次に、その金属層５上に、フオトレジスト層６
を形成し（第１図Ｄ）、次で、そのフオトレジス
ト層６に対する所望のパターンを有する露光処
理、それに続く現像処理によつて、フオトレジス
ト層６から、所望のパターンを有するフオトレジ
スト層６′を形成する（第１図Ｅ）。 Next, a photoresist layer 6 is placed on the metal layer 5.
(FIG. 1D), and then the photoresist layer 6 is exposed to light having a desired pattern, followed by a development treatment to form a photoresist layer 6 having a desired pattern from the photoresist layer 6. ' (Fig. 1E).
次に、そのフオトレジスト層６′をマスクとす
る、金属層５に対する、例えばCF4のプラズマを
用いたエツチング処理により、金属層５から、所
望のパターンを有する金属層５′を形成する（第
１図Ｆ）。 Next, a metal layer 5' having a desired pattern is formed from the metal layer 5 by etching the metal layer 5 using, for example, CF 4 plasma using the photoresist layer 6' as a mask. Figure 1 F).
次に、その金属層５′上より、フオトレジスト
層６′を除去し、そして金属層５′をマスクとす
る、Ｘ線吸収体層４に対する、Arガス等の不活
性ガスによるイオンを用いた、イオンエツチング
処理により、Ｘ線吸収体層４から、所望のパター
ンを有するＸ線吸収体層４′を形成する（第１図
Ｇ）。 Next, the photoresist layer 6' was removed from above the metal layer 5', and ions using an inert gas such as Ar gas were applied to the X-ray absorber layer 4 using the metal layer 5' as a mask. An X-ray absorber layer 4' having a desired pattern is formed from the X-ray absorber layer 4 by ion etching (FIG. 1G).
次に、基板３のウエフア１に対するマスクを用
いたエツチング処理により、ウエフア１から、そ
の周りの部分でなるウエフア１′を形成し（第１
図Ｈ）、かくて、目的とするＸ線露光用マスクを
得る。 Next, by etching the wafer 1 of the substrate 3 using a mask, a wafer 1' consisting of the wafer 1 and its surrounding area is formed (first etching process).
Figure H), thus obtaining the desired X-ray exposure mask.
以上が、従来提案されているＸ線露光用マスク
の製法である。 The above is the conventionally proposed method for manufacturing an X-ray exposure mask.
このような従来のＸ線露光用マスクの製法によ
つて得られるＸ線露光用マスクの製法の場合、そ
の所望のパターンを有するＸ線吸収体層４′がAu
でなるので、そのＸ線吸収体層４′は、Ｘ線（特
に軟Ｘ線）を良く吸収するのでＸ線露光用マスク
の製法として有用である。 In the case of manufacturing an X-ray exposure mask obtained by such a conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask, the X-ray absorber layer 4' having the desired pattern is made of Au.
Therefore, the X-ray absorber layer 4' absorbs X-rays (especially soft X-rays) well and is therefore useful as a method for manufacturing an X-ray exposure mask.
従つて、上述した従来のＸ線露光用マスクの製
法によれば、そのような有用なＸ線露光用マスク
を製造することができる。 Therefore, according to the above-described conventional method for manufacturing an X-ray exposure mask, such a useful X-ray exposure mask can be manufactured.
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述した従来のＸ線露光用マス
クの製法の場合、所望のパターンを有するＸ線吸
収体層４′が、所望のパターンを有する金属層
５′をマスクとしたAuでなるＸ線吸収体層４に対
するイオンエツチング処理によつて形成されるの
で、このイオンエツチング処理時、Auが金属層
５′の側面に付着したり、金属層５′がその側面か
らエツチングされて、その金属層５′のパターン
が頭初のパターンより小さくなるなどの理由で、
Ｘ線吸収体層４′が、75゜程度に傾斜した側面を有
するものとして形成される。Problems to be Solved by the Invention However, in the case of the above-described conventional method for manufacturing an X-ray exposure mask, the X-ray absorber layer 4' having a desired pattern does not function as a mask for the metal layer 5' having a desired pattern. Since the X-ray absorber layer 4 is formed by ion etching on the X-ray absorber layer 4 made of Au, during this ion etching process, there is no possibility that Au will adhere to the side surfaces of the metal layer 5' or that the metal layer 5' will be etched from the side surfaces. For reasons such as the pattern of the metal layer 5' becoming smaller than the initial pattern,
The X-ray absorber layer 4' is formed with side surfaces inclined at about 75 degrees.
このため、上述した従来のＸ線露光用マスクの
製法の場合、所望のパターンを有するＸ線吸収体
層４′を、サブミクロンオーダの、微細なパター
ンに形成することが、きわめて困難であつた。 For this reason, in the case of the above-mentioned conventional method for manufacturing an X-ray exposure mask, it is extremely difficult to form the X-ray absorber layer 4' having a desired pattern into a fine pattern on the submicron order. .
従つて、従来のＸ線露光用マスクの製法の場
合、それを適用して、半導体集積回路を製造して
も、その半導体集積回路を、サブミクロンオーダ
の微細なパターンに製造することが、きわめて困
難である、などの欠点を有していた。 Therefore, even if a semiconductor integrated circuit is manufactured using the conventional X-ray exposure mask manufacturing method, it is extremely difficult to manufacture the semiconductor integrated circuit into a fine pattern on the submicron order. It had drawbacks such as being difficult.
問題点を解決するための手段及び作用・効果
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
なＸ線露光用マスクの製法を提案せんとするもの
である。Means for Solving the Problems and Actions/Effects Therefore, the present invention aims to propose a novel method for manufacturing an X-ray exposure mask that does not have the above-mentioned drawbacks.
本発明者などは、種々の実験の結果、見掛上、
第１図Ｈで上述したＸ線露光用マスクの構成を有
するが、その所望のパターンを有するＸ線吸収体
層４′が、Auでなるのに代え、Taでなるという
Ｘ線露光用マスクであつても、この場合のＸ線吸
収体層４′が、Auでなる場合と同様に、Ｘ線（特
に軟Ｘ線）を良く吸収し、従つて、この場合のＸ
線露光用マスクが、第１図Ｈで上述した従来のＸ
線露光用マスクと同様に、Ｘ線露光用マスクとし
て有用である、ことを確認するに到つた。 As a result of various experiments, the inventors and others have found that the apparent
This X-ray exposure mask has the structure of the X-ray exposure mask described above in FIG. 1H, but the X-ray absorber layer 4' having the desired pattern is made of Ta instead of Au. Even if the X-ray absorber layer 4' in this case absorbs X-rays (especially soft X-rays) well, as in the case of Au,
The line exposure mask is the conventional X
It has been confirmed that this material is useful as a mask for X-ray exposure in the same way as a mask for radiation exposure.
また、上述したような、見掛上、第１図Ｈで上
述したＸ線露光用マスクの構成を有するが、その
所望のパターンを有するＸ線吸収体層４′が、Au
でなるのに代え、TaでなるというＸ線露光用マ
スクである場合、この場合のＸ線吸収体層４′を
構成しているTaが、Auに比し廉価であるので、
この場合のＸ線露光用マスクを、第１図で上述し
た従来のＸ線露光用マスクに比し、廉価に提供し
得ることも確認するに到つた。 Further, although it apparently has the structure of the X-ray exposure mask described above in FIG. 1H as described above, the X-ray absorber layer 4' having the desired pattern is
In the case of an X-ray exposure mask made of Ta instead of , Ta, which constitutes the X-ray absorber layer 4' in this case, is cheaper than Au.
It has also been confirmed that the X-ray exposure mask in this case can be provided at a lower cost than the conventional X-ray exposure mask described above in FIG.
さらに、第１図Ｈで上述した従来のＸ線露光用
マスクの構成において、その所望のパターンを有
するＸ線吸収体層４′が、上述したように、Taで
なり、また、この場合のTaでなるＸ線吸収体層
４′上にフオトレジストのような高分子材または
SiO2でなる層が形成されていることを除いては、
第１図Ｈで上述したＸ線露光用マスクの構成と同
様の、Ｘ線露光用マスクの場合、この場合のＸ線
吸収体層４′上に形成されている高分子材または
SiO2でなる層が、Ｘ線吸収体層４′がＸ線を吸収
した場合に、そのＸ線吸収体層４′から外部に放
射せんとするオージエ電子、光電子などの電子を
吸収する電子吸収体層として作用し、従つて、こ
の場合のＸ線露光用マスクが、第１図Ｈで上述し
た従来のＸ線露光用マスクに比し、格段的に高い
マスクコントラストを呈し、よつて、この場合の
Ｘ線露光用マスクが、第１図Ｈに示す従来のＸ線
露光用マスクに比し優れていることも確認するに
到つた。 Further, in the configuration of the conventional X-ray exposure mask described above in FIG. 1H, the X-ray absorber layer 4' having the desired pattern is made of Ta as described above, A polymeric material such as photoresist or
Except that a layer of SiO 2 is formed.
In the case of an X-ray exposure mask similar to the configuration of the X-ray exposure mask described above in FIG. 1H, the polymeric material or
A layer made of SiO 2 absorbs electrons such as Auger electrons and photoelectrons that are emitted from the X-ray absorber layer 4' to the outside when the X-ray absorber layer 4' absorbs X-rays. Therefore, the X-ray exposure mask in this case exhibits a significantly higher mask contrast than the conventional X-ray exposure mask described above in FIG. It has also been confirmed that the X-ray exposure mask according to the present invention is superior to the conventional X-ray exposure mask shown in FIG. 1H.
また、第１図Ｈで上述した従来のＸ線露光用マ
スクの構成において、その所望のパターンを有す
るＸ線吸収体層４′が、上述したように、Taでな
る、というＸ線露光用マスク、または、第１図Ｈ
で上述した従来のＸ線露光用マスクの構成におい
て、その所望のパターンを有するＸ線吸収体層
４′が、上述したように、Taでなり、また、この
場合のTaでなるＸ線吸収体層４′上に、上述した
高分子材またはSiO2でなる層が形成されている
ことを除いては、第１図Ｈで上述したＸ線露光用
マスクの構成と同様の構成を有する、というＸ線
露光用マスクを製造する場合において、Ｘ線吸収
体層４′を、上述した高分子材またはSiO2でなる
層をマスクとする、CBrF3ガスによる反応性スパ
ツタエツチング処理によつて、TaでなるＸ線吸
収体層から形成するようにすれば、この場合、上
述したマスクとしての高分子材またはSiO2でな
る層が、頭初のパターンより小さくなつたり、ま
た、Ｘ線吸収体層４′が傾斜した側面を有するも
のとして形成されたりせず、よつて、Ｘ線吸収体
層４′を、上述した従来のＸ線露光用マスクの製
法の欠点を有することなしに、サブミクロンオー
ダの微細なパターンに、容易に、形成することが
でき、従つて、半導体集積回路を製造する場合に
適用した場合、その半導体集積回路を、サブミク
ロンオーダの微細なパターンを有するものとし
て、容易に、製造することができることも確認す
るに到つた。 Furthermore, in the structure of the conventional X-ray exposure mask described above in FIG. , or Figure 1H
In the configuration of the conventional X-ray exposure mask described above, the X-ray absorber layer 4' having the desired pattern is made of Ta, and the X-ray absorber layer 4' made of Ta in this case is It has the same structure as the X-ray exposure mask described above in FIG. When manufacturing an X-ray exposure mask, the X-ray absorber layer 4' is subjected to a reactive sputter etching process using CBrF 3 gas using the above-mentioned polymer material or SiO 2 layer as a mask. If it is formed from an X-ray absorber layer made of Ta, in this case, the layer made of the polymeric material or SiO 2 as the mask described above will become smaller than the initial pattern, and the X-ray absorber layer The layer 4' is not formed with sloped side surfaces, and therefore the X-ray absorber layer 4' can be formed in a submicron layer without having the above-mentioned disadvantages of the conventional method of manufacturing an X-ray exposure mask. It can be easily formed into a fine pattern on the order of a submicron, and therefore, when applied to the production of a semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit can be easily formed into a fine pattern on the order of submicrons. We have also confirmed that it can be manufactured.
よつて、本発明者などは、特許請求の範囲に記
載している、新規なＸ線露光用マスクの製法を提
案するに到つたものである。 Therefore, the inventors of the present invention have proposed a novel method for manufacturing an X-ray exposure mask as set forth in the claims.
実施例 １
次に、第２図を伴つて、本発明によるＸ線露光
用マスクの製法の第１の実施例を述べよう。Example 1 Next, a first example of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention will be described with reference to FIG.
第１図で上述したと同様に、例えばSiでなるウ
エフア１上に、Ｘ線を透過させる性質を有する例
えばガラスでなる基板本体２を配している基板３
を予め用意し（第２図Ａ）、その基板３の基板本
体２上に、TaでなるＸ線吸収体層１４を、蒸着
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法
などによつて、8000Åの厚さに形成した（第２図
Ｂ）。 As described above with reference to FIG. 1, a substrate 3 has a substrate body 2 made of, for example, glass and having a property of transmitting X-rays, arranged on a wafer 1 made of, for example, Si.
is prepared in advance (FIG. 2A), and an X-ray absorber layer 14 made of Ta is formed on the substrate body 2 of the substrate 3 to a thickness of 8000 Å by vapor deposition, sputtering, ion plating, etc. (Fig. 2B).
次に、Ｘ線吸収体層１４上に、フオトレジスト
層を、高分子材でなる電子吸収体層１５として、
スピンコート法によつて形成し（第２図Ｃ）、次
で、その電子吸収体層１５に対する所望のパター
ンを有する露光処理、それに続く現像処理によつ
て、電子吸収体層１５から、所望のパターンを有
する電子吸収体層１５′を形成した（第２図Ｄ）。 Next, a photoresist layer is placed on the X-ray absorber layer 14 as an electron absorber layer 15 made of a polymer material.
The electron absorber layer 15 is formed by a spin coating method (FIG. 2C), and then a desired pattern is formed from the electron absorber layer 15 by exposure treatment to form a desired pattern on the electron absorber layer 15 and subsequent development treatment. An electron absorber layer 15' having a pattern was formed (FIG. 2D).
次に、Ｘ線吸収体層１４に対する、電子吸収体
層１５′をマスクとする、CBrF3ガスによる反応
性スパツタエツチング処理により、Ｘ線吸収体層
１４から、所望のパターンを有する、Taでなる
Ｘ線吸収体層１４′を形成した（第２図Ｅ）。 Next, a reactive sputter etching process is performed on the X-ray absorber layer 14 using CBrF 3 gas using the electron absorber layer 15' as a mask, so that Ta having a desired pattern is etched from the X-ray absorber layer 14. An X-ray absorber layer 14' was formed (FIG. 2E).
次に、第１図で上述したと同様に、基板３のウ
エフア１に対する、マスクを用いたエツチング処
理により、ウエフア１から、その周りの部分でな
るウエフア１′を形成し（第２図Ｆ）、かくて、目
的とするＸ線露光用マスクを得た。 Next, in the same manner as described above with reference to FIG. 1, the wafer 1 of the substrate 3 is etched using a mask to form a wafer 1' consisting of the wafer 1 and the surrounding area (FIG. 2F). In this way, the intended X-ray exposure mask was obtained.
実施例 ２
次に、第３図を伴つて、本発明によるＸ線露光
用マスクの製法の第２の実施例を述べよう。Example 2 Next, a second example of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention will be described with reference to FIG.
第２図Ａで上述したと同様の、ウエフア１上
に、基板本体２を配している基板３を予め用意し
（第３図Ａ）、その基板３の基板本体２上に、第２
図Ｂで上述したと同様に、TaでなるＸ線吸収体
層１４を形成した（第３図Ｂ）。 A substrate 3 on which a substrate body 2 is disposed on a wafer 1, similar to that described above in FIG. 2A, is prepared in advance (FIG. 3A), and a second
An X-ray absorber layer 14 made of Ta was formed in the same manner as described above with reference to FIG. 3B (FIG. 3B).
次に、Ｘ線吸収体層１４上に、SiO2層を、電
子吸収体層２５として、それ自体は公知の種々の
方法で、形成した（第３図Ｃ）。 Next, a SiO 2 layer was formed as an electron absorber layer 25 on the X-ray absorber layer 14 by various methods known per se (FIG. 3C).
次に、電子吸収体層２５上に、フオトレジスト
層２６を形成し（第３図Ｄ）、次で、そのフオト
レジスト層２６に対する、所望のパターンを有す
る露光処理、それに続く現像処理によつて、フオ
トレジスト層２６から、所望のパターンを有する
フオトレジスト層２６′を形成した（第３図Ｅ）。 Next, a photoresist layer 26 is formed on the electron absorber layer 25 (FIG. 3D), and then the photoresist layer 26 is subjected to an exposure treatment to form a desired pattern, followed by a development treatment. A photoresist layer 26' having a desired pattern was formed from the photoresist layer 26 (FIG. 3E).
次に、電子吸収体層２５に対する、フオトレジ
スト層２５′をマスクとするエツチング処理によ
つて、電子吸収体層２５から、所望のパターンを
有するSiO2でなる電子吸収体層２５′を形成した
（第３図Ｆ）。 Next, an electron absorber layer 25' made of SiO 2 having a desired pattern was formed from the electron absorber layer 25 by etching the electron absorber layer 25 using the photoresist layer 25' as a mask. (Figure 3F).
次に、フオトレジスト層２６′を、電子吸収体
層２５′上から除去し、次で、Ｘ線吸収体層１４
に対する、電子吸収体層２５′をマスクとする
CBrF3ガスによる反応性スパツタエツチング処理
により、Ｘ線吸収体層１４から、所望のパターン
を有する、TaでなるＸ線吸収体層１４′を形成し
た（第３図Ｇ）。 Next, the photoresist layer 26' is removed from above the electron absorber layer 25', and then the X-ray absorber layer 14 is removed.
The electron absorber layer 25' is used as a mask for
An X-ray absorber layer 14' made of Ta and having a desired pattern was formed from the X-ray absorber layer 14 by reactive sputter etching treatment using CBrF 3 gas (FIG. 3G).
次に、第２図で上述したと同様に、基板３のウ
エフア１に対する、マスクを用いたエツチング処
理により、ウエフア１から、その周りの部分でな
るウエフア１′を形成し（第３図Ｈ）、かくて、目
的とするＸ線露光用マスクを得た。 Next, in the same manner as described above with reference to FIG. 2, the wafer 1 of the substrate 3 is etched using a mask to form a wafer 1' consisting of the wafer 1 and the surrounding area (FIG. 3H). In this way, the intended X-ray exposure mask was obtained.
実施例 ３
次に、第４図を伴つて、本発明によるＸ線露光
用マスクの製法の第３の実施例を述べよう。Example 3 Next, a third example of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention will be described with reference to FIG.
第２図Ａで上述したと同様の、ウエフア１上に
基板本体２を配してなる基板３を予め用意し（第
４図Ａ）、その基板３の基板本体２上に、第２図
Ｂで上述したと同様に、TaでなるＸ線吸収体層
１４を形成した（第４図Ｂ）。 A substrate 3 consisting of a substrate body 2 disposed on a wafer 1, similar to that described above in FIG. 2A, is prepared in advance (FIG. 4A), and a In the same manner as described above, an X-ray absorber layer 14 made of Ta was formed (FIG. 4B).
次に、Ｘ線吸収体層１４上に、後で述べる反応
性スパツタエツチング処理に対して高い耐性を有
する高分子材層を、電子吸収体層２７として、そ
れ自体は公知の種々の方法で形成した（第４図
Ｃ）。 Next, on the X-ray absorber layer 14, a polymer material layer having high resistance to the reactive sputter etching treatment described later is formed as an electron absorber layer 27 by various methods known per se. (Fig. 4C).
次に、電子吸収体層２７上に、フオトレジスト
層２８を形成し（第４図Ｄ）、次で、そのフオト
レジスト層２８に対する、所望のパターンを有す
る露光処理、それに続く現像処理によつて、フオ
トレジスト層２８から、所望のパターンを有する
フオトレジスト層２８′を形成した（第４図Ｅ）。 Next, a photoresist layer 28 is formed on the electron absorber layer 27 (FIG. 4D), and then the photoresist layer 28 is subjected to an exposure treatment to form a desired pattern, followed by a development treatment. , a photoresist layer 28' having a desired pattern was formed from the photoresist layer 28 (FIG. 4E).
次に、電子吸収体層２７に対する、フオトレジ
スト層２８′をマスクとする、例えばTiでなる金
属の蒸着処理を行つて、電子吸収体層２７上のフ
オトレジスト層２８′の形成されていない領域上
に、金属層２９ａを形成した（第４図Ｆ）。この
金属層２９ａは、フオトレジスト層２８′のパタ
ーンに対して反転しているパターンを有する。な
お、この場合、フオトレジスト層２８′上に、金
属層２９ａと同じ金属の金属層２９ｂが形成され
ている。 Next, a metal such as Ti is vapor-deposited on the electron absorber layer 27 using the photoresist layer 28' as a mask, so that areas on the electron absorber layer 27 where the photoresist layer 28' is not formed are deposited. A metal layer 29a was formed thereon (FIG. 4F). This metal layer 29a has a pattern that is inverted with respect to the pattern of the photoresist layer 28'. In this case, a metal layer 29b made of the same metal as the metal layer 29a is formed on the photoresist layer 28'.
次に、フオトレジスト層２８′と、その上に形
成されている金属層２９ｂとを、フオトレジスト
層２８′を電子吸収体層２７上から溶去すること
によつて、すなわち、リフトオフすることによつ
て除去した（第４図Ｇ）。 Next, the photoresist layer 28' and the metal layer 29b formed thereon are lifted off by dissolving the photoresist layer 28' from above the electron absorber layer 27. It was then removed (Figure 4G).
次、電子吸収体層２７に対する、金属層２９ａ
をマスクとするエツチング処理によつて、電子吸
収体層２７から、所望のパターンを有する高分子
材でなる電子吸収体層２７′を形成した（第４図
Ｈ）。 Next, metal layer 29a for electron absorber layer 27
An electron absorber layer 27' made of a polymer material and having a desired pattern was formed from the electron absorber layer 27 by etching using as a mask (FIG. 4H).
次に、金属層２９ａを、電子吸収体層２７′上
から除去し、次で、Ｘ線吸収体層１４に対する、
電子吸収体層２７′をマスクとするCBrF3ガスに
よる反応性スパツタエツチング処理により、Ｘ線
吸収体層１４から、所望のパターンを有する、
TaでなるＸ線吸収体層１４′を、形成した（第４
図Ｉ）。 Next, the metal layer 29a is removed from above the electron absorber layer 27', and then the
By reactive sputter etching using CBrF 3 gas using the electron absorber layer 27' as a mask, a desired pattern is formed from the X-ray absorber layer 14.
An X-ray absorber layer 14' made of Ta was formed (fourth
Figure I).
次に、第２図Ｆで上述したと同様に、基板３の
ウエフア１に対する、マスクを用いたエツチング
処理により、ウエフア１から、その周りの部分で
なるウエフア１′を形成し（第４図Ｊ）、かくて、
目的とするＸ線露光用マスクを得た。 Next, in the same way as described above with reference to FIG. 2F, wafer 1' of the wafer 1 and its surroundings is formed by etching the wafer 1 of the substrate 3 using a mask (see FIG. 4J). ), thus,
The desired X-ray exposure mask was obtained.
以上で、本発明によるＸ線露光用マスクの製法
の実施例が明らかとなつた。 The embodiments of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention have been clarified above.
上述した本発明によるＸ線露光用マスクの製法
によれば、Ｘ線露光用マスクを、その所望のパタ
ーンを有するＸ線吸収体層１４′が、Taでなるの
で、従来のＸ線露光用マスクと同様に有用である
とともに従来のＸ線露光用マスクに比し廉価であ
るものとして、製造することができる、という特
徴を有する。 According to the above-described method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention, the X-ray exposure mask can be made from a conventional X-ray exposure mask because the X-ray absorber layer 14' having the desired pattern is made of Ta. It has the characteristics that it is as useful as the conventional X-ray exposure mask and can be manufactured at a lower cost than the conventional X-ray exposure mask.
また、上述した本発明によるＸ線露光用マスク
の製法によれば、Ｘ線露光用マスクを、その所望
のパターンを有するＸ線吸収体層１４′がTaでな
り、また、そのTaでなるＸ線吸収体層１４′上
に、高分子材でなる（第２図及び第４図に示す第
１及び第３の実施例の場合）またはSiO2でなる
（第３図に示す実施例の場合）電子吸収体層が形
成されているので、マスクコントラストの点で従
来のＸ線露光用マスクに比し優れているものとし
て、製造することができる、という特徴を有す
る。 Further, according to the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention described above, the X-ray exposure mask is made of Ta, and the X-ray absorber layer 14' having the desired pattern is made of Ta. On the line absorber layer 14', a layer made of a polymeric material (in the case of the first and third embodiments shown in FIGS. 2 and 4) or made of SiO 2 (in the case of the embodiment shown in FIG. 3) is applied. ) Since an electron absorber layer is formed, it has the characteristic that it can be manufactured as a mask superior to conventional X-ray exposure masks in terms of mask contrast.
なお、第２図Ｆ、第３図Ｈ及び第４図Ｊに示す
本発明によるＸ線露光用マスクについて、そのＸ
線吸収体層１４′の厚さＤ（μｍ）に対する、Mo
―Ｌ線（波長5.41Å）、Si―Ｋ線（波長7.13Å）及
びAl―Ｋ線（波長8.34Å）を用いたマスクコント
ラストを測定したところ、それぞれ、第５図Ａ，
Ｂ及びＣに示す結果が得られた。この結果から、
マスクコントラストを10の値で得るには、Ｘ線吸
収体層１４′の厚さＤを0.8μｍ程度にすればよい
ことが明らかである。 Regarding the X-ray exposure masks according to the present invention shown in FIG. 2F, FIG. 3H, and FIG. 4J, the X
Mo with respect to the thickness D (μm) of the line absorber layer 14'
When mask contrast was measured using -L line (wavelength 5.41 Å), Si-K line (wavelength 7.13 Å), and Al-K line (wavelength 8.34 Å), Figure 5A,
The results shown in B and C were obtained. from this result,
It is clear that in order to obtain a mask contrast of 10, the thickness D of the X-ray absorber layer 14' should be approximately 0.8 μm.
さらに、上述した本発明によるＸ線露光用マス
クの製法によれば、所望のパターンを有するＸ線
吸収体層１４′を、高分子材またはSiO2でなる層
をマスクとする、CBrF3ガスによる反応性スパツ
タエツチング処理によつて、TaでなるＸ線吸収
体層から形成するようにしているので、上述した
特徴あるＸ線露光用マスクを、上述した従来のＸ
線露光用マスクの製法の欠点を有することなし
に、容易に、形成することができる、という特徴
を有する。 Further, according to the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention described above, the X-ray absorber layer 14' having a desired pattern is formed by CBrF 3 gas using a layer made of a polymeric material or SiO 2 as a mask. Since the X-ray absorber layer made of Ta is formed using a reactive sputter etching process, the characteristic X-ray exposure mask described above is different from the conventional X-ray exposure mask described above.
It has the feature that it can be easily formed without having the drawbacks of the manufacturing method of line exposure masks.
第１図は、従来のＸ線露光用マスクの製法を示
す、順次の工程における略線的断面図である。第
２図は、本発明によるＸ線露光用マスクの製法の
第１の実施例を示す、順次の工程による略線的断
面図である。第３図は、本発明によるＸ線露光用
マスクの製法の第２の実施例を示す、順次の工程
における略線的断面図である。第４図は、本発明
によるＸ線露光用マスクの製法の第３の実施例を
示す、順次の工程における略線的断面図である。
第５図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるＸ線露光用
マスクの製法における、所望のパターンを有する
Ｘ線吸収体層の厚さＤ（μｍ）に対する、Ｍ―Ｌ
線、Si―Ｋ線及びAl―Ｋ線を用いたマスクコン
トラストを測定した結果をそれぞれ示す図であ
る。
１，１′…ウエフア、２…基板本体、３…基板、
１４…TaでなるＸ線吸収体層、１４′…所望のパ
ターンを有するTaでなるＸ線吸収体層、１５…
高分子材でなる電子吸収体層、１５′…所望のパ
ターンを有する高分子材でなる電子吸収体層、２
５…SiO2でなる電子吸収体層、２５′…所望のパ
ターンを有するSiO2でなる電子吸収体層、２７
…高分子材でなる電子吸収体層、２７′…所望の
パターンを有する高分子材でなる電子吸収体層。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing sequential steps in a conventional method for manufacturing an X-ray exposure mask. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of sequential steps showing a first embodiment of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of sequential steps showing a second embodiment of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of sequential steps showing a third embodiment of the method for manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention.
FIGS. 5A, B, and C show M-L with respect to the thickness D (μm) of an X-ray absorber layer having a desired pattern in the method of manufacturing an X-ray exposure mask according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing the results of measuring mask contrast using a Si-K line, a Si-K line, and an Al-K line, respectively. 1, 1'... Wafer, 2... Substrate body, 3... Substrate,
14... X-ray absorber layer made of Ta, 14'... X-ray absorber layer made of Ta having a desired pattern, 15...
Electron absorber layer made of a polymeric material, 15'...An electron absorber layer made of a polymeric material having a desired pattern, 2
5...Electron absorber layer made of SiO2 , 25'...Electron absorber layer made of SiO2 having a desired pattern, 27
...An electron absorber layer made of a polymeric material, 27'...An electron absorber layer made of a polymeric material having a desired pattern.
Claims (1)
る工程と、 上記Ｘ線吸収体層上に、所望のパターンを有す
る高分子材またはSiO2でなる電子吸収体層を形
成する工程と、 上記Ｘ線吸収体層に対する、上記電子吸収体層
をマスクとするCBrF3ガスによる反応性スパツタ
エツチング処理により、上記Ｘ線吸収体層から、
所望のパターンを有するTaでなるＸ線吸収体層
を形成する工程とを有することを特徴とするＸ線
露光用マスクの製法。[Claims] 1. A step of forming an X-ray absorber layer made of Ta on a substrate, and an electron absorber made of a polymeric material or SiO 2 having a desired pattern on the X-ray absorber layer. and a reactive sputter etching treatment of the X-ray absorber layer with CBrF 3 gas using the electron absorber layer as a mask, from the
1. A method for producing an X-ray exposure mask, comprising the step of forming an X-ray absorber layer made of Ta having a desired pattern.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124714A JPS5914638A (en) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | Mask for exposing x-ray and manufacture thereof |
| US06/513,954 US4515876A (en) | 1982-07-17 | 1983-07-15 | X-Ray lithography mask and method for fabricating the same |
| DE19833325832 DE3325832A1 (en) | 1982-07-17 | 1983-07-18 | X-RAY LITHOGRAPH MASK AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| FR8311817A FR2542882B1 (en) | 1982-07-17 | 1983-07-18 | X-RAY LITHOGRAPHY MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124714A JPS5914638A (en) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | Mask for exposing x-ray and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914638A JPS5914638A (en) | 1984-01-25 |
| JPS632138B2 true JPS632138B2 (en) | 1988-01-18 |
Family
ID=14892285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124714A Granted JPS5914638A (en) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | Mask for exposing x-ray and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914638A (en) |
-
1982
- 1982-07-17 JP JP57124714A patent/JPS5914638A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5914638A (en) | 1984-01-25 |
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