JPS63201329U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63201329U JPS63201329U JP9351887U JP9351887U JPS63201329U JP S63201329 U JPS63201329 U JP S63201329U JP 9351887 U JP9351887 U JP 9351887U JP 9351887 U JP9351887 U JP 9351887U JP S63201329 U JPS63201329 U JP S63201329U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- hydrogen gas
- oxygen gas
- processing apparatus
- wafer processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims 1
Description
第１図は本考案の実施例であり半導体ウエハ処
理装置の断面図、第２図は第１図の点線部の拡大
断面図、第３図は従来の半導体ウエハ処理装置の
断面図である。 １は半導体ウエハ処理装置、２はウエハ、３は
ボート、４は炉芯管、５，６，７はノズルである
。
理装置の断面図、第２図は第１図の点線部の拡大
断面図、第３図は従来の半導体ウエハ処理装置の
断面図である。 １は半導体ウエハ処理装置、２はウエハ、３は
ボート、４は炉芯管、５，６，７はノズルである
。
Claims (1)
- 半導体ウエハが装入される炉芯管と、この炉芯
管内に水素ガスおよび酸素ガスとを導入し燃焼を
させるノズルとを少なくとも備えた半導体ウエハ
処理装置に於いて、前記ノズルを少なくとも２本
備え夫々に水素ガスおよび酸素ガスを導入し前記
ノズルの先端に角度を設けこの水素ガスおよび酸
素ガスを遠方で交差させることを特徴とした半導
体ウエハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9351887U JPS63201329U (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9351887U JPS63201329U (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201329U true JPS63201329U (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=30956161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9351887U Pending JPS63201329U (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201329U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273734A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP9351887U patent/JPS63201329U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273734A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nec Corp | 半導体製造装置 |