JPS63210265A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JPS63210265A JPS63210265A JP4378187A JP4378187A JPS63210265A JP S63210265 A JPS63210265 A JP S63210265A JP 4378187 A JP4378187 A JP 4378187A JP 4378187 A JP4378187 A JP 4378187A JP S63210265 A JPS63210265 A JP S63210265A
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- vapor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は成膜方法に関し、さらに詳細にいえば、ＩＣ
用のモジュール基板や、ＰＧＡ基板等の半導体回路や、
絶縁被覆層等を形成するための成膜方法に関する。
用のモジュール基板や、ＰＧＡ基板等の半導体回路や、
絶縁被覆層等を形成するための成膜方法に関する。
〈従来の技術〉
従来より、上記の成膜方法として大別して以下の３種類
が採用されている。すなわち、スクリーン印刷法、エツ
チング法、およびマスク被覆法である。
が採用されている。すなわち、スクリーン印刷法、エツ
チング法、およびマスク被覆法である。
スクリーン印刷法は、２５０μｍ以下ピッチの微細なパ
ターンの形成に適しておらず、またその製造方法上、成
膜材料が限定される。エツチング法は精度が高く、薄膜
のパターンニングにも適しているが工程数が多く、コス
ト高となる一方、基板および膜への損傷、汚染が生じて
信頼性が低下することがある。
ターンの形成に適しておらず、またその製造方法上、成
膜材料が限定される。エツチング法は精度が高く、薄膜
のパターンニングにも適しているが工程数が多く、コス
ト高となる一方、基板および膜への損傷、汚染が生じて
信頼性が低下することがある。
一方、マスク被覆法は、工程数が少なく、基板や膜への
損傷汚染が少なく、マスクと基板との密着性が確保され
れば、１００μω程度のピッチを得ることができるので
、ＩＣ用のモジュール基板、ＰＧＡ基板や汎用の部分被
覆リードフレーム等への成膜にあたって、広く採用され
ている。
損傷汚染が少なく、マスクと基板との密着性が確保され
れば、１００μω程度のピッチを得ることができるので
、ＩＣ用のモジュール基板、ＰＧＡ基板や汎用の部分被
覆リードフレーム等への成膜にあたって、広く採用され
ている。
マスク成膜法は、基板面をマスクで被覆するだけなので
、マスクを基板に密行させる必要がある。
、マスクを基板に密行させる必要がある。
そのために、マスクを基板上に単に載置したり、クリッ
プや錘等で機械的に固定したりすることも考えられるが
、密着度が弱かったり、密着部分にむらが生じたりして
不都合が生じる。そのために、従来より、基板の背面に
磁石を当てて、基板を通してマスクを磁力により吸引し
、マスクを基板に均一にむらなく密着させるようにする
ことが試みられている。
プや錘等で機械的に固定したりすることも考えられるが
、密着度が弱かったり、密着部分にむらが生じたりして
不都合が生じる。そのために、従来より、基板の背面に
磁石を当てて、基板を通してマスクを磁力により吸引し
、マスクを基板に均一にむらなく密着させるようにする
ことが試みられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、上記の磁石を利用した成膜方法では、基板の
背面に磁石を配置するため、磁石用の余分なスペースが
広く必要となる。また、基板のセット時に磁石と基板と
の位置合わせが必要である等、そのセットに手間を要し
、量産性が悪いものであった。
背面に磁石を配置するため、磁石用の余分なスペースが
広く必要となる。また、基板のセット時に磁石と基板と
の位置合わせが必要である等、そのセットに手間を要し
、量産性が悪いものであった。
〈発明の目的〉
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
基板背面に磁石を付加することなく、マスクを基板に密
着させることのでき、ひいては量産性を向上させること
ができる成膜方法を提供することを目的としている。
基板背面に磁石を付加することなく、マスクを基板に密
着させることのでき、ひいては量産性を向上させること
ができる成膜方法を提供することを目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための成膜方法は、着磁された基
板に、磁性体製マスクを磁気吸着させた状態で成膜する
ものである。
板に、磁性体製マスクを磁気吸着させた状態で成膜する
ものである。
く作用〉
」１記の成膜方法であれば、基板の磁気吸着力によって
、基板背面に磁石を配置することなく、マスクと基板と
を密着させることができる。
、基板背面に磁石を配置することなく、マスクと基板と
を密着させることができる。
〈実施例〉
以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。
第１図は、成膜方法を実施する真空蒸着装置（１）を示
す概略図であり、真空槽（２）の中において、蒸着物質
（４）を入れた加熱容器（３）と、マスク（６）で被覆
された基板（５）とが対向配置されている。
す概略図であり、真空槽（２）の中において、蒸着物質
（４）を入れた加熱容器（３）と、マスク（６）で被覆
された基板（５）とが対向配置されている。
基板（５）は、Ｆｅ ％ Ｃｏ ｓ Ｋ等の強磁性材料
またはこれらの合金からなるものであり、約２００エル
ステツド以上の保磁力を有するように着磁されているこ
とが、マスク（６）との吸着性の点から好ましい。
またはこれらの合金からなるものであり、約２００エル
ステツド以上の保磁力を有するように着磁されているこ
とが、マスク（６）との吸着性の点から好ましい。
基板（５）の磁化方向は任意であり、何れかの方向に一
様に磁化されていてもよく、いくつかの方向に分割して
磁化されていてもよい。また、基板（５）の全領域でな
く、一部の領域が磁化されているものであってもよい。
様に磁化されていてもよく、いくつかの方向に分割して
磁化されていてもよい。また、基板（５）の全領域でな
く、一部の領域が磁化されているものであってもよい。
例えば、マスク（６）の当たる部分だけが磁化されてい
てもよい。
てもよい。
上記の基板（５）を用いた真空蒸着方法によって、マス
ク（６）を良好な密着度でむらなく磁気吸着することが
でき、高精度の蒸着パターンを得ることとができる。
ク（６）を良好な密着度でむらなく磁気吸着することが
でき、高精度の蒸着パターンを得ることとができる。
基板（５）に付加した磁力は、基板（５）の使用後、消
磁装置で消して差し支えない。
磁装置で消して差し支えない。
また、基板（５）とともに、マスク（６）を着磁しても
よい。この場合、マスク（６）は、Ｆｅ５ＣＯＳＮＬ等
の強磁性材料またはこれらの合金からなるものであるこ
とが好ましい。
よい。この場合、マスク（６）は、Ｆｅ５ＣＯＳＮＬ等
の強磁性材料またはこれらの合金からなるものであるこ
とが好ましい。
なお、これらの発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、例えば成膜方法として、真空蒸着法以外に、成
膜を行うものであればイオンブレーティング法、スパッ
タリング法等の物理的蒸着法でもよく、このほかに電気
的、化学的に成膜するめっき法を用いてもよい。ただ、
基板自体を例えば６００℃以上に加熱すると、基板の保
磁力の低下が著しいので成膜中基板は６００℃以下に保
つことが好ましい。その他この発明の要旨を変更しない
範囲内において、種々の変更を施すことが可能である。
はなく、例えば成膜方法として、真空蒸着法以外に、成
膜を行うものであればイオンブレーティング法、スパッ
タリング法等の物理的蒸着法でもよく、このほかに電気
的、化学的に成膜するめっき法を用いてもよい。ただ、
基板自体を例えば６００℃以上に加熱すると、基板の保
磁力の低下が著しいので成膜中基板は６００℃以下に保
つことが好ましい。その他この発明の要旨を変更しない
範囲内において、種々の変更を施すことが可能である。
〈発明の効果〉
以上のようにこの発明によれば、基板裏面に磁石を配置
することなくマスクおよび基板を互いに均一にむらなく
密着することができるので、基板と磁石との位置合わせ
が不要となり、量産性に優れた成膜を行うことができる
という特有の効果を奏する。
することなくマスクおよび基板を互いに均一にむらなく
密着することができるので、基板と磁石との位置合わせ
が不要となり、量産性に優れた成膜を行うことができる
という特有の効果を奏する。
第１図は成膜方法を実施する真空蒸着装置を示す概略図
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスクを基板に被覆した状態で、マスク被覆部分以
外の基板面に成膜する成膜方法において、着磁された基
板に対し、 磁性体からなるマスクを磁気吸着させた状態で成膜する
ことを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4378187A JPS63210265A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4378187A JPS63210265A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210265A true JPS63210265A (ja) | 1988-08-31 |
Family
ID=12673297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4378187A Pending JPS63210265A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63210265A (ja) |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP4378187A patent/JPS63210265A/ja active Pending
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