CN102077377A - 用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法。明确地说，揭示一种在沉积期间对准磁膜的方法。所述方法包括在将第一磁性材料沉积到衬底上期间在所述衬底驻留于其中的区域中施加沿第一方向的第一磁场(130)。所述方法进一步包括在所述将所述第一磁性材料沉积到所述衬底上期间在所述区域中施加沿第二方向的第二磁场(132)。

Description

用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法
技术领域
本发明大体上涉及制造磁性随机存取存储器。
背景技术
技术的进展已产生更小且更强大的计算装置。举例来说，当前存在多种便携式个人计算装置，包括无线计算装置，例如体积小、重量轻且易于由用户携带的便携式无线电话、个人数字助理(PDA)及寻呼装置。更具体地说，例如蜂窝式电话及因特网协议(IP)电话等便携式无线电话可经由无线网络传送语音及数据包。此外，许多此类无线电话包括并入其中的其它类型的装置。举例来说，无线电话还可包括数字静态相机、数字视频相机、数字记录器及音频文件播放器。而且，此些无线电话可处理可执行指令，其包括可用以接入因特网的软件应用程序，例如网页浏览器应用程序。因而，这些无线电话可包括显著的计算能力。
减小功率消耗已产生此些便携式装置内的更小的电路特征大小及操作电压。特征大小及操作电压的减小(同时减小功率消耗)还增大对噪声及对制造过程变化的敏感性。
存储器通常包括于无线装置中，且功率消耗可通过降低存储器功率要求而减小。磁性随机存取存储器(MRAM)可比其它类型的存储器消耗更少功率，且可理想地用于无线装置中。因此需要通过在具有减小的特征大小的情况下降低功率消耗或增大可靠性而增大MRAM装置的有效性的制造技术。
发明内容
在特定实施例中，揭示一种对准磁膜的方法。所述方法包括在将第一磁性材料沉积到衬底上期间施加第一磁场以及在所述沉积到所述衬底上期间同时在区域中施加沿第二方向的第二磁场。
在另一特定实施例中，揭示一种设备。所述设备包括经配置以将磁性材料沉积到衬底上的沉积室。所述沉积室包括沉积区域。所述设备还包括用于在所述沉积区域内施加第一磁场的装置，所述第一磁场大体上沿第一方向而定向。所述设备进一步包括用于在所述沉积区域内施加第二磁场的装置，所述第二磁场大体上沿第二方向而定向。
在另一特定实施例中，所述设备包括界定封闭区域的外壳，其经配置以封闭衬底，所述衬底包括具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分。所述衬底将在所述衬底处于封闭区域中的同时经由沉积接收磁性材料。所述设备进一步包括经配置以在所述封闭区域中产生第一磁场的第一磁场产生器。所述第一磁场具有第一磁场方向。所述设备还包括经配置以在所述封闭区域中产生第二磁场的第二磁场产生器。所述第二磁场具有第二磁场方向。当所述第一磁场方向大体上与所述第一易磁化轴一致时，所沉积磁性材料的驻留于所述第一衬底部分上的第一部分具有至少部分地与所述第一易磁化轴对准的第一磁性定向。当所述第二磁场大体上与所述第二易磁化轴一致时，所沉积磁性材料的驻留于所述第二衬底部分上的第二部分具有至少部分地与所述第二易磁化轴对准的第二磁性定向。
在另一特定实施例中，揭示一种磁性随机存取存储器(MRAM)。所述MRAM包括衬底，所述衬底包括具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分。所述MRAM还具有包括沉积于所述衬底上的磁性材料的膜。所述膜包括第一膜部分及第二膜部分。所述第一膜部分耦合到所述第一衬底部分，且所述第一膜部分包括大体上沿第一易磁化轴对准的第一磁性材料部分。所述膜还包括耦合到所述第二衬底部分的第二膜部分。所述第二膜部分包括大体上与第二易磁化轴对准的第二磁性材料部分。在沉积膜期间，衬底经受大体上沿第一易磁化轴定向的第一磁场，同时衬底还经受大体上沿第二易磁化轴定向的第二磁场。
隧道磁阻比(TMR)为存储于MRAM内的磁性隧道结(MTJ)中的“0”状态与“1”状态之间的MTJ电阻差的测量。TMR越大，则状态之间的转变越确定且将数据写入到MRAM的MTJ可能需要的电流越小。由所揭示实施例中的至少一者所提供的一个特定优点为并入有根据所揭示实施例中的一者或一者以上所制造的一个或一个以上MTJ的MRAM可归因于所述MRAM内的MTJ中的一些或全部的增大的TMR而展现较低功率消耗。
在审阅整个申请案之后，本发明的其它方面、优点及特征将变得显而易见，整个申请案包括以下部分：附图说明、具体实施方式及权利要求书。
附图说明
图1为用以沉积磁膜的设备的特定说明性实施例的图；
图2为描绘形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的沉积的特定说明性实施例的图；
图3A为描绘形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的沉积的另一特定说明性实施例的图；
图3B为描绘形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的沉积的另一特定说明性实施例的图；
图4A为在衬底上的形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的另一特定说明性实施例的图；
图4B为磁性随机存取存储器的一部分的特定说明性实施例的图；
图5A为磁性随机存取存储器的一部分的另一特定说明性实施例的图；
图5B为磁性随机存取存储器的一部分的另一特定说明性实施例的图；
图6为用以沉积磁膜的设备的另一特定说明性实施例的图；及
图7为制造磁性随机存取存储器的方法的特定实施例的流程图。
具体实施方式
参看图1A，描绘用以沉积磁膜的设备的特定说明性实施例的图且将其大体上指定为100。所述设备包括界定可在其中发生磁性材料的沉积的封闭区域的沉积室102。沉积室102由具有第一定向且由导电材料制成的第一线圈106环绕。沉积室102还由具有第二定向且由相同导电材料或另一导电材料制成的第二线圈108环绕。可将物体104(第一磁性材料可沉积于所述物体上)放置于由衬底中的沟道界定的封闭区域内。可通过支撑卡盘板103将衬底支撑于沉积室102内。在特定说明性实施例中，物体104包括第一壁109、第二壁110、第三壁111及第四壁113。在特定说明性实施例中，在放置于沉积室102中之前，物体104已经制造而具有由沟道形成的每一壁。物体104的每一壁具有与对应钉扎磁性层相关联的易磁化轴且每一易磁化轴可具有与对应壁几何形状相关联的定向。在说明性实例中，为矩形的壁可具有沿所述矩形的主轴定向的易磁化轴。举例来说，第一壁109具有易磁化轴114，第二壁110具有易磁化轴116，第三壁111具有易磁化轴118，且第四壁113具有易磁化轴120。
第一线圈106可产生第一磁场130。第二线圈108可产生第二磁场132。在特定说明性实施例中，第一磁场130近似垂直于第二磁场132。在另一特定说明性实施例中，第一磁场130可相对于第二磁场132成斜角。
当第一电流(未图示)通过线圈106时，第一线圈106可产生第一磁场130，且当第二电流(未图示)通过第二线圈108时，第二线圈108可产生第二磁场132。在另一特定说明性实施例中，第一磁场130或第二磁场132可由可以包围沉积室102的环或其它结构布置的永久磁体提供。在又一特定说明性实施例中，第一磁场130或第二磁场132可通过使用替代类型的磁场产生设备而提供。
在特定说明性实施例中，可在空间上将每一磁场限定于沉积室102内。
在操作中，沉积室102可含有处于气体状态以沉积于物体104的壁上的磁性粒子。所述磁性粒子可包括：说明性磁性粒子122，其可具有大体上与第一磁场130对准的第一磁性定向；及第二说明性磁性粒子124，其可具有大体上与第二磁场132对准的第二磁性定向。
在特定说明性实施例中，在沉积磁性粒子之前，物体104可定位于沉积室102内而使易磁化轴118大体上对准于第一磁场130且其中第三壁111位于第一磁场130存在于其中的第一区域中。物体104还可经定位而使易磁化轴114、116及120大体上沿第二磁场132对准且第一壁109、第二壁110及第四壁114位于第二磁场132存在于其中的第二区域内。或者，第一磁场130可近似平行于易磁化轴118而定向。此外，第二磁场132可近似平行于易磁化轴114、116及120而定向。
可近似同时施加第一磁场130及第二磁场132，或可在共同时间间隔期间施加第一磁场130及第二磁场132。随着磁性粒子沉淀于物体104的表面上，每一磁性粒子可归因于第一磁场130或第二磁场132的存在而沿其沉淀在上面的壁的对应易磁化轴对准。在磁性材料沉积之前，沉积顺磁性导电材料。顺磁性导电材料导致磁场与层方向对准。此增强相同磁场对准粒子与对应壁的易磁化轴粘合。举例来说，经受第一磁场130的第一磁性粒子112可随着其粘附到第三壁111而沿易磁化轴118对准。经受第二磁场132的第二磁性粒子115可随着其粘附到第二壁110而沿易磁化轴116对准。所沉积的磁性粒子大体上沿壁的易磁化轴的磁性对准可产生所制造的MTJ的增大的隧道磁阻比(TMR)。当并入到MRAM中时，使用本文中所描述的沉积方法所制造的MTJ(三维)可产生所得MRAM的与用通过其它方法所制造的MTJ(例如，一维)所制成的MRAM相比的较低功率消耗及较高MTJ密度。
在另一特定说明性实施例中，第一磁场130及第二磁场132可贯穿沉积室的一部分具有大体上均匀的场强度。在此情况下，正被沉积的磁性粒子可倾向于沿为第一磁场130与第二磁场132的向量和的合成磁场对准。经沉积到物体104的壁上的磁性粒子可沿第一磁场130与第二磁场132的向量和对准，且每一所沉积磁性粒子可至少部分地与上面沉积所述磁性粒子的壁的对应易磁化轴对准。
参看图2，特定说明性实施例的图描绘用以形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜(包括第一磁性材料)的沉积(大体上指定为200)。衬底202包括在所述衬底202内具有大体上固定定向的第二磁性材料。衬底202内的第二磁性材料可称为定向上“钉扎”的(在本文中还称为“钉扎层”)。
在沉积期间，衬底202的暴露表面变得涂覆有磁性粒子。沉积室可通过物理气相沉积、等离子体增强物理气相沉积或经由另一材料沉积方式来沉积磁性材料。随着磁性粒子沉积于衬底202上，所述磁性粒子形成可包括许多分子厚度的磁性粒子的磁膜208。所沉积的磁性粒子可具有随机磁性定向。箭头206表示衬底的易磁化轴，其为与衬底形状及衬底202内的钉扎磁性层相关联的优选定向方向。由于所沉积磁性粒子的随机定向，通常不存在所沉积磁性粒子沿衬底202的易磁化轴206的磁性对准。
参看图3A，描绘另一特定说明性实施例的图，其描绘形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的沉积。已将衬底302放置到沉积室中以接收在衬底302上形成磁膜310的磁性粒子。沉积室(未图示)可经由物理气相沉积、等离子体增强物理气相沉积或经由另一方式来沉积磁性粒子。可在沉积到沉积室内的空间期间施加通常具有低强度(例如，小于100奥斯特)的磁场308。在沉积期间在存在磁场308时，磁性粒子(例如，磁性粒子306)可变得沿所施加的磁场308的方向对准。衬底302可具有易磁化轴304。在沉积之前，衬底302可经定位以使得易磁化轴304与磁场308对准。在沉积期间，磁性粒子可使自身大体上沿平行于易磁化轴304的磁场308的方向对准。沉积于衬底302上的磁性粒子形成磁膜310，其可具有磁膜310内的磁性粒子的平均磁性定向312。偏移角314表示平均磁性定向312与易磁化轴304在方向上的偏移。由于在沉积期间施加低强度磁场308，偏移角314可较小，这指示平均磁性定向312与易磁化轴304的大体对准。因此，由于沉积期间的低强度磁场308，磁膜310与衬底302的易磁化轴304紧密对准。对准可导致所制造MTJ的隧道磁阻比(TMR)增大。当并入到MRAM中时，与用通过其它方法制造的MTJ所制成的MRAM相比，使用本文中所描述的沉积方法所制造的MTJ可致使所得MRAM的功率消耗较低。
参看图3B，描绘另一特定说明性实施例的图，其描绘形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的沉积。在沉积之前，衬底302可经定位而使易磁化轴304沿磁场308的分量。由于在沉积期间存在磁场308，所沉积的磁性粒子可平行于磁场308而对准。通过在沉积期间施加低强度磁场308，磁膜310的平均磁性定向312与易磁化轴304之间的偏移角314与在沉积期间在不存在磁场308的情况下可出现的偏移角相比可有所减小。因此，由于在沉积期间所施加的低强度磁场308，磁性定向312至少部分地与衬底302的易磁化轴304对准。
在特定说明性实施例中，磁场308可具有小于数百奥斯特(例如，小于100奥斯特)的磁场强度。在另一特定说明性实施例中，磁场308可具有小于大约数十奥斯特的磁场强度。在又一特定说明性实施例中，磁场308可小于数百奥斯特，例如，小于100奥斯特。
参看图4A，展示在衬底上的形成磁性随机存取存储器的一部分的磁膜的另一特定说明性实施例。具有易磁化轴404的衬底402已接收到经由沉积(例如，物理气相沉积)或经由另一方式形成磁膜408的磁性材料层。衬底402及磁膜408经受磁性退火，其中易磁化轴404沿强磁场(约10000奥斯特)410的方向而定位，且衬底402及磁膜408的温度升高历时预定时间周期。由于磁性退火，磁膜408内的磁性粒子(例如，磁性粒子406)倾向于定向于磁场410的方向上。结果，在磁性退火之后，磁膜408内的磁性粒子的平均磁性定向412大体上沿着易磁化轴404，如由磁膜408的磁性粒子的平均磁场方向与易磁化轴404的极小偏移角414所展示。因此，磁性退火用以进一步对准磁膜408内的已在沉积期间在存在低强度磁场的情况下经部分对准的磁性粒子。
参看图4B，图4A的衬底及磁膜已经图案化以形成磁性随机存取存储器(MRAM)424。MRAM 424包括多个磁性隧道结(MTJ)，例如MTJ 416。MTJ 416包括钉扎铁磁性层418、隧穿阻挡层420及自由铁磁性层422。自由铁磁性层422可包括图4A中所展示的膜408的一部分。固定铁磁性层418可包括图4A中所展示的衬底402的一部分。因此，上面沉积有磁膜408的衬底402可经图案化为多个MTJ，从而形成磁性随机存取存储器。
参看图5A，展示随机存取存储器的一部分的另一特定说明性实施例的图且将其大体上指定为500。磁性隧道结(MTJ)单元502包括多个壁，其中每一壁具有对应钉扎磁性层。第一壁504具有第一易磁化轴508。第二壁520具有第二易磁化轴524。第三壁506具有第三易磁化轴512。第四壁522具有第四易磁化轴526。在制造期间，MTJ单元502可经受磁性材料的沉积。在沉积期间，MTJ单元502可处于沉积室内，其中第一低强度磁场516经施加并限定于沉积室(未图示)的包括第三壁506的区域。具有第二方向的第二磁性低强度磁场518可经施加并限定于沉积室的包括第一壁504、第二壁520及第四壁522的另一区域。在沉积之前，单元502可经定向以使得第三易磁化轴512近似平行于第一磁场516且易磁化轴508、524及526近似平行于第二磁场518。
由于在沉积期间存在低强度磁场516及518，沉积于结构502上的每一磁性粒子倾向于沿上面沉积所述磁性粒子的壁的易磁化轴对准。举例来说，磁性粒子510在经沉积时倾向于沿对应于第一壁504的第一易磁化轴508对准。沉积于第三壁506上的磁性粒子514倾向于沿第三易磁化轴512对准。因此，由于存在第一磁场516及第二磁场518，沉积于结构502的壁上从而在所述壁中的每一者上形成磁膜的磁性粒子倾向于沿对应于上面沉积磁性粒子的壁的相应易磁化轴对准。结果，沉积于壁表面上的磁膜倾向于沿对应壁的易磁化轴对准。因此，归因于在沉积期间存在低强度磁场，沉积于装置502的壁上的磁膜倾向于与对应易磁化轴紧密对准，这可产生MTJ的增强的隧道磁阻比(TMR)。
参看图5B，展示磁性随机存取存储器的一部分的另一特定说明性实施例的图。在沉积期间，装置502可处于沉积室内，其中第一低强度磁场516及第二磁性低强度磁场518近似均匀地存在于沉积室的其中放置装置502的整个区域中。沉积于壁504、506、520及522上的磁性粒子可倾向于沿为第一磁场516与第二磁场518的向量和的合成磁场方向530对准。每一磁性粒子可具有沿上面已沉积所述磁性粒子的壁的易磁化轴具有一分量的磁性定向，且因此可至少部分地与对应壁的易磁化轴对准。
参看图6，展示用以沉积磁膜的设备的另一特定说明性实施例的图且将其大体上指定为600。沉积室602界定可在其中发生磁性材料的沉积的空间。第一组导电线圈620可产生第一磁场608。第二组导电线圈622可产生第二磁场612。第三组导电线圈624可产生第三磁场614。或者，可通过可包括永久磁体的替代方式或经由产生磁场的另一方式产生磁场608、612、614中的每一者。
装置615可为处于制造阶段中的磁性隧道结单元。所述装置615包括矩形壁。举例来说，第一壁632可具有第一易磁化轴630，第二壁642可具有第二易磁化轴640，且第三壁652可具有第三易磁化轴650。在沉积期间，装置615可经定位以使得第一易磁化轴630沿第一磁场608的方向而定向，第二易磁化轴640沿第二磁场612的方向而定向，且第三易磁化轴652沿第三磁场614的方向而定向。由于存在低强度磁场608、612及614，每一磁性粒子(例如，磁性粒子626)可变得与为磁场608、612及614的向量和的合成磁场640对准。通过使用低强度磁场608、612及614，磁膜的所沉积磁性粒子可至少部分地与上面沉积所述磁性粒子的壁的对应易磁化轴对准。
参看图7，展示制造磁性随机存取存储器(MRAM)的方法的特定实施例的流程图。在框702处，将衬底放置于沉积室中，其中使第一磁场方向沿衬底的第一易磁化轴对准且使第二磁场方向沿衬底的第二易磁化轴对准。移动到框704，在沉积室内沿第一磁场方向施加第一低强度磁场且同时在沉积室内沿第二磁场方向施加第二低强度磁场。移动到框706，任选地沿第三磁场方向(衬底的一部分的第三易磁化轴已与所述第三磁场方向对准)施加第三磁场。所述第三磁场是与第一磁场及第二磁场同时施加。进行到框708，将磁性材料沉积到衬底上，从而在衬底上形成磁膜。前进到框710，在完成沉积之后，使用沿第一易磁化轴施加的第一高强度磁场及同时沿第二易磁化轴施加的第二高强度磁场而在升高的温度下使沉积有磁膜的衬底经受磁性退火。移动到框712，任选地，可在磁性退火期间同时沿第三易磁化轴施加第三高强度磁场。所述方法终止于框714处。
在操作中，通过在磁膜沉积期间沿对应于装置的表面的易磁化轴的方向施加低强度磁场，所沉积的磁膜可至少部分地与所述易磁化轴对准。尤其对于三维MTJ结构来说，每一壁的所沉积磁膜将部分地与每一易磁化轴对准。由于在磁性退火之前的磁膜对准，装置(例如MTJ单元，尤其三维MTJ)可显示改进的操作特性，例如增大的隧道磁阻比(TMR)。以此方式制造的MTJ可以比通过其它方法制造的MTJ低的功率消耗及高的MTJ单元密度来操作。
并入有如本文中所描述而制造的MRAM的存储媒体可耦合到处理器，使得所述处理器可从所述MRAM存储媒体读取信息及将信息写入到所述MRAM存储媒体。在替代方案中，存储媒体可与处理器成一体式。处理器及存储媒体可驻留于专用集成电路(ASIC)中。ASIC可驻留于计算装置或用户终端中。在替代方案中，处理器及存储媒体可作为离散组件而驻留于计算装置或用户终端中。
提供对所揭示的实施例的先前描述以使得所属领域的任何技术人员能够制作或使用所揭示的实施例。所属领域的技术人员将易于了解对这些实施例的各种修改，且可在不脱离本发明的范围的情况下将本文中所界定的原理应用于其它实施例。因此，本发明不希望限于本文所展示的实施例，而是应被赋予与如由所附权利要求书所界定的原理及新颖特征一致的可能最广范围。

Claims (25)

1.一种对准磁膜的方法，所述方法包含：
在将第一磁性材料沉积到衬底上期间在所述衬底驻留于其中的区域中施加沿第一方向的第一磁场，其中所述磁膜包含所述第一磁性材料；及
在所述将所述第一磁性材料沉积到所述衬底上期间在所述区域中施加沿第二方向的第二磁场。
2.根据权利要求1所述的方法，其中近似同时施加所述第一磁场及所述第二磁场。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在共同时间间隔期间施加所述第一磁场及所述第二磁场。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一磁场近似平行于所述衬底的第一部分的第一易磁化轴而定向，且使所述第二磁场近似平行于所述衬底的第二部分的第二易磁化轴而定向。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一磁场具有第一磁场强度，其中所述第一磁场强度具有小于大约1000奥斯特的值。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二磁场具有第二磁场强度，其中所述第二磁场强度具有小于大约1000奥斯特的值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含第二磁性材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述沉积所述第一磁性材料之后，使所述第一磁性材料磁性退火，其中所述磁性退火包含将第三磁场施加到所述区域，使所述第三磁场大体上沿所述第一方向而定向。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三磁场具有超过与所述第一磁场相关联的第一磁场强度的第三磁场强度。
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含将第四磁场施加到所述区域，其中使所述第四磁场大体上沿所述第二方向而定向。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第四磁场具有超过与所述第二磁场相关联的第二磁场强度的第四磁场强度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含：
具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分；
其中将所述衬底定向于所述区域内以使得使所述第一易磁化轴大体上沿所述第一方向而定向且使所述第二易磁化轴大体上沿所述第二方向而定向。
13.一种设备，其包含：
沉积室，其经配置以将磁性材料沉积到衬底上，所述沉积室包括沉积区域；
用于在所述沉积区域内施加第一磁场的装置，所述第一磁场大体上沿第一方向而定向；
用于在所述沉积区域内施加第二磁场的装置，所述第二磁场大体上沿第二方向而定向；
其中在沉积过程期间，所述磁性材料处于所述沉积区域内。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一磁场具有不超过数百奥斯特的第一磁场强度。
15.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一磁场具有不超过大约100奥斯特的第一磁场强度。
16.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二磁场具有不超过数百奥斯特的第二磁场强度。
17.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二磁场具有不超过100奥斯特的第二磁场强度。
18.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一方向近似垂直于所述第二方向。
19.根据权利要求13所述的设备，其进一步包含用于在第一区域内施加第三磁场的装置，所述第三磁场大体上沿不同于所述第一方向及所述第二方向的第三方向而定向。
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述衬底包含：
具有第一易磁化轴的第一衬底部分、具有第二易磁化轴的第二衬底部分及具有第三易磁化轴的第三衬底部分；
其中所述第一易磁化轴大体上沿所述第一方向而定向，所述第二易磁化轴大体上沿所述第二方向而定向，且所述第三易磁化轴大体上沿所述第三方向而定向。
21.一种设备，其包含：
界定封闭区域的外壳，其经配置以封闭衬底，所述衬底包括具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分，所述衬底将在所述衬底处于所述封闭区域中的同时经由沉积接收磁性材料；
第一磁场产生器，其经配置以在所述封闭区域中产生第一磁场，所述第一磁场具有第一磁场方向；
第二磁场产生器，其经配置以在所述封闭区域中产生第二磁场，所述第二磁场具有第二磁场方向；
其中当所述第一磁场方向大体上与所述第一易磁化轴一致时，所述所沉积磁性材料的驻留于所述第一衬底部分上的第一部分具有至少部分地与所述第一易磁化轴对准的第一磁性定向；且
其中当所述第二磁场大体上与所述第二易磁化轴一致时，所述所沉积磁性材料的驻留于所述第二衬底部分上的第二部分具有至少部分地与所述第二易磁化轴对准的第二磁性定向。
22.根据权利要求20所述的设备，其中所述所沉积磁性材料的所述第一部分及所述所沉积磁性材料的所述第二部分形成至少部分地覆盖所述衬底的磁膜。
23.根据权利要求21所述的设备，其中磁性隧道结是由所述衬底的一部分及所述磁膜的一部分形成的。
24.一种磁性随机存取存储器(MRAM)，其包含：
衬底，其包括具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分；
包括沉积于所述衬底上的磁性材料的膜，所述膜包括第一膜部分及第二膜部分；
所述第一膜部分耦合到所述第一衬底部分，其中所述第一膜部分包括大体上沿所述第一易磁化轴对准的第一磁性材料部分；
所述第二膜部分耦合到所述第二衬底部分，其中所述第二膜部分包括大体上沿所述第二易磁化轴对准的第二磁性材料部分；
其中在沉积所述膜期间，所述衬底经受大体上沿所述第一易磁化轴定向的第一磁场，同时所述衬底经受大体上沿所述第二易磁化轴定向的第二磁场。
25.根据权利要求24所述的MRAM，其中所述第一磁场具有小于数百奥斯特的第一磁场强度且所述第二磁场具有小于数百奥斯特的第二磁场强度。
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